可控硅参数符号说明
可控硅参数tc
可控硅参数tc可控硅（Thyristor Controlled Rectifier，简称TCR）是一种常见的电力控制器件，主要用于交流电压的控制和调节。
它具有可靠性高、效率高、体积小、功耗低等优点，在电力系统中起着重要的作用。
我们来了解一下可控硅的基本结构和工作原理。
可控硅由四个半导体材料组成，形成一个PNPN结构，其中有三个电极，即阳极（A）和阴极（K），以及控制电极（G）。
当控制电极施加正向电压时，可控硅处于导通状态；当施加反向电压时，可控硅处于阻断状态。
可控硅的主要特点之一是其具有单向导通特性。
也就是说，当可控硅被正向电压触发时，只有当其阴极为负电压时才能导通。
这种单向导通特性使得可控硅在交流电路中可以实现电流的单向控制。
可控硅的另一个重要特性是其具有自锁特性。
一旦可控硅被正向电压触发导通，即使控制电压消失，它仍然保持导通状态，直到电流降至零或反向电压出现。
这种自锁特性使得可控硅可以在一定程度上自动控制电流的开关状态。
除了单向导通和自锁特性外，可控硅还具有可控性和调节性。
通过改变控制电压的大小和时序，可以实现对可控硅导通的控制。
当控制电压施加在可控硅上时，可控硅开始导通，电流开始流动；当控制电压消失时，可控硅开始阻断，电流停止流动。
通过控制电压的大小和时序，可以实现对电流的精确控制和调节。
可控硅的参数tc是指可控硅的触发电压。
触发电压是指施加在控制电极上的电压，当达到一定的大小时，可控硅开始导通。
触发电压的大小决定了可控硅的导通特性和控制精度。
在实际应用中，可控硅的参数tc需要根据具体的电路要求来选择。
当电路需要精确的电流控制和调节时，需要选择触发电压较小的可控硅；当电路需要较大的电流承载能力时，需要选择触发电压较大的可控硅。
因此，在选用可控硅时，需要根据具体的应用需求来确定参数tc的大小。
可控硅是一种重要的电力控制器件，具有单向导通、自锁、可控和调节等特性。
参数tc是指可控硅的触发电压，决定了可控硅的导通特性和控制精度。
可控硅元件符号
可控硅元件符号
可控硅元件（英文名：Thyristor）是一种半导体器件，也叫做双极晶体管门控的整流器，主要用于电力控制方面。
它由四个PN结组成，具有电流控制和保持能力。
可控硅元件符号如下：
_______
| | |
| | |
|___|___|
Anode
(A)
符号中A为阳极，表示电流的正方向；下方则是两个矩形表示PNPN 四层结构，其中P层上方连接了一个控制极表示可控硅的控制端，一般用G来表示。
在电路中，可控硅元件主要用于控制和保持大功率交流电的流动。
它具有非常快的开关速度和可靠性，能够通过控制电流来实现控制电路的开关，并且能够保持类似于开关状态。
因此，可控硅元件被广泛地应用于照明、电机控制、电子制冷等领域。
在电气电子工程中，掌握可控硅元件的使用和应用工作原理是非常重要的。
使用前需要正确地接线并加上适当的控制电路，避免操作不当对电路和电器带来不必要的损坏。
总之，可控硅元件是非常重要的电子元件之一，通过正确的使用和控制，它能够为我们带来更加便捷和高效的电力控制和管理。
单向可控硅的主要参数
反向阻断峰值电压
四、学生展示评价 • 1、学生展示可控硅管脚判别
• 2、学生回答可控硅的导通条件和导通特点
五、小结
1、可控硅的结构与符号； 2、可控硅的特性； 3、可控硅的主要参数。
六、作业
1、画出单向可控硅的图形符号，并指出三个电极的名称。
2、单向可控硅的特性是什么？
3、上网查询可控硅的应用电路3个，画出电路图，理解工作原 理
二、特性探究
1、实验：
实验电路图如下：
12V
A
SCR K G S
5V
（A）
12V A A 12V SCR G K S SCR K G S
A
12V
SCR K G S
（B）5V
ô ¼ Ñ « A 1 2 3 4 + + + õ ¼ Ò « K + Õ ±º Ï ¶ Ï ¿ ª ¿ ª ¹ Ø S ¶ Ï ¿ ª
这是由其内部结构决定的
A
P1 N1 沿虚线剖开
A J1 J2 J3
P1 N1 N1 P2 P2 N2
可看成由两个 三极管组成 ß 1ß 2IB1
ß 1IB1
G
P2
G
N2
K （a）
K （b）
IB1
（c）
3、小 结
①可控硅导通的条件： A、在阳极和阴极之间加正向电压 B、同时在控制极加正触发电压 ②使导通的可控硅关断的方法： A、减小阳极电流至一定值（维持电流） B、切断阳极电源 ③可控硅具有控制强电的作用 二者缺一不可
单向可控硅的结构和特性
一、结构和符号：
1、结构：
四层半导体 A
阳极Leabharlann J1 N1 N1 三个PN结 控制极 J2 阳极A：从P1引出 P2 P2 G J3 N2 N2 三个电极 阴极K：从N2引出
