陶瓷电容标注如何看读数

陶瓷电容标注如何看_陶瓷电容如何读数

电容器（Capacitor）电路缩写为C，电容单位法拉，用字母“F”表示。电容是用来储存电荷的容器，简称电容器。电容器是一种储能元件，在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时。那么，瓷片电容的参数如何识别呢？别急，下面我们就一起来看看瓷片电容的读数方法吧。

瓷片电容是什么

用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

瓷片电容规格

1、高压陶瓷电容，一般耐压1KV以上的。

2、中压陶瓷电容，一般指100-1KV的。

3、低压陶瓷电容，一般指100V以下的。

至于型号：就和普通电容一样，基本的容值都有。1p-104pf里都有。

瓷片电容的电容量一般以pF（10的-12次方F）为单位，早期产品多采用直接标注，如1000p、220p等；现在一般以常用指数表示法，如102、221，前两位数是电容量的有效数字，后一位数是后面添零的个数，如102表示有效数是

10，2表示后面再添2个0，即1000pF；221表示有效数22，1表示后面再添1个0，即220pF。

电容器容量的表示方法

电容器容量的基本单位是“法拉”（F），1法拉的 1/1000000 （百万分之一）是1微法（μF），1微法的 1/1000000是1pF （1微微法或1皮法）。它们之间的关系是百万（或称10的6次方）进位关系。

我们常用的电容有：

1、电解电容：多数在1μF以上，直接用数字表示。如：4.7μF、100μF、220μF等等。这种电容的两极有正负之分，长脚是正极。

2、瓷片电容：多数在1μF以下，直接用数字表示。如：10、22、0.047、0.1等等，这里要注意的是单位。凡用整数表示的，单位默认pF；凡用小数表示的，单位默认μF。如以上例子中，分别是10P、22P、0.047μF、220μF等。

现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法（单位默认pF）：

如：“473”即47000pF=0.047μF，“103”即10000pF=0.01μF等等，“ XXX”第一、二个数字是有效数字，第三个数字代表后面添加0的个数。这种表示法已经相当普遍。

瓷片电容的读数方法

瓷片电容的读数方法和电阻的读数方法基本相同，分色标法、数标法和直标法3种。瓷片电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法（nF），1纳法=1000皮法（pF）。

容量大的瓷片电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V；

容量小的瓷片电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；

字母表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF；

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

例如：102表示标称容量为1000pF。

211表示标称容量为210pF。

214表示标称容量为21x10（4）pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用“9”表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。例如：219表示标称容量为21x（10-1）pF=2.2pF。

瓷片电容封装

陶瓷电容器虽有上述很多优点，但因陶瓷材料本身机械强度低、易破碎这一缺陷，使其圆片的几何尺寸受到限制，这也是不同温度特性有不同容量范围的主要原因。通常标准上对低压圆片电容的允许直径D≤12mm，高压电容的圆片允许

直径D≤16mm.如超过这一尺寸，生产加工难度和废品率就会有很大增加，并且在瓷片本体上产生的微小裂纹都将对电容器的可靠性产生很大隐患。圆片式瓷介电容器的包封形式通常按电压区分，500VDC以下的低压产品CC1、CT1系列均采用酚醛树脂包封，该树脂绝缘强度和耐湿性较差，但成本较低。为改善耐湿性，此类包封外层均浸用一层薄蜡。1KVDC以下和交流电容系列，均采用绝缘强度和耐湿特性优良的阻燃环氧树脂包封。

瓷片电容如何进行分类

按介质材料可分为：高介电常数电容器和低介电常数电容器；

按工作频率可分为：高频瓷介电容器和低频瓷介电容器；

按工作电压可分为：高压瓷介电容器和低压瓷介电容器。

按外形结构可分为：圆片形、管形、穿心式、筒形以及叠片式等。

贴片电容封装详细

贴片电容封装详细资料单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司产品手册。？ NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。？ * NPO电容器？ NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±%。 NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损

耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。？封装 DC=50V DC=100V？ 0805 ？ 1206 ？ 1210 560---5600pF 560---2700pF？ 2225 μF μF？ NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。？ * X7R电容器？ X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。？

