单片机晶振电路原理及作用

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单片机晶振电路原理及作用

晶振的工作原理

晶振的工作原理文件排版存档编号:[UYTR-OUPT28-KBNTL98-UYNN208]

晶振的工作原理:晶振是晶体振荡器的简称,在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络,电工学上这个网络有两个谐振点,以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振,较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近,在这个极窄的频率范围内,晶振等效为一个电感,所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路,由于晶振等效为电感的频率范围很窄,所以即使其他元件的参数变化很大,这个振荡器的频率也不会有很大的变化。晶振的参数:晶振有一个重要的参数,那就是负载电容值,选择与负载电容值相等的并联电容,就可以得到晶振标称的谐振频率。 晶振的应用:一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器(注意是放大器不是反相器)的两端接入晶振,再有两个电容分别接到晶振的两端,每个电容的另一端再接到地,这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容,请注意一般IC的引脚都有等效输入电容,这个不能忽略。 一般的晶振的负载电容为15p或,如果再考虑元件引脚的等效输入电容,则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振(谐振)的英文名称不同,无源晶振为crystal(晶体),而有源晶振则叫做oscillator(振荡器)。无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来,所以“无源晶振”这个说法并不准确;有源晶振是一个完整的谐振振荡器。

选择晶振时要考虑哪些参数

选择晶振时要考虑哪些参数? 2011-7-19 14:26 提问者:rinkeigun|浏览次数:2555次 谢谢好心人。我想知道的是: 1. 晶振之身的参数(频率等) 2. 与周围的器件(51单片机)有什么关联,影响 3. 构成晶振的元件是什么(如C,Y) 4.哪里有最简单的电路图 我来帮他解答 2011-7-25 14:05 满意回答 1、 晶体谐振器的等效电路 图1是一个在谐振频率附近有与晶体谐振器具有相同阻抗特性的简化电路。 其中:C1为动态电容也称等效串联电容;L1为动态电感也称等效串联电感; R1为动态电阻也称等效串联电阻;C0为静态电容也称等效并联电容。 这个等效电路中有两个最有用的零相位频率,其中一个是谐振频率(Fr),另一个是反谐振频率(Fa)。当晶体元件实际应用于振荡电路中时,它一般还会与一负载电容相联接,共同作用使晶体工作于Fr和Fa之间的某个频率,这个频率由振荡电路的相位和有效电抗确定,通过改变电路的电抗条件,就可以在有限的范围内调节晶体频率。 2、晶体的频率 晶体在应用的电路中,其电气特性表现较复杂,与其相关的频率指标也有多个,主要的是: a)标称频率(F0) 指晶体元件规范中所指定的频率,也即用户在电路设计和元件选购时所希望的理想工作频率。 b)谐振频率(Fr) 指在规定条件下,晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较低的一个频率。根据图1的等效电路,当不考虑C0的作用,Fr由C1和L1决定,近似等于所谓串联(支路)谐振频率(Fs)。 这一频率是晶体的自然谐振频率,它在高稳晶振的设计中,是作为使晶振稳定工作于标称频率、确定频率调整范围、设置频率微调装置等要求时的设计参数。c)负载谐振频率(FL) 指在规定条件下,晶体元件与一负载电容串联或并联,其组合阻抗呈现为电阻性时两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,FL是两个频率中较低的那个频

晶振的工作原理

晶振的工作原理:晶振是晶体振荡器的简称,在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络,电工学上这个网络有两个谐振点,以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振,较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近,在这个极窄的频率围,晶振等效为一个电感,所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路,由于晶振等效为电感的频率围很窄,所以即使其他元件的参数变化很大,这个振荡器的频率也不会有很大的变化。 晶振的参数:晶振有一个重要的参数,那就是负载电容值,选择与负载电容值相等的并联电容,就可以得到晶振标称的谐振频率。 晶振的应用:一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器(注意是放大器不是反相器)的两端接入晶振,再有两个电容分别接到晶振的两端,每个电容的另一端再接到地,这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容,请注意一般IC的引脚都有等效输入电容,这个不能忽略。 一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ,如果再考虑元件引脚的等效输入电容,则两个22p 的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振(谐振)的英文名称不同,无源晶振为crystal(晶体),而有源晶振则叫做oscillator(振荡器)。无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来,所以“无源晶振”这个说法并不准确;有源晶振是一个完整的谐振振荡器。晶振的种类:谐振振荡器包括石英(或其晶体材料)晶体谐振器,瓷谐振器,LC谐振器等。晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。 石英晶片所以能做振荡电路(谐振)是基于它的压电效应,从物理学中知道,若在晶片的两个极板间加一电场,会使晶体产生机械变形;反之,若在极板间施加机械力,又会在相应的方向上产生电场,这种现象称为压电效应。如在极板间所加的是交变电压,就会产生机械变形振动,同时机械变形振动又会产生交变电场。一般来说,这种机械振动的振幅是比较小的,

