复旦大学微电子工艺 VLSI-04第四讲 光刻(上) (1)
微电子学概论4章工艺
4.2 氧化 SiO2的用途 （1）选择扩散的掩蔽 （2）电容介质 （3）引线的绝缘层 （4）表面保护
4.2 氧化：形成SiO2氧化膜
绝缘膜：电容，２层布线，栅介质 掺杂掩蔽 做法：（1）干氧 （2）湿氧
进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图
图形转换：光刻
光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机
光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、 基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化 学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液 中的溶解特性改变
离子注入
离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入 半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注 入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度 由注入杂质离子的数目(剂量)决定
掺杂的均匀性好 温度低：小于600℃ 可以精确控制杂质分布 可以注入各种各样的元素 横向扩展比扩散要小得多。 可以对化合物半导体进行掺杂
化学汽相淀积(CVD)
掺杂工艺：扩散、离子注入
扩
散
替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位：
Ⅲ、Ⅴ族元素 一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均 远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化 层作为杂质扩散的掩蔽层
间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙：
Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级
微电子学概论 第4章
集成电路工艺
内
材料工艺 前工艺 光刻 氧化 掺杂 化学淀积 金属化 隔离 后工艺
容
系 统 需 求
设计
掩膜版
芯片制 造过程
单晶、外
延材料
芯片检测
封装
测试
硅片
由氧化、淀积、离子注入或蒸 发形成新的薄膜或膜层
光刻工艺流程和步骤
光刻工艺流程和步骤下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!光刻工艺流程。
1. 掩膜板制作。
设计和制造包含电路图形的掩膜板。
光刻工艺培训教程
光刻工艺培训教程光刻工艺是半导体制造中非常重要的一环，它通过光刻胶和光刻机等工具，将芯片设计图案显影到硅片上。
本文将为大家介绍一些光刻工艺的基本知识和培训教程，帮助大家更好地理解和掌握光刻工艺。
一、光刻胶光刻胶是光刻过程中最关键的材料之一，负责将芯片设计图案转移到硅片上。
常见的光刻胶有正胶和负胶两种。
正胶是根据光敏化剂的特性，在曝光后变性，形成湿润的胶层，通过显影后去除未曝光的部分，形成芯片的图案。
负胶则正好相反，曝光后未显影的部分形成了硬质胶，而显影后的部分被去除，形成芯片图案。
二、光刻机光刻机是将芯片设计图案显影到硅片上的关键设备。
光刻机工艺中的几个重要的工作步骤包括：底部对位，涂覆光刻胶，预烘烤，曝光，显影，清洗等。
其中，曝光是最核心的一步，通过光照的方式将芯片图案显影到硅片上。
三、光刻工艺步骤1.底片准备：底片要经过化学清洗，去除表面杂质，并在光刻胶附着的表面形成胶层的底板。
2.光刻胶涂覆：将准备好的光刻胶均匀涂覆在底片上，通常采用自旋涂覆的方式。
3.烘烤：将涂覆好光刻胶的底片放入烘烤炉中，通过高温烘烤，除去溶剂使胶层在底片上形成均匀的薄膜。
4.曝光：将底片放入光刻机中进行曝光，将芯片设计图案转移到胶层上。
曝光需要准确控制光源的强度和时间。
5.显影：使用合适的显影剂将未曝光部分的光刻胶去除，显现出想要芯片图案。
6.清洗：使用溶剂清洗去除显影后剩余的胶层和其他杂质。
7.检测：对显影后的芯片进行质量检测，确保芯片图案的质量和精确性。
四、光刻现场操作光刻工艺的实际操作需要在无尘室中进行，保证整个过程的工艺纯净性。
操作人员需要穿着特定的防静电服，并且使用无尘环境下的特殊工具和设备。
操作时需要严格按照工艺流程进行，并且进行各个步骤的记录和检查，确保工艺的可控性和稳定性。
五、光刻工艺注意事项1.要严格在无尘室环境下操作，避免因为杂质的干扰对芯片的影响。
2.每一步操作都需要精确控制，避免因为操作失误导致整个工艺的失败。
复旦集成电路工艺课件-05
一般， g线和i线胶的对比度在2～3，而DUV胶的对比 度为5～10。
依赖于工艺参数，如：显影液、前烘时间、曝光后及