电容器检验标准

电容器检验标准一：电容器的主要参数： 1：标称容量：是指标注在电容器上的电容量（其单位为微法/UF和皮法/PF）。 2：允许误差：是指电容器的标称容量与实际容量之间的允许最大误差。（电解电容的误差较大，大于±10%） 3：额定电压：是指电容器在规定的条件下，能够长时间工作所受的最高工作电压（额定电压通常标注在电容器上）。 4：绝缘电阻：绝缘电阻越大，表明此电容的质量越好。二：电容器的参数标注方法： 1直标法：电将电容器的主要参数（标称容量、额定电压和误差）直接标注在电容器上，常用于电解电容或是体积较大的无极性电容上。 2：文字符号标注法：是采用数字或是字母与数字混合的方法来标注电容器的主要参数。 ①：数字标注法：常用3位有效数字表示电容器的容量，其中前二位数字表示为有效数字，第三位表示有多少个0(104表示10X10000PF). ②: 字母与数字混合标注法: 如(4P7表示4.7P F、G1表示100UF、M1表示 0.1UF) 三: 电容器的检测: 测试工具: 指针式万用表 1: 电解电容器的检测: ①: 正负极性的确定: 有极性的铝电解电容器外壳上通常都标有+(正极) 或-(负极),末剪脚的电容器,长脚为正极,短引脚为负极. ②: 1 uF与2.2uF的电解电容器用RX10K档，4.7- 22uF的电解电容器用RX1K档, 47- 220uF的电解电容器用RX100档.

3:测试方法: 1: 电解电容器的检测： ①:根据电解电容器上所标示的容量,将万用表置于合适的量程,将二表短接后调零.黑表接电解电容的正极,红表接其负极,电容器开始充电, 万用表指针缓慢向摆动,摆动到一定的角度后,(充电结束后)又会慢慢向左摆动(表针在向左摆动时不能摆动到无穷大的地方)指针向左摆动后所指示的电阻会大于500K,若电阻值小于100K,则此电容器不合格. ②: 将二表对调后测量,正常时表针应立即向右摆动后向左摆动(摆动的大小应大于第一次的大小),且反向电阻应大于正向电阻.若测量电容时表针不动或第二次测量时表针的摆动大小小于第一次测量时的大小,则此电容器不合格. ③: 若测量电解电容器的正反向电阻时阻值都为0,则此电容器不合格. 2: 小容量电容器的检测: ①：用万用表RX10K档测量其二端的电阻值应为无穷大，若测得一定的电阻值或阻值接近0，则此电容器不合格。

贴片电容极性判别

贴片电容极性判别贴片式电容有贴片式陶瓷电容、贴片式钽电容、贴片式铝电解电容。贴片式陶瓷电容无极性（如图3），容量也很小（PF级），一般可以耐很高的温度和电压，常用于高频滤波。陶瓷电容看起来有点像贴片电阻（因此有时候我们也称之为“贴片电容”），但贴片电容上没有代表容量大小的数字。贴片式钽电容的特点是寿命长（如图4）、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好，不过容量较小、价格也比铝电容贵，而且耐电压及电流能力相对较弱。它被应用于小容量的低频滤波电路中。贴片钽电容与陶瓷电容相比，其表面均有电容容量和耐压标识，其表面颜色通常有黄色和黑色两种。譬如100-16即表示容量100μF，耐压16V。贴片式铝电解电容拥有比贴片式钽电容更大的容量，其多见于显卡上，容量在300μF~1500μF之间，其主要是满足电流低频的滤波和稳压作用。一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D 四个系列，具体分类如下：类型封装形式耐压 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V

贴片的钽电解电容(A/B/C/D壳)横杠是正极.或底盘(金属)上有缺口的那边是正极贴片的圆型铝电解电容,横杠是负极. 瓷片电容对高频滤除效果最好；电解电容对低频的抑制效果就比其他的好；独石、钽电容等，在温度系数方面比瓷片的好，而在滤除高频方面远没有瓷片的好。去耦电容和旁路电容没有本质的区别,电源系统的电容本来就有多种用途,从为去除电源的耦合噪声干扰的角度看,我们可以把电容称为去耦电容(Decoupling),如果从为高频信号提供交流回路的角度考虑,我们可以称为旁路电容(By-pass).而滤波电容则更多的出现在滤波器的电路设计里.电源管脚附近的电容主要是为了提供瞬间电流,保证电源/地的稳定,当然,对于高速信号来说,也有可能把它作为低阻抗回路,比如对于CMOS电路结构,在0->1的跳变信号传播时,回流主要从电源管脚流回,如果信号是以地平面作为参考层的话,在电源管脚的附近需要经过这个电容流入电源管脚.所以对于PDS(电源分布系统)的电容来说,称为去耦和旁路都没有关系,只要我们心中了解它们的真正作用就行了铝电容容量较大、价格较低，但易受温度影响、准确度不高；而且随着使用时间会逐渐失效。钽电容寿命长、耐高温、准确度高，不过容量较小、价格高。除非是需要大容量滤波的地方(如CPU插槽附近)，原则上最好都使用钽电容，因为它不易引起波形失真。下图为SMD钽电容电容下图为SMD铝电容