晶振电路原理介绍

晶体振荡器,简称晶振。在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络,电工学上这个网络有两个谐振点,以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振,较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近,在这个极窄的频率范围内,晶振等效为一个电感,所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路,由于晶振等效为电感的频率范围很窄,所以即使其他元件的参数变化很大,这个振荡器的频率也不会有很大的变化。 晶振有一个重要的参数,那就是负载电容值,选择与负载电容值相等的并联电容,就可以得到晶振标称的谐振频率。 一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器(注意是放大器不是反相器)的两端接入晶振,再有两个电容分别接到晶振的两端,每个电容的另一端再接到地,这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容,请注意一般IC的引脚都有等效输入电容,这个不能忽略。 一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ,如果再考虑元件引脚的等效输入电容,则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。 晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振(谐振)的英文名称不同,无源晶振为crystal(晶体),而有源晶振则叫做oscillator(振荡器)。无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来,所以“无源晶振”这个说法并不准确;有源晶振是一个完整的谐振振荡器。 谐振振荡器包括石英(或其晶体材料)晶体谐振器,陶瓷谐振器,LC谐振器等。

晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。 石英晶片所以能做振荡电路(谐振)是基于它的压电效应,从物理学中知道,若在晶片的两个极板间加一电场,会使晶体产生机械变形;反之,若在极板间施加机械力,又会在相应的方向上产生电场,这种现象称为压电效应。如在极板间所加的是交变电压,就会产生机械变形振动,同时机械变形振动又会产生交变电场。一般来说,这种机械振动的振幅是比较小的,其振动频率则是很稳定的。但当外加交变电压的频率与晶片的固有频率(决定于晶片的尺寸)相等时,机械振动的幅度将急剧增加,这种现象称为压电谐振,因此石英晶体又称为石英晶体谐振器。其特点是频率稳定度很高。 石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应来起振,而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC来共同作用来工作的。振荡器直接应用于电路中,谐振器工作时一般需要提供3.3V电压来维持工作。振荡器比谐振器多了一个重要技术参数为:谐振电阻(RR),谐振器没有电阻要求。RR 的大小直接影响电路的性能,也是各商家竞争的一个重要参数。 概述 微控制器的时钟源可以分为两类:基于机械谐振器件的时钟源,如晶振、陶瓷谐振槽路;基于相移电路的时钟源,如:RC (电阻、电容)振荡器。硅振荡器通常是完全集成的RC振荡器,为了提高稳定性,包含有时钟源、匹配电阻和电容、温度补偿等。图1给出了两种时钟源。图1给出了两个分立的振荡器电路,其中图1a为皮尔斯振荡器配置,用于机械式谐振器件,如晶振和陶瓷谐振槽路。图1b为简单的RC反馈振荡器。 机械式谐振器与RC振荡器的主要区别 基于晶振与陶瓷谐振槽路(机械式)的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温 度系数。相对而言,RC振荡器能够快速启动,成本也比较低,但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差,会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。图1所示的电路能产生可靠的时钟信号,但其性能受环境条件和电路元件选择以及振荡器电路布局的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时,陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感,但在过驱动时很容易产生频率漂移(甚至可能损坏)。影响振荡器工作的环境因素有:电磁干扰(EMI)、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化,增加不稳定性,并且在有些情况下,还会造成振荡器停振。 振荡器模块 上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。这些模块自带振荡器、提供低阻方波

晶振基础知识

晶振基础知识(第一版) 摘要:本文简单介绍了晶体谐振器和晶体振荡器的结构,工作原理,振荡器电路的分类,晶体振荡器的分类,晶振类器件的主要参数指标和石英晶体基本生产工艺流程。 一、振荡电路的定义,构成和工作原理 (2) 二. 晶体振荡器分类: (16) 三、石英晶体谐振器主要参数指标 (19) 四、石英晶体振荡器主要参数指标 (20) 五.石英晶体基本生产工艺流程 (26)

一、振荡电路的定义,构成和工作原理 1. 振荡器:不需外加输入信号,便能自行产生输出信号的电路,通常也被成为。 2. 振荡器构成:谐振器(选频或滤波)+驱动(谐振)电路构成振荡器电路。 3. 谐振器的种类有:RC 谐振器,LC 并联谐振器,陶瓷谐振器,石英(晶体)谐振器,原子谐振器,MEMS (硅)振荡器。本文只讨论石英晶体谐振器。 石英谐振器的结构 石英谐振器,它由石英晶片、电极、支架和外壳等部分组成。它的性能与晶片的切割方式、尺寸、电极的设置装架形式,以及加工工艺等有关。其中,晶片的切割问题是设计时首先要考虑的关键问题。由于石英晶体不是在任何方向都具有单一的振动模式(即单频性)和零温度系数,因此只有沿某些方向切下来的晶片才能满足设计要求。 Mounting clips Top view of cover Resonator

普通晶振内部结构 石英晶体振荡器主要由基座、晶片、IC 及外围电路、陶瓷基板(DIP OSC )、上盖组成。 普通晶体振荡器原理图 胶点 基座 晶片 Bonding 线 IC

