超快激光制备PMMA微流道机理及工艺研究
吹膜工艺流程
低压聚乙烯（ HDPE ）和线形低密聚乙烯（ LLDEP ）国际市场上近年来大量生产的聚乙烯新品种。由于它具有优良的抗冲击强度，耐穿刺性、耐低温度性能，特别是可以制微薄薄膜（ 1.5 丝厚的薄膜强度足可抵担上 3 丝厚的高压聚乙烯薄膜）。使用成本低，因此大量用于吹塑薄膜。但由于 LLDPE 和 HDPE 熔融粘度大，流动指数高，我国目前普遍采用的普通单螺杆挤出机只能生产高压聚乙烯薄膜。本机组正是根据上述情况，参照世界各国有关资料，结合我公司多年来的生产实践经验，经本公司工程师精心设计，通过多次选优，试制成功的新产品，经许多用户使用证明，本机组适应性广，可吹制低压、高压、线形低密度三种聚乙烯薄膜，不但适用它们的新料吹膜，还适用于它们的再生塑料吹膜，性能稳定，质量可靠，它是我国目前较先进的多功能吹塑机组。 本机组采用特殊结构的螺杆挤出机，先进的螺旋模头，调节灵活的冷却风环，合理的光圈式稳泡结构，从而保证上三种聚乙烯及其不同比例的混合塑料化均匀，产品质量好，操作方便、生产稳定、可靠。 本机组用于吹制厚度 0.00 5 ～ 0 .10mm , 折幅 600mm 的各种聚乙烯薄膜，尤其适用废旧回收再生料的吹膜，产品是粮食、化肥、制糖业及各种纺织品的理想包装材料。本机组又是生产农用地膜、棚膜的理想设备。 本机组结构紧凑，占地面积小、性能可靠、操作方便、投资费用低、经济效益高。对产品有销路的一般乡镇企业、个体户均可置办。 二、主要技术特性及规格 螺杆直径：Ф 45 螺杆长径比：28 ： 1 螺杆转速：12-100 转 / 分 主机驱动功率：7.5kw 生产能力：10-30 公斤 / 小时 主机加热总功率：12 千瓦
微电子工艺论文----光刻胶解读
光刻胶的深入学习与新型光刻胶 张智楠 电科111 信电学院山东工商学院 264000 摘要：首先，本文从光刻中的光刻胶、光刻胶的分类、光刻胶的技术指标（物理特性）这几个方面对光刻工艺中的光刻胶进行了详细的深入学习；其次，介绍了当代几种应用广泛的光刻胶以及新型光刻胶；最后，对光刻胶的发展趋势进行了简单的分析。 关键词：光刻、光刻胶、紫外负型光刻胶、紫外正型光刻胶、远紫外光刻胶。 光刻(photoetching)工艺可以称得上是微电子工艺中最为关键的技术，决定着制造工艺的先进程度。光刻就是，在超净环境中，将掩膜上的几何图形转移到半导体晶体表面的敏光薄材料上的工艺过程。而此处的敏光薄材料就是指光刻胶（photoresist）。光刻胶又称光致抗蚀剂、光阻或光阻剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像。 光刻胶的技术复杂，品种较多。对此探讨以下两种分类方法： 1、光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种——正性光刻胶（positive photoresist）和负性光刻胶（negative photoresist）。正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液，而未曝光部份不溶于显影液，仍然保留在衬底上，将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于阻显影液，而未曝光部分溶于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。正胶的优点是分辨率比较高，缺点是粘附性不好，阻挡性弱。与之相反，负胶的粘附性好，阻挡性强，但是分辨率不高。 2、基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。一是光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。二是光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。三是光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。 光刻胶的技术指标或者说物理特性有如下几个方面：一、分辨率（resolution），区别硅片表面相邻图形特征的能力,一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。二、对比度（Contrast），指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。三、敏感度（Sensitivity），光刻胶上产生一个良
光刻工艺概述
光刻工艺流程图 一前处理（OAP） 通常在150~200℃对基片进行烘考以去除表面水份，以增强光刻胶与硅片的粘附性。（亲水表面与光刻胶的粘附性差，SI的亲水性最小，其次SIO2，最后PSI玻璃和BSI玻璃） OAP的主要成分为六甲基二硅烷，在提升光刻胶的粘附性工艺中，它起到的作用不是增粘剂，而是改变SiO2的界面结构，变亲水表面为疏水表面。OAP通常采用蒸汽涂布的方式，简单评
