电子束辐照对碳纳米管结构及性能的影响

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xps 分峰 碳纳米管

xps 分峰 碳纳米管

xps 分峰碳纳米管一、引言碳纳米管,由于其独特的结构和优异的性能,在许多领域都有着广泛的应用前景。

随着科技的不断进步,对碳纳米管的研究也日益深入,其中X射线光电子能谱(XPS)作为一种重要的分析手段,在碳纳米管的研究中发挥着重要的作用。

本文将重点探讨XPS技术在碳纳米管分峰分析中的应用及其对碳纳米管研究的贡献。

二、XPS技术简介X射线光电子能谱(XPS)是一种通过测量样品原子或分子在被X射线激发后产生的光电子能量分布来分析物质成分的方法。

由于XPS可以提供元素组成、化学态和分子结构等信息,因此被广泛应用于材料科学、化学、生物学等领域。

三、碳纳米管的特性碳纳米管是由单层或多层石墨烯卷曲而成的无缝纳米级管状结构。

由于其独特的结构和物理化学性质,碳纳米管在力学、电学、热学等方面都有着优异的性能。

此外,碳纳米管还具有较高的比表面积和良好的化学稳定性,这使得它们在许多领域都有着广泛的应用前景。

四、XPS在碳纳米管分峰分析中的应用XPS在碳纳米管分峰分析中发挥着重要的作用。

通过对碳纳米管的XPS谱进行分析,可以获得碳纳米管中各元素的含量、化学态以及分子结构等信息。

例如,通过测量C1s峰的位移和形状,可以推断出碳纳米管的层数和手性;通过测量N1s峰和O1s峰,可以了解氮和氧在碳纳米管中的含量和化学态。

这些信息对于理解碳纳米管的生长机制、优化制备工艺以及拓展应用领域等方面都具有重要的意义。

五、分峰结果的解读在对碳纳米管的XPS谱进行分峰处理时,通常采用高斯-洛伦兹曲线拟合方法来解析谱峰。

通过对C1s峰的拟合,可以得到碳纳米管中sp2和sp3杂化碳的比例,从而推断出碳纳米管的石墨化程度。

此外,通过对N1s和O1s峰的拟合,可以得到氮和氧在碳纳米管中的含量和化学态。

通过对这些信息的解读,可以对碳纳米管的性能和应用进行更加深入的理解。

六、碳纳米管的应用领域由于其独特的结构和优异的性能,碳纳米管在许多领域都有着广泛的应用前景。

宇宙射线对半导体器件影响的研究

宇宙射线对半导体器件影响的研究

宇宙射线对半导体器件影响的研究近年来,随着半导体器件的广泛应用和信号处理的要求不断提高,对于宇宙射线对半导体器件的影响研究也越来越受到关注。

由于宇宙射线能够产生较高的能量,对于半导体器件的影响也更为严重。

因此,如何减轻或避免宇宙射线对半导体器件的影响,成为了科学家们的研究方向。

首先,我们来看一下宇宙射线的组成和特征。

宇宙射线是来自宇宙空间的高速粒子,这些粒子包括质子、α粒子、重离子和光子等。

它们能够穿过大气层、云层和建筑物等物体,并对电子器件产生较大的影响。

宇宙射线的轨道高度越高,影响的程度也越大。

在现代半导体器件中,全球范围内每天接受到的宇宙射线剂量在几千个自然电荷单位(nCeu)以上,因此,对于半导体器件的影响也必须引起足够的重视。

其次,我们来分析宇宙射线对半导体器件的影响。

宇宙射线照射在半导体器件上主要有两种影响:辐射效应和电磁效应。

辐射效应是指宇宙射线和其他粒子的能量在半导体表面释放时导致的影响。

辐射效应包括电离和捕获效应。

电磁效应是指宇宙射线和其他粒子与半导体中电荷的相互作用导致的影响。

电磁效应包括静电效应和磁气效应。

具体来说,辐射效应会使半导体中的载流子浓度减少,从而导致电阻率增高、寿命缩短和噪声增大等问题。

电磁效应则会引起电场电荷累积、反向漏电流增大、噪声增加等问题。

此外,辐照还会使器件的表面及界面产生缺陷,并进一步影响器件性能。

那么,如何降低宇宙射线对半导体器件的影响呢?目前,方案有两种:一是通过控制工艺,提高器件的可靠性;二是通过选择合适的材料、结构和加工条件等方式来减轻辐射损伤。

在选择材料时,高禁带宽和低活化能的材料更容易受到宇宙射线的影响。

而选择适当的加工条件和器件结构,比如减薄层结构、增加氧化层厚度、减少漏电流等方法,则可以有效地减轻宇宙射线对器件的影响。

值得一提的是,近年来,利用宇宙射线进行半导体探测器检测应用的领域也在不断扩展。