坚膜的温度，光源波长和硅片的表面形貌等
INFO130024.02
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (下)
局部曝光区域决定图形的陡直度
6/41
f
2、临界调制传递函数CMTF (critical modulation transfer function)：胶分辨图形所需的 最小光学传递函数MTF。
18/41
光源
NGL: X射线(5Å)，电子束(0.62Å)，离子束(0.12 Å)
INFO130024.02
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (下)
19/41
248 nm
193 nm
157 nm
13.5 nm
INFO130024.02
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (下)
2、Reducing resolution factor k1
Wmin g
投影式（远场衍射）：分辨率、 焦深、MTF、不相干度S
R k1 NA
掩模版制作 光刻机工作模式： 接触式，接近式，投 影式（扫描式，步进 式，步进扫描式）
DOF k2
( NA)2
光刻胶：正胶/负胶 光刻胶的组成 i线/g线（PAC） DUV（PAG）
INFO130024.02
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (下)
30/41
45, 32, 22 nm Technology nodes 全氟聚烷基醚油
INFO130024.02
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (下)
微电子工艺之光刻技术
三、光刻机（曝光方式）
②特点 避免了掩膜版与硅片表面的摩擦延长了掩膜版的 寿命。 掩膜版的尺寸可以比实际尺寸大得多，克服了 小图形制版的困难。 消除了由于掩膜版图形线宽过小而产生的光衍 射效应以及掩膜版与硅片表面接触不平整而产生 的光散射现象
三、光刻机（曝光方式）
③基本参数 分辨率R=k1λ/NA 焦深DOF=k2λ/(NA)2 焦深:沿着光通路，硅片可移动并能保持图形聚焦的移 动距离。 K1和k2为与系统有关的常数。 提高分辨率方法：λ↓及 NA↑。 但 NA↑，DOF ↓ 例，取λ＝365nm，NA＝0.4，则DOF＝2.3 μm NA＝0.6，则DOF＝1 μm,
四、光刻蚀工艺流程
②光刻Al的硅片 在丙酮中，水浴15分钟，烘干，再涂胶。 ⅱ）对涂胶的要求：粘附良好，均匀，薄厚适当 胶膜太薄－针孔多，抗蚀性差； 胶膜太厚－分辨率低（分辨率是膜厚的5－8倍） ⅲ）涂胶方法：浸涂，喷涂，旋涂√ 2.前烘 ①目的：促进胶膜内溶剂充分挥发，使胶膜干燥， 增加胶膜与SiO2 （Al膜等）的粘附性及耐磨性。
三、光刻机（曝光方式）
④1:1扫描投影光刻机（美国Canon公司）
三、光刻机（曝光方式）
⑤分步重复投影光刻机--Stepper DSW:direct-step-on-wafer ⅰ）原理： 采用折射式光学系统和4X~5X的缩小透镜. 曝光场：一次曝光只有硅片的一部分，可以大大 提高ＮＡ(0.7)，并避免了许多与高NA有关的聚 焦深度问题，加大了大直径硅片生产可行性。 采用了分步对准聚焦技术。
二、光刻版（掩膜版）
制版程序：绘制版图→数据转换成图形发生器的 专用文件（CIF文件、PG文件）→驱动和控制图 形发生器，以一定的间距和布局，将掩膜图形印 制于掩膜材料上，进而制备出批量生产用的掩膜 版。 根据使用的光刻机，掩膜可以与最后完成的芯片 上的图形有同样的尺寸或是该尺寸的整数倍，后 者在曝光时掩膜上的图形被缩小。通常缩小倍数 为4和5。
微电子工艺学课件_4
第四章加工环境与基片清洗4.1概述4.2 环境净化4.3 硅片清洗4.4 吸杂4.5 测量方法2局部光散射栅氧化层完整性≫≫ITRS Roadmap成品率每百分之一的提升都有巨大价值！Y randomY systematic Y total 起步阶段20％80％16％上升阶段80％90％72％成熟阶段90％95％86％影响成品率的因素：5!!!......................................¾e负二项模型聚集因子¾微粒金属离子化学物质细菌污染物静电缺陷从哪里来？缺陷：Life time killers1. ¾所有可以落在硅片表面的微小颗粒1 μm2 μm 30μm 100 μm烟尘尘埃指纹印人类毛发最关心颗粒尺寸：可在空气中长时间悬浮¾可移动离子污染物Fe, Cu, Ni,Fe, Cu, Ni,每10亿单位中金属杂质Sodium（Na）50 Potassium（K）50 Iron（Fe）50 Copper（Cu）60 Nickel （Ni）60 Aluminium（Al）60 Magnesium（Mg）60 Lead（Pb）60 Zinc（Zn）60某光刻胶去除剂金属杂质含量与氢原子发生电荷交换，和硅结合而被束缚在其表面。