4. 振荡电路的振荡条件: (1)振幅平衡条件是反馈电压幅值等于输入电压幅值。根据振幅平衡条件,可以确定振荡幅度的大小并研究振幅的稳定。 (2)相位平衡条件是反馈电压与输入电压同相,即正反馈。根据相位平衡条件可以确定振荡器的工作频率和频率的稳定。 (3)振荡幅度的稳定是由器件非线性保证的,所以振荡器是非线性电路。 (4)振荡频率的稳定是由相频特性斜率为负的网络来保证的。 (5)振荡器的组成必须包含有放大器和反馈网络,它们必须能够完成选频、稳频、稳幅的功能。(6)利用自偏置保证振荡器能自行起振,并使放大器由甲类工作状态转换成丙类工作状态。

元件封装型号及尺寸.

元件封装型号及尺寸 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装。像电阻,有传统的针插式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊,成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD 元件放上,即可焊接在电路板上了。 电阻AXIAL 无极性电容RAD 电解电容RB- 电位器VR 二极管DIODE 三极管TO 电源稳压块78和79系列TO-126H和TO-126V 场效应管和三极管一样 整流桥D-44D-37D-46 单排多针插座CON SIP 双列直插元件DIP 晶振XTAL1 电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列

无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容:electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器:pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5 二极管:封装属性为diode-0.4(小功率diode-0.7(大功率 三极管:常见的封装属性为to-18(普通三极管to-22(大功率三极管to-3(大功率达林 顿管 电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等 79系列有7905,7912,7920等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2:封装属性为D系列(D-44,D-37,D-46 电阻:AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4 瓷片电容:RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小,一般用RAD0.1 电解电容:RB.1/.2-RB.4/.8其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用 RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管:DIODE0.4-DIODE0.7其中0.4-0.7指二极管长短,一般用DIODE0.4 发光二极管:RB.1/.2 集成块:DIP8-DIP40,其中8-40指有多少脚,8脚的就是DIP8 贴片电阻

晶振的工作原理

晶振的工作原理 一、什么是晶振? 晶振是石英振荡器的简称,英文名为Crystal,它是时钟电路中最重要的部件,它的主要作用是向显卡、网卡、主板等配件的各部分提供基准频率,它就像个标尺,工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定,自然容易出现问题。 晶振还有个作用是在电路产生震荡电流,发出时钟信号. 晶振是晶体振荡器的简称。它用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作,以提供稳定,精确的单频振荡。在通常工作条件下,普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十。高级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率,称为压控振荡器(VCO)。 晶振在数字电路的基本作用是提供一个时序控制的标准时刻。数字电路的工作是根据电路设计,在某个时刻专门完成特定的任务,如果没有一个时序控制的标准时刻,整个数字电路就会成为“聋子”,不知道什么时刻该做什么事情了。 晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。通常一个系统共用一个晶振,便于各部分保持同步。有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振,而通过电子调整频率的方法保持同步。 晶振通常与锁相环电路配合使用,以提供系统所需的时钟频率。如果不同子系统需要不同频率的时钟信号,可以用与同一个晶振相连的不同锁相环来提供。

电路中,为了得到交流信号,可以用RC、LC谐振电路取得,但这些电路的振荡频率并不稳定。在要求得到高稳定频率的电路中,必须使用石英晶体振荡电路。石英晶体具有高品质因数,振荡电路采用了恒温、稳压等方式以后,振荡频率稳定度可以达到10^(-9)至10 ^(-11)。广泛应用在通讯、时钟、手表、计算机……需要高稳定信号的场合。 石英晶振不分正负极, 外壳是地线,其两条不分正负 二、晶振的使用 晶振,在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络,电工学上这个网络有两个谐振点,以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振,较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近,在这个极窄的频率范围内,晶振等效为一个电感,所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路,由于晶振等效为电感的频率范围很窄,所以即使其他元件的参数变化很大,这个振荡器的频率也不会有很大的变化。 晶振有一个重要的参数,那就是负载电容值,选择与负载电容值相等的并联电容,就可以得到晶振标称的谐振频率。 一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器(注意是放大器不是反相器)的两端接入晶振,再有两个电容分别接到晶振的两端,每个电容的另一端再接到地,这两个电容串联的容