价粘附性的好坏，可在前处理过的硅片上滴一滴水，通过测量水与硅片的接触角，角度越大， SI 二、匀胶 光刻胶通常采用旋涂方式，在硅片上得到一层厚度均匀的胶层。影响胶厚的最主要因素：光刻胶的粘度及旋转速度。次要因素：排风；回吸；胶泵压力；胶盘；温度。 胶厚的简单算法：光刻胶理论的最小胶厚的平方乘以理论的转速=目标光刻胶的胶厚的平方乘以目标转速 例如：光刻胶理论厚度1微米需要转速3000转/分，那需要光刻胶厚度1.15微米时转速应为 12 *3000/1.152 三、前烘 前烘的目的是为了驱除胶膜中残余的溶剂，消除胶膜的机械应力。前烘的作用： 1）增强胶层的沾附能力；2）在接触式曝光中可以提高胶层与掩模板接触时的耐磨性能；3）可以提高和稳定胶层的感光灵敏度。前烘是热处理过程，前烘通常的温度和时间： 烘箱90~115℃ 30分钟 热板90~120℃ 60~90秒 四、光刻 光刻胶经过前烘后，原来液态光刻胶在硅片表面上固化。光刻的目的就是将掩膜版上的图形转移到硅片上。曝光的设备分类接触式、接近式、投影式、步进式/扫描式、电子束曝光、软X射线曝光。 五、显影 经过显影，正胶的曝光区域和负胶的非曝光区域被溶解，正胶的非曝光区域和负胶的曝光区域被保留下来，从而完成图形的转移工作。正胶曝光区域经过曝光后，生成羧酸与碱性的显影液中和反应从而被溶解。负胶的曝光区域经过曝光后产生胶联现象，不被显影液溶解。而未曝光的区域则被显影液溶解掉。定影液的作用是漂洗显影过程中产生的碎片，挤出残余的显影液，另外还可以起到收缩图形，提高图形的质量。
塑料薄膜生产工艺流程及设备
塑料薄膜资料 一、PVC薄膜生产工艺及设备 工艺流程： 原料→捏合→冷拌和→挤出吹塑→PVC玻璃纸基膜→抗静电、热封涂覆处理→分切→检验→包装→成品。 本工艺流程采用粉料直接挤出吹塑成型，制成玻璃纸基膜后，亦可直接作为制品，而不经抗静电、热封涂覆处理。 主要设备 全自动聚乙烯薄膜造粒生产线（粉碎强制喂料，水环刮粒） 一、减速机：国标225型，一套； 1、齿轮材料：合金钢 2、齿轮主要工艺：齿面高频淬火，硬齿面经磨齿机精磨； 3、齿轮箱轮滑方式：强制油循环润滑； 4、齿轮箱冷却方式：强制水循环冷却油温 二、挤出机筒螺杆 1、螺杆直径：125mm 2、螺杆长径比：1：20 3、螺杆机筒材质：38CRMOALA 4、螺杆结构：屏蔽混炼，排气 5、加工工艺：锻造，调质，氮化处理HV≥920：Ra≤ 三、主要配置 1，主机电机：30KW （上海力超）
2，自动控温：9区 3，智能数显表：常州江邦 4，配电箱主要电气：正泰 5，加热方式：陶瓷/不锈钢加热圈 6，主机进料口：高斗 7，主电机：变频调速。 8，不锈钢冷却水槽：4000mm 9,冷却槽结构：来回旋环冷却装置。 四.不停机换网模头: （1）左右换网面积：200mm*200mm*2； （2）左右换网出料：手动分配器； （3）左右过滤板式：液压不停机换网； （4）机头出料切粒方式：360°高速旋转刀刮粒；（5）切粒方式：水环磨面切粒 （6）切粒电机： （7）切粒速度：变频控制 （8）迷宫式水环材质：不锈钢#202，厚度3mm 五：高速粒子脱水机： （1）高速粒子脱水机：300kg/h （2）传动电机： （3）传动方式：直立式
吹膜工艺流程
本机组采用特殊结构的螺杆挤出机，先进的螺旋模头，调节灵活的冷却风环，合理的光圈式稳泡结构，从而保证上三种聚乙烯及其不同比例的混合塑料化均匀，产品质量好，操作方便、生产稳定、可靠。 本机组用于吹制厚度 5 ～ 0 .10mm , 折幅 600mm 的各种聚乙烯薄膜，尤其适用废旧回收再生料的吹膜，产品是粮食、化肥、制糖业及各种纺织品的理想包装材料。本机组又是生产农用地膜、棚膜的理想设备。 本机组结构紧凑，占地面积小、性能可靠、操作方便、投资费用低、经济效益高。对产品有销路的一般乡镇企业、个体户均可置办。 二、主要技术特性及规格 螺杆直径：Ф 45 螺杆长径比：28 ： 1 螺杆转速：12-100 转 / 分 主机驱动功率： 生产能力：10-30 公斤 / 小时 主机加热总功率：12 千瓦 机头膜口直径：Ф 50- Ф 75 mm 牵引辊直径：650mm 牵引线速度：8 -50 米 / 分 薄膜折径宽度：130 -600mm 风环直径：Ф 450mm 鼓风机风量：14 立方米 / 分 整机安装尺寸：340 0 × 3000 × 3000 mm 三、生产流程及生产原理 生产流程，将干燥的聚乙烯粒子加入下料斗中，靠粒子本身的重量从料斗进入螺杆，当粒料与螺纹斜棱接触后、旋转的斜棱面对塑料和生产一与斜棱面相垂直的推力，将塑料粒子向前推移，推移过程中，由于塑料与螺杆、塑料与机筒之间的摩擦以及粒子间的碰撞摩擦，同时还由于料筒外部加热而逐步溶化，熔融的塑料经机头过滤去杂质从模头摸口出来，经风环冷却、吹胀经稳泡架人字板牵引辊卷取将成品薄膜卷成筒。 四、主要结构说明 本机组主要由挤出机、机头、模头、冷却装置、稳泡架、人字板、牵引辊、卷取装置等组成。 （一）挤出机：挤出机主要由螺杆、机筒加料斗，减速箱及驱动电机组成，驱动电机采用电磁滑差式调速（也可用变频电机）其调速范围在 120-1200 转 / 分，通过皮带传动带动 350 型减速器使螺杆在机筒中作旋转运动，螺杆采用特殊结构，即在螺杆某一段落配备以特殊的混炼装置，工作时依靠周塑料托起定心，螺杆轴向力由装在减速器与螺杆间的 8316 或 7215 轴承受，减束器输出轴内有Ф25 通孔作为拆卸螺杆之用，机筒的加料口根据再生料的性能设计，以利于再生料顺利地进入螺杆槽间而被送走，加料段有六条凹槽以增强物料的输送能力和尽快建立高压区以保证输送能力和稳定挤出质量。 （二）、机头：机头由过滤网、过滤板、机头压盖三部分组成，为了适应含有较多杂质的再生料的生产，本机组采用具有交大过滤面积的直角式机头结构，同时考虑 HDPE 、 LLDPE 熔料具有较大粘度，对物料的流道设计作了合理的选择，并利用挤出机的驱动电机挤出滤扳，故可适应一个人单独进行换网操作。 （三）模头：本机组选用螺杆芯棒模头结构，根据 LDPE 、 HDPE 、 LLDPE 三种聚乙烯的特性，综合考虑设计了螺旋角、退坡角、定型长度，模口开度等主要技术参数，经多次对比度试验进行选优定型，具有内压大，挤出稳定均匀、薄膜力度性能好，无拼缝线与本机组挤出机匹配好等优点，同时，变换三种
微电子工艺技术 复习要点4-6