可控硅参数说明及中文英文对照表
引脚到外壳最大绝缘电压
-
V
PG(AV)
Average gate power dissipation
门极平均散耗功率
-
W
PGM
Peak gate power
门极最大峰值功率
-
W
PG(AV)
Average Gate Power
门极平均功率
-
W
Tj
OperatingJunctionTemperatureRange
A
VTM
Peak on-state voltage drop
通态峰值电压
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。
V
IDRM
Maximum forward or reverse leakage current
A/ms
dVCOM/dt
Critical rate of change of commutating voltage
临界转换电压上升率
切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
V
dV/dt
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage
断态临界电压上升率
dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，如图2所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发
可控硅工作原理及参数详解
当 Q1 与 Q2 充分导通后（可控硅导通），A、K 两极之间的压降很小，其实就是 Q1 发射
结电压 + VBE2 Q2 集电极‐发射极饱和电压 VCE1，这个电压称为正向通态电压 VTM（Forward
On‐State Voltage）
可以看到，VAK 的电压值最终全部加到电阻 R2 上面，整个过程就是由电压 VGK 引发的“血 案”，原来 R2 电阻上没有任何压降，VGK 电压触发可控硅后，VAK 电压就全部加在电阻 R2 上 面了。
当 G、K 两极没有加正向电压时，A、K 之间相当于是断开的，灯泡不亮
6
All rights reserved, NO Spreading without Authorization
Author: Jackie Long
当 G、K 加上正向电压后，A、K 之间相当于短路，所以 VAK 电压全部加在电灯泡上使其 发光。
此时 VAK 电压全部施加到 A、K 两极之间，这个允许施加的最大电压 VAK 即断态重复峰值 电压 VDRM（Peak Repetitive Off‐State Voltage），相应的有断态重复峰值电流 IDRM（Peak Repetitive Off‐State Current）
如下图所示，电压 VGK 施加到 G、K 两极后，Q2 的发射结因正向偏置而使其导通，从而 产生了基极电流 IB2，此时 Q2 尚处于截止状态，可控硅阳极电流 IA 为 0，Q1 的基极电流 IB1 也为 0，电阻 R2 上也没有压降，因此 Q2 的集电极‐发射电压 VCE2 为 VAK，这个电压值通常远 大于 VBE2，即使是在测试数据手册中的参数时，VAK 也至少有 6V，实际应用时 VAK 会有几百 伏，因此，三极管 Q2 的发射结正偏、集电结反偏，开始处于放大状态。
mcr16可控硅中文参数
mcr16可控硅中文参数（原创实用版）目录1.MCR16 可控硅简介2.MCR16 可控硅参数列表3.参数详解3.1 静态电压 VDRM3.2 动态电压 VTRM3.3 反向电压 VRRM3.4 控制电流 ICTRM3.5 封装形式正文MCR16 是一款可控硅，具有较高的性价比，广泛应用于交流电压、电流的控制、整流、逆变等电路。
接下来，我们将详细介绍 MCR16 的可控硅参数。
MCR16 可控硅的参数列表如下：- 静态电压 VDRM- 动态电压 VTRM- 反向电压 VRRM- 控制电流 ICTRM- 封装形式首先，静态电压 VDRM，指的是可控硅在静态状态下的电压。
该参数决定了可控硅能否承受的电压值，如果电压超过该参数，可控硅可能会损坏。
MCR16 的静态电压 VDRM 为 1600V。
其次，动态电压 VTRM，指的是可控硅在动态状态下的电压。
该参数决定了可控硅能否承受的电压峰值，如果电压超过该参数，可控硅可能会损坏。
MCR16 的动态电压 VTRM 为 1500V。
再次，反向电压 VRRM，指的是可控硅在反向状态下的电压。
该参数决定了可控硅能否承受的反向电压，如果电压超过该参数，可控硅可能会损坏。
MCR16 的反向电压 VRRM 为 1000V。