在探测器制造中,由于宇宙线的穿透力强,在粒子检测中发挥着重要作用。

碳纳米管材料导热性能的实验研究

碳纳米管材料导热性能的实验研究

华南理工大学硕f:学位论文或(0,m)时,手性角0=00,管壁柱面上碳六元环的两个C.C键垂直于管中心轴,此类CNT被称为“锯齿形CNT”,因为此时碳原子在管子圆周上的分布呈锯齿状;当月≠m≠0,00<口<300时,CNT的构型为螺旋型碳纳米管,螺旋型碳纳米管具有手性特征,所以被称为“手性CNT”,如图1.1所示。

以(117m)=(5,5)的扶手椅管为例,其结构如图1.1a)所示,其周长L=475a,直径d,=o.678nm。

该管的直径,与C60分子的直径(0.71nm)很接近,所以在该管两端均可置一c60半球,此C60半球的周长也呈扶手椅状,它是垂直于C60分子的五次对称轴一部分得到的。

(11,m)=(9,0)之字形纳米管的结构如图1-lb)所示,其周长L=9a。

直径dr=0.705nm。

在此管两端也可以罩上C60半球。

此半球的边沿也呈之字形,它是垂直于C60分子的三次对称轴平分得到。

图1—1c)所示的是(10,5)手性纳米管,其周长上=√175Ⅱ,直径dr=1.036nm,其两端可罩C…半球。

1.3.2双壁与多壁碳纳米管的结构模型由两层或两层以上的石墨片卷曲而成的管被称为DWCNTs或MWCNTs,如图1—3所示。

他们的层结构可能是同一fi,圆柱或是蛋卷状,还有可能是两者的混合性的结构。

DWCNTs与MWCNTs的结构比较复杂,不易确定。

图卜3双肇CNTFig.1-3Double—wallcarbonnanotube1.4碳纳米管的制备方法自1991年Iijima发现CNTs以来,已有数十种合成CNTs的方法问世,也发现一些新的转化途径…。

这些方法方法丰要包括以下几种:1.电弧法1993年,Tijima教授与IBM实验室的Bethune教授改进了电弧法,他们在阳极置入催化荆金属,在放电室器壁中发现了单层碳纳米管1101。

4华南理工大学硕E学位论文系在小的温度区域呈线性,这就导致电阻也有频率为2。

碳纳米管的研究进展

碳纳米管的研究进展

碳纳米管制备方法的研究进展碳纳米管是一种具有独特结构的一维量子材料,由石墨碳原子层卷曲而成。

由于拥有潜在的优越性能,碳纳米管无论在物理、化学还是在材料学领域都将有重大发展前景。

近年来,美国、日本、德国和中国等国家相继成立了纳米材料研究机构,碳纳米管的研究进展随之加快,并在制备方面取得了突破性进展。

1.电弧法石墨电弧法是最早的、最典型的碳纳米管合成方法。

其原理为电弧室充惰性气体保护,两石墨棒电极靠近,拉起电弧,再拉开,以保持电弧稳定【1】。

放电过程中阳极温度相对阴极较高,所以阳极石墨棒不断被消耗,同时在石墨阴极上沉积出含有碳纳米管的产物【2】.。

由于电弧放电剧烈,难以控制进程和产物,合成物中有碳纳米颗粒、无定形炭或石墨碎片等杂质,杂质很难分离。

所以研究者在优化电弧法制取碳纳米管方面做了大量的工作。

为减少相互缠绕的碳纳米管在阴极上的烧结,D.T.Collbert【3】将将石墨阴极与水冷铜阴极座连接,大大减少了碳纳米管的缺陷。

C.Journet【2】等在阳极中填入石墨粉末和铱的混合物,实现了SWNTs的大量制备。

研究发现,铁组金属、一些稀土金属和铂族元素或以单个金属或以二金属混合物均能催化SWNTs合成。

近年来,人们除通过调节电流、电压,改变气压及流速,改变电极组成,改进电极进给方式等优化电弧放电工艺外,还通过改变打弧介质,简化电弧装置。

2.催化裂解法。

催化裂解法亦称为化学气相沉积法,其原理是通过烃类或含碳氧化物在催化剂的催化下裂解而成【4】。

目前对化学气相沉积法制备碳纳米管的研究表明,选择合适的催化剂、碳源以及反应温度十分关键。

K.Hernadi等【5】发现碳源的催化活化顺序为:乙炔>丙酮>乙烯>正茂烷>丙烯≥甲醇=甲苯≥甲烷。

Ren[6]等在666℃条件下,在玻璃上通过等频磁控管喷镀法镀上厚度为40nm的金属镍,以乙炔气体作为碳源,氨气作为催化剂,采用等离子体热流体化学蒸气分解沉积法,得到了在镀有镍层的玻璃上排列整齐的阵列式碳纳米管管束。