陶瓷电容器的特性及选用

陶瓷电容器的特性及选用陶瓷电容器是目前电子设备中使用最广泛的一种电容器，占整个电容器使用数量的50%左右，但由于许多人对其特性了解不足导致在使用上缺乏应有的重视。为达到部品使用的规范化和标准化要求，下面对陶瓷电容器的特性及我司使用中需要注意的事项做一概况说明：一、陶瓷电容器特性分类：陶瓷电容器具有耐热性能好，绝缘性能优良，结构简单，价格低廉等优点，但不同陶瓷材料其特性有非常大的差异，必须根据使用要求正确选用。陶瓷电容按频率特性分有高频瓷介电容器（1类瓷）和低频瓷介电容器（2类瓷）；按耐压区分有高压瓷介电容器（1KV DC以上）和低压瓷介电容器（500V DC以下），现分述如下： 1．高频瓷介电容器（亦称1类瓷介电容器）该类瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小,（tanδ≤0.15%，f=1MHz），最高使用频率可达1000MHz以上。同时该类瓷介电容器温度特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。其国标型号为CC1（低压）和CC81（高压），目前我司常用的温度特性组别有CH（NP0）和SL 组，其常规容量范围对应如下：表中温度系数α C =1/C（C 2 -C 1 /t 2 -t 1 ）X106（PPM/°C），是指在允许温度范围内，温度每变化1°C，电容量的相对变化率。由上表看出，1类瓷介电容器的温度系数很小，尤其是CH特性，因此也常把1类瓷介电容器中CH电容称为温度补偿电容器。但由于该类陶瓷材

料的介电常数较小，因此其容量值难以做高。因此当需要更高容量值的电容时，则只能在下面介绍的2类瓷介电容中寻找。 2、低频瓷介电容器（亦称2类瓷介电容器）该类瓷介电容的陶瓷材料介电常数较大，因而制成的电容器体积小，容量范围宽，但频率特性和温度特性较差，因此只适合于对容量、损耗和温度特性要求不高的低频电路做旁路、耦合、滤波等电路使用。国标型号为CT1（低压）和CT81（高压），其常用温度特性组别和常规容量范围对应如下：中2R组为低损耗电容，由于其自身温升小，频率特性较好，因而可以用于频率较高的场合。对低压瓷介电容，当容量大于47000pF时，则只能选择3类瓷介电容器（亦称半导体瓷介电容器），例如：我司大量使用的26-ABC104-ZFX，但该类电容温度特性更差，绝缘电阻较低，只是因高介电材料，体积可以做得很小。因此只适用要求较低的工作电路。如选用较大容量电容，而对容量和温度特性又有较高使用要求，则应选用27类有机薄膜电容器。 3、交流瓷介电容器根据交流电源的安全性使用要求，在2类瓷介电容器中专门设计生产了一种绝缘特性和抗电强度很高的交流瓷介电容器，亦称Y电容，按绝缘等级划分为Y1、Y2、Y3三大系列，其用途和特性分类如下：

陶瓷电容器简介及使用注意事项

陶瓷电容器简介及使用注意事项 1.分类 1类多层瓷介电容器，温度稳定性好，材料C0G或NP0（注意C0G里面的0是代表零，NP0里面的0也是代表零，不是英文字母O），随温度变化是0，偏差是±30ppm/℃、±0.3%或±0.05pF，这类电容量较小，耐压较低，主要用于滤波器线路的谐振回路中，但其中损耗小，绝缘电阻较高，制造误差J=±5% G=±2% F=±1%，执行标准：GB/T20141-2007 2类多层瓷介电容器，温度稳定性差，但容量大、耐压高，例如：X7R 在-55℃～到+125℃内温度偏移±15%，X5R在-55℃～到+85℃内温度偏移也是±15%，Y5V在-30℃～到+85℃内温度偏移+22%～-82%，Z5U在+10℃～+85℃内温度偏移+22%～-56%，生产误差：K=±10%、M=±20%。注意：生产电容器时产生的误差与温度偏差是不同的概念。 2类多层瓷介电容器主要用于旁路、滤波、低频耦合电路或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中，执行标准：GB/T20142-2007 2.在使用贴片电容器的PCB设计中，用于波峰焊的焊盘尺寸与用于回流焊的焊盘尺寸不同，因为焊料的量的大小会影响零件的机械应力，从而导致电容器破碎或开裂。 3.在PCB设计时巧用适当多的阻焊层将2个或以上电容器焊盘隔开。 4.在靠近分板线附近，电容器要平行排列，即长边与分板线平行，减少分板时的裂缝。 5.自动贴片机装配SMD时，适当的部位支撑PCB是完全必要的，单面板时和双面板时支撑都要考虑两面SMD的裂缝。