石英晶体振荡器原理

石英晶体振荡器的基本工作原理及作用 (1)石英晶体振荡器(简称晶振)的结构石英晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化矽的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑胶封装的。(2)压电效应 若在石英晶体的两个电极上加一电场,晶片就会产生机械变形。反之,若在晶片的两侧施加机械压力,则在晶片相应的方向上将产生电场,这种物理现象称为压电效应。如果在晶片的两极上加交变电压,晶片就会产生机械振动,同时晶片的机械振动又会产生交变电场。在一般情况下,晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小,但当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅明显加大,比其他频率下的振幅大得多,这种现象称为压电谐振,它与LC回路的谐 振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。 (3)符号和等效电路石英晶体谐振器的符号和等效电路如图所示。当晶体不振动时,可把它看 成一个平板电容器称为静电电容C,它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关,一般约几个pF到几十pF。当晶体振荡时,机械振动的惯性可用电感L來等效。一般L的值为几十mH到几 百mH。晶片的弹性可用电容C來等效,C的值很小,一般只有0.0002~0.1pF。晶片振动时因 摩擦而造成的损耗用R來等效,它的數值约为100Ω。由于晶片的等效电感很大,而C很小, R也小,因此回路的品质因數Q很大,可达1000~10000。加上晶片本身的谐振频率基本上只 与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关,而且可以做得精确,因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定性。

晶振作用分类

1、晶振的作用 晶振是晶体振荡器的简称,分为有源晶振和无源晶振两种,有源晶振无需外接匹配电容,只要加电即可输出一定频率的周期波形,所以有源晶振一般是四个引脚;无源晶振严格来说不能叫晶振,只能算是晶体,因为它需要外接匹配电容才可起振,由于其起振不需要电源供电,因此称为无源晶振。晶振的作用就是为电路系统提供时钟或者时序。 2、晶振的分类 根据晶振的功能和实现技术的不同,可以将晶振分为以下四类: (1) 恒温晶体振荡器(以下简称OCXO):这类晶振对温度稳定性的解决方案采用了恒温槽技术,将晶体置于恒温槽内,通过设置恒温工作点,使槽体保持恒温状态,在一定范围内不受外界温度影响,达到稳定输出频率的效果。这类晶振主要用于各种类型的通信设备,包括交换机、SDH传输设备、移动通信直放机、G PS接收机、电台、数字电视及军工设备等领域。根据用户需要,该类型晶振可以带压控引脚。OCXO的工作原理如下图所示: 图1恒温晶体振荡器原理框图 OCXO的主要优点是,由于采用了恒温槽技术,频率温度特性在所有类型晶振中是最好的,由于电路设计精密,其短稳和相位噪声都较好。主要缺点是功耗大、体积大,需要5分钟左右的加热时间才能正常工作等。 (2) 温度补偿晶体振荡器(以下简称TCXO):其对温度稳定性的解决方案采用了一些温度补偿手段,主要原理是通过感应环境温度,将温度信息做适当变换后控制晶振的输出频率,达到稳定输出频率的效果。传统的TCXO是采用模拟器件进行补偿,随着补偿技术的发展,很多数字化补偿TCXO开始出现,这种数字化补偿的TCXO又叫DTCXO,用单片机进行补偿时我们称之为MCXO,由于采用了数字化技术,这一类型的晶振在温度特性上达到了很高的精度,并且能够适应更宽的工作温度范围,主要应用于军工领域和使用环境恶劣的场合。 (3) 普通晶体振荡器(SPXO):这是一种简单的晶体振荡器,通常称为钟振,其工作原理为图1中去除“压控”、“温度补偿”和“AGC”部分,完全是由晶体的自由振荡完成。这类晶振主要应用于稳定度要求不高的场合。

晶振的基本原理及特性

晶振的基本原理及特性 晶振一般采用如图1a的电容三端式(考毕兹) 交流等效振荡电路;实际的晶振交流等效电路如图1b,其中Cv是用来调节振荡频率,一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现,这也是压控作用的机理;把晶体的等效电路代替晶体后如图1c。其中Co,C1,L1,RR是晶体的等效电路。 分析整个振荡槽路可知,利用Cv来改变频率是有限的:决定振荡频率的整个槽路电容C=Cbe,Cce,Cv 三个电容串联后和Co并联再和C1串联。可以看出:C1越小,Co越大,Cv变化时对整个槽路电容的作用就越小。因而能“压控”的频率范围也越小。实际上,由于C1很小(1E-15量级),Co不能忽略(1E-12量级,几PF)。所以,Cv变大时,降低槽路频率的作用越来越小,Cv变小时,升高槽路频率的作用却越来越大。这一方面引起压控特性的非线性,压控范围越大,非线性就越厉害;另一方面,分给振荡的反馈电压(Cbe上的电压)却越来越小,最后导致停振。 采用泛音次数越高的晶振,其等效电容C1就越小;因此频率的变化范围也就越小。 晶振的指标 总频差:在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大偏差。 说明:总频差包括频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频率负载特性等共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心,而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如:精密制导雷达。 频率稳定度:任何晶振,频率不稳定是绝对的,程度不同而已。一个晶振的输出频率随时间变化的曲线如图2。图中表现出频率不稳定的三种因素:老化、飘移和短稳。