碳纳米管能带隙

碳纳米管能带隙

碳纳米管能带隙碳纳米管是一种拥有奇特物理特性的纳米材料,具有高度的力学强度和导电性。

其中一个关键特点就是其能带结构,也称为能带隙。

本文将深入探讨碳纳米管的能带隙,从而加深对该材料的理解。

1. 什么是能带隙?能带隙是指固体材料中价带和导带之间的能量间隔。

价带是材料中电子能量最高的轨道,而导带则是能量较高、允许电子传导的轨道。

能带隙的大小决定了材料的导电性和电子行为。

2. 碳纳米管的基本结构碳纳米管由具有六角晶格结构的碳原子构成,形成一个管状结构。

碳纳米管可以分为单壁碳纳米管和多壁碳纳米管两种,其中单壁碳纳米管只有一个管壁,而多壁碳纳米管则由几个同心的管壁构成。

3. 碳纳米管能带结构碳纳米管的能带结构与其直径和手性(或称为“扭曲角度”)有关。

手性是指碳纳米管的结构对称性,可以通过两个整数(n,m)来描述。

根据碳纳米管的手性,能带结构可以分为金属型和半导体型。

- 金属型:当碳纳米管的(n-m)能被3整除时,对应的碳纳米管是金属型的。

金属型碳纳米管的能带结构中,价带和导带相交,没有能带隙,因此具有优异的导电性能。

- 半导体型:当碳纳米管的(n-m)不能被3整除时,对应的碳纳米管是半导体型的。

半导体型碳纳米管的能带结构中,价带和导带之间存在能带隙。

能带隙的大小取决于碳纳米管的手性,通常在几百meV到几eV之间。

4. 影响碳纳米管能带隙的因素碳纳米管的能带隙受到多种因素的影响,包括管径、手性、扭曲角度和外界条件等。

- 管径:碳纳米管的管径越小,能带隙通常越大。

这是由于管径的变化会引起量子限制效应,从而使能带隙增大。

- 手性:不同手性的碳纳米管具有不同的能带结构和能带隙。

通过调控碳纳米管的手性,可以在一定程度上控制其能带隙。

- 扭曲角度:碳纳米管的扭曲角度也会对其能带隙产生影响。

扭曲角度较大的碳纳米管通常具有较小的能带隙。

- 外界条件:外界条件,如压力和温度等,也可对碳纳米管的能带隙产生影响。

通过改变这些外界条件,可以改变碳纳米管的能带结构和能带隙。

碳纳米管的特性和应用

碳纳米管的特性和应用

碳纳米管的特性和应用碳纳米管(Carbon Nanotubes)是由一层碳原子螺旋结构组成的纳米材料,是继全球领先材料硅半导体之后,最具有应用前景和研究价值的纳米材料之一。

