低温漂带隙基准芯片
一种高性能双极工艺带隙基准电压源的设计
（．ｈｎ ｌ ｔ ｎｃ ｃｎ ｌｇ ｒｕ ｏｐ ｒｔ ｎ ｏ ８ ｅｅｒｈ ｎｔｕｅＷ ｘ ２ ４ ３ ，ｈｎ ； １ ｉａ ｅ ｒ ｉ Ｔ ｈ ｏｏｙＧ ｏｐＣ ｒｏａｉ ． ｓａｃ ｓ ｔ ，ｕ ｉ １０ ５Ｃ ｉａ Ｃ Ｅ ｃｏ ｓｅ ｏ Ｎ ５Ｒ Ｉ ｉｔ
度 特性的直流 电压 或 电流 。文章提 出了一 种基于 ２ ｍ 双极 工艺设计的 高性 能的带隙基 准参考源 。 该 电路 结构简单 、性能好。用模拟 软件进行仿真 ，其温度 系数为 ３ ０×１ 。 、 电源抑制比 （ Ｓ Ｒ） ０／ ｃ ＰＲ
为 ．６ Ｂ、 电压拉 偏特 性 为 ３ ４× ｌ Ｖ。 ５ｄ ８ ０／ 关 键 词 ： 基 准 电压 ；带 隙 基 准 ； 电 源抑 制 比 ；双 极 工 艺
中图分类号 ：Ｔ ０ Ｎ７ ２
文献标 识码 ： Ａ
文章编号 ：１８ —０ ０（ ０ １ ５０２ —３ ６ １１７ ２ １ ）０—０ ８０
Ｄｅ ｉ ｎ ｏ ｇ ｒ ｏ ｍ ａ ｃ ｐｏ ａ ｎｄ ａ ｌａ ｅＲｅ ｅ ｅ ｃ ｓｇ ｆａＨｉ ｈ Ｐｅ ｆ ｒ ｎ ｅＢｉ ｌ ｒＢａ ｇ ｐ Ｖｏ ｔ ｇ ｆ ｒ ｎ ｅ
等 优点 ，因而 得到 了广泛 的应 用
１ 引言
基 准 电脏 源 是集 成 电路 中一 个 重要 的单 元 模 块 。目前 ，基准 电压源被广泛应 用在高精 度比较器 、 Ａ／ Ｄ和 Ｄ Ａ 转换器 、动态随 饥存取存储 器等集 成电 ／
本文 首先 简单介绍 了带隙基准 的原理 ，然 后基
３ 带 隙 基准 电压 源 的设 计
该模块 用来 产生带 隙基准电压 （．４ １ Ｖ）以及其 ２
各种电压基准芯片大全
美芯基准片MAX6160 Adj.(1.23 to 12.4) 2.7 to 12.6 100 1 100µA (15) SOT143, SO EMAX6120 1.2 2.4 to 11 100 1 70µA (10) SOT23, SO EMAX6520 1.2 2.4 to 12.6 50 1 70µA (10) SOT23, SO EMAX6001 1.25 2.5 to 12.6 100 1 45µA 25 SOT23 EMAX6012 1.25 2.5 to 12.6 20 to 30 0.3 to 0.5 35µA 25 SOT23 EMAX6190 1.25 2.5 to 12.6 5 to 25 0.16 to 0.48 35µA 25 SO EMAX6021 2.048 2.5 to 12.6 20 to 30 0.2 to 0.4 35µA 40 SOT23 EMAX6191 2.048 2.5 to 12.6 5 to 25 0.1 to 0.5 35µA 40 SO EMAX872 2.5 2.7 to 20 40 0.2 10µA (60) DIP, SO C, EMAX873 2.5 4.5 to 18 7 to 20 0.06 to 0.1 28µA (16) DIP, SO C, EMAX6002 2.5 2.7 to 12.6 100 1 45µA 60 SOT23 EMAX6025 2.5 2.7 to 12.6 20 to 30 0.2 to 0.4 35µA 60 SOT23 EMAX6125 2.5 2.7 to 12.6 50 1 100µA (15) SOT23, SO EMAX6192 2.5 2.7 to 12.6 5 to 25 0.1 to 0.4 35µA 60 SO EMAX6225 2.5 8 to 36 2 to 5 0.04 to 0.1 2.7 (1.5) DIP, SO C, EMAX6325 2.5 8 to 36 1 to 2.5 0.04 2.7 (1.5) DIP, SO C, EMAX6003 3 3.2 to 12.6 100 1 45µA 75 SOT23 EMAX6030 3 3.2 to 12.6 20 to 30 0.2 to 0.4 35µA 75 SOT23 EMAX6193 3 3.2 to 12.6 5 to 25 0.07 to 0.33 35µA 75 SO EMAX874 4.096 4.3 to 20 40 0.2 10µA (60) DIP, SO C, EMAX6004 4.096 4.3 to 12.6 100 1 45µA 100 SOT23 