6.在波峰焊工艺中，粘着胶的选用和点胶位置及份量直接影响SMD焊接后的性能稳定性，胶的份量以不能接触PCB中焊盘为准。 7.焊接中使用助焊剂： 7.1如果助焊剂中有卤化物多或使用了高酸性的助焊剂，那么焊接后过多的残留物会腐蚀电容器端头电极或降解电容器表面的绝缘。 7.2回流焊中如果使用了过多的助焊剂，助焊剂大量的雾气会射到电容器上，可能影响电容器的可焊性。 7.3水溶助焊剂的残留物容易吸收空气中的水，在高湿条件下电容器表面的残留物会导致电容器绝缘性能下降，并影响电容器的可靠性，所以，当选用了水溶性助焊剂时，要特别注意清洗方法和所使用的机器的清洗力。 7.4处理贴好电容器的板时，过程中温差不能超过100℃，否则会引起裂缝。 8. 焊料的使用量为电容器厚度的1/2或1/3. 9. 使用烙铁焊接时，烙铁头的顶尖直径最大为1.0mm，烙铁头尖顶不能直接碰到电容器上，要接触在线路板上，加锡在线路板与电容器之间。 10. 在搬运和生产过程中，电容器包装箱应避免激烈碰撞，从0.5米或以上高度落下的单个电容器可能会产生电容器瓷体破损或微裂，应不能在使用。 11. 储存条件：温度范围：-10℃～+40℃ 湿度范围：小于70%（相对湿度）存储期：半年如果超过了6个月（从电容器发货之日算起），在使用电容器之前要对其进行可焊性检验，同时高介电常数的电容器的容量也会随时间的推移

贴片陶瓷电容知识(介质,DF,漏电,应用等)

AVX/松下/华亚/国巨/TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX 单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。容量精度在5％左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF以下，100PF-1000PF也能生产但价格较高介质损耗最大0。15% 封装DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。适用于低损耗，稳定性要求要的高频电路二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。 X7R此种材质比NPO稳定性差，但容量做的比NPO的材料要高，容量精度在10％左右。常规10000PF以下，10000PF-1UF也能生产但价格较高介质损耗最大2。5%（25V与50V）3。5%（16V）封装DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

多层贴片陶瓷电容烧结原理及工艺

多层贴片陶瓷电容烧结原理及工艺多层陶瓷电容器(MLCC)的典型结构中导体一般为Ag或AgPd，陶瓷介质一般为(SrBa)TiO3，多层陶瓷结构通过高温烧结而成。器件端头镀层一般为烧结Ag/AgPd，然后制备一层Ni阻挡层(以阻挡内部Ag/AgPd材料，防止其和外部Sn发生反应)，再在Ni层上制备Sn或SnPb层用以焊接。近年来，也出现了端头使用Cu的MLCC产品。根据MLCC的电容数值及稳定性，MLCC划分出NP1、COG、X7R、Z5U等。根据MLCC 的尺寸大小，可以分为1206，0805，0603，0402，0201等。 MLCC 的常见失效模式多层陶瓷电容器本身的内在可靠性十分优良，可以长时间稳定使用。但如果器件本身存在缺陷或在组装过程中引入缺陷，则会对其可靠性产生严重影响。陶瓷多层电容器失效的原因分为外部因素和内在因素内在因素主要有以下几种： 1.陶瓷介质内空洞(Voids) 导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染，烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内部局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，严重时导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸，甚至燃烧等严重后果。 2.烧结裂纹(firing crack) 烧结裂纹常起源于一端电极，沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关，裂纹和危害与空洞相仿。 3.分层(delamination) 多层陶瓷电容器的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000℃以上。层间结合力不强，烧结过程中内部污染物挥发，烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。分层和空洞、裂纹的危害相仿，为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。外部因素主要为： 1.温度冲击裂纹(thermal crack) 主要由于器件在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致，不当返修也是导致温度冲击裂纹的重要原因。

陶瓷插芯-检验标准

《光纤连接器检验技术标准》一、外观检验：二、组装性能： 2.1插芯：突出长度正常，弹性良好，有明显倒角，表面无任何脏污、缺陷及其他不良。2.2散件：各散件与适配器之间配合良好，无松脱现象，机械性能良好，有良好的活动性，表面无任何脏污、缺陷、破损、裂痕，颜色与产品要求相符，同批次产品无色差。 2.3压接：对光缆外皮及凯夫拉线的压接固定要牢固，压接金属件具有规则的压痕，无破损、弯曲，挤压光缆等不良。三、端面标准：根据附录1《光纤连接器端面检验规范》检验。四、插损、回损技术标准：五、端面几何形状（3D）标准：