它的结构独特,具有众多突出的优异特性,广泛应用于众多领域。

一.碳纳米管的特性1.独特的力学性能碳纳米管比强度高达100倍,比弹性模量也高达1Tpa,其储能密度甚至比铁高出14倍。

由于具有先进的力学性能,碳纳米管得以满足机械,电气等方面多样化需求的细微尺寸抗压性骨架。

2.巨大的电子输运特性碳纳米管是一种优异的电子输运材料,其电导率接近理论值,并具有较好的场效应特性,比金属导线的传输速度快,能耗低。

其特有的电学和光学性能,可以被广泛应用于电子学、纳米电子学、分子电子学及其与纳米材料、纳米生物医学的耦合等领域。

3.优秀的导热性碳纳米管具有优异的导热性能,其导热系数高达3,000W/mK,在能量传输方面表现的更优。

由于其高导热性能,碳纳米管可以广泛应用于海量数据中的快速计算机芯片,电子器件等领域。

4.独有的光学性能碳纳米管的特有光学性能,可以被广泛用于纳米材料和光电器件,纳米显微学和生物医学成像领域。

其长寿命和单色性有助于提高荧光和Raman信号的稳定性和可重复性。

二.碳纳米管的应用1.电子器件领域由于碳纳米管具有优异的特性,所以能广泛应用于半导体行业、显示、光电和纳米电子等领域。

由于其电流密度高、传输速度快、储存空间大,可以作为替代摩尔定律的新型半导体材料。

2.生物医学领域碳纳米管已经应用于药物传递,癌症疗法,组织工程,生物传感器,成像,分离技术,等领域。

由于其分子分辨率和强化荧光能力,可以作为一种检测和治疗疾病的原材料。

3.材料科学领域由于其独特的结构和物理性质,碳纳米管可以在材料领域中应用。

它们可以用作增强材料,提高塑料和金属的强度和硬度。

碳纳米管还可以被用作电池电极的电介质,具有提高能量密度的特性。

4.环保领域碳纳米管的应用也可以被用于环保领域。

碳纳米管概述

碳纳米管概述1、碳纳米管的结构1991年日本NEC公司基础研究实验室的电子显微镜专家Iijima[22]在高分辨透射电子显微镜下检验石墨电弧设备中产生的球状碳分子时,意外发现了由管状的同轴纳米管组成的碳分子,这就是现在被称作的“Carbon Nanotubes”,即碳纳米管(CNTs),又名巴基管碳.纳米管是一种具有特殊结构(径向尺寸为纳米量级,轴向尺寸可达微米量级)的一维量子材料,具有典型的层状中空结构特征,一般管的两端有端帽封口.碳纳米管的管身是准圆管结构,由六边型碳环结构单元组成,端帽部分为含五边形和六边形的碳环组成的多边形结构[23].碳纳米管可以只有一层也可以有多层,分别称为单层碳纳米管和多层碳纳米管.由于其独特的结构,碳纳米管的研究具有重大的理论意义和潜在的应用价值,如:其独特的结构是理想的一维模型材料;巨大的长径比使其有望用作坚韧的碳纤维,其强度为钢的100倍,重量则只有钢的1/6;同时它还有望用作为分子导线,纳米半导体材料,催化剂载体,分子吸收剂和近场发射材料等.科学家们还预测碳纳米管将成为21世纪最有前途的纳米材料,以碳纳米管为材料的显示器将是很薄的,可以像招贴画那样挂在墙上.碳纳米管依其结构特征可以分为三种类型:扶手椅型纳米管,锯齿型纳米管和手性纳米管.按照是否含有管壁缺陷可以分为:完善碳纳米管和含缺陷碳纳米管.按照外形的均匀性和整体形态,可分为:直管型,碳纳米管束,Y型等.2、碳纳米管的性能由于碳纳米管中碳原子采取SP2杂化,相比SP3杂化,SP2杂化中S轨道成分比较大,使碳纳米管具有高模量和高强度.碳纳米管具有良好的力学性能,CNTs抗拉强度达到50~200GPa,是钢的100倍,密度却只有钢的1/6,至少比常规石墨纤维高一个数量级;它的弹性模量可达1TPa,与金刚石的弹性模量相当,约为钢的5倍.对于具有理想结构的单层壁的碳纳米管,其抗拉强度约800GPa.碳纳米管的结构虽然与高分子材料的结构相似,但其结构却比高分子材料稳定得多.碳纳米管是目前可制备出的具有最高比强度的材料.若以其他工程材料为基体与碳纳米管制成复合材料,可使复合材料表现出良好的强度、弹性、抗疲劳性及各向同性,给复合材料的性能带来极大的改善.