EMAX6041 4.096 4.3 to 12.6 20 to 30 0.2 to 0.4 35µA 100 SOT23 EMAX6141 4.096 4.3 to 12.6 50 1 105µA (25) SOT23, SO EMAX6198 4.096 4.3 to 12.6 5 to 25 0.05 to 0.24 35µA 100 SO EMAX6241 4.096 8 to 36 2 to 5 0.025 to 0.1 2.9 (2.4) DIP, SO C, EMAX6341 4.096 8 to 36 1 to 2.5 0.025 2.9 (1.5) DIP, SO C, EMAX6045 4.5 4.7 to 12.6 20 to 30 0.2 to 0.4 35µA 110 SOT23 EMAX6145 4.5 4.7 to 12.6 50 1 105µA (30) SOT23, SO EMAX6194 4.5 4.7 to 12.6 5 to 25 0.04 to 0.22 35µA 110 SO EMAX675 5 8 to 33 12 to 20 0.15 1.4 15 TO-99, DIP, SO C, EMAX875 5 7 to 18 7 to 20 0.06 to 0.1 0.28 (32) DIP, SO C, EMAX6005 5 5.2 to 12.6 100 1 45µA 120 SOT23 EMAX6050 5 5.2 to 12.6 20 to 30 0.2 to 0.4 35µA 120 SOT23 EMAX6150 5 5.2 to 12.6 50 1 110µA (35) SOT23, SO EMAX6195 5 5.2 to 12.6 5 to 25 0.04 to 0.2 35µA 120 SO EMAX6250 5 8 to 36 2 to 5 0.02 to 0.1 3 (3) DIP, SO C, EMAX6350 5 8 to 36 1 to 2.5 0.02 3 (1.5) DIP, SO C, EREF02 5 8 to 33 8.5 to 250 0.3 to 2 1.4 15 TO-99, DIP, SO C*温度范围：C = 0°C至+70°C，E = -40°C至85°C LM236D-2-5：2.5V基准电压源400uA~10mA宽工作电流LM236DR-2-5：2.5V基准电压源 400uA~10mA宽工作电流LM236LP-2-5：2.5V基准电压源 400uA~10mA宽工作电流LM285D-1-2：微功耗电压基准. 10uA~20mA宽工作电流LM285D-2-5：微功耗电压基准. 10uA~20mA宽工作电流LM285LP-2-5：微功耗电压基准. 10uA~20mA宽工作电流LM336BD-2-5：2.5V基准电压源. 10uA~20mA宽工作电流LM336BLP-2-5：2.5V基准电压源LM385BD-1-2：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流LM385BD-2-5：2.5V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流LM385BLP-1-2：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流LM385BLP-2-5：2.5V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流LM385BPW-1-2：微功耗电压基准. 15uA~20mA宽工作电流LM385BPW-2-5：微功耗电压基准. 15uA~20mA宽工作电流LM385D-1-2：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流LM385DR-1-2：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流LM385DR-2-5：2.5V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流LM385LP-2-5：2.5V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流LM385PW-1-2：1.2V微功率基准电压源. 