六、合格品标识：合格产品标识包括：出厂编号（每个产品对应唯一的出厂编号，由生产任务计划号加流水号组成）、型号规格、条码标签（根据客户要求可选）、产品说明书（根据客户要求可选）、3D 报告（根据客户要求可选）、环保标识（根据客户要求可选）、插/回损测试数据等。七、产品包装： 7.1产品基本包装是：将光纤连接器盘绕成15-18cm直径的圈，连接头两端用扎带固定于线圈的对称中部，根据产品的不同型号扎紧方式有“8”和“1”字型扎法，以不松脱为原则，不能在光缆上勒出痕迹，0.9光缆使用蛇形管绑扎。特殊型号产品可根据相应《包装作业指导书》进行操作。将绑扎好的连接器头朝下放入对应已贴好标识的包装袋中封好袋口，并将包装袋中的空气尽量排除但不能将连接器挤压变形。 7.2基本包装完成后以整数为单位装入包装箱内，包装箱内部用卡板或气泡袋或珍珠棉或其他防挤压保护辅料隔开，特殊型号产品可根据相应《包装作业指导书》进行操作。包装箱外贴上装箱清单和其他产品标识后封箱打包并放置到指定成品区。八、各零部件技术标准： 8.1插芯： 8.1.1产品符合以下标准： YDT 1198-2002 《光纤活动连接器插针体技术要求》 Telcordia GR-326-CORE 8.1.2详细技术要求见附录2《常规插芯技术标准》。 8.2光纤/光缆： 8.2.1产品符合以下标准： YDT 1258.1-2003 《室内光缆系列第一部分总则》 YDT 1258.2-2003 《室内光缆系列第二部分单芯光缆》 YDT 1258.3-2003 《室内光缆系列第三部分双芯光缆》 YDT 1258.4-2005 《室内光缆系列第四部分多芯光缆》 YDT 1258.5-2005 《室内光缆系列第五部分光纤带光缆》 YDT 1258.3-2009 《室内光缆系列第3部分：房屋布线用单芯和双芯光缆》 YDT 908-2000 《光缆型号命名方法》 8.2.2性能、尺寸、材质、颜色、环保等符合国家相关行业标准。产品颜色在同一批次的同一规格型号上必须保持一致。

贴片陶瓷电容分类及温度特性

EIA Code Operation Temperature Range (?C) Temperature Coffcient CLASS I C0G/NP0-55~+1250±30PPM/?C X5R-55~+850±15% X7R-55~+1250±15% X6S-55~+1050±22% Y5V-30~+85-82%~+22% X7S-55~+1250±22% X7T-55~+125-33%~+22% U2J-55~+125-750±120PPM/?C X7U-55~+125-56%~+22% X6T-55~+105-33%~+22% Z5U10~+85-56%~+22% MURATA X8G-55~+1500±30PPM/?C Ⅰ类陶瓷电容器（ClassⅠceramic capacitor）过去称高频陶瓷电容器（High-frequency ceramic capacitor），介质采用非铁电（顺电）配方，以TiO2为主要成分（介电常数小于150），因此具有最稳定的性能；或者通过添加少量其他（铁电体）氧化物，如CaTiO3 或SrTiO3，构成“扩展型”温度补偿陶瓷，则可表现出近似线性的温度系数，介电常数增加至500。这两种介质损耗小、绝缘电阻高、温度特性好。特别适用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容，以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补 Ⅱ类陶瓷电容器（Class Ⅱ ceramic capacitor）过去称为为低频陶瓷电容器（Low frequency ceramic capacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容器，因此也称铁电陶瓷电容器。这类电容器的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。其中Ⅱ类陶瓷电容器又分为稳定级和可用级。X5R、X7R属于Ⅱ类陶瓷的稳定级，而 Y5V和Z5U属于可用级。 CLASS II