第四章晶圆制造 1. CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。 1、溶硅 2、引晶 3、收颈 4、放肩 5、等径生长 6、收晶。 CZ法：使用射频或电阻加热线圈，置于慢速转动的石英坩埚内的高纯度电子级硅在1415度融化。将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒逐渐降低到熔融的硅中，籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化，籽晶的温度略低于硅的熔点。当系统稳定后，将籽晶缓慢拉出，同时熔融的硅也被拉出。使其沿着籽晶晶体的方向凝固。 FZ法：即悬浮区融法。将一条长度50-100cm 的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室，加热将多晶硅棒的低端熔化，然后把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间，然后加热线圈缓慢升高温度将熔融硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固，形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线圈扫描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒CZ法优点：单晶直径大，成本低，可以较好控制电阻率径向均匀性。缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧、碳杂质，不易生长高电阻率单晶 FZ法优点：1、可重复生长，单晶纯度比CZ法高。2、无需坩埚石墨托，污染少。3、高纯度，高电阻率，低碳，低氧。缺点：直径不如CZ法，熔体与晶体界面复杂，很难得到无位错晶体，需要高纯度多晶硅棒作为原料，成本高。 MCZ：改进直拉法优点：较少温度波动，减轻溶硅与坩埚作用，降低了缺陷密度，氧含量，提高了电阻分布的均匀性 2.晶圆的制造步骤【填空】 1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。 2、切片 3、磨片和倒角 4、刻蚀 5、化学机械抛光 3. 列出单晶硅最常使用的两种晶向。【填空】 111.100. 4. 说明外延工艺的目的。说明外延硅淀积的工艺流程。 在单晶硅的衬底上生长一层薄的单晶层。 5. 氢离子注入键合SOI晶圆的方法 1、对晶圆A清洗并生成一定厚度的SO2层。 2、注入一定的H形成富含H的薄膜。 3、晶圆A翻转并和晶圆B键合，在热反应中晶圆A的H 脱离A和B键合 4、经过CMP和晶圆清洗就形成键合SOI晶圆 6. 列出三种外延硅的原材料，三种外延硅掺杂物【填空】 6名词解释：CZ法提拉工艺、FZ法工艺、SOI、HOT(混合晶向)、应变硅 CZ法：直拉单晶制造法。FZ法：悬浮区融法。SOI：在绝缘层衬底上异质外延硅获得的外延材料。HOT：使用选择性外延技术，可以在晶圆上实现110和100混合晶向材料。应变硅：通过向单晶硅施加应力，硅的晶格原子将会被拉长或者压缩不同与其通常原子的距离。 第五章热处理工艺
光刻工艺流程
光刻工艺流程 Lithography Process 摘要：光刻技术（lithography technology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学，物理刻蚀法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术，其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小，集成度不断提高，从而使得器件不断缩小，性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光，提高了产量，质量，降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。 Abstract:Lithography technology is the manufacture of integrated circuits using optical - chemical reaction principle and chemical, physical etching method, the circuit pattern is transferred to the single crystal surface or the dielectric layer to form an effective graphics window or function graphics technology.Lithography is the key technology in integrated circuit technology, the idea originated in printing technology in the photo lithographic process. Development of lithography technology makes graphics width shrinking, integration continues to improve, so that the devices continue to shrink, the performance is also rising.There are even a large area of exposure, improve the yield, quality and reduce costs. We know lithography process flow is: Photoresist Coating → Soft bake → exposure → development →hard bake → etching → Strip Photoresist. 关键词：光刻，涂胶，前烘，曝光，显影，坚膜，刻蚀，去胶。 Key Words:lithography,Photoresist Coating,Soft bake,exposure,development,hard bake ,etching, Strip Photoresist. 引言： 光刻有三要素：光刻机；光刻版（掩模版）；光刻胶。光刻机是IC晶圆中最昂贵的设备，也决定了集成电路最小的特征尺寸。光刻机的种类有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机和步进式光刻机。接触式光刻机设备简单，70年代中期前使用，分辨率只有微