图2 晶振输出频率随时间变化的示意图 曲线1是用0.1秒测量一次的情况,表现了晶振的短稳;曲线3是用100秒测量一次的情况,表现了晶振的漂移;曲线4 是用1天一次测量的情况。表现了晶振的老化。 频率温度稳定度:在标称电源和负载下,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大允许频偏。 ft=±(f max-fmin)/(fmax+fmin) ftref =±MAX[|(fmax-fref)/fref|,|(fmin-fref)/fref|] ft:频率温度稳定度(不带隐含基准温度) ftref:频率温度稳定度(带隐含基准温度) fmax :规定温度范围内测得的最高频率 fmin:规定温度范围内测得的最低频率 fref:规定基准温度测得的频率 说明:采用ftref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用ft指标的晶体振荡器,故ftref指标的晶体振荡器售价较高。 开机特性(频率稳定预热时间):指开机后一段时间(如5分钟)的频率到开机后另一段时间(如1小时)的频率的变化率。表示了晶振达到稳定的速度。这指标对经常开关的仪器如频率计等很有用。 说明:在多数应用中,晶体振荡器是长期加电的,然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机,这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到(尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台,当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃~85℃),采用OCXO作为本振,频率稳定预热时间将不少于5分钟,而采用MCXO只需要十几秒钟)。 频率老化率:在恒定的环境条件下测量振荡器频率时,振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率

无源晶振有源晶振工作原理

无源晶振(晶体谐振器)工作原理:在石英水晶片的两边镀上电极,通过在两电极上加一定的电压,因为石英有压电效应,电压形成了,自然就会产生形变,从而给IC提供一个正弦波形。通过IC的内部整形和PLL电路后产生方波,然后输入给下级电路。有源晶振就是把频率部分和驱动PLL电路集成在IC外部,自成一体,直接输出方波供下级电路使用。 无源晶振(晶体谐振器)有插件和贴片之分,贴片又分为两脚和四脚,四脚贴片其对脚为有效脚,剩下两脚可以作为接地,也可以悬空不起太大作用。而有源晶振(晶体振荡器)均为四脚:1脚为使能端,2脚为接地端,3脚为输出端,4脚为电源端。不过振荡器的种类很多,英文缩写为OSC或XO。还有特殊功能的振荡器,例如压控振荡器(VCXO)、温度补偿振荡器(TCXO)、压控带温补偿振荡器(VC-TCXO)、恒温振荡器(OCXO)等。 无源晶振是一种无极性元件,需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来。无源晶振没有电压的要求,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的。同样的晶振可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体,这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者。无源晶振相对于晶振而言其缺陷是信号质量较差,通常需要精确匹配外围电路(用于信号匹配的电容、电感、电阻等),更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。使用时建议采用精度较高的石英晶体,尽可能不要采用精度低的陶瓷晶体。 有源晶振是一个完整的振荡器,里面除了石英晶体外,还有晶体管和阻容元件。有源晶振不需要DSP 的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路。相对于无源晶体,有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的,需要选择好合适输出电平,灵活性较差,价格相对较高。对于时序要求敏感的应用,有源晶振是个更好的选择。因为可以选用比较精密的晶振,甚至是高档的温度补偿晶振。有些DSP内部没有起振电路,只能使用有源晶振。有源晶振相比于无源晶体通常体积较大,但现在许多有源晶振是表贴的,体积和无源晶振相当,有的甚至比无源晶振还要小。 在电子学上,通常将含有晶体管元件的电路称作“有源电路”,而仅由阻容元件组成的电路称作“无源电路”。无源晶振与有源晶振的英文名称不同,无源晶振为crystal(晶体),而有源晶振则叫做晶体振荡器(oscillator)。 有源晶振是有石英晶体组成的,石英晶片之所以能当为振荡器使用,是基于它的压电效应:在晶片的两个极上加一电场,会使晶体产生机械变形;在石英晶片上加上交变电压,晶体就会产生机械振动,同时机械变形振动又会产生交变电场,虽然这种交变电场的电压极其微弱,但其振动频率是十分稳定的。当外加交变电压的频率与晶片的固有频率(由晶片的尺寸和形状决定)相等时,机械振动的幅度将急剧增加,这种现象称为“压电谐振”。压电谐振状态的建立和维持都必须借助于振荡器电路才能实现。

一些常用的微波部件及其主要技术指标

一些常用的微波部件及其主要技术指标 作者:未知转贴自:未知点击数:250 更新时间:2005-11-22 在各种各样的微波电路中,放大器是相对最具有代表性的。因此,我们作为重点对其进行介绍,而对于其它的电路,则只介绍其特殊的性能指标,同样的内容不再重复。 7.1 放大器 图41 放大器框图 ①频率范围:f1~f2 ②增益(G): G=Pout/Pin (3) ③噪声系数(NF): (4) 式中Nx是出现在放大器的输出端,由放大器内部产生的噪声。 NF=10logF (5) 即NF=10log() 所以,噪声系数NF就代表了放大器自身噪声贡献的大小。 ④输入、输出反射损耗及电压驻波比(VSWR) 反射损耗(LR)是在输入信号保持不变的情况下,从短路器反射的电压与从被测负载反射的电压值比,并用dB表示。