常见贴片陶瓷电容规格

【MC Series 】 Multilayer Ceramic Chip Capacitor ■Features －Wide capacitance range, extremely compost size －Low inductance of capacitor for high frequency application －Excellent solderability and resistance to soldering heat, suitable for flow and reflow soldering －Adaptable to high-speed surface mount assembly －Conform to EIAJ-RC3402, and also compatible with EIA-RS198 and IEC PUB. 384-10 .. ■Construction ■Dimensions MC / MCHL / MCRF Type Unit: mm Packaging (7” Reel) Type Size (Inch) L W T / Symbol M B Paper tape Plastic tape 01 0201 0.6±0.03 0.3±0.03 0.3±0.03 L 0.15±0.05 15K - 02 0402 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 N 0.25 +0.05 / -0.10 10K - 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±010 S 4K 03 0603 1.60 +0.15 / -0.10 0.80 +0.15 / -0.10 0.80 +0.15 / -0.10 X 0.40±0.15 4K - 0.60±0.15 A 4K - 0.80±0.10 B 4K - 2.00±0.15 1.25±0.10 D - 3K 0.85±0.10 T 4K - 05 0805 2.00±0.20 1.25±0.20 1.25±0.20 I 0.50±0.20 - 3K 0.80±0.10 B 4K - 0.95±0.10 C - 3K 3.20±0.15 1.25±0.10 D - 3K 1.60±0.15 1.15±0.15 J - 3K 3.20±0.20 1.60±0.20 1.60±0.20 G - 2K 06 1206 3.20+0.3 / -0.1 1.60+0.3 / -0.1 1.60+0.3 / -0.1 P 0.60±0.20 (0.50±0.20)*** - 2K 0.95±0.10 C - 3K 3.20±0.30 2.50±0.20 1.25±0.10 D - 3K 1.60±0.20 G - 2K 2.00±0.20 K - 1K 10 1210 3.20±0.40 2.50±0.30 2.50±0.30 M 0.75±0.25 - 1K 1.25±0.10 D - 2K 08 1808 4.50±0.40 (4.5+0.5/-0.3)** 2.03±0.25 2.00±0.20 K 0.75±0.25 (0.50±0.20)*** - 1K 1.25±0.10 D - 1K 3.20±0.30 2.00±0.20 K - 1K 12 1812 4.50±0.40 (4.5+0.5/-0.3)** 3.20±0.40 2.50±0.30 M 0.75±0.25 (0.50±0.20)*** - 0.5K ** For 1808/1812: 200~3KV , ***For 1206:1KV~3KV ; 1808/1812: 200~3KV Low Inductance Capacitors for MCLI Type Unit: mm Packaging (7” Reel) Type Size (Inch) L W T / Symbol Ta min. Tb min. Paper tape Plastic tape MCLI43 0612 3.20±0.15 1.60±0.15 0.80±0.10 B 0.5 0.13 4K - 1Ceramic Material 3 Termination: 2 Inner Electrodes NPO: Ag/Ni/Sn dielectric X7R, Y5V, X5R: Cu/Ni/Sn dielectric 1 2 3

贴片电容材质及规格

贴片电容材质及规格贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。 Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围+10℃--- +85℃ 温度特性+22% ---- -56% 介质损耗最大4%

陶瓷电容器技术要点

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一、定义：由两金属极板加以绝缘物质隔离所构成的可储存电能的组件称为电容器。二、代号：“C” 三、单位：法拉(F) 微法(uF) 纳法(nF) 皮法(pF) 1F=106 uF =109nF=1012 pF 四、特性：通交流、阻直流因电容由两金属片构成，中间有绝缘物，直流电无法流过电容，但通上交流电时，由于电容能充放电所致，所以能通上交流五、作用：滤波、耦合交变信号、旁路等六、电容的串联、并联计算 1.串联电路中，总容量=1÷各电容容量倒数之和 2.并联电路中，总容量=各电容容量之和七、电容的标示： 1.直标法：直接表示容量、单位元、工作电压等。如1uF/50V 2.代表法：用数字、字母、符号表示容量、单位元、工作电压等如：“104”表示容量为“100000pF” “Z”表示容量误差“+80% -20%” “”表示工作电压“50V” 八、电容的分类 1.按介质分四大类 1).有机介质电容器(极性介质与非极性介质，一般有真合介质、漆膜

介质等) 2).无机介质电容器(云母电容器、陶瓷电容器、波璃釉电容器 3).电解电容器(以电化学方式形式氧化膜作介质，如铝Al2O3钽Ta2O5) 4).气体介质电容器(真空、空气、充气、气膜复合) 2.按结构分四大类 1).固定电容器2).可变电容器3).微调电容器(半可变电容器) 4).电解电容器 3.按用途分 1).按电压分低压电容器、高压电容器 2).按使用频率分低频电容器(50周/秒或60周/秒)和高频电容器(100K 周/秒) 3).按电路功能分：隔直流、旁路、藕合、抗干扰(X2)、储能、温度补偿等电解电容(E/C) 一、概述电解电容的构造是由阳箔、阴箔、电解纸、电解液之结合而成的，阳箔经化成后含有一高介电常数三氧化铝膜(Al2O3)，此氧化膜当作阳箔与阴箔间的绝缘层，氧化膜的厚度即为箔间之距离(d)，此厚度可由化成来加以控制，由于氧化膜的介电常数高且厚度薄，故电解电容器的容量较其它电容高。电解电容的实值阳极是氧化膜接触之电解液，