接着，控制电流 ICTRM，指的是可控硅的控制电流。
该参数决定了可控硅能否被有效地控制，如果电流超过该参数，可控硅可能会损坏。
MCR16 的控制电流 ICTRM 为 50mA。
最后，封装形式，指的是可控硅的封装方式。
MCR16 采用的是 TO-92 封装。
总的来说，MCR16 可控硅是一款性能稳定、可靠的电子元器件，广泛应用于各类电子设备中。
X0405 单向可控硅
-----
Tj=125℃
-----
数值 典型值
-----
-----
----3 15＃＃
-------------
最大值 200
0.8
----6
----1.8 200 200
X0405
单位
uA V V mA v/μs V uA uA
●型号、标识说明:
地址:江苏省启东市公园北路 1261 号 电话:+86-513-83211283
●电特性 (Tj=25℃ 除非有其它的温度存在)
符号
IGT VGT VGD IH dV/dt VTM IDR M IRRM
测试条件
最小值
控 制 极 触 发 电 流 VD=6V, RL=100 Ω ,
RGK=1KΩ
-----
控制 极 触 发 电 压 VD=12V, RL=100 Ω ,
RGK=1KΩ
X0405
X0405 单向可控硅
●产品特点
PNPN 四层结构的硅器件；P 型对通扩散隔离； 台面玻璃钝化工艺；背面多层金属电极； 门极灵敏触发；
●用途
彩灯控制器 调光、调温控制电路 臭氧发生器 电子点火器 其他开关控制电路
●封装形式
TO-202 TO-202B
K：阴极 G：控制极 A：阳极
●主要参数(Tj=25 ℃)
3/3
邮编 :2 2 62 0 0 传真:+86-513-83244103 Email:qdjl@
2/3
邮编 :2 2 62 0 0 传真:+86-513-83244103 Email:qdjl@
●应用电路:
X0405
图 1:可控硅调光电路
可控硅
1.2.4 可控硅1. 可控硅的结构与工作原理可控硅是在硅二极管基础上发展起来的一种大功率半导体器件。
它又称“晶体闸流管”简称“晶闸管”。
它具有三个PN结四层结构。
可控硅有三个电极，分别为阳极（A）、阴极（K）、控制极（G）。
其外形及电路符号如图1-20所示。
可控硅主要有螺栓型、平板型、塑封型和三极管型。
通过的电流可能从几安培到千安培以上。
图1-20 可控硅及电路符号图1-21 可控硅工作原理可控硅的工作原理可以通过下面的实验电路加以说明。
如图1-21（a）所示，接好电源，阴极与阳极间加正向电压，即阳极接电源E1的正极，阴极接电源E1的负极，控制极接E2的正极，这时S为断开状态，灯泡不亮，说明可控硅不导通。
如将S闭合，即给控制极加上正电压，这时灯泡亮了，说明可控硅处于导通状态。
可控硅导通后，将S断开，去掉控制极上的电压，灯泡仍然亮了，说明可控硅一旦导通后，控制极就失去了控制作用。
如果给阴极与阳极间加反向电压，如图1-21（b）即阳极接E负极，阴极接E的正极。
这时给控制极加电压，灯泡不亮，说明可控硅不导通。
如将E极性对调，即控制极加反向电压如图1-21（c）所示，阳极与阴极间无论加正、反向电压，可控硅都不导通。
通过以上说明，可控硅导通必须具备两个条件：一是可控硅阴极与阳极间必须加正向电压，二是控制极电路也要接正向电压。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
如图1-21（d），当改变RP的触点位置时可使灯泡的亮度逐渐减少，并完全熄灭。
当灯泡熄灭后，不论如何改变RP触点的位置，灯都不会再亮，这说明了可控硅已不再导通。
此试验进一步表明，当可控硅导通后控制极就起动了控制作用，此时要使可控硅再度处于关断状态，就要降低可控硅阳极电压或通态的电流。
可控硅的控制极电压、电流，一般是比较低的，电压只有几伏，电流只有几十至几百毫安，但被控制的器件中可以通过很大的电压和电流，电压可达几千伏、电流可达到千安以上。
可控硅工作原理及参数详解
随着脉冲直流电压VP通过可调电阻RP1、R1对电容C1进行充电，当电容C1上的电压足以触发可控硅VT时，可控硅导通后负载回路畅通，从而使电灯泡点亮，如下图所示：
这两个值与之前介绍的IDRM、VDRM是一样的，只不过IDRM、VDRM是在控制G极断开、可控硅阻断状态下测量的，而IRRM、VRRM是在可控硅A、K极接反向电压下测量的。
如果在可控硅阳极A与阴极K间加上反向电压时，开始可控硅处于反向阻断状态，只有很小的反向漏电流流过。当反向电压增大到某一数值时，反向漏电流急剧增大，这时，所对应的电压称为反向不重复峰值电压VRSM（Peak Non-Repetitive Surge Voltage）。