碳纳米管上碳原子的P电子形成大范围的离域π键,由于共轭效应显著,碳纳米管具有一些特殊的电学性质.碳纳米管具有良好的导电性能,由于碳纳米管的结构与石墨的片层结构相同,所以具有很好的电学性能.理论预测其导电性能取决于其管径和管壁的螺旋角.当CNTs的管径大于6nm时,导电性能下降;当管径小于6nm时,CNTs可以被看成具有良好导电性能的一维量子导线.有报道说Huang通过计算认为直径为0.7nm的碳纳米管具有超导性,尽管其超导转变温度只有1.5×10-4K,但是预示着碳纳米管在超导领域的应用前景[24].碳纳米管具有良好的传热性能,CNTs具有非常大的长径比,因而其沿着长度方向的热交换性能很高,相对的其垂直方向的热交换性能较低,通过合适的取向,碳纳米管可以合成高各向异性的热传导材料.另外,碳纳米管有着较高的热导率,只要在复合材料中掺杂微量的碳纳米管,该复合材料的热导率将会可能得到很大的改善.3、碳纳米管的改性方法尽管碳纳米管有其优异的综合性能,但是因为碳纳米管具有较大的比表面积及表面自由能,管与管之间易团聚形成带有若干弱连接界面且尺寸较大的团聚体,从而在有机溶剂中的分散性较差,这些缺点限制了它的进一步广泛应用.特别是对于聚合物/碳纳米管复合材料而言,这些团聚体很难被分散开,容易形成应力集中点,从而导致材料的性能下降.同时碳纳米管与大多数聚合物相比,亲和性比较差,而且界面结合较弱.为了解决这些问题,我们必须对碳纳米管进行改性.改性的主要目的是降低它的表面能,提高它与有机相的亲和力.目前碳纳米管改性的方法通常分为两大类:一类是共价键改性,另一类是非共价键改性.本课题中共价键合CNT修饰一般是在CNT表面进行ATRP、NMP、RAFT及离子聚合等活性聚合、自由基聚合或化学改性以获得聚合物共价修饰的碳纳米管.非共价修饰CNT则主要基于聚合物和CNT间的三种不同相互作用方法展开研究:π-π作用,静电作用,物理包覆.聚合物修饰不仅改善了碳纳米管的分散性能,还赋予碳纳米管新的性能.3.1 碳纳米管表面共价键改性碳纳米管表面的共价功能化修饰的其中一种方法是对其侧壁进行氟化研究.被功能化的碳纳米管表面的氟原子可以通过亲核取代反应被取代,开辟了一条将不同的官能团引入到碳纳米管两端和表面的新路径.在碳纳米管修饰过程中的另一个突破性的发现就是浓酸氧化法,其方法是利用超声条件,在一定量浓度硝酸和硫酸的混合溶液中,使碳纳米管上修饰了羧基.这样剧烈的条件可以使碳纳米管的顶端以及管壁氧化开环,伴随着开环过程的发生,最终所得碳纳米管产物长度在100到300nm范围,管壁和顶端都修饰了一定密度的官能团,其中主要以羧基为主.在稍微弱一点的酸性环境中,比如在稀硝酸中回流,可以减少碳纳米管的断裂,开环主要发生在具有缺陷的位置,修饰后的碳纳米管依旧保持原有的电学和机械性质.对碳纳米管进行共价修饰通常可以利用碳纳米管表面的羧基.3.2 碳纳米管表面非共价改性碳纳米管管壁由SP2碳原子构成,具有高度离域的π电子体系,这些二电子可以与含有π电子的其他化合物通过π-π键作用来形成功能化的碳纳米管,同时疏水部分的相互作用及超分子包合作用也是非共价功能化的主要机理.通常碳纳米管的物理改性是在超声作用下,表面活性剂或聚合物等分子的疏水部分与疏水的管壁相互作用,而亲水部分与水等极性溶剂相互作用,从而阻止了碳纳米管在溶剂中的团聚.非共价功能化碳纳米管有其独特的优点:①不损伤碳纳米管的π电子体系;②有望将碳纳米管组装成有序网络.3.2.1 表面活性剂法在两性分子表面活性剂存在的条件下,可以制备出水溶性的碳纳米管.表面活性剂的憎水基团会在碳纳米管表面按一定的方向排列,而极性亲水性基团会在碳纳米管外表面与溶剂分子相互作用.M.F.Islam等发现通过十二烷基苯磺酸钠(NADDBS)、辛基苯磺酸钠(NAOBS)、苯甲酸钠(NABBS)、十二烷基硫酸钠(SDS)等表面活性剂物理吸附作用可以制备出水溶性碳纳米管.而且发现苯环和碳纳米管间的π-π配位作用可以增加表面活性剂在碳纳米管中的物理吸附能力;当端基相同时,烷基链较长的表面活性剂具有更好的吸附能力.