晶体磁光效应

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一维磁光子晶体的光学和法拉第磁光效应的研究

一维磁光子晶体的光学和法拉第磁光效应的研究

n-
,消光系数分别为
κ +

κ -
, 则光在磁介质中的折射率为
n
= n+
+ n2
κ ,消光系数为 κ = +
+κ2
,折射率
之差为 Δn
= n+
- n2κ Leabharlann 消光系数之差为 Δκ = +
-
κ -
.
2
:1′= n2
- κ2 , :1″= 2nκ, :2′= nΔκ +Δnκ , :2″= -
nΔn +
κΔκ.
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72
苏 州 大 学 学 报 (自然科学版 )
第 26卷
好与之相反. 光在磁介质中的状态就可以表示为
第 26卷第 1期 2010年 1月
苏 州 大 学 学 报 (自然科学版 ) JOURNAL OF SUZHOU UN IVERSITY (NATURAL SC IENCE ED ITION )
Vol126 No. 1 Jan. 2010
一维磁光子晶体的光学和法拉第磁光效应的研究
罗 杰 ,金志明 ,须 萍 ,周凌燕
( School of Physical Science and Technology, Suzhou Univ. , Suzhou 215006, China)
Abstract: The 4 ×4 transm ission matrix method has been deduced in detail. B ased on this m ethod, the op tical and magneto2op tical p roperties of three different structures of one2dimensional magneto2 photonic crystals have been studied. The distribution of the electric field in the crystal has been also calculated. Satisfied op tical and magneto2op tical p roperties are obtained at the central wavelength 720nm. Key words: m agnetophotonic crystals (M PC ) ; transfer matrix; Faraday effect; space distribution of electric field