电容器应用发展趋势

电容器应用发展趋势电容器是电子电路中的基本元件之一，有重要而广泛的用途。按应用分类，大多数电容器常分为四种类型：交流耦合，包括旁路（通交流隔直流）；去耦（滤除交流信号或滤除叠加在直流信号上的高频信号或滤除电源、基准电源和信号电路中的低频成分）；有源或无源RC滤波或选频网络；模拟积分器或采样保持电路（捕获和存储电荷）。现在高速高密度已成为电子产品的重要发展趋势之一。与传统的PCB设计相比，高速高密度PCB设计面临不少新挑战，对所使用的电容器提出很多新要求，很多传统的电容器已不能用于高速高密度PCB。本文结合高速高密度PCB的基本特点，分析了电容器在高频应用时主要寄生参数及其影响，指出了需要纠正或放弃的一些传统认识或做法，总结了适用于高速高密度PCB的电容器的基本特点，介绍了适用于高速高密度PCB的电容器的若干新进展。大量的理论研究和实践都表明，高速电路必须按高频电路来设计。对高速高密度PCB中使用的电容器，基本要求是高频性能好和占用空间小。实际电容器都有寄生参数。对高速高密度PCB中使用的电容器，寄生参数的影响尤为重要，很多考虑都是从减小寄生参数的影响出发的。然而，研究表明：电容器在高频应用时，自谐振频率不仅与其自身的寄生电感有关，而且还与PCB上过孔的寄生电感、电容器与其它元件（如芯片）的连接导线（包括印制导线）的寄生电感等都有关系。如果不注意到这一点，查资料或自己估算的自谐振频率可能与实际情况相去甚远。另外，在高频应用时，集肤效应和分布参数使连接导线的电阻明显变大，这部分电阻实际上相当于电容器等效串联电阻的一部分，应一并加以考虑。 2 适用于高速高密度PCB 的电容器的基本特点在高速高密度PCB设计中，虽然不同的具体应用对电容器的具体要求不尽相同，但大多要求电容器具有以下基本特点。 ? 2.1 片式化 ?片式电容器的寄生电感几乎为零，总的电感可以减小到元件本身的电感，通常只是传统电容器寄生电感的1/3~1/5，自谐振频率可达同样容量的带引线电容器的2倍（也有资料说可达10倍）。所以，高速高密度PCB中使用的电容器，几乎都选择片式电容器。 ? 2.2 微型化 ?片式电容器的封装尺寸由1206、0805 向0603、0402、0201 等发展、主流已由0603 过渡到0402。Murata Manufacturing 公司已经生产出 01005 的微型电容器［8］。微型化不仅满足了高密度的需要，而且可以减小寄生参数和分布参数的影响。 ? 2.3 高频化 ?许多现代电子产品的速度越来越高，计算机的时钟频率提高到几百兆赫乃至千兆赫，无绳电话的频率从45MHz 提高到2400MHZ，数字无线传输的频率达到2GHZ以上。因而信号及其高次谐波引起的噪声也相应地出现在更高的频率范围，相应地对电容器的高频性能提出越来越高的要求。Vishay Intertechnology 公司的基于硅片的表面贴装RF 电容器的自谐振频率已达13GHZ[9]。微型化的片式微波单层瓷介电容器（SLC）的自谐振频率已达 50GHZ[10]。 2 多功能化

片式多层陶瓷电容器MLCC

片式多层陶瓷电容器MLCC 多层陶瓷电容器MLCC是英文字母Multi-Layer Ceramic Capacitor的首写字母。在英文表达中又有Chip Monolithic Ceramic Capacitor。两种表达都是以此类电容器外形和内部结构特点进行，也就是内部多层、整体独石(单独细小的石头)的结构，独石电容包括多层陶瓷电容器、圆片陶瓷电容器等，由于元件小型化、贴片化的飞速发展，常规圆片陶瓷电容器逐步被多层陶瓷电容器取代，人们把多层陶瓷电容器简称为独石电容或贴片电容。片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitor 简称MLCC)是电子整机中主要的被动贴片元件之一，它诞生于上世纪60年代，最先由美国公司研制成功，后来在日本公司(如村田Murata、TDK、太阳诱电等)迅速发展及产业化，至今依然在全球MLCC领域保持优势，主要表现为生产出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高频率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特点。 (片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容) MLCC —简称片式电容器，是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。 MLCC除有电容器“隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。?随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，?每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在2000亿支以上，70%出自日本（如MLCC大厂村田muRata），其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，?广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极，基本结构如下：下图-(片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容) MLCC实物结构图