范凌云等采用阴离子改性剂十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠在乙醇溶液中对碳纳米管表面进行改性处理,考察了不同表面改性剂对.PMMA/MWCNTs复合材料电性能的影响.研究发现经表面改性处理后的MWCNTs团聚体有了较大的改善,改性后的MWCNTs在复合材料中分散比较均匀,较大地改善了聚合物的电性能.3.2.2 聚合物包裹法通过π键作用,许多大分子质量的高聚物分子链能够缠绕、包覆碳纳米管表面,降低碳纳米管的范德华力,从而增加碳纳米管在溶剂中的溶解度.Curran等[25]测量了通过π-π相互作用的PmPv-MWCNTs复合材料的发光和光致导电性质.结果表明,其导电性较碳纳米管高8-10个数量级,并能提高发光二极管在空气中的稳定性.Connel等[26]通过非共价连接聚乙烯毗咯烷酮(PVP)和聚苯乙烯磺酸盐(PSS)于SWCNT上,实现了线型聚合物功能化,使其可溶于水.这类聚合物可紧密均匀的缠绕在SWCNT侧壁.实验证明,这种功能化的热力学推动力在于聚合物破坏了碳纳米管的疏水界面,消除了SWCNT集合体中管与管间的作用,通过改变溶剂系统还可以实现去功能化操作.因此线型聚合物的SWCNT 功能化方法可用于它的纯化分散,并可把SWCNT引入生物等相关体系.Star等制备了聚间苯亚乙烯衍生物,并用其对SWCNT进行非共价功能化修饰,然后用紫外-可见光(UV-Vis)、核磁(NMR)进行了表征,UV-Vis谱图表明,PmPv己经缠绕在碳纳米管表面,NMR谱图的共振位置也更加明确地解释了功能化的结合位置.他们进一步用原子力显微镜(AFM)对单根功能化SWCNT束进行了光电导及双光子荧光实验,结果表面,PmPV衍生物与碳纳米管表面之间接触紧密,功能化产物是聚合物缠绕的SWCNT束,而不是聚合物包覆的单根SWCNT后聚集成的束.3.2.3 双亲性聚合物改性碳纳米管两亲性聚合物是指在一个大分子中同时含有亲水基团和疏水基团的聚合物.两亲性聚合物具有独特的性能,如pH温度响应,自组装特性等,因此在众多领域具有潜在的应用前景.利用两亲性共聚物的自组装特性,将其与碳纳米管(CNT)结合,可赋予碳纳米管更加优异的性能.这些材料将在信息、生物医学、催化等领域得到重要应用.4、碳纳米管研究现状及发展前景谢续明等[27]利用苯乙烯类聚合物对分散碳纳米管进行了研究,如果以响应性聚合物修饰CNT则可以赋予CNT特定功和响应性.通常聚合物分散碳纳米管都在有机溶剂体系进行,溶剂的挥发性对人有伤害,且分散CNT长期稳定性欠佳.Hudson等[28]人制备了水溶性的碳纳米管,使得碳纳米管在水中分散稳定性得到明显提高.美国明尼苏达大学的Kang 和Taton等人[29]尝试在水溶液中设计新的方法分散CNT,用双亲性嵌段大分子PSt-b-PAA组装胶束来稳定碳纳米管,随后在胶束稳定的CNT溶液中加入交联剂使胶束发生交联进一步稳定CNT.这些研究解决了CNT 在水相的分散稳定问题,但在CNT外围富集的水溶性聚合物链使其电性能下降[30-31],影响其进一步的应用;而嵌段共聚物规模化制备较困难,外加交联剂使得体系复杂化.碳纳米管具有两个优异的电学性能即场发射性质和二重电性质.由于碳纳米管顶端可以做得极为尖锐,因此可以在比其它材料更低的激发电场作用下发射电子,并且由于强的碳碳结合键使碳纳米管可以长时间工作而不损坏,具有极好的场致电子发射性能,这一性能可用于制作平面显示装置使之更薄、更省电来取代笨重和低效的电视和计算机显示器,碳纳米管的优异场发射性能还可使其应用于微波放大器真空电源开关和制版技术上,单层碳纳米管还可以用作传感器.当半导体性的单层碳纳米管暴露于含有NO2或NH3的气氛中时其导电性会发生急剧变化,通过这种效应可以探测这些气体在某些环境中的含量,这种传感器的灵敏度要远远高于现有室温下的探测器.总之,碳纳米管在电子材料领域有广阔的应用前景.。