做塑料袋的全套工艺流程及讲解
做塑料袋的全套工艺流程讲解和讲究您知道多少？ 1、做塑料袋首先必备的第一台设备将塑胶颗粒吹成筒膜——高低压吹膜机 不管是做什么哪种材质的塑料袋，都得先把塑料颗粒吹成塑料薄膜才能进一步进行加工，不管是PO胶袋还是PE袋还是其他复合袋！ 如果是PE袋和PO袋就得用高低压吹膜机，如果是PP袋就得用PP吹膜机，如果是食品包装复合袋就得用共挤吹膜机！ 然后就是选配机器的型号，机器型号选择不能太大也不能太小，太大浪费电，大材小用，太小做不出对应的产品，所以选择机器得选择适合自己产品的机器，所谓适合就是能满足自己的袋子最大宽度同时也能做出自己最小的产品宽度的袋子！吹膜机也是需要三厢工业电的！ 2、印刷图案及文字必备——-印刷机 选择性配的印刷机：如果袋子有印刷文字和图案的就得配备印刷机，如果是白色袋子可以不用印刷机，印刷机也是需要根据自己的袋子的宽度来选择型号，并且自己的产品有多少颜色就需要旋转几色的印刷机，如果自己的产品比较单一量很大可以袋子是几色就选几色的印刷机，印刷机分为两种，一种是胶版印刷机一种是铜版印刷机，他们的区别在于：1、胶版印刷机印刷出来的效果没有铜版印刷的效果好，铜版印刷的效果很精美，很细腻，用于一些酒店塑料袋，食品袋等，（具体根据客户要求和接受效果）胶版印刷机印的效果没有铜版的那么精美，边边上会有一点点瑕疵，用于一些工业袋等，产品多考虑以后可以选择自己产品的基础上加2色左右，并且印刷机是需要工业三厢电的！
3、切筒膜，最后一次成型——-制袋机 最后一步就是制袋机，一般做什么袋子选什么种类的制袋机，比如快递袋选择热切快递袋制袋机，OPP服装袋热切边封制袋机，背心袋选择热封热切制袋机，垃圾袋选连卷制袋机，食品袋选三边封制袋机，一般制袋机的功能是单一的，不会一种制袋机能做4-5种袋子，选制袋机也需要根据自己袋型的宽度来订做机器的宽度，一般选择机器考虑自己最大的袋子是多宽，能做最大宽度的袋子制袋机一般也是能做最大宽度尺寸以下的袋子的。 选择机器是得了解对应型号的机器长宽高尺寸！
微电子工艺扫盲课程.pdf
）））））））） Warning and explanation：文中所引用图片均来自于互联网和中科院半导体所官方网站。本人只是用于讲解知识所用，并未用于商业获利行为。产生任何法律纠纷均与我无关。请勿盗链文中的 图片，后果自负！ 介货就是硅 微电子制造工艺在微电子整体产业中处于中游阶段（上游是电路设计，下游是封装测试）。一个芯片的制造能否达到设计要求，与制造工艺有很大的关系，因此有必要对工艺线的流程为大家说 明讲清楚。我们手中使用的mobilephone，camera，ipad内部电路板上焊接的形状各异外形诡 异的小芯片都是如何造出来？想必大家都是有兴趣知道的。即使没有电子工程的基础，通过我的讲解也是可以，你对这个最精密自动化程度最高的行业有一个清晰的轮廓。 IC（integrate circuit）的制造分为前工序和后工序。 前工序:IC制造工程中，晶圆光刻的工艺（即所谓流片），被称为前工序，这是IC制造的最要害技术。 后工序:晶圆流片后，其切割、封装等工序被称为后工序。 我们所要了解的就是前工序的内容，打蛇打七寸，直入要害。 首先，光刻过程的操作流程为： 衬底氧化—涂胶—光刻机曝光—显影烘干—刻蚀—清洗干燥—离子注入（等离子刻蚀、金属淀积）—去胶。 其中最费钱的一步大家知道是什么吗？ 光刻机曝光。流片光刻的费用约占到总体花费的40%左右。很多研究机构或者高校做芯片设计 只是通过软件模拟一下，由此就以这些数据写论文，很少有经费可以去流片测试。况且一个可以投产的芯片并不是一次流片就能成功的，通常情况下需要四次甚至更多次数。以西电微电子学院的军用RFID为例，流片次数已过4次，电路尺寸逐步达到设计标准。军用研发经费充足，不计 成本，不过半导体产业高投入的现状可见一斑。 现在通过图片讲解对各部工序逐一讲解： ）））））））））． ））））））））
塑料制品生产工艺过程
塑料制品的生产工艺流程 根据塑料的固有性能，使其成为具有一定形状和使用价值的塑料制品，是一个复杂而繁重的过程。塑料制品工业生产中，塑料制品的生产系统主要是由塑料的成型、机械加工、装饰和装配四个连续的过程组成的。 在这四个过程中，塑料成型是塑料加工的关键。成型的方法多达三十几种，主要是将各种形态的塑料（粉、粒料、溶液或分散体）制成所需形状的制品或坯件。成型方法主要决定于塑料的类型（热塑性还是热固性）、起始形态以及制品的外形和尺寸。塑料加工热塑性塑料常用的方法有挤出、注射成型、压延、吹塑和热成型等，塑料加工热固性塑料一般采用模压、传递模塑，也用注射成型。层压、模压和热成型是使塑料在平面上成型。上述塑料加工的方法，均可用于橡胶加工。此外，还有以液态单体或聚合物为原料的浇铸等。在这些方法中，以挤出和注射成型用得最多，也是最基本的成型方法。 塑料制品生产之机械加工是借用金属和木材等的塑料加工方法，制造尺寸很精确或数量不多的塑料制品，也可作为成型的辅助工序，如挤出型材的锯切。由于塑料的性能与金属和木材不同，塑料的热导性差，热膨胀系数、弹性模量低，当夹具或刀具加压太大时，易于引起变形，切削时受热易熔化，且易粘附在刀具上。因此，塑料进行机械加工时，所用的刀具及相应的切削速度等都要适应塑料特点。常用的机械加工方法有锯、剪、冲、车、刨、钻、磨、抛光、螺纹加工等。此外，塑料也可用激光截断、打孔和焊接。