磁光双折射现象

磁光双折射现象

磁光双折射现象磁光双折射现象是指在磁场作用下,光在晶体中发生折射时,会出现两个不同方向的折射光线。

这一现象是由于磁场对光的传播速度产生了影响,导致光线的传播方向发生改变。

磁光双折射现象的发现和研究为光学和磁学领域提供了重要的理论基础和实验依据。

磁光双折射现象最早是由法国物理学家夏尔·克尔什鲁恩(Charles Kerr)在19世纪70年代末观察到的。

他发现在某些晶体中,当施加磁场时,光线会分成两束,并且沿着不同的方向传播。

这一现象引起了科学家们的极大兴趣,随后进行了大量的研究工作。

磁光双折射现象的解释是基于磁场对晶体的电磁性质产生的影响。

晶体是由一系列有序排列的原子或分子构成的,其中的电子在磁场的作用下会发生运动。

这种运动会使得晶体的折射率发生变化,从而导致光线的传播速度和传播方向发生改变。

具体来说,磁场作用下的晶体可以分为正常磁光双折射和反常磁光双折射两种情况。

正常磁光双折射是指磁场使得晶体的折射率变大,导致光线的传播速度增加。

而反常磁光双折射则是指磁场使得晶体的折射率变小,导致光线的传播速度减小。

磁光双折射现象在实际应用中具有重要的意义。

例如,它可以用于制造磁光器件,如磁光隔离器和磁光调制器。

磁光隔离器可以实现单向光传输,防止光信号的反射和干扰,广泛应用于光通信和激光器系统中。

磁光调制器则可以根据外界磁场的变化来调节光的强度或相位,用于光通信和光信息处理等领域。

磁光双折射现象还在科学研究中发挥着重要作用。

通过研究磁光双折射现象,可以深入理解光与物质相互作用的机制,为材料的设计和合成提供指导。

同时,磁光双折射也为研究磁场的性质和磁场对物质的影响提供了一种新的手段。

磁光双折射现象是光学和磁学领域的重要现象之一。

它的发现和研究为我们深入理解光与物质相互作用的规律提供了重要的实验基础和理论依据。

在实际应用中,磁光双折射现象也有着广泛的应用前景。

随着科学技术的不断进步,我们对磁光双折射现象的认识和应用也会不断深化和拓展。

磁光效应简介

磁光效应简介
详细描述
法拉第反射是光在磁场中反射时,偏振面发生旋转的现象。这种现象是由于光 在磁场中反射时,磁场所引起的偏振面旋转角与光反射距离成正比。
磁光克尔效应
总结词
磁光克尔效应是磁光效应的一种 ,在光学测量和光学通信等领域 有重要应用。
详细描述
磁光克尔效应是指在外加磁场作 用下,某些非中心对称晶体或各 向异性媒质中,由于光偏振方向 改变而引起折射率变化的现象。
光学数据加密
利用磁光效应可以对数据进行加密和解密,提高数据的安全性。
光学检测领域的应用
光学传感
利用磁光效应可以设计出各种光学传感器,用于测量物理量的变化,如磁场、温度、压力等。
非线性光学效应
磁光效应可以增强非线性光学效应,如光学倍频、光学参量放大等,为光学检测提供了新的手段。
其他领域的应用
激光雷达
2. Phelan, T. W., & Ritz, T. (2007). Magneto-optic effects in semiconductor quantum dots. Journal of applied physics, 101(6), 063102.
3. Sivak, D. A., & Zhang, X. (2012). Magneto-optic effects in thin film garnets. Journal of magnetism and magnetic materials, 324(20), 3395-3400.
磁光效应的实验研究
近年来,实验研究主要集中在利用磁光效应进行 光学通信、光学传感、光学信息处理等领域。
3
磁光效应的理论模型
理论模型主要基于经典电磁理论和量子力学理论 进行描述。

大物实验4——法拉第磁光效应(一)

大物实验4——法拉第磁光效应(一)

法拉第磁光效应(一)实验目的1、了解磁光效应现象和法拉第效应的机理。

2、测量磁致旋光角,验证法拉第—费尔德定律θ=VBL 。

3、法拉第效应与自然旋光的区别。

4、了解磁光调制原理。

实验原理1、法拉第效应实验表明,在磁场不是非常强时,如图5.16.1所示,偏振面旋转的角度与光波在介质中走过的路程d及介质中的磁感应强度在光的传播方向上的分量B 成正比,即:θ=VBd(5.16.1)比例系数V由物质和工作波长决定,表征着物质的磁光特性,这个系数称为费尔德(Verdet)常数。

费尔德常数V与磁光材料的性质有关,对于顺磁、弱磁和抗磁性材料(如重火石玻璃等),V为常数,即θ与磁场强度B有线性关系;而对铁磁性或亚铁磁性材料(如YIG等立方晶体材料),θ与B不是简单的线性关系。

图5.16.1 法拉磁致旋光效应表5.16.1为几种物质的费尔德常数。

几乎所有物质(包括气体、液体、固体)都存在法拉第效应,不过一般都不显著。

不同的物质,偏振面旋转的方向也可能不同。

习惯上规定,以顺着磁场观察偏振面旋转绕向与磁场方向满足右手螺旋关系的称为“右旋”介质,其费尔德常数V>0;反向旋转的称为“左旋”介质,费尔德常数V<0。

对于每一种给定的物质,法拉第旋转方向仅由磁场方向决定,而与光的传播方向无关(不管传播方向与磁场同向或者反向),这是法拉第磁光效应与某些物质的固有旋光效应的重要区别。

固有旋光效应的旋光方向与光的传播方向有关,即随着顺光线和逆光线的方向观察,线偏振光的偏振面的旋转方向是相反的,因此当光线往返两次穿过固有旋光物质时,线偏振光的偏振面没有旋转。

而法拉第效应则不然,在磁场方向不变的情况下,光线往返穿过磁致旋光物质时,法拉第旋转角将加倍。

利用这一特性,可以使光线在介质中往返数次,从而使旋转角度加大。

这一性质使得磁光晶体在激光技术、光纤通信技术中获得重要应用。

表5.16.1 几种材料的费尔德常数(单位:弧分/特斯拉·厘米)物质(mm)V水589.3 1.31⨯102 二硫化碳589.3 4.17⨯102轻火石玻璃589.3 3.17⨯102重火石玻璃830.0 8⨯102~10⨯102冕玻璃632.8 4.36⨯102~7.27⨯102石英632.8 4.83⨯102磷素589.3 12.3⨯102与固有旋光效应类似,法拉第效应也有旋光色散,即费尔德常数随波长而变,一束白色的线偏振光穿过磁致旋光介质,则紫光的偏振面要比红光的偏振面转过的角度大,这就是旋光色散。