电子束实验报告

电子束实验报告电子束实验报告引言:电子束实验是一项重要的实验,它在物理学和材料科学领域具有广泛的应用。

通过电子束的照射,我们可以研究材料的结构、性质和行为,为新材料的开发和应用提供了重要的依据。

本篇文章将介绍电子束实验的原理、实验装置和实验结果分析。

一、实验原理电子束实验是利用电子束的特性来研究材料的方法。

电子束是由电子加速器产生的高速电子流,其速度接近光速。

当电子束照射到材料上时,电子与材料原子发生相互作用,产生多种效应,如散射、透射、反射等。

通过观察电子束与材料的相互作用,我们可以了解材料的结构和性质。

二、实验装置电子束实验通常需要使用电子显微镜作为实验装置。

电子显微镜是一种用来观察微观结构的仪器,它使用电子束取代了光束,具有更高的分辨率和更强的穿透力。

电子显微镜通常由电子枪、聚焦系统、透镜系统和探测器等组成。

在实验过程中,我们需要将待研究的样品放置在电子束的路径上,并通过调节电子束的能量和聚焦来观察样品的微观结构。

三、实验结果分析在电子束实验中,我们可以通过观察电子束与样品的相互作用来获取丰富的信息。

其中,散射是一种常见的现象。

当电子束与样品中的原子发生碰撞时,电子会发生散射,其散射角度和强度与样品的结构和成分有关。

通过分析散射的角度和强度,我们可以推断样品的晶体结构和晶格常数。

此外,电子束实验还可以用于观察材料的表面形貌。

当电子束照射到样品表面时,部分电子会被样品表面反射回来,形成反射电子束。

通过观察反射电子束的强度和角度,我们可以了解样品表面的形貌和粗糙度。

电子束实验还可以用于研究材料的电子结构。

当电子束照射到样品上时,部分电子会被样品吸收,形成透射电子束。

通过观察透射电子束的强度和能量分布,我们可以了解样品的能带结构和电子密度分布。

四、应用前景电子束实验在材料科学和物理学领域具有广泛的应用前景。

通过电子束实验,我们可以研究材料的微观结构和性质,为新材料的设计和合成提供重要的依据。

电子束实验还可以用于研究材料的电子结构和表面形貌,为材料的电子器件和表面加工提供技术支持。

碳纳米管涂层的电沉积制备及其红外辐射性能研究

碳纳米管涂层的电沉积制备及其红外辐射性能研究
王力楠;苏伟涛;郝小鹏
【期刊名称】《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
【年(卷),期】2024(44)2
【摘要】通过电沉积法在铝衬底表面制备碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNT)涂层,研究了分散液的分散条件和电沉积条件对可见光及红外波段涂层反射特性的影响。

实验结果表明,超声空化作用提高了碳纳米管悬浊液的分散性和电沉积效率,进而降低涂层反射率。

扫描电镜(SEM)结果表明,增加电沉积时间可有效提高涂层覆盖密度。

在20 V恒压下,电沉积40分钟后碳纳米管充分覆盖于衬底表面,同时涂层表面的粗糙度开始明显提高,红外反射率显著降低。

根据红外反射率光谱,通过增加超声时间和电沉积时间,可得到近红外反射率小于0.0014的碳纳米管涂层,证明电沉积法制备碳纳米管涂层的可行性。

【总页数】6页(P65-70)
【作者】王力楠;苏伟涛;郝小鹏
【作者单位】杭州电子科技大学理学院;中国计量科学研究院热工计量科学与材料特性测量技术研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TQ639.2
【相关文献】
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辐照-温度协同作用下u3si2微结构演化的介观尺度研究

辐照-温度协同作用下u3si2微结构演化的介观尺度研究辐照-温度协同作用下U3Si2微结构演化的介观尺度研究引言:辐照材料科学是一个重要的领域,广泛应用于核能、航空航天、材料科学等领域。