15uA~20mA宽工作电流LM385PW-2-5：2.5V微功率基准电压源. 15uA~20mA宽工作电流REF02AP：+5V精密电压基准REF02AU：+5V精密电压基准REF02BP：+5V精密电压基准REF02BU：+5V精密电压基准REF1004I-2.5：+2.5V精密电压基准REF102AP：10V精密电压基准REF102AU：10V精密电压基准REF102BP：10V精密电压基准REF200AU：双电流基准REF2912AIDBZT：1.2V电压基准REF2920AIDBZT：2V电压基准REF2925AIDBZT：2.5V电压基准REF2930AIDBZT：3V电压基准REF2933AIDBZT：3.3V电压基准REF2940AIDBZT：4V电压基准REF3012AIDBZT：1.25V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电压基准REF3020AIDBZT：2.048V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电压基准REF3025AIDBZT：2.5V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电压基准REF3033AIDBZT：3.3V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电压基准REF3040AIDBZT：4.096V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电压基准REF3120AIDBZT：20ppM(最大)100uA，SOT23封装电压基准REF3133AIDBZT：20ppm/℃, 100uA, SOT23-3封装3.3V电压基准TL1431CD：精密可编程输出电压基准TL1431CPW：精密可编程输出电压基准LM336BLP-2-5：2.5V基准电压源LM385-1.2V：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流Xicor公司电压基准X60003CIG3-50：Xicor 公司电压基准X60003DIG3-50：Xicor 公司电压基准X60008BIS8-25：Xicor 公司电压基准X60008BIS8-41：Xicor 公司电压基准X60008BIS8-50：Xicor 公司电压基准X60008CIS8-25：Xicor 公司电压基准X60008CIS8-41：Xicor 公司电压基准X60008CIS8-50：Xicor 公司电压基准X60008DIS8-25：Xicor 公司电压基准X60008DIS8-41：Xicor 公司电压基准X60008DIS8-50：Xicor 公司电压基准X60008EIS8-50：Xicor 公司电压基准Intersil公司电压基准电压基准（Intersil）ISL60002CIB825：Intersil 公司电压基准ISL60002CIH325：Intersil 公司电压基准ISL60002DIB825：Intersil 公司电压基准ISL60002DIH325：Intersil 公司电压基准X60003CIG3-50T1：Intersil 公司电压基准X60003DIG3-50T1：Intersil 公司电压基准Microchip 微芯电压基准电压基准：MCP1525-I/TT：2.5V电压基准MCP1525T-I/TT：2.5V电压基准MCP1541-I/TT：4.096V电压基准MCP1541T-I/TT：4.096V电压基准ON 安森美电压基准电压基准：LM285D-1.2G：1.2V电压基准LM285D-2.5G：2.5V电压基准LM285D-2.5R2G：2.5V电压基准LM285Z-2.5G：2.5V电压基准LM385BD-1.2G：1.2V电压基准LM385BD-2.5G：2.5V电压基准LM385BD-2.5R2G：2.5V电压基准LM385BZ-1.2G：1.2V电压基准LM385BZ-2.5G：2.5V电压基准LM385D-1.2G：1.2V电压基准LM385D-1.2R2G：1.2V电压基准LM385D-2.5G：1.2V电压基准MC1403BP1G：低电压参考源MC1403D：