磁光晶体的研究进展及应用

磁光晶体的研究进展及应用
应( 自聚集、热透镜效应等) ꎬ避免激光损伤和热损伤 [5ꎬ9 ̄10] ꎮ 这两个发展趋势对新型高 Verdet 常数磁光材料
和大尺寸磁光材料提出了越来越高的要求ꎮ
磁光材料有很多种类ꎬ包括磁光晶体、磁光透明陶瓷、磁光薄膜、磁光玻璃、稀磁半导体等ꎬ其中磁光陶瓷和
磁光晶体在近些年来获得了较多的研究[1 ̄4ꎬ11 ̄12] ꎮ 磁光陶瓷主要由粉末烧结制得ꎬ因此相对容易得到较大的尺
Chinese Academy of Sciencesꎬ Hefei 230031ꎬ Chinaꎻ2. University of Science and Technology of Chinaꎬ Hefei 230026ꎬ China)
Abstract:With the development of optical communication and high power laser technologyꎬ magneto ̄optical isolators were
0 引 言

自 1950 年弗里斯蒂等发现正铁氧体磁光材料以来ꎬ各种类型的磁光材料被不断发现并得到了广泛研
[1 ̄2]
ꎮ 近几十年ꎬ随着光通信技术的迅速发展ꎬ特别是太赫兹通信的兴起ꎬ磁光材料的应用范围得到了进
一步的扩大ꎬ同时推动了新型磁光材料的研究ꎬ促进了磁光器件向低损耗、高灵敏度和小型化方向发展 [3 ̄4] ꎮ
寸ꎬ并且其热导率与磁光晶体较为接近ꎬ制备成本也不高ꎬ在大口径磁光器件领域显示出了一定的应用潜力[2] ꎮ
磁光陶瓷材 料 方 面ꎬ已 发 展 了 包 括 铽 铝 石 榴 石 ( Tb3 Al5 O12 )、 铽 镓 石 榴 石 ( Tb3 Ga5 O12 )、 氧 化 忒、 倍 半 氧 化
基金项目:国家自然科学基金(51702322) ꎻ国家自然基金青年基金(51802307) ꎻ中科院海西创新研究院自主部署项目( FJCXY18030301) ꎻ

磁光晶体材料的研究现状与发展趋势

磁光晶体材料的研究现状与发展趋势
用有助于提高信息处理的效率和精度。
在其他领域的应用实例
总结词
磁光晶体材料在其他领域的应用不断拓展,如生物医学 、环境监测和能源领域等。
详细描述
在生物医学领域,磁光晶体材料可以用于制作生物探针 和药物载体,实现疾病的诊断和治疗。此外,磁光晶体 材料还可以应用于环境监测领域,如制作磁场传感器和 污染气体检测器等。在能源领域,磁光晶体材料可以应 用于太阳能电池和光电转换器件中,提高光电转换效率 。
03
磁光晶体材料的应用领域 与实例
在光学通信领域的应用
总结词
磁光晶体材料在光学通信领域具有重要应 用价值,尤其在高速、高精度、低损耗的 光纤通信系统方面具有显著优势。
详细描述
磁光晶体材料由于其独特的磁光效应,可 以实现光信号的调制与转换,提高通信系 统的传输效率和精度。典型应用包括利用 磁光晶体材料制作光隔离器、光环形器、 光调制器等关键器件,以及在量子通信和 光子计算机中作为光逻辑元件和光存储元 件等。
在光学传感领域的应用
要点一
总结词
磁光晶体材料在光学传感领域的应用不断拓展,尤其在 生物传感、化学传感和物理传感方面具有重要应用潜力 。
要点二
详细描述
由于磁光晶体材料的磁光效应对环境中的磁场变化具有 高度敏感性,因此可以用于制作高灵敏度的磁场传感器 和磁力计。此外,磁光晶体材料还可以用于制作光波导 器件、光纤陀螺仪等精密测量仪器,广泛应用于航空航 天、航海、地球物理等领域的测量与检测。
04
磁光晶体材料的研究现状 与挑战
磁光晶体材料的制备技术
01
熔体生长法
通过熔化磁光晶体材料,再缓慢冷却至结晶的方法进行制备。该方法
制备的晶体纯度高、缺陷较少,但生长速度慢,难以制备大尺寸晶体