LR=20log (6) 式中,ρ为被测负载的反射系数。 (7) (8) ⑤ 1dB压缩点输出功率(P-1): 随着输入功率的增加,当放大器的增益被压缩了1dB时的输出功率,即为1dB压缩点输出功率。P-1是表示一个放大器的非线性特性和输出能力的一项重要指标。 图42 放大器输入/输出功率关系曲线 ⑥互调分量和交*点 如图43所示,当频率为f1和f2的两个等幅信号同时加在放大器的输入端时,由于放大器非线性的影响,在输出端将出现互调失真的成份。其中f2±f1为二阶互调分量,而2f1±f2为三阶互调分量。 另外,除非是对于宽带的电路,一般我们不考虑二阶互调失真的影响。下面以三阶互调失真为例进行分析。

图43 放大器互调失真示意图 图44是基波分量和三阶互调分量与输入功率之间的关系曲线。将它们线性延长的交点,即为三阶交*点(IP3)。若IP3已知,那么我们就可以准确地预知三阶互调失真的大小。 图44 基波分量、三阶互调分量和三阶交*点 (9) 或(10) 7.2 混频器 ①杂波抑制:输出的有用信号的功率与杂波之间的差值。

晶振的作用与原理

晶振的作用与原理 一,晶振的作用 (1)晶振是石英振荡器的简称,英文名为Crystal,它是时钟电路中最重要的部件,它的主要作用是向显卡、网卡、主板等配件的各部分提供基准频率,它就像个标尺,工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定,自然容易出现问题。 (2)晶振还有个作用是在电路产生震荡电流,发出时钟信号.晶振是晶体振荡器的简称。它用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作,以提供稳定,精确的单频振荡。在通常工作条件下,普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十。高级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率,称为压控振荡器(VCO)。 (3)晶振在数字电路的基本作用是提供一个时序控制的标准时刻。数字电路的工作是根据电路设计,在某个时刻专门完成特定的任务,如果没有一个时序控制的标准时刻,整个数字电路就会成为“聋子”,不知道什么时刻该做什么事情了。 (4)晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。通常一个系统共用一个晶振,便于各部分保持同步。有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振,而通过电子调整频率的方法保持同步。晶振通常与锁相环电路配合使用,以提供系统所需的时钟频率。

如果不同子系统需要不同频率的时钟信号,可以用与同一个晶振相连的不同锁相环来提供。 (5)电路中,为了得到交流信号,可以用RC、LC谐振电路取得,但这些电路的振荡频率并不稳定。在要求得到高稳定频率的电路中,必须使用石英晶体振荡电路。石英晶体具有高品质因数,振荡电路采用了恒温、稳压等方式以后,振荡频率稳定度可以达到10^(-9)至10^(-11)。广泛应用在通讯、时钟、手表、计算机……需要高稳定信号的场合。石英晶振不分正负极, 外壳是地线,其两条不分正负 二,晶振的原理; 石英晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本结构大致是从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

调频发射机主要技术指标的测试方法

调频发射机三大技术指标的测试临朐县广播电视局(谭景林刘健刚尹洪军孔繁菊) 我国的广播电台从中央到地方大多是采用调频广播,调频广播具有抗干扰能力强、音域宽广、可进行立体声广播或双节目广播等特点,受到群众的普遍欢迎。在调频广播传输系统中,发射机播出指标是衡量广播节目质量好坏的重要标志,因此,熟练掌握调频发射机三大技术指标的测试,让调频广播发射机长期工作在最佳状态,提高播出质量的重要保证。也是广电技术人员必须掌握的技术。 调频广播发射机的运行指标主要包括:谐波失真、信号噪声比(信噪比)和频率响应这三项主要技术指标,即国家规定调频广播标准:谐波失真应≤1.0%;信噪比应≥58dB;频率响应应≤±0.5dB。本文将介绍这些技术指标的调整测试方法和注意事项,以供广大同行借鉴. 一、所需仪器 音频信号发生器、频偏仪、失真度测量仪、示波器等。 二、基本要求和注意事项 1.要求测试环境温度在:10℃±40℃,相对湿度:45%~90%;交流供电电压380V(或220V)±5%;交流电源频率:50±1Hz。 2.要先将发射机调整在正常工作状态。例如保持发射机输出功率正常,各级正常调谐,工作稳定无自激,无各种外来干扰情况下进行测试。整个测试工作必须连续完成,如测试某一项技术指标时,出现发射机不稳定或测试结果不符合要求而需对发射机进行适当调整时,调整后全部项目须重新测试。 3.测试前要先对所用仪器进行检查、校准,预热合格后方能使用。 4.测试仪器要有良好的接地,应将频偏仪、失真度仪、音频信号发生器等接地线全部与发射机地线连接,如果仪器接地不好,则仪器的位置对所测试的指标影响很大。 5.由频偏仪到失真度仪的音频线要短,且必须用屏蔽电缆。 6.测试工作应在调频发射机和测试仪器通电工作稳定半小时后进行。 7.调整测试时要认真细心观察各项指标,勿使表头打坏,特别值得注意的是频偏仪输入高频信号幅度要适当,若信号过大极易将其烧坏。 三、测试 在测试时应注意调频广播中单声道广播的最大频偏为75kHz,音频信号为40