低电压参考源MC1403DG：低电压参考源MC1403P1：低电压参考源MC1403P1G：低电压参考源NCP100SNT1：精密电压基准NCP100SNT1G：精密电压基准NCV1009D：2.5V电压基准NCV1009DG：2.5V电压基准NCV1009DR2G：2.5V电压基准NCV1009ZG：2.5V电压基准TL431ACDG：可编程精密参考源TL431ACDR2G：可编程精密参考源TL431ACLPG：可编程精密参考源TL431AIDG：可编程精密参考源TL431AIDMR2G：可编程精密参考源TL431AIDR2G：可编程精密参考源TL431AILPG：可编程精密参考源TL431BCDG：可编程精密参考源TL431BCDMR2G：可编程精密参考源TL431BCLPG：可编程精密参考源TL431BIDG：可编程精密参考源TL431BIDMR2G：可编程精密参考源TL431BIDR2G：可编程精密参考源TL431BILPG：可编程精密参考源TL431BVDG：可编程精密参考源TL431BVDR2G：可编程精密参考源TL431BVLPG：可编程精密参考源TL431CDG：可编程精密参考源TL431CLPG：可编程精密参考源TL431CLPRAG：可编程精密参考源TL431CPG：可编程精密参考源TL431IDG：可编程精密参考源TL431ILPG：可编程精密参考源TLV431ALPG：低电压精密可调参考源TLV431ALPRAG：低电压精密可调参考源TLV431ALPRPG：低电压精密可调参考源TLV431ASN1T1G：低电压精密可调参考源TLV431ASNT1G：低电压精密可调参考源TLV431BLPG：低电压精密可调参考源TLV431BLPRAG：低电压精密可调参考源TLV431BSN1T1G：低电压精密可调参考源TLV431BSNT1G：低电压精密可调参考源Sipex 半导体公司 Power电源管理器件电压基准 - - 更多... SPX1004AN-1.2：1.2伏/2.5伏微功耗电压基准SPX1004N-2.5：2.5伏微功耗电压基准SPX1431S：精准可调分流调节器SPX2431AM：精准可调分流调节器SPX2431AM-L/TR：SPX2431AM-L/TRSPX2431M-L：SPX2431M-LSPX385AM-L-5-0：微功耗电压基准SPX385AN-1.2：SPX385AN-1.2SPX431AM5：精准可调分流调节器SPX431AN-L/TR：SPX431AN-L/TRSPX431BM1/TR：SPX431BM1/TRSPX431BM1-L/TR：SPX431BM1-L/TRSPX431CS：SPX431CSSPX431LCN-L/TR：SPX431LCN-L/TRSPX432AM/TR：1.24V精准可调分流调节器SPX432AM-L/TR：SPX432AM-L/TR。
带隙基准学习笔记
带隙基准设计A.指标设定该带隙基准将用于给LDO提供基准电压，LDO的电源电压变化范围为1.4V到3.3V，所以带隙基准的电源电压变化范围与LDO的相同。
LDO的PSR要受到带隙基准PSR的影响，故设计的带隙基准要有高的PSR。
由于LDO是用于给数字电路提供电源，所以对噪声要求不是很高。
下表该带隙基准的指标。
电源电压1.4V~3.3V输出电压0.4V温度系数35ppm/℃PSR@DC，@1MHz-80dB，-20dB积分噪声电压（1Hz~100kHz）<1mV功耗<25uA线性调整率<0.01%B.拓扑结构的选择上图是传统结构的带隙基准，假设M1~M尺寸相同，那么输3出电压为R2V REF VlnNV BET3R1V是负温度系数，对温度求导数，得到公式（Razavi，BEPage313）：V BE3BE3(4)Tg/VmVETTq其中，3m。
如果输出电压为零温度系数，那么：2V REF V BE3TTkqlnNR2R1得到：kV BE(4m)V T E g/R32lnNqRT1q带入：R2V REF VlnNV BET3R1 得到：EgV REF(4m)VTq在27°温度下，输出电压等于1.185V，小于电源电压1.4V，可这个电路并不能工作在1.4V电源电压下，因为对于带隙基准里的运放来说，共模输入范围会受到电源电压限制，电源电压的最小值为：VDDmin V BE VV2GS_input_differential_pairover_drive_of_current_source其中，V是三极管Q2的导通电压，V GS_input_differential_pair是运放差BE2分输入管对的栅源电压，V____是运放差分输入管对尾overdriveofcurrentsource 电流源的过驱动电压。