陶瓷电容器的种类和应用特点

陶瓷电容器的种类和应用特点陶瓷材料具有优越的电学、力学、热学等性质，可用作电容器介质、电路基板及封装材料等。陶瓷材料是由氧化物或其他化合物制成坯体后，在接近熔融的温度下，经高温焙烧制得的材料。通常包括原料粉碎、浆料制备、坯件成型和高温烧结等重要过程。陶瓷是一个复杂的多晶多相系统，一般由结晶相、玻璃相、气相及相界交织而成，这些相的特征、组成、相对含量及其分布情况，决定着整个陶瓷的基本性质。陶瓷材料做成的陶瓷电容器也叫瓷介电容器或独石电容器，根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类，按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。陶瓷电容器的种类有哪些？ 1、半导体陶瓷电容器电容器的微小型化即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，这是电容器发展的趋向之一。对于分离电容器组件来说，微小型化的基本途径有两个，即使介质材料的介电常数尽可能提高和使介质层的厚度尽可能减薄。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但是用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难做得很薄。首先是由于铁电陶瓷的强度低，较薄时容易碎裂，难于进行实际生产操作，其次，陶瓷介质很薄时易于造成各种各样的组织缺陷，生产工艺难度很大。表面层陶瓷电容器是用BaTiO3等半导体陶瓷的表面上形成的很薄的绝缘层作为介质层，而半导体陶瓷本身可视为电介质的串联回路。表面层陶瓷电容器的绝缘性表面层厚度，视形成方式和条件不同，波动于0.01～100μm之间。这样既利用了铁电陶瓷的很高的介电常数，又有效地减薄了介质层厚度，是制备微小型陶瓷电容器一个行之有效的方案。 2、晶界层陶瓷电容器晶粒发育比较充分的BaTiO3半导体陶瓷的表面上，涂覆适当的金属氧化物（例如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），在适当温度下，于氧化条件下进行热处理，涂覆的氧

2019年中国陶瓷电容器行业概览

2019 年中国陶瓷电容器行业概览

| 电子制造系列行业概览报告摘要中国陶瓷电容器行业属技术密集型、资金密集型行业，技术壁垒高，行业内参与者数量少，市场集中度较高。得益于国家科技政策扶持及下游消费电子、工业领域、军事领域需求的快速增长，陶瓷电容器行业发展迅速，部分本土龙头企业技术水平同国际企业差距不断缩小。预计未来陶瓷电容器行业产能将不断扩大，国产替代进口速度有望加快，行业将迎来新一波强周期，预计在2023 年行业整体市场规模将达到287.9 亿元。热点一：汽车智能化和电动化带动行业规模扩大新能源汽车陶瓷电容器用量远高于普通燃油汽车。随着车联网、无人驾驶、新能源汽车技术的不断发展，汽车电动化和智能化程度提升，汽车电子在整车成本中的占比持续提升，中国汽车电子整体市场规模不断扩大，前景广阔。热点二：国产替代进口速度加快中国国产陶瓷电容器逐渐替代进口陶瓷电容器的速度将会加快受益于两方面因素影响：一是日本村田、TDK 、太阳诱电等厂商进行战略调整，将逐渐退出中低端陶瓷电容器市场，为中国企业提供发展机遇；二是受中美贸易战影响，下游整机厂商对重要部件的国产化采购将会大幅增加。热点三：行业产能扩张趋势明显 5G、物联网、电动汽车等新成长领域有望带来无源电子元器件需求量大幅增加，为陶瓷电容器生产企业带来新机遇，陶瓷电容器行业将迎来新一轮强周期的发展契机。中国本土企业加紧进行产能扩建，抢占新机遇，国际龙头企业在新领域扩产趋势明显。

目录 1 名词解释 (6) 2中国陶瓷电容器行业市场综述 (9) 2.1陶瓷电容器的定义与分类 (9) 2.2中国陶瓷电容器发展历程 (11) 2.3中国陶瓷电容器行业产业链分析 (14) 2.3.1上游分析 (15) 2.3.2中游分析 (17) 2.3.3下游分析 (17) 2.4中国陶瓷电容器行业市场规模 (18) 3中国陶瓷电容器行业驱动因素分析 (19) 3.1消费电子升级带动行业发展 (19) 3.2汽车电动化和智能化带动行业规模扩大 (22) 3.3技术升级促进行业持续发展 (24) 4中国陶瓷电容器行业制约因素分析 (25) 4.1产品结构落后制约行业向高附加值转变 (25) 4.2行业人才缺乏制约持续发展 (26) 5中国陶瓷电容器行业政策分析 (27) 3