如果反向电压增大到某一数值时，反向漏电流急剧增大，此时所对应的电压称为反向门极峰值电压IGM（Reverse Peak Gate Voltage），使用时不应超过此值。
上面我们讨论的是常用的P型门极、阴极端受控的可控硅，还有一种不常用的N型门极、阳极端受控的可控硅，其原理图符号如下图所示，两者的原理是完全一样的，读者可自行分析一下。
调节可调电位器RP1即可控制电容C1的充电速度（充电常数越大充电速度越慢），这样施加在灯泡上的交流电压的平均值就可以随之调整，从而调节电灯泡的高度。
原文链接点击这里
但问题是，大多数时候VAK的电压不会那么容易（主动）下降，我帮主当得好好的，凭什么让我下台？老子有的是钱！
狡兔死，走狗烹，电压VGK深谙其中道理，也早早从“门极关断可控硅”手中重金买下简单的办法让灯泡熄灭。你丫的，我给你立下汗马功劳不让我当帮主，只有拆你的台了。如下图所示：
可控硅型号怎么看可控硅型号与参数表
可控硅型号怎么看可控硅型号与参数表可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。
它具有体积小、效率高、寿命长等优点。
在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。
它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。
双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。
双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。
其通断状态由控制极G决定。
在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。
这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
下面小编给大家介绍一下“可控硅型号怎么看可控硅型号与参数表”一、可控硅型号怎么看按一机部IBI144一75的规定，普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。
普通可控硅的型号采用如下格式标注:（图片来源于互联网）额定速态平均屯成系列共分为14个。
正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的管子每200V为一级。
取电压教除以100做为级别标志。
通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示。
例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V，管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅。
综上所述，小结如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成。
(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门极电压。
(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。
(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门极伏安特性区。
(5)应在额定参数范围内使用可控硅。
常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
可控硅参数符号说明参数符号说明:IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流KP5A—500A 螺栓型普通晶闸管参数K P200A—500A平板型普通晶闸管参数KP800A—1500A 平板型普通晶闸管参数KK5A—100A 螺栓型快速晶闸管KP2000A—4500A 平板型普通晶闸管参数KK200A—1000A 平板型快速晶闸管KK1200A—3000A 平板型快速晶闸管可控硅整流器件YCR单向可控硅系列◆先进的玻璃钝化芯片◆小的通态压降◆高的可靠性、稳定性单、双向可控硅（SCR,TRIAC）K S5A—50A 螺栓型双向晶闸管K S200A—800A 平板型双向晶闸管KG5A—50A螺栓型高频晶闸管KG50A—1200A 平板型高频晶闸管目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。