磁光法拉第效应

磁光法拉第效应
磁光法拉第效应是指当线偏振光通过具有磁光活性的介质时,其偏振方向会发生旋转现象。

这种现象是由法国物理学家法拉第在1845年发现的。

磁光活性介质是指在外加磁场下会导致线偏振光旋转的物质,包括某些有机分子、无机晶体、液晶等。

磁光法拉第效应的原理是由分子中的电子运动形成的。

在外加磁场的作用下,分子中的电子会绕着磁场旋转,导致分子中电子云的分布不对称。

这种不对称会影响光线通过介质的速度,使光线的偏振方向发生旋转。

磁光法拉第效应在光学、电子学、通信等领域有广泛应用。

例如在液晶显示器中,通过控制磁场来使液晶分子发生定向排列,从而控制光的偏振方向,达到显示图像的目的。

在磁光存储器中,利用磁光活性介质的特性,将信息通过对光线的偏振方向进行编码和读取。

总之,磁光法拉第效应是一种重要的光学现象,有着广泛的应用前景。

- 1 -。

一维磁光子晶体的光学和法拉第磁光效应的研究

一维磁光子晶体的光学和法拉第磁光效应的研究
罗杰;金志明;须萍;周凌燕
【期刊名称】《苏州大学学报(自然科学版)》
【年(卷),期】2010(026)001
【摘要】对4×4传输矩阵法进行了详细的推导,并用该方法对三种不同结构磁光子晶体的光学及磁光性质进行了研究,并讨论晶体内电场的空间分布情况.在中心波长720nm处,同时得到了较高的光透射率和法拉第旋转角.
【总页数】7页(P70-76)
【作者】罗杰;金志明;须萍;周凌燕
【作者单位】苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006;苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006;苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006;苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006
【正文语种】中文
【中图分类】O734.1
【相关文献】
1.一维磁性光子晶体增强的法拉第旋光效应研究进展 [J], 朱瑞华;吴春雷;刘凤举;祝强
2.含缺陷层的一维磁光光子晶体的光学特性 [J], 王泽清;王泽亚;刘泽宏;谢伟林;谢应茂
3.可见光区的双缺陷一维磁性光子晶体磁光效应研究 [J], 张羽鹏;朱丽伟;朱瑞华;张金学;郑友进
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5.一维磁光光子晶体的光学特性研究 [J], 尹承平;王同标;汪河洲
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磁光晶体材料的研究现状与发展趋势的概况

磁光晶体材料的研究现状与发展趋势3 1.1磁光晶体的定义晶体在外磁场的作用下,线偏振光通过该晶体时光的偏振面发生旋转的现象称为法拉弟效应.此种晶体称为磁旋光晶体,简称磁光晶体。

1.2 磁光晶体材料的发现历史上对光和磁的关系的探索也是一个很重要的问题, 虽则这个问题没有电磁现象那样突出, 但是就其所达到的理论高度和为之所付出的努力而言, 前者是不逊于后者的。