一、液晶显示器的主要技术指标

一、液晶显示器的主要技术指标 1、尺寸和显示屏 一般LCD显示器(即LCD屏)的对角线尺寸有以下几种:14"、15"、15.1"、17"、17 .1"。 本机为15"(304.1×228 .1mm)。 现在的LCD显示屏均采用薄膜晶体管有源矩阵显示屏(TFT Active Matrix Panel)、所有 R、G、B 像素中的每一个颜色的像素均由1 个TFT(薄膜晶体管)来控制,数百万个TFT构成一个有源矩阵,成为LCD屏。 2、点距 水平点矩指每个完整像素(含R、G、B)的水平尺寸,垂直点距指每个完整像素的垂直 尺寸。例如本机采用1024×768个像素的LCD屏,尺寸为15"(304.1mm×228.1mm),则水平点距=304.1mm÷1024=0.297mm,垂直点距=228.1÷768=0.297mm。 3、分辨率、刷新率(场频)、行频、信号模式 LCD屏的分辨率是指液晶屏制造所固有的像素的列数和行数,如1024×768(多为15",能 满足XGA信号模式要求),800×600(多为14",能满足SVGA信号模式要求。)分辨率越高,清晰度越好。刷新率即显示器的场频。刷新率越高,显示图像的闪动就越小。 LCD显示器的最高场频和最高行频,主要由液晶屏的技术参数所决定。本机的LCD屏 允许的最高行频为80KHz,最高场频为75Hz。 在LCD显示的分辨率、行频和刷新率确定后,其接收的最高信号模式就明确了,现 LCD显示器一般有以下2种产品,本产品属第一种。 15" XGA 1024×768 75Hz 60KHz (行频60KHz、场频75Hz) 17" SXGA 1280×1024 75Hz 80KHz (行频80KHz、场频75Hz) 4、对比度 对比度是表现图象灰度层次的色彩表现力的重要指标,一般在200∶1~400∶1之间,越 大越好。 5、亮度 亮度是表现LCD显示器屏幕发光程度的重要指标,亮度越高,对周围环境的适应能力 就越强。一般在150~350cd/m2之间,越大越好。 6、显示色彩 LCD显示器的色彩显示数目越高,对色彩的分辨力和表现力就越强,这是由LCD显示 器内部的彩色数字信号的位数(bit)所决定的。本显示器内采用的是R(8bit)、G(8bit)、 B(8bit)的数字信号,则显示色彩数目为28×28×28=224=16.7M。 7、响应时间 由于液晶材料具有粘滞性,对显示有延迟,响应时间就反映了液晶显示器各像素点的 发光对输入信号的反应速度。它由两个部份构成,一个是像素点由亮转暗时对信号的延迟时间tr(又称为上升时间),二个是像素点由暗转亮时对信号的延迟时间tf(又称为下降时间),而响应时间为两者之和,一般要求小于50ms。 8、可视角度 可视角度是指站在距LCD屏表面垂线的一定角度内仍可清晰看见图象的最大角度,越 大越好。 9、整机功耗 一般要求工作时≤30W,省电时≤3W。 10、其它:安规认证CCC、UL、 二、电路工作原理提要

封装尺寸及功率关系

0805封装尺寸/0402封装尺寸/0603封装尺寸/1206封装尺寸 封装尺寸与功率关系: 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 封装尺寸与封装的对应关系 0402= 0603= 0805= 1206= 1210= 1812= 2225= 贴片电阻规格、封装、尺寸 贴片电阻常见封装有9种,用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码,前两位与后两位分别表示电阻的长与宽,以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码,也由4位数字表示,其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸:

Note:我们俗称的封装是指英制。 零件封装知识 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装。像电阻,有传统的针插式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD元件放上,即可焊接在电路板上了。 电阻AXIAL 无极性电容RAD 电解电容RB- 电位器VR 二极管DIODE 三极管TO 电源稳压块78和79系列TO-126H和TO-126V 场效应管和三极管一样 整流桥D-44 D-37 D-46 单排多针插座CON SIP 双列直插元件DIP 晶振XTAL1 电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列 无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容:electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器:pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5 二极管:封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率) 三极管:常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管) 电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等 79系列有7905,7912,7920等