塑料制品生产之接合塑料加工把塑料件接合起来的方法有焊接和 粘接。焊接法是使用焊条的热风焊接，使用热极的热熔焊接，以及高频焊接、摩擦焊接、感应焊接、超声焊接等。粘接法可按所用的胶粘剂，分为熔剂、树脂溶液和热熔胶粘接。 塑料制品生产表面修饰的目的是美化塑料制品表面，通常包括：机械修饰，即用锉、磨、抛光等工艺，去除制件上毛边、毛刺，以及修正尺寸等；涂饰，包括用涂料涂敷制件表面，用溶剂使表面增亮，用带花纹薄膜贴覆制品表面等；施彩，包括彩绘、印刷和烫印；镀金属，包括真空镀膜、电镀以及化学法镀银等。塑料加工烫印是在加热、加压下，将烫印膜上的彩色铝箔层（或其他花纹膜层）转移到制件上。许多家用电器及建筑制品、日用品等都用此法获得金属光泽或木纹等图案。 装配是用粘合、焊接以及机械连接等方法，使制成的塑料件组装成完整制品的作业。例如：塑料型材，经过锯切、焊接、钻孔等步骤组装成塑料窗框和塑料门。
光刻工艺简要流程介绍
光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。 光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。其折旧速度非常快，大约3～9万人民币/天，所以也称之为印钞机。光刻部分的主要机台包括两部分：轨道机（Tracker），用于涂胶显影；扫描曝光机（Scanning)光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。 光刻工艺过程 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking） 方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～2500C,1～2分钟，氮 气保护） 目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是 HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。 2、涂底（Priming) 方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸汽淀积，200～2500C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。
目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。 3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating） 方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）； b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速 旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。 决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄； 影响光刻胶厚度均运性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时 间点有关。 一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不 同的光刻胶种类和分辨率）： I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～ 0.5μm。 4、软烘（Soft Baking） 方法：真空热板，85～120℃,30～60秒； 目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶 玷污设备； 边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。
微电子工艺技术 复习要点答案(完整版)
第四章晶圆制造 1．CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。 答：1、溶硅2、引晶3、收颈4、放肩5、等径生长6、收晶。CZ法：使用射频或电阻加热线圈，置于慢速转动的石英坩埚内的高纯度电子级硅在1415度融化（需要注意的是熔硅的时间不宜过长）。将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒逐渐降低到熔融的硅中，籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化，籽晶的温度略低于硅的熔点。当系统稳定后，将籽晶缓慢拉出，同时熔融的硅也被拉出。使其沿着籽晶晶体的方向凝固。籽晶晶体的旋转和熔化可以改善整个硅锭掺杂物的均匀性。 FZ法：即悬浮区融法。将一条长度50-100cm 的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室。