辐照对材料的影响主要通过辐照引起的晶格缺陷与温度的协同作用来实现。

在核反应堆运行期间,核燃料的辐照能够导致微观结构的变化,从而导致材料的性能变化,进而影响更长时间的运行性能。

因此,辐照-温度协同作用下U3Si2微结构演化的研究具有重要的意义。

一、U3Si2的结构和性能U3Si2是一种重要的核燃料材料,具有较高的密度和辐照的稳定性,在核反应堆中具有广泛应用。

U3Si2的结构为正交晶系,空间群为Cmcm,每个晶胞内有24个原子。

通过电子显微镜、X射线衍射等技术研究得知,U3Si2的晶格参数为a=4.285 Å,b=7.377 Å,c=12.583 Å。

U3Si2具有优异的物理和力学性能,包括高熔点、低膨胀系数和良好的导热性能。

二、辐照引起的晶格缺陷辐照能够导致U3Si2发生晶格缺陷,主要包括点缺陷、位错和固溶体等。

辐照引起的点缺陷包括空位、间隙原子和替位原子。

通过透射电子显微镜和电子能量损失谱等技术观察到,辐照后的U3Si2材料中形成了大量的空位和间隙原子,且空位和间隙原子的数量随辐照剂量的增加而增加。

三、辐照-温度协同作用下的微观结构演化辐照和温度的协同作用对U3Si2的微观结构演化起着重要的影响。

辐照会引起晶格缺陷的形成和聚集,进而导致晶界的形成和迁移。

温度对晶格缺陷的稳定性和迁移速率有重要影响。

实验证明,辐照-温度协同作用下,U3Si2微观结构发生了明显的演化。

高温辐照下,辐照诱发的点缺陷较为稳定,容易聚集在晶界和位错周围,进而形成晶界偏聚和晶界迁移。

四、辐照-温度协同作用对U3Si2性能的影响辐照-温度协同作用对U3Si2的性能影响是复杂的。

辐照导致的晶格缺陷和晶界的形成和迁移会导致U3Si2材料的力学性能下降,比如延展性和可塑性降低。

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( y La o a o y o Ke b r t r f Adv n e ade m p s t s, i s r fEdu a i n, mpo ie a c d Br i d Co o ie M nit y o c to Co st
Re e rh I siu e Tini lt c ncUnv riy, a j 0 1 0, i a s a c n tt t , a j Poy e h i ie st Tini 3 0 6 Chn ) n n
摘 要 : 近年 来 电子 束 辐 照 碳 纳 米管 ( N ) 研 究 进 展 进 行 了评 述 , 点 阐 述 了 电 子 束 辐 照 对 C s的 结 构 缺 陷 、 对 C Ts 的 重 NT 管 径 、 学性能 、 力 电性 能和 场 发 射 性 能 的 影 响 , 讨 了 电子 束 辐 照 技 术 在 C s 割 和 焊 接 方 面 的 独 特 优 势 , 对 辐 照 温 度 探 NT 切 并
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材 料 工 程 /2 1 0 0年 1 期 2
电 子 束 辐 照 对 碳 纳 米 管 结 构 及 性 能 的 影 响
Efe to e ton b a Ir dito n St u t e a d Pr pe te fCN T s f c fEl c r — e m r a a i n o r c ur n o r is o
中 图分 类 号 :0 7 . 3 5 13 文 献 标 识 码 :A 文 章 编 号 :1 0 —3 1 2 1 ) 20 9 - 6 0 14 8 ( 0 0 1 - 0 20
Ab t a t s r c :Re e r h a v n e n e e t o — e m r a i t n o a b n n n t b s( s a c d a c so l c r n b a ir d a i fc r o a o u e CNTs o )we er v e d, r e i we
和 入 射 电子 能 等 条 件对 C s 照 效 果 的影 响 进 行 了分 析 。可 以 预期 , 用 电 子 束 辐 照 处 理 C s 将 是 未 来 一 段 时 NT 辐 采 NT 仍
间研 究 的 热 点 之 一 。
关 键 词 :电子 束 辐 照 ; 纳 米 管 ; 碳 结构 缺 陷 ; 学 性 能 ; 力 电性 能
视口 , 纳米 电子 器 件 、 ]在 纳米 复 合材 料 、 体存 储 和 气 气
体传 感器 方 面 拥有 巨大 的潜 在 应 用 市场 _ ] 1 。然 而 ,
态转 变
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免要 受到 电子 束辐 射而产 生 缺陷 , 因此 , 了解 电子 束辐 照后 C NTs 陷的变 化也 是非 常必要 的l 缺 1
f r a eofir d a e o m nc r a i t d CN T sg i u h a t nton T hec t i nd w e d ng o anm c te i . u tng a l i fCN T sv a ee ton b a i lc r — e m ir d a i e e e a ua e nd t fe to e p r t r nd i i e t ee t on e r he ir d a i r a i ton w r v l t d a he e f c ft m e a u ea ncd n l c r ne gy on t r a i ton r s ls w a ic s d I se e t d t a hee e t o — a r a a i n o e u t s d s us e . ti xp c e h tt l c r n be m ir dito fCN Ts m a e e r h f us y be r s a c oc i he f u e n t ut r . Ke r s: l c r n b a r a ito c r n n n u y wo d ee t o — e m ir da i n; a bo a ot be; t uc u a f c ; e h nia r e t ee t ia s r t r lde e t m c a c lp op r y; l c rc l
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碳 纳 米 管 ( a b n Na ou e ,C C r o n t b s NTs 由 于 其 优 ) 异 的 电性 能 和 力 学 性 能 近 年 来 受 到 人 们 越 来 越 多 的 重
定条 件 下 也 可 能 会 破 坏 C NTs 的 完 整 结 构 , 致 导 C s 面 形 貌 发 生 变 化 乃 至 向石 墨 化 结 构 或 无 定 型 NT 表
a he s r t r ld f c s,dime e nd t t uc u a e e t a t r,m e h nia o r y,ee ti a o r y a il m iso e — c a c lpr pe t lc rc lpr pe t nd fed e s i n p r
徐 志伟 , 郭启 微 , 王晓生 , 吴
宁 , 晓青 , 吴 陈利 ( 天津 工业 大学 复合 材料研 究所 先进 纺织 复合材 料教 育部 重点 实验室 ,天津 3 0 6 ) 0 1 0
XU h— iGUO — iW ANG a —h n W U n W U a — ig, EN Li Z iwe, Qiwe, Xio s e g, Nig, Xioq n CH
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