硅片表面氧化时，进入氧化例write, read 漏放电的峰值电流静电荷在两物体间未经控制地传递，可能损坏芯片；电荷积累产生的电场会吸引带电颗粒或极化并吸引如何控制污染、降低缺陷密度？4.2ISO, FS209E洁净度等级对照19个/M3≥0.5umISO14644-1(1999)US209E(1992)US209D(1988)EECGGMP(1989)FRANCEAFNOR(1981)GERMANYVDI2083(1990)JAPANJAOA(1989)13.520210.0M135.33M1.5113100M23534M2.51024 1,000M33,5305M3.5100A+B4,00035 10,000M435,3006M4.51,0001,00046 100,000M5353,0007M5.510,000C400,00057 1,000,000M63,530,0008M6.5100,000D4,000,00068 10,000,000M7空气洁净大于或等于表中粒径的最大浓度限值(pc/m3)度等级(N)0.1um0.2um0.3um0.5um1um5um11022 （光刻、制版）100241043 （扩散、CVD）10002371023584 （封装、测试）1000023701020352835 （单晶制备）1000002370010200352083229 61000000237000102000352008320293 7352000832002930 8352000083200029300 9352000008320000293000空气初级过滤器鼓风机亚高效过滤器高效过滤器排放口收集口出风口洁净环境洁净室局部净化垂直层流式水平层流式乱流式净化工作台净化通道局部微环境垂直层流式水平层流式乱流式净化工作台净化通道局部微环境洁净室（clean room）:泛指集成电路和其它微电子22231、屋顶：复杂的封闭式结构，有两种类型：a. 轧制铝支架加现场制作的静压箱／风道；b. 预制的整体式静压箱／风道加支架。
复旦大学微电子学专业特色的挖掘与拓展
复旦大学微电子学专业特色的挖掘与拓展摘要：复旦大学微电子学专业拥有悠久的历史，形成了“基础与专业结合，研究与应用并重，创新人才培养国际化”特色。
在教育部第二批高等学校特色专业建设中，通过课程体系的完善、课程建设及培养方法的改进和创新两方面的努力，复旦大学微电子学专业的特色得到挖掘和拓展。
关键词：特色专业建设；复旦大学；微电子学；创新人才培养复旦大学“微电子学与固体电子学”学科有半个多世纪的深厚积累。
20世纪50年代，谢希德教授领导组建了全国第一个半导体学科，培养了我国首批微电子行业的中坚力量。
60年代研制成功我国第一个锗集成电路。
1984年，经国务院批准设立微电子与固体电子学学科博士点，1988年、2001年、2006年被评为国家重点学科。
所在一级学科于1998年获首批一级博士学位授予权，设有独立设置的博士后流动站和长江特聘教授岗位，建有“专用集成电路与系统”国家重点实验室，1998年和2003年被列入“211”工程建设学科，2000年被定为“复旦三年行动计划”重中之重学科得到学校重点支持，2005年获“985工程”二期支持，建设“微纳电子科技创新平台”。
长期以来复旦大学微电子学教学形成了“基础与专业结合，研究与应用并重，创新人才培养国际化”特色。
近年来，在教育部第二批高等学校特色专业建设中，我们根据国家和工业界对集成电路人才的要求，贯彻“国际接轨、应用牵引、注重质量”的教学理念，制定了复旦大学“微电子教学工作三年计划大纲”并加以实施，在高端创新人才培养方面对专业教学的特色开展了深层的挖掘和拓展。
一、课程体系的完善和课程建设微电子技术的高速发展要求微电子专业课程体系在相对固定的框架下不断加以更新和完善。
我们设计了“复旦大学微电子学专业本科课程设置调查表”，根据对于目前工作在企业、大学和研究机构的专业人士的调查结果，制定了新的微电子学本科培养方案。
主要修改包括：（1）加强物理基础、电路理论和通信系统课程。
光刻工艺步骤介绍
光刻工艺步骤介绍光刻工艺是半导体工艺中关键的步骤之一，它用于制造各种微细结构，如晶体管、光栅、电容或电阻等。
光刻工艺具有高分辨率、高精度和高可重复性的特点，被广泛应用于微电子、光电子、光伏等领域。
下面将对光刻工艺的步骤进行详细介绍。
1.掩膜设计：在光刻工艺中，需要首先进行掩膜设计。
掩膜是一种光刻胶的图形模板，确定了最终要形成的微细结构的形状和位置。
掩膜设计常用计算机辅助设计软件进行，设计完成后生成掩膜模板。
2.光刻胶涂覆：在光刻工艺中，需要将光刻胶均匀涂覆在待制作器件表面，这是为了保护器件表面免受光刻过程中的腐蚀或损伤。
涂覆一般使用旋涂机或喷涂机进行，确保光刻胶均匀薄膜的形成。
3.预烘烤：涂覆光刻胶后，需要进行烘烤步骤来消除光刻胶中的溶剂，使光刻胶能够形成均匀的薄膜层。
预烘烤也有助于增加光刻胶的附着力和稳定性，并使其更容易与待制作器件表面结合。
4.曝光：曝光是光刻工艺的核心步骤，也是形成微细结构的关键。
在曝光过程中，掩膜模板被置于光源下，通过透过模板的局部区域将光刻胶暴露于紫外线或可见光源。
光刻胶对光线的敏感性使其在接受曝光后发生化学或物理变化，形成暴光区域。