对于微安级别的电流，可以认为：V GS VTH 这里将差分输入对的体和源级短接以减小失配，同时阈值电压不会受到体效应的影响。
带隙基准学习笔记
带隙基准设计A.指标设定该带隙基准将用于给LDO提供基准电压，LDO的电源电压变化范围为1.4V到3.3V，所以带隙基准的电源电压变化范围与LDO 的相同。
LDO的PSR要受到带隙基准PSR的影响，故设计的带隙基准要有高的PSR。
由于LDO是用于给数字电路提供电源，所以对噪声要求不是很高。
下表该带隙基准的指标。
电源电压 1.4V~3.3V输出电压0.4V温度系数35ppm/℃PSR@DC，@1MHz -80dB，-20dB积分噪声电压（1Hz~100kHz）<1mV功耗<25uA线性调整率<0.01%B.拓扑结构的选择上图是传统结构的带隙基准，假设31M ~M 尺寸相同，那么输出电压为312ln BE T REF V R R N V V += BE V 是负温度系数，对温度求导数，得到公式（Razavi ，Page313）：Tq E V m V T V g T BE BE /)4(33-+-=∂∂ 其中，23-≈m 。
如果输出电压为零温度系数，那么：0ln 123=+∂∂=∂∂R R N q k T V T V BE REF 得到：T q E V m V R R N q k g T BE /)4(ln 312-+--=带入：312ln BE T REF V R R N V V += 得到：T gREF V m q E V )4(++=在27°温度下，输出电压等于1.185V ，小于电源电压1.4V ，可这个电路并不能工作在1.4V 电源电压下，因为对于带隙基准里的运放来说，共模输入范围会受到电源电压限制，电源电压的最小值为：source current of drive over pair al differenti input GS BE V V V VDD _______2min ++=其中，2BE V 是三极管2Q 的导通电压，pair al differenti input GS V ___是运放差分输入管对的栅源电压，source current of drive over V ____是运放差分输入管对尾电流源的过驱动电压。
峰值检测系统的设计
南通大学电工电子实验中心电子系统综合设计实验报告课题名称：峰值检测系统的设计姓名：沈益学号：指导教师：陈娟实验时间：2011年1月3日至14日峰值检测系统主要由传感器、放大器、采样/保持、采样/保持控制电路、A/D转换电路、数码显示、数字锁存控制电路组成。
其关键任务是检测峰值并使之保持稳定，且用数字显示峰值。
一、设计目的1、掌握峰值检测系统的原理；2、掌握峰值检测系统的设计方法；3、掌握峰值检测系统的性能指标和调试方法。
二、设计任务及要求1、任务：设计一个峰值检测系统；2、要求：（1）传感器输出0~5mV，对应承受力0~2000kg；（2）测量值要用数字显示，显示范围是0~1999；（3）测量的峰值的电压要稳定。
三、设计原理1、设计总体方案据分析，可确定需设计系统的电路原理框图如图1所示：图1 峰值检测系统原理框图2、各部分功能传感器：将被测信号量转换成电量；放大器：将传感器输出的小信号放大，放大器的输出结果满足模数转换器的转换范围；采样/保持：对放大后的被测模拟量进行采样，并保持峰值； 采样/保持控制电路：该电路通过控制信号实现对峰值采样，小于峰值时，保持原峰值，大于原峰值时保持新的峰值；A/D 转换：将模拟量转换成数字量； 译码显示：完成峰值数字量的译码显示；数字锁存控制电路：对模数转换的峰值数字量进行锁存，小于峰值的数字量不锁存。
三、电路设计1、传感器：本文不予考虑；2、放大器：由于输出信号为0~5mV ，1mV 对应400kg ，因此选用电压增益为400的差动放大电路（该电路精度高），如图2所示。
图2 差动放大电路根据公式 400R )/R 2R (1R u u A 3124i o1U =+-==，分配第一级放大器放大倍数为8/R 2R 112=+，分配第二级放大器放大倍数为508400R R 34==，则选取电阻值分别为 1.6K R 1=， 5.6K R 2=，2K R 3=，K 001R 4=，四只电阻均选1/8W 金属膜电阻，三个放大器可选具有高输入共模电压和输入差模电压范围，具有失调电压调整能力以及短路保护等特点的A μ741型运算放大器。