表1 KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表KP型可控硅的电流电压级别见表2表2 KP型可控硅电流电压级别示例：（1）KP5-10表示通态平均电流5安，正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。
（2）KP500-12D表示通态平均电流500安，正、反向重复峰值电压1200伏，通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。
（3）3CT5/600表示通态平均电流5安，正、反向重复峰值电压600伏的旧型号普通可控硅元件。
硅双向触发二极管参数部分国外型号双向可控硅参数固体继电器参固体继电器参数术语1.输入电压范围（单位：V）在规定的环境温度下，施加在输入端，使输出端维持“导通”状态的电压范围。
一般情况下直流输入型有：3-32VDC恒流输入型和3-14VDC、10-40VDC阻性输入型。
交流输入有：90-280VAC输入型。
输入电压的下限即为所谓的保证接通电压,输入电压的上限即所谓的反极性电压（仅适用于直流输入）。
2.保证接通电压（单位：V）在规定的环境温度下，施加于输入端，当输入在该值或该值之上时能保证输出端处于导通状态的电压。
3.保证关断电压（单位：V）在规定的环境温度下，施加于输入端，当输入在该值或该值以下时能保证输出端处于关断状态的电压。
4.输入电流（单位：mA）在规定的环境温度下，施加规定的输入电压于固体继电器输入端，流入其输入回路的电流值。
5.反极性电压（仅适用于直流输入）（单位：V）在规定的环境温度下，能够加在固体继电器输入端上而不致造成固体继电器永久损坏的最大允许反向电压。
该值一般确定为输入电压的上限值。
6.最小输入阻抗（单位：Ω）在给定电压下的最小阻抗。
作为输入电流的替代或补充，它确定输入功率要求。
输出参数1.输出电压范围（单位：V）在规定的环境温度下，施加于输出端的电压范围，在该范围固体继电器继续处于关断或切换状态，或换句话说执行规定的状态。
线路的频率值或包括在内，或单独指明（交流）。
2.最大负载电流（单位：A）在规定的环境温度下，固体继电器的最大稳态负载电流能力，它还受散热器和环境温度条件的散热限制。
3.最小负载电流（单位：mA）固体继电器执行规定工作所必须的最小负载电流。
它一般与最大负载电流一并作为“工作电流范围”列出。
4.最大浪涌电流（非重复性）（单位：A）在规定持续时间不允许流过的最大瞬时电流，持续时间的典型值为交流电的一个周期（10ms）通常规定为峰值以及电流对时间的曲线。
5.最大过流（单位：A）在规定持续时间不允许流过的最大瞬时电流，通常以1秒的有效值来表述。
6.最大I2t（选择熔丝用）（单位：A2s）固体继电器承受最大非重复性脉冲电流的能力，用于熔丝的选择。
7.功耗（在额定电流下）（单位：W）主要由于输出半导体有效电压降（功耗）而产生的最大平均功耗。
8.最大过零导通电压（单位：VRMS）(也称过零电压)在施加导通控制信号之后，在每一后续半周即要导通之前跨于输出端两端所呈现的最大（峰值）断态电压。
9.最大重复性导通电压峰值（单位：VRMS）在施加导通控制信号半周之后，在每一后续半周即要导通之前，跨于输出端两端所呈现的最大（峰值）断态电压。
这一参数对具有或不具有“零导通”特点的固体继电器同样适用。
10.最小断态dv/dt(静态)（单位：V/us）在没有施加导通控制信号时，固体继电器输出端（交流）能够承受不致导通的电压上升率。
通常表达为最大额定电压下的最小电压上升率。
11.瞬态过压（单位：PIV）固体继电器在维持其关断状态的同时，能够承受而不致造成损坏或失误的允许施加电压的最大偏离。
超过该瞬态电压可以使固体继电器导通，若满足电流条件则是非破性的。
瞬态持续时间一般不做规定，可以在几秒的数量级，受内部偏值网络功耗或电容器额定值的限制。
12. 最大通态电压降（单位：V）在规定的环境温度下，输出端满负载电流跨于输出端两端所呈现的最大（峰值）电压降。
13.输出端漏电流（单位：mA）在输入端没有施加导通控制信号的情况下，流过输出端之间最大（有效值）断态漏电流。
通常是指整个温度范围内在最大的输出额定电压下的值。
该值主要是输出端缓冲器产生。
14.导通时间（单位：ms）从施加于常开型固体继电器输入瑞电压达到保证接通电压开始至输出端电压达到其电压最终变化的90％为止的时间间隔。
15.关断时间（单位：ms）从切除常开型固体继电器输入端电压达到保证关断电压开始至输出端电压达到其电压最终变化的90％为止的时间间隔。
16.电气系统峰值（单位：V）在规定的环境条件下，固体继电器输入端开路，在输出端的额定输出电压之上迭加特定波形和能量的电压，试验一分钟。