曝光完毕后，去除掩膜模板。
5.显影：显影是指将曝光后的光刻胶通过溶液处理，使其在暴露区域溶解去除，形成所需的微细结构。
显影液对未曝光区域没有任何溶解作用，所以它只会溶解曝光区域中的光刻胶。
显影的时间和温度需要根据光刻胶的特性和所需结构来进行控制。
6.后烘烤：显影后的光刻胶需要进行后烘烤，以固化和增加其机械强度。
后烘烤可以通过烤箱、烘干机或者其他热源进行。
在烘干的过程中，通过将温度升高，光刻胶中的溶剂会完全挥发并交联，形成具有所需形状和特性的微细结构。
7.检查和测量：制作微细结构后，需要对其进行检查和测量，以确保其满足设计规格。
常见的检查和测量方法有光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜等，这些设备可以对微细结构的尺寸、形状和位置等进行分析和评估。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
35
2、下层反射造成驻波，下层散射降低图像分辨率。
DUV胶—>ARC
g线和i线胶—>使 用添加剂，吸光并 降低反射，曝光后 显影前的烘烤也有 利于缓解其驻波现 象。
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
前烘后膜上树脂 : PAC＝1:1
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
28
负胶 (Negative Optical Photoresist)
当VLSI电路需分辨率达2 mm之前，基本上是采用负性光刻 胶。 负胶在显影时线条会变粗，使其分辨率不能达到很高。
但在分辨率要求不太高的情况，负胶也有其优点：
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
9
掩模版制作过程
12. Finished
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
10
掩膜版的成品率Y: Y e ND0Ac
D0:单位面积缺陷数， Ac: 芯片面积， N: 掩膜版层数
INFO130024.01 接触式
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
4
光刻的作用和目的
图形的产生和布局
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
5
光刻的要求
分辨率（高） 曝光视场（大） 图形对准精度（高）——1/3最小特征尺寸 产率（throughput）（大） 缺陷密度（低）
10:1
5:1
1:1
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
14
DSW－direct step on wafer
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
15
曝光系统
接触式和接近 式——近场衍 射（Fresnel）
像平面靠近孔 径，二者之间 无镜头系统
sin
d 2f
NA
焦深
DOF
k2
( NA)2
NA，焦深
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
22
焦平面
焦深 光刻胶
IC技术中，焦深只有1mm，甚至更小
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
23
调制传递函数MTF －－对比度
INFO130024.01
传统DNQ胶的问题： 12、、对汞于灯在<i线DU波V长波的段光输强出烈光吸强收不如i线和g线，因此化灵学敏增度强不光够刻胶 3、量子效率提高有限（最大为1，一般0.3)
PAG (photo-acid generator)
原理：入射光子与PAG分子反应，产生酸分子，在后续的
烘烤过程中，酸分子起催化剂作用，使曝光区域光刻胶改性
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
16
接触和接近式
Fresnel衍射理论适用 的间隔范围：
g
W2
g＝10 mm， ＝365 nm（i线）时，
Wmin2 mm
最小分辨尺寸
Wmin g
INFO130024.01
17
投影式——远场衍 射（Fraunhofer）
✓DQ不溶于显影液，光刻胶在显影液中的溶解速率为 1－2 nm/sec ✓光照后，DQ结构发生重新排列，成为溶于显影液的烃基酸 （TMAH四甲基氢氧化铵——典型显影液） 光照后，光刻胶在显影液中的溶解速度为100－200nm/s
c)溶剂 是醋酸丁脂、二甲苯、乙酸溶纤剂的混合物，用于调节光 刻胶的粘度。
×1掩膜版制作
接触式、接近式光刻
数字图形
×4或×5投影光 刻版
投影式光刻
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
8
电子束直写