加热将多晶硅棒的低端熔化，然后把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间，然后加热线圈缓慢升高温度将熔融硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固，形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线圈扫描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒。 CZ法优点：①所生长的单晶的直径较大，成本相对较低；②通过热场调整及晶转，坩埚等工艺参数的优化，可以较好的控制电阻率径向均匀性。缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧、碳杂质，不易生长高电阻率单晶。 FZ法优点：①可重复生长，提纯单晶，单晶纯度较CZ法高。②无需坩埚、石墨托，污染少③高纯度、高电阻率、低氧、低碳④悬浮区熔法主要用于制造分离式功率元器件所需要的晶圆。缺点：直径不如CZ法，熔体与晶体界面复杂，很难得到无位错晶体，需要高纯度多晶硅棒作为原料，成本高。 MCZ：改进直拉法优点：较少温度波动，减轻溶硅与坩埚作用，降低了缺陷密度，氧含量，提高了电阻分布的均匀性 2．晶圆的制造步骤【填空】 答：1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。 2、切片 3、磨片和倒角 4、刻蚀 5、化学机械抛光 3. 列出单晶硅最常使用的两种晶向。【填空】 答：111和100. 4. 说明外延工艺的目的。说明外延硅淀积的工艺流程。 答：在单晶硅的衬底上生长一层薄的单晶层。 5. 氢离子注入键合SOI晶圆的方法 答：1、对晶圆A清洗并生成一定厚度的SO2层。2、注入一定的H形成富含H的薄膜。3、晶圆A翻转并和晶圆B键合，在热反应中晶圆A的H脱离A和B键合。4、经过CMP和晶圆清洗就形成键合SOI晶圆 6. 列出三种外延硅的原材料，三种外延硅掺杂物【填空】 7、名词解释：CZ法提拉工艺、FZ法工艺、SOI、HOT(混合晶向)、应变硅 答：CZ法：直拉单晶制造法。FZ法：悬浮区融法。SOI：在绝缘层衬底上异质外延硅获得的外延材料。HOT：使用选择性外延技术，可以在晶圆上实现110和100混合晶向材料。应变硅：通过向单晶硅施加应力，硅的晶格原子将会被拉长或者压缩不同与其通常原子的距离。 第五章热处理工艺 1. 列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途？
保护膜的制作工艺流程
保护膜的制作工艺流程 一卷卷的保护膜，一张张的手机保护膜，一块块的包装保护膜，白色的、透明的、蓝色的、绿色的等等，我们都不少见。看到这些保护膜，不禁就会想，这么漂亮、这么光洁、这么多种厚度的保护膜是怎么制作出来的呢？ 保护膜从生产到材料加工，是很繁琐的一个过程，需要经过不同的多重工艺技术制作。淘材网为大家介绍保护膜主要生产制作工艺。吹膜工艺：吹塑薄膜是将塑料在挤出机中熔融塑化，通过环形模头挤成膜管，由压缩空气将其吹胀冷却定型后制成的薄膜。 流延工艺：流延膜一般采用多层共挤工艺，通过T膜头将熔融树脂挤出，然后通过急冷辊进行冷却获得的薄膜。 双向拉伸工艺：双向拉伸膜是将熔融挤出的塑料进行高倍纵横两个方向的拉伸定型所制得的薄膜，它改变了高聚物分子及链段的排列，使其具有了高度平面取向性、结晶度提高，使薄膜的机械强度和表 面光洁度明显提高。 真空镀铝工艺：是在10-2-10-3Pa的高真空中，以电阻、高频或电子束加热的方式使铝汽化，在冷却的膜上凝结成均匀的金属薄膜。蒸镀工艺有间歇式、半连续式和连续式三种。 凹版印刷工艺：凹版印刷机是由放卷装置、印刷装置、传墨装置、干燥装置、张力控制装置、套色控制装置和收卷装置等构成。它是通过把印版浸泡于墨槽里，然后由刮刀将非雕刻部位除去油墨后在压 印胶辊的作用下，把油墨转移到承印基材上。
复合工艺：复合通过取长补短，使几种单一性能的材料结合成具有综合性能的新材料。 分切工艺：分切工艺是把大规格的膜卷分割成所需规格尺寸的工艺，随自动包装设备的应用越来越广，以膜卷出厂的形式越来越多。 检品工艺：半成品和成品在检品机上进行复卷，如传感器反馈的图样与已输入电脑的标准样在形状、尺寸、色彩诸方面存在的误差超出一定范围，检品机便自动停机予以检出。检品工序可减少后工序的 浪费并提高产品质量。 制袋工艺：复合软包装材料最终要通过制成各种包装袋才能使用，而包装袋是通过制袋机来实现的。 那么，现在保护膜你知道是怎样做出来的了吧？更多详情，请咨询淘材网.
微电子工艺技术 复习要点答案完整版
微电子工艺技术-复习要点答案) 完整版( 第四章晶圆制造法。比法和FZ1．CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ FZ三种生长方法的优 缺点。较单晶硅锭CZ、MCZ和答：
法：使用射频或电阻加热线圈，置于慢速转动的石CZ3、收颈4、放肩5、等径生长6、收晶。 1、溶硅2、引晶。将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒）英坩埚内的高纯度电子级硅在1415度融化（需要注意的是熔硅的时间不宜过长逐渐降低到熔融的硅中，籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化，籽晶的温度略低于硅的熔点。当系统稳定后，将籽晶缓慢拉出，同时熔融的硅也被拉出。使其沿着籽晶晶体的方向凝固。籽晶晶体的旋转和熔化可以改善整个硅锭掺杂物的均匀性。的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室。加热将多晶硅棒的低端熔化，然后50-100cm FZ法：即悬浮区融法。