输出电压可调的带隙基准源的设计
输出电压可调的带隙基准源的设计陈宇石;杨孟媛;储琪;陈文勤;张鹏;方玉明【摘要】针对传统基准电压源输出电压为1.25 V应用范围较小的问题,在传统带隙基准电压源的基础上,通过设计一种外围电路从而得到输出可调的带隙基准电压源.用Cadence软件在0.5μmCMOS工艺下进行仿真,仿真结果该电路的输出电压达到了1.84 V,相比传统模型输出电压提高了47.2％,从而提高了电压源使用的灵活性.【期刊名称】《电子科技》【年(卷),期】2017(030)003【总页数】3页(P164-166)【关键词】带隙基准电压源;输出电压可调;CMOS;温度系数【作者】陈宇石;杨孟媛;储琪;陈文勤;张鹏;方玉明【作者单位】南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023【正文语种】中文【中图分类】TN432精准的带隙基准电压源[1-3]是模拟集成电路的主要组成，在各种ADC，DAC电路中都有广泛的应用。
然而目前的带隙基准电压源的输出电压大都维持在1.25 V，这就限制了同一个基准电压源在不同工艺或者不同系统中应用的灵活性。
因此，本文在基本带隙电压源的基础上经过改进，增加了相应的外围电路，设计了一个输出电压可调的带隙基准电压源。
带隙电压基准的基本原理是将两个拥有相反温度系数的电压以合适的权重加权，最终获得零温度系数[4]的基准电压。
电压拥有正温度系数[5-6]，电压拥有负温度系数[7-8]，存在合适的权重和满足这样就得到了具有零温度系数的基准电压[9-10]。
基准电压的基本表达式为双极型晶体管有两个特性分别是：(1)双极型晶体管的基极—发射极电压与绝对温度成反比；(2)在不同集电极电流下，两个双极型晶体管的基极—发射极电压的差值与绝对温度成正比。
一种高精度曲率补偿带隙基准电压电路
一种高精度曲率补偿带隙基准电压电路方海莹;吕坚;于军胜;蒋亚东【摘要】设计一种采用电流模式和Buck's电压转移单元VBE进行高阶补偿的带隙基准电压源.电路采用CSMC0.5μm DPTM CMOS工艺制造.温度在-40～125℃之间变化时.基准电压源的温度系数为3.15 ppm/℃,在3.5～5.0 V之间的电压调整率为0.35 mV/V.【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2010(033)006【总页数】4页(P1-3,7)【关键词】带隙基准源;高阶曲率补偿;电流模式;低温漂【作者】方海莹;吕坚;于军胜;蒋亚东【作者单位】电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054【正文语种】中文【中图分类】TN4320 引言集成电路的飞速发展，使得电压基准得到广泛应用。
带隙基准电压源以其良好的温度稳定性和电源抑制特性而被广泛应用于模/数转换器，数/模转换器、开关电源以及存储器等数/模混合信号集成电路之中，其性能好坏直接影响到整个电路的输出精度。
随着数据转换精度的不断提高，传统带隙基准源的精度已很难满足电路设计的需要。
近年来，国内外已相继报道了多种曲率补偿的方法以减小温度漂移，包括二阶温度补偿、指数温度补偿、分段线性补偿、利用不同材料的电阻相反的温度特性进行补偿以及其他各种补偿方法[1-7]。
但是文献[1-5]中电路的结构复杂，占用芯片面积很大；文献[6]中的电路受工艺限制较大，在相同工艺下，很难通过改进电路结构提高电路的性能；文献[7]中采用的是BiCMOS工艺，成本较高。
在此设计一种基于电流模式和Buck′s电压转移单元进行高阶温度补偿的基准电压源电路，该基准具有很高的温度稳定性和电源抑制比。
基于STM32的高精度0～24 mA恒流源的设计
ｃｉｒｃｕｉｔ；ｐｏｒｔａｂｌｅ；ｈ培ｈ
ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ
引言 当今自动化仪器仪表设备的安装调试与维护，精密电阻的检
针对高精度便携式恒流源的需求，提出了一种基于ｓＴＭ３２ 的便携式恒流源的设计。该恒流源能够提供高精度的０～２４ ｍＡ恒流，在０～２４ ｍＡ范围内输出可调，并且该系统稳定性好、 精度高、体积小便于携带。