单片机晶振电路原理及作用

单片机晶振电路原理及作用 单什机乐阿和有晶振.在叽片机策统里隔振柞用非能応全程叫品体振荡器,他 结合单片机内部皑路产生取片机所需的时钟颇率,m片机品振提供的时钟烦率 越尚,那么巾片机运打速度就魏快.臥片接的一训折令的执行都是建泄在也片机 品振捉供的时榊坝率? 在通常工杵条件下.普通的品振频率绝对将度可达百万分之五十*囱级的粕燃更務。冇些怖振还可以由外加电压企一定抢闲内调螯蹶率,称为斥控振霸(VCO).晶振用一种能把电能和机械能相兰转化的品休在共振的状态下T th以提供稳定,樁确的匏颇振鶴. 单斤机晶振的作用是为系统捉供基本的时钟信号.通常一个系统扶用一个鼎据,便于体部分保持同歩■有些通JR萊统的奉颇和射颇便用不同的品振、而通过电子课無嫌率的方搓保持同步? 品衣通常耳锚相环电路配含使用,以提供系统所需的时忡烦率。如果不同予垂统帘要不同臟率的时钟信号.可臥用耳同一个斛振柑连的不同锁相环來提供" 下丽我就共林的介紹一下晶振的柞用以及原埋,骷振一般采用如图la的电容三端式(考毕兹)交流等效振荡电路;宴际的晶振交曲徹电路如图lb,其中氏是用来调节振荡狈率’一般用变容?极骨加上不同的反偏电爪来实现. 这也是压控作用的机理七把品休的等效电曄代替晶体厉如阳ic;其中Co, CL, Lit RR是晶休的等效电路v (品振电略图〉 分析整个振荡楂路可知,利用h来改变频率是有限的土决宦振荡碱串的整乍 艳路电C-€be, Cce. Cv三个电容串联后和3并联再和门串联亠可M看出: C1趣小,CoKAi C变化时対整个杷路电容的卄用就越小。因而能“压控" 的频率范圉也越小°实际上,由于C14R

晶振振荡器电路

在该应用手册中,我们将讨论我们推荐给您的晶振电路设计方案,并解释电路中的各个元器件的具体作用,并且在元器件数值的选择上提供指导。最后,就消除晶振不稳定和起振问题,我们还 将给出一些建议措施。 图1所示为晶振等效电路。R 为ESR(串联等效阻抗)。L 和C 分别是晶振等效电感和等效电容。C P 是晶振的伴生电容,其极性取决于晶振的极性。图2所示为晶振的电抗频谱线。当晶振在串联谐振状态下工作时,线路表现为纯阻性,感抗等于容抗(XL = XC)。串联谐振频率由下式给出 LC f S π21= 当晶振工作在并联谐振模式时,晶振表现为感性。该模式的工作频率由晶振的负载决定。对于并联谐振状态的晶振,晶振制造商应该指定负载电容C L 。在这种模式下,振动频率由下式给出 P L P L C C C C L fa += π21 图 1. 晶振等效电路. 图 2. 晶振的电抗频谱线.

在并联谐振模式下,电抗线中fs 到fa 的斜线区域内,通过调整晶振的负载,如图2,晶振都可以振荡起来。MX-COM 所有的晶振电路都推荐使用并联谐振模式的晶振。 图3所示为推荐的晶振振荡电路图。这样的组成可以使晶振处于并联谐振模式。反相器在芯片内体现为一个AB 型放大器,它将输入的电量相移大约180° 后输出;并且由晶振,R1,C1和C2组成的π型网络产生另外180°的相移。所以整个环路的相移为360°。这满足了保持振荡的一个条件。其它的条件,比如正确起振和保持振荡,则要求闭环增益应≥1。 反相器附近的电阻Rf 产生负反馈,它将反相器设定在中间补偿区附近,使反相器工作在高增益线性区域。电阻值很高,范围通常在500K ? ~2M ?内。MXCOM 的有些芯片内置有电阻,对于具体的芯片,请参考其外部元器件选用说明书。 对晶振来讲,C1和C2组成负载电容。和晶振来匹配最好的电容(C L ),晶振厂家都有说明。C1和C2的计算式为 S L C C C C C C ++?=2 121 这里C S 是PCB 的漂移电容(stray capacitance ),用于计算目的时,典型值为5pf 。现在C1和C2选择出来满足上面等式。通常选择的C1和C2是大致相等的。C1和/或C2的数值较大,这提高了频率的稳定性,但减小了环路增益,可能引发起振问题。 R1是驱动限流电阻,主要功能是限制反相器输出,这样晶振不会被过驱动(over driven )。R1、C1组构成分压电路,这些元器件的数值是以这样的方式进行计算的:反相器的输出接近rail-to-rail 值,输入到晶振的信号是rail-to-rail 的60%,通常实际是令R1的电阻值和的C1容抗值相等,即R1 ≈ XC1。这使晶振只取得反相器输出信号的一半。要一直保证晶振消耗的功率在厂商说明书规定范围内。过驱动会损坏晶振。请参考晶振厂商的建议。 理想情况下,反相器提供180°相移。但是,反相器的内在延迟会产生额外相移,而这个额外相移与内在延迟成比例。为保证环路全相移为n360°,π 型网络应根据反相器的延迟情况,提供小于180°的相移。R1的调整可以满足这一点。使用固定大小的C1和C2,闭环增益和相位可随R1变化。如果上述两个条件均得到了满足,在一些应用中,R1可以忽略掉。 图 3. 晶振电路

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