将一条长度把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间，然后加热线圈缓慢升高温度将熔融硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固，形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线圈扫描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒。法优点：①所生长的单晶的直径较大，成本相对较低；②通过热场调整及晶转，坩埚等工艺参数的优化，可以较好CZ的控制电阻率径向均匀性。缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧、碳杂质，不易生长高电阻率单晶。③高纯度、高电阻率、低法高。②无需坩埚、石墨托，污染少 CZFZ法优点：①可重复生长，提纯单晶，单晶纯度较法，熔体与晶体界面复杂，很④悬浮区熔法主要用于制造分离式功率元器件所需要的晶圆。缺点：直径不如CZ氧、低碳难得到无位错晶体，需要高纯度多晶硅棒作为原料，成本高。优点：较少温度波动，减轻溶硅与坩埚作用，降低了缺陷密度，氧含量，提高了电阻分布的均匀MC：改进直拉法 性 2．晶圆的制造步骤【填空】 答：1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。 2、切片 3、磨片和倒角 4、刻蚀 5、化学机械抛光
塑料薄膜生产工艺
塑料薄膜生产工艺 塑料薄膜生产工艺：塑料薄膜的成型加工方法有多种，例如有压延法、流延法、吹塑法、拉伸法等，近年来双向拉伸膜成为人们关注的焦点。今后，双向拉伸技术将更多地向着特种功能膜，如厚膜拉伸、薄型膜拉伸、多层共挤拉伸等方向发展。近年来，适应包装行业对包装物要求的不断提高，各种功能膜市场发展迅速。经过双向拉伸生产的塑料薄膜可有效改善材料的拉伸性能（拉伸强度是未拉伸薄膜的3-5倍）、阻隔性能、光学性能、耐热耐寒性、尺寸稳定性、厚度均匀性等多种性能，并具有生产速度快、产能大、效率高等特点，市场迅速发展。 双向拉伸原理 塑料薄膜双向拉伸的原理：是将高聚物树脂通过挤出机加热熔融挤出厚片后，在玻璃化温度以上、熔点以下的适当温度范围内（高弹态下），通过纵拉机与横拉机时，在外力作用下，先后沿纵向和横向进行一定倍数的拉伸，从而使高聚物的分子链或结晶面在平行于薄膜平面的方向上进行取向而有序排列；然后在拉紧状态下进行热定型使取向的大分子结构固定下来；最后经冷却及后续处理便可制得理想的塑料薄膜。 双向拉伸薄膜生产设备与工艺双向拉伸薄膜的生产设备与工艺，以聚酯薄膜（PET）为例简述如下：配料与混合普通聚酯薄膜所使用的原料主要是有光PET切片和母料切片。母料切片是指含有添加剂的PET切片，添加剂有二氧化硅、碳酸钙、硫酸钡、高岭土等，应根据薄膜的不同用途选用相应的母料切片。聚酯薄膜一般采用一定含量的含硅母料切片与有光切片配用，其作用是通过二氧化硅微粒在薄膜中的分布，增加薄膜表面微观上的粗糙度，使收卷时薄膜之间可容纳少量的空气，以防止薄膜粘连。有光切片与一定比例的母料切片通过计量混合机混合后进入下一工序。 结晶和干燥：对有吸湿倾向的高聚物，例如PET、PA、PC等，在进行双向拉伸之前，须先进行予结晶和干燥处理。一是提高聚合物的软化点，避免其在干燥和熔融挤出过程中树脂粒子互相粘连、结块；二是去除树脂中水分，防止含有酯基的聚合物在熔融挤出过程中发生水解降解和产生气泡。PET的予结晶和干燥设备一般采用带有结晶床的填充塔，同时配有干空气制备装置，包括空压机、分子筛去湿器、加热器等。予结晶和干燥温度在150-170℃左右，干燥时间约3.5-4小时。干燥后的PET切片湿含量要求控制在50ppm以下。 熔融挤出熔融挤出包括挤出机、熔体计量泵、熔体过滤器和静态混合器。 一、熔融挤出机 经过结晶和干燥处理的PET切片进入单螺杆挤出机进行加热熔融塑化。为了保证PET切片塑化良好、挤出熔体压力稳定，螺杆的结构非常重要。除对长径比、压缩比、各功能段均有一定要求外，还特别要求是屏障型螺杆，因为这种结构的螺杆具有以下几个特点： 有利于挤出物料的良好塑化。 有利于挤出机出口物料温度均匀一致。 挤出机出料稳定。 排气性能好。 有利于提高挤出能力。 若挤出量不是太大，推荐选用排气式双螺杆挤出机。排气挤出机有两个排气口与两套抽真空系统相连接，具有很好的抽排气、除湿功能，可将物料中所含的水分及低聚物抽走，可以省去复杂的预结晶/干燥系统，既节省投资又可降低运行成本。挤出机温度设定，从加料口到
光刻工艺与方法
光刻工艺与方法 张永平 2012.02.24
?光刻胶由三部分组成： 1、感光剂 2、增感剂 3、溶剂 正、负性光刻胶
衡量光刻胶好坏的标准 ?1、感光度 ?2、分辨率 ?3、粘度及固态含有率 ?4、稳定性 ?5、抗蚀性 ?6、黏附能力 ?7、针孔密度
光源 ?现代曝光系统所产生的像是受衍射限制的，而衍射效应又与曝光辐射的波长有很强的联系。从历史看，多数的光刻系统都使用弧光灯作为主要光源，内含有汞蒸汽，用光刻的灯消耗大约1千瓦功率。常用的汞两种特征波长：436nm（g线）和365nm（i线）。20世纪90年代早期，多数的光刻机使用g线；在0.35μm这一代中，i线步进光刻机是主宰。在深紫外光这一段，最亮的光源要数准分子激光，最有兴趣的二种源:KrF（248nm）和ArF（193nm），一般有二种元素，一种是惰性气体，一种是含卤化合物。准分子激光的主要问题：激光的可靠性和寿命、镜头系统中光学元件对曝光波长的透明度、寻找合适的光刻胶
?曝光技术直接影响到微细图形加工的精度与质量?a,接触式 ?b,接近式 ?c,投影式
三种曝光方式比较 接触曝光：光的衍射效应较小，因而分辨率高；但易损坏掩模图形，同时由于尘埃和基片表面不平等，常常存在不同程度的曝光缝隙而影响成品率。 接近式曝光：延长了掩模版的使用寿命，但光的衍射效应更为严重，因而分辨率只能达到2—4um 左右。 投影式曝光：掩模不受损伤，不存在景深问题提高了对准精度，也减弱了灰尘微粒的影响，已成为LSI 和VLSI 中加工小于3um 线条的主要方法。缺点是投影系统光路复杂，对物镜成像能力要求高。