ＵＳＢ ＰＬＵＧ
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的时钟速率工作，并与标准ＳＰＩ接口标准兼容，在５ Ｖ时的功耗 降至１斗Ａ，功耗较低，ＡＤ５０６２的基准电压通过外部ＲＥＦ引脚 获得。 ＡＤ５０６２的输出电压的变化主要受基准电压源的影响，为 了提高稳定性，选用ＲＥＦｌ９２作为ＡＤ５０６２的基准电压芯片， ＲＥＦｌ９２精密带隙基准电压源采用温度漂移曲率校正专利电 路，并对高稳定性薄膜电阻进行激光调整，从而实现极低的温 度系数和较高精度。 为了提高系统的稳定性，防止系统出现电路故障，由 ＳＴＭ３２的ＡＤｃ分别对电池电压ＶＢＡＴ、ＳＴＭ３２供电电压３．３
医司
图１系统总体设计框图 收稿日期：２０１３—１０—２２收修改稿日期：２０１４—０６一１８
万方数据
第１ｌ期 是系统人机界面的重要组成部分。
徐巧玉等：基于ｓＴＭ３２的高精度０～２４ ｍＡ恒流源的设计
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稳定、功能完备、成本低，是开发小型控制系统核心控制芯片的 首选。４。在系统中主要负责控制Ａ／Ｄ转换芯片为Ｖ—Ｉ电路提 供输入电压、控制人机交互界面和系统电压监测。 ＳＴＭ３２通过ＦｓＭｃ与液晶模块连接，实现人机交互。根据 恒流源需求，通过ＳＰＩ总线控制ＡＤ５０６２为Ｖ—Ｉ电路提供输入 电压。当设定输出电流时，ＳＴＭ３２通过改变寄存器的数据来控 制ＡＤ５０６２的输出电压。ＡＤ５０６２是一款单通道、全精度、１６ 位、无缓冲电压输出ＤＡＣ，最大积分非线性误差（ＩＮＬ）为１ １５Ｂ，该器件采用多功能三线式串行接口，能够以最高３０
【国家自然科学基金】_bcd工艺_基金支持热词逐年推荐_【万方软件创新助手】_20140803
推荐指数 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2010年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
科研热词 pwm调光 零极点跟踪补偿 负载调整率 线性调整率 线性补偿 白光led驱动 电荷泵 电源抑制比 电流环 电压环 带隙基准Байду номын сангаас 带隙基准 峰值电流模式控制 峰值电流模式 基准源 双环路反馈 低电源噪声 低压差线性稳压器 psrr led驱动控制器 led驱动器 bcd工艺
推荐指数 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2011年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
2011年 科研热词 低功耗 电平移位 有源功率因数校正 功率mosfet 高精度 高端电流检测 高压器件 驱动电路 降压型 过压保护 衬底寄生电阻 瞬态响应 电源管理 电流比较器 电流检测放大器 感测电阻 平均电流控制模式 峰值电流控制 功率因数校正 led esd buck变换器 bcd工艺 推荐指数 3 2 2 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2008年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
2009年 科研热词 推荐指数 序号 科研热词 dc-dc变换器 2 1 多模式 burst模式 2 2 频率回扫模式 bcd工艺 2 3 降压-升压型dc-dc变换器 零电压开通 1 4 突发脉冲模式 降压型 1 5 模拟控制 阀控密封铅酸蓄电池 1 6 最大功率点跟踪 过流保护 1 7 振荡器 轨-轨比较器 1 8 四开关 跨导线性环 1 9 双极型-cmos-dmos(bcd) 谷底检测 1 10 准谐振 自适应 1 11 光伏电池 脉宽调制 1 12 pwm 线性调整率 1 13 dc-dc转换器 电压基准 1 14 bcd工艺 片上电流检测 1 涓流充电 1 模拟mppt控制电路 1 最大功率点 1 斜坡补偿 1 恒压充电 1 快速启动 1 微功耗 1 平滑过渡 1 带隙基准 1 峰值电流模式 1 宽电源电压 1 大电流充电 1 多模式 1 固定电压法 1 同步整流 1 反激式dc-dc变换器 1 双极型-互补金属氧化半导体-双扩散金属氧化半导体工艺(bcd工艺) 1 升压型led驱动控制器 1 全桥 1 光伏电池 1 休眠模式 1 pwm调光 1 pwm模式 1 d类功率放大器 1 bipolar cmos dmos(bcd) 1