试验后固体继电器仍符合规定。
常规参数1.绝缘电阻 ( 单位：MΩ)固体继电器输入端与输出端，输入端、输出端散热底板之间施加500VDC的电压测量的电阻值。
注意：不允许测量同一输入（或输出）电路引出端之间的绝缘电阻，测量之前应先将它们短路。
2.介质耐压（单位：V）固体继电器输入端与输出端，输入端、输出端散热底板之间能承受的最大电压值。
注意：不允许测量同一输入（或输出）电路引出端之间的介质耐压，测量之前应先将它们短路。
3.环境温度范围固体继电器正常工作时周围空气温度极限，通常给出工作和贮存两种条件下的温度值，最大温度还受散热器和功率因素的限制。
单结晶体管（双基极二极管）Type No. ηrBBIEBIOVEBIIPIVVVIB2Pt (KΩ)(μA)(V) (μA)(mA) (V) (mA) (mW)BT32A 0.30 ～3～ 6 ≤1≤4.5≤2≥1.5≤3.58 ～250晶闸管(可控硅）应用指南一. 参数说明1. 参数表中所给出的数据，ITSM 、I2t、dv/dt、di/dt指的是元件所能满足的最小值, Qr、VTM 、VTO、rT指元件可满足(不超过)的最大值。
2. 通态平均电流额定值ITAV (IFAV)ITAV (IFAV)指在双面冷却条件下，保证散热器温度55℃时，允许元件流过的最大正弦半波电流平均值。
ITAV (IFAV)对应元件额定有效值IRMS=1.57 ITAV。
实际使用中，若不能保证散热器温度低于55℃或散热器与元件接触热阻远大于规定值，则元件应降额使用。
3. 晶闸管通态电流上升率di/dt参数表中所给的为元件通态电流上升率的临界重复值。
其对应不重复测试值为重复值的2倍以上，在使用过程中，必须保证元件导通期任何时候的电流上升率都不能超过其重复值。
4. 晶闸管使用频率晶闸管可工作的最大频率由其工作时的电流脉冲宽度tp ，关断时间tq以及从关断后承受正压开始至其再次开通的时间tV 决定。
fmax=1/(tq+tp+tV)。
根据工作频率选取元件时必须保证元件从正向电流过零至开始承受正压的时间间隔tH >tq，并留有一定的裕量。
随着工作频率的升高，元件正向损耗Epf 和反向恢复损耗Epr随之升高，元件通态电流须降额使用。
二. 元件的选择正确地选择晶闸管、整流管等电力电子器件对保证整机设备的可靠性及降低设备成本具有重要意义。
元件的选择要综合考虑其使用环境、冷却方式、线路型式、负载性质等因素，在保证所选元件各参数具有裕量的条件下兼顾经济性。
由于电力电子器件的应用领域十分广泛，具体应用形式多种多样，下面仅就晶闸管元件在整流电路和单项中频逆变电路中的选择加以说明。
1. 整流电路器件选择工频整流是晶闸管元件最常用的领域之一。
元件选用主要考虑其额定电压和额定电流。
(1) 晶闸管器件的正反向峰值电压V DRM 和V RRM ：应为元件实际承受最大峰值电压UM 的2-3倍，即V DRM/RRM =(2-3)U M 。
各种整流线路对应的U M 值见表1。
(2) 晶闸管器件的额定通态电流I T(AV)：晶闸管的I T(AV)值指的是工频正弦半波平均值，其对应的有效值I TRMS =1.57I T(AV)。
为使元件在工作过程中不因过热损坏，流经元件的实际有效值应在乘以安全系数1.5-2后才能等于1.57I T(AV)。
假设整流电路负载平均电流为I d ，流经每个器件的电流有效值为K Id ，则所选器件的额定通态电流应为： I T(AV)=(1.5-2)K Id / 1.57=K fd *I dK fd 为计算系数。
对于控制角α=0O 时，各种整流电路下的K fd 值见表1。
选择元件I T(AV)值还应考虑元件散热方式。
一般情况下风冷比水冷相同元件的额定电流值要低；自然冷却情况下，元件的额定电流要降为标准冷却条件下的三分之一。
表1：整流器件的最大峰值电压U M 及通态平均电流计算系数K fd整流电路单相半波单项双半波单项桥式 三相半波 三相桥式带平衡电抗器 的双反星型U MU 2 U 2 U 2 U 2 U 2 U 2 K fd α=0O 电阻负载 1 0.5 0.5 0.375 0.368 0.185 电感负载0.450.450.450.3680.3680.184注：U 2为主回路变压器二次相电压有效值;单项半波电感负载电路带续流二极管。
2. 中频逆变元件的选择一般400HZ 以上的工作条件下，应考虑使用KK 器件；频率在4KHz 以上时，可考虑使用KA 器件。
这里主要介绍一下并联逆变电路中元件的选择(见图一)。
(1) 元件正向和反向峰值电压V DRM 、V RRM元件正向和反向峰值电压应取其实际承受最大正、反向峰值电压的1.5-2倍。