PE塑料薄膜的吹膜成型工艺
PE塑料薄膜的吹膜成型工艺 塑料薄膜是常见的一种塑料制品，它可以由压延法、挤出法、吹塑等工艺方法生产，吹塑薄膜是将塑料原料通过挤 出机把原料熔融挤成薄管，然后趁热用压缩空气将它吹胀，经冷却定型后即得薄膜制品。 用吹塑工艺成型方法生产薄膜与其它工艺方法具有以下优点： 1、设备简单、投资少、收效快； 2、设备结构紧凑，占地面积小，厂房造价低； 3、薄膜经拉伸、吹胀，力学强度较高； 4、产品无边料、废料少、成本低； 5、辐度宽、焊缝少、易于制袋； 与其它成型工艺比其缺点如下： 1、薄膜厚度均匀度差； 2、生产线速度低，产量较低（对压延而言）； 3、厚度一般在0.01∽0.25mm，折径100-5000mm； 吹塑薄膜其主要用原料：LDPE、HDPE、LLDPE、EVA、PVC、PP、PS、PA等。 二、聚乙烯吹塑薄膜成型工艺 吹塑薄膜工艺流程，物料塑化挤出，形成管坏吹胀成型；冷却、牵引、卷取。在吹塑薄膜成型过程中，根据挤出和牵 引方向的不同，可分为平吹、上吹、下吹三种，这是主要成型工艺也有特殊的吹塑法，如上挤上吹法。
1、平挤上吹法 该法是使用直角机头，即机头出料方向与挤出机垂直，挤出管坏向上，牵引至一定距离后，由人字板夹拢，所挤管状由 底部引入的压缩空气将它吹胀成泡管，并以压缩空气气量多少来控制它的横向尺寸，以牵引速度控制纵向尺寸，泡管经 冷却定型就可以得到吹塑薄膜。如图所示。适用于上吹法的主要塑料品种有PVC、PE、PS、HDPE。 2、平挤下吹法 该法使用直角机头，泡管从机头下方引出的流程称平挤下吹法，该法特别适宜于粘度小的原料及要求透明度高的塑料薄 膜。如PP、PA、PVDC（偏二氯乙烯）。如下图所示。 3、平挤平吹法 该法使用与挤出机螺杆同心的平直机头，泡管与机头中心线在同一水平面上的流程称平挤平吹法，该法只适用于吹制小 口径薄膜的产品，如LDPE、PVC、PS膜，平吹法也适用于吹制热收缩薄膜的生产。 以上三种工艺流程各有优缺点，现比较于表工艺流程优点缺点平挤上吹泡管挂在冷却管上，牵引稳定占地面积 小，操作方便易生产折径大，厚度较厚的薄膜要求厂房高、造价高不适宜加工流动性大的塑料不利于薄膜冷却，生 产效率低平挤下吹有利于薄膜冷却、生产效率较高能加工流动性较大的塑料挤出机离地面较高，操作不方便不宜 生产较薄的薄膜平挤平吹机头为中心式、结构简单、薄膜厚度较均匀操作方便、引膜容易吹胀比可以较大不适宜
双向拉伸聚丙烯薄膜的生产工艺研究
双向拉伸聚丙烯薄膜的生产工艺研究 摘要：介绍了双向拉伸聚丙烯（BOPP）薄膜的生产方法及工艺流程，分析了原材料、纵横拉伸比、温度等因素对BOPP薄膜物理、力学性能的影响，并且对生产中常见的问题进行了分析，提出了解决铸片常见缺陷及拉伸破膜的方法。 关键词：双向拉伸聚丙烯薄膜，铸片，加工 双向拉伸塑料薄膜是在低于薄膜材料熔点、高于玻璃化转变温度（T ）时，对厚膜或铸 g 片进行纵向和横向拉伸，然后在张紧状态下进行适当冷却或热定型处理或特殊的加工（如电晕、涂覆等）而制得的制品。双向拉伸聚丙烯（BOPP）薄膜就是用这种方法制得的。 B OPP薄膜是包装领域的重要产品，具有质轻、透明、无毒、防潮、透气性低、力学强度高等优点，被广泛用于食品、医药、日用轻工、香烟等产品的包装，并大量用作复合膜的基材，有“包装皇后”的美称。双向拉伸法是一种技术要求十分高的塑料成型加工方法，除需要具备性能良好的加工设备外，更重要的是要求生产人员能够深入掌握PP的性能及加工条件对产品性能的影响，及时解决生产中存在的问题。 1.BOPP薄膜的主要生产方法及工艺流程 目前BOPP薄膜的生产方法主要有管膜法和平膜法。管膜法属双向一步拉伸法；平膜法又分为双向一步拉伸和双向两步拉伸两种方法。管膜法具有设备简单、投资少、占地小、无边料损失、操作简单等优点，但由于存在生产效率低、产品厚度公差大等缺点，自20世纪80年代以来几乎没有发展，目前仅用于生产BOPP热收缩膜等特殊品种。双向一步拉伸法制得的产品纵横向性能均衡，拉伸过程中几乎不破膜，但因设备复杂、制造困难、价格昂贵、边料损失多、难于高速化、产品厚度受限制等问题，目前尚未得到大规模采用。而双向两步拉伸法设备成熟、生产效率高、适于大批量生产，被绝大多数企业所采用。 2.影响BOPP薄膜物理、力学性能的因素 2.1原材料性能 工业化生产BOPP薄膜用主料的主要成分是PP。PP是一种典型的立体规整性聚合物，根据烃基在分子平面两侧的分布，可分为等规PP、间规PP和无规PP。等规PP和间规PP具有不同的结晶结构，等规PP是以均相成核的三维生长方式进行结晶，而间规PP主要以均相成核的二维方式进行结晶，形成了外观尺寸不规则的小晶片，而且由于间规PP分子结构的规整度较低，使得间规PP具有较低的结晶速率和结晶度。研究表明，等规度越大，结晶速率越快，薄膜产品的屈服强度和表面硬度会明显增大，而无规PP在聚合物中起内部润滑剂的作用，并有利于聚合物定向，有助于改善薄膜的光学性能。 目前，BOPP薄膜品种繁多，性能也差异很大，造成这种情况的主要原因是使用的原料和生产工艺不同。实践证明，只有等规PP的质量分数为95%～97%，无规PP的质量分数为3%～5%的PP才适合生产BOPP薄膜，并且一般选用熔体流动速率为2～4g/10min的PP。另外，通过在PP薄膜的表面上共挤出一层或多层熔点较低的共聚物，可以扩大BOPP薄膜在包装工业中的应用范围。 2.2纵、横向拉伸比 拉伸比是一个很重要的工艺参数，无论是纵向拉伸比，还是横向拉伸比，对BOPP薄膜的物理、力学性能都有重大的影响。在一定的温度下，拉伸比愈大，PP分子链的取向度愈大。即薄膜的力学强度提高、模量增大、断裂伸长率减小，冲击强度、耐折性增大，透气、