直流稳压电源
第七章 直流稳定电源绝大多数电子设备在工作时都需要直流电源。
通常，电子设备内部大多安装有整流稳压装置，用以将供电电网提供的交流电变成稳定的直流电，供电子设备使用。
直流稳定电源是测控系统中的供电或基准单元，其性能指标对测控系统的性能有着重要的影响，因此稳定电源是测控系统中的重要部分。
直流稳定电源分为稳压电源和稳流电源两种，实用中以稳压电源为主，主要包括直流基准源、线性直流稳定电源和开关式直流稳定电源等。
7.1直流稳定电源的技术指标直流稳定电源的作用是向负载提供稳定的电压和电流。
描述电源稳定性的具体要求称为稳定电源的技术指标，包括反映电源电压、电流范围的特性和反映电源稳定稳定程度的质量指标。
7.1.1特性指标1) 输出电压范围。
在满足直流稳压电源正常工作要求的情况下，电压源的输出电压值。
该指标与最大输入电压、最小输入输出压差和最小输出电压有关。
2) 输出电流范围。
在满足直流稳流电源正常工作要求的情况下，电流源的输出电流值。
3)最大输出电流。
在满足直流稳压电源正常工作要求的情况下，能够输出的最大电流值。
超过该值，电源的稳压性能降低。
7.1.2 质量指标1)电压调整率。
作为一个稳压电源，输入V in 是不稳定的电压，输出V o 应当是稳定的。
定义：输入电压变化△V in 时引起输出电压的变化为电压调整率，用S V 表示。
0T 0Io in oV V V S =∆=∆∆∆=另外一种定义为输入电压变化△V in 时引起输出电压的相对变化为电压调整率)V /(%%100V V /V (%)S 0T 0Io in o o V =∆=∆⨯∆∆= （7-1）这两种定义给出的都是输入电压改变时电源保持预定电压输出的能力，目前都在被采用。
2) 负载调整率。
定义：在输入电压和其他条件不变时，输出电压的变化与输出电流变化的比值，反映稳压电源的输出阻抗，用R O 表示)(I V R 0T 0V o oo in Ω∆∆==∆=∆ （7-2）或表示为)m A /(%%100I V /V R 0T 0V o o o o in =∆=∆⨯∆∆=需要说明的是，对于电压源要求输出电阻小，其值越小输出电压越稳定；对于电流源要求输出电阻大，其值越大输出电流越稳定。
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低温漂带隙基准芯片
低温漂带隙基准芯片是一种用于测量和校准低温电子设备中能隙的
关键元件。本文将介绍这种芯片的工作原理、应用领域以及相关的
研究进展。
随着科技的不断发展，低温电子设备在量子计算、量子通信和量子
传感等领域中得到了广泛应用。而这些设备中的能隙测量和校准是
非常重要的，因为能隙直接关系到设备的性能和精度。而低温漂带
隙基准芯片就是一种能够提供准确能隙测量的关键元件。
低温漂带隙基准芯片的工作原理是基于超导材料的电子能级结构。
超导材料在低温下具有零电阻和完全的电子配对，其能带结构在零
温度下形成能隙。通过将该超导材料制成芯片形式，并将其与待测
样品接触，就可以通过测量芯片的能隙来间接测量待测样品的能隙。
低温漂带隙基准芯片的应用领域非常广泛。首先，它可以用于低温
量子计算中的能隙测量和校准，保证计算结果的准确性和可靠性。
其次，它也可以应用于低温量子通信中，确保通信过程中的传输精
度和安全性。此外，低温漂带隙基准芯片还可以用于低温传感器的
能隙校准，提高传感器的灵敏度和精度。
近年来，关于低温漂带隙基准芯片的研究也取得了一些进展。一方
面，研究人员通过优化超导材料的制备工艺和材料性能，提高了芯
片的能隙测量精度和稳定性。另一方面，他们还探索了新型的超导
材料和结构，以实现更高的工作温度和更宽的能隙范围。这些研究
成果为低温电子设备的发展提供了重要的支持。
低温漂带隙基准芯片是一种用于测量和校准低温电子设备中能隙的
关键元件。它的工作原理是基于超导材料的能级结构，通过测量芯
片的能隙来间接测量待测样品的能隙。该芯片在低温量子计算、量
子通信和低温传感器等领域中具有广泛的应用。目前，相关研究已
取得了一些进展，为低温电子设备的发展提供了重要的支持。未来，
我们可以期待更多关于低温漂带隙基准芯片的研究和应用。