✓×4或×5投影光刻版在 制版时容易检查缺陷
✓版上缺陷可以修补
✓蒙膜(pellicle)保护防止颗 粒玷污
高透明度（散射小） 热膨胀小
光刻胶
10～15nmARC（antireflection coating） 80nmCr 熔融石英玻璃片
净化的三个层次：环境、硅片清洗、吸杂
净化级别 高效净化
杂质种类：颗粒、有机 物、金属、天然氧化层
本征吸杂和非本 征吸杂
强氧化
HF:DI H2O
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
3
大纲
第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战
INSOL INSOL 酸
聚合物长链
PEB
（曝 光 后
）烘 烤
SOL SOL
酸
酸
SOL INSOL
酸
酸
要求对于环境和工艺参数控制严格，PEB 温度控制在几分之一度。
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
32
光刻胶的表征参数： 1、对比度：胶区分亮区和暗区的能力
mJ/cm2=mW/cm2×sec
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
24
MTF Imax Imin Imax Imin
一般要求MTF>0.5 与尺寸有关
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
25
MTF与光的部分相干度S
S增加，越来越不相干
S=
光源直径s 聚光镜直径d
或
S=
NA聚光光路 NA投影光路
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
33
对比度
1 ln( Df / D0 )
Df 即灵敏度
注意：g线和i线胶那样是靠光子一个一个曝光的， DUV胶不是。 DUV胶一旦反应开始，则会在催化作用 下，使反应进行到底。所以DUV胶从未曝光状态到完 全曝光状态的转变更为陡峭，即对比度更大。
Wmin g
光刻胶：正胶/负胶 光刻胶的组成
i线/g线（PAC） DUV（PAG）
✓套刻精度(alignment accuracy)
✓产率(throughput)
机械设计
✓……
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
21
焦深
为轴上光线到极限聚焦位置的光程差。根据瑞利判据：
/ 4 cos
很小时， / 4 [1 (1 2 / 2)] 2 / 2
100%
S1
恰可分辨
73.6%
S2
S1 S2
不可分辨
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
19
两个爱里斑之间的分辨率(瑞利判据):
理论计算人眼爱里斑~20mm 分辨率：100 mm
R＝1.22f
d
1.22f n(2 f sin )
0.61 n sin
数值孔径：收集衍射 光的能力。n为折射率
36
驻波对于光刻图形的影响
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
37
本节课主要内容
基于衍射理论的光刻原理
投影式（远场衍射）：分辨率、 焦深、MTF、不相干度S
掩模版制作
光刻机工作模式：
接触式，接近式，投 影式
R
k1
NA
DOF
k2
( NA)2
接触/接近式（近场衍射）:最小尺寸
NA nsin
分辨率
R
k1
NA
k1=0.6-0.8
提高分辨率：
NA，，k1
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
20
投影式
基本参数：
✓分辨率(resolution)
✓焦深(depth of focus) ✓视场(field of view)
光学系统决定
✓调制传递函数(MTF—modulation transfer function)
35％的成 本来自于 光刻工艺
图形转移技术组成：
•掩膜版/电路设计 •掩膜版制作 •光刻
光源 曝光系统 光刻胶
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
6
空间图像
潜在图像
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
7
掩膜版制作
CAD设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形
像平面远离孔径， 在孔径和像之间设 置镜头
1.22f
d
爱里斑
中心极大半径＝1.22f
d
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)
18
瑞利给出恰可分辨两个物点的判据：
分辨率
点物S1的爱里斑中心恰好与另一个点物S2的爱里斑
边缘（第一衍射极小）相重合时，恰可分辨两物点。
S1
S2
可分辨
INFO130024.01
集成电路工艺原理
第四章 光刻原理 (上)