人类对光磁的关系的认识, 是从晶体的自然旋光性现象开始的。

阿喇戈发现的偏振光通过石英晶体时的旋转现象( 1811 年)和法拉第发现的电磁旋转现象( 1821年)是一组类似的现象。

〔1 〕后来经过一系列的实验与实践,磁光材料被开始应用于器件的制作,磁光晶体也在其中逐渐发现并加以应用。

3 1.3 磁光晶体材料的应用磁光晶体主要应用在光纤通信与集成光学器件、计算机存储、逻辑运算和传输功能、磁光显示、磁光记录、微波新型器件及激光陀螺等领域。

各种器件需要的磁光晶体材料都不同,随着磁光晶体材料的不断发现,可用以器件的范围也在不断扩大。

6 2基本原理3 2.1 磁光效应磁光效应是指处于磁化状态的物质与光之间发生相互作用而引起的各种光学现象。

包括法拉第效应、克尔磁光效应、塞曼效应和科顿- 穆顿效应等。

这些效应均起源于物质的磁化,反映了光与物质磁性间的联系。

3 2.2法拉第效应1845年法拉第(Michal Faraday)发现玻璃在强磁场的作用下具有旋光性,加在玻璃棒上的磁场引起了平行于磁场方向传播的线偏振光偏振面的旋转。

此现象被称为法拉第效应。

法拉第效应第一次显示了光和电磁现象之间的联系。

促进了对光本性的研究。

之后费尔德(Verdet)对许多介质的磁致旋转进行了研究,发现法拉第效应在固体、液体和气体中都存在。

大部分物质的法拉第效应很弱,掺稀土离子玻璃的费尔德常数稍大。

近年来研究的YIG等晶体的费尔德常数较大,从而大大提高了实用价值。

法拉第效应有许多重用的应用,尤其在激光技术发展后,其应用价值倍增。

磁光晶体材料的研究现状与发展趋势

随着科技的发展,磁光晶体材料的应用领域将不断拓展,如光计算、量子通信、生物医学等新兴领域 ,将为磁光晶体材料的发展带来新的机遇和挑战。
未来研究将更加注重磁光晶体材料的机理研究和实验验证,加强国际合作和交流,推动磁光晶体材料 的产业化发展。
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THANKS
稀土掺杂的磁光晶体
稀土元素独特的电子结构使其在磁光性能方面具有独特优势,如较强的磁光效应 、较高的热稳定性等。
稀土掺杂的磁光晶体在磁光通信、光学开关、光学隔离器等领域具有广泛的应用 前景。
当前研究主要集中在提高稀土掺杂磁光晶体的磁光系数、降低光吸收损耗、优化 晶体生长等方面。
过渡金属掺杂的磁光晶体
磁光效应是指磁场对光在介质中传播特性的影响。 磁光效应在物理学、光学、信息科学等领域具有电磁学性质 的晶体材料。
磁光晶体在光学、 电子学、信息科学 等领域具有广泛的 应用前景。
磁光晶体具有高磁 光效应、低光吸收 、低光学损耗等优 点。
磁光晶体的应用领域
详细描述
固相法是指通过将原料粉末在高温下进行烧结或热压制成晶体材料的方法。该方法具有工艺简单、成 本低等优点,但难以获得高质量的磁光晶体材料。在制备过程中,由于原料粉末的颗粒大小、纯度等 因素的影响,材料的晶格常数、缺陷等会受到影响,从而影响材料的磁光性能。
化学气相沉积法
总结词
化学气相沉积法是一种制备磁光晶体材料的方法,具有制备温度低、材料质量高等优点,但工艺复杂、成本高 。
稀土和过渡金属共掺杂的磁光晶体结 合了稀土元素和过渡金属元素的优点 ,具有更高的磁光效应和更宽的磁光
工作范围。
这种共掺杂的磁光晶体在高速磁光通 信、光学信号处理、光学成像等领域
具有独特的优势。
目前,对稀土和过渡金属共掺杂的磁 光晶体的研究仍处于起步阶段,需要 进一步探索共掺杂元素的相互作用机 制、优化晶体生长条件以及拓展应用
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晶体磁光效应 引 言 外加磁场作用所引起材料的光学各向异性称为磁光效应。 1845 年,法拉第( M. Faraday)在探索电磁现象和光学现象之间的联系时发现:当一束平面偏振光穿过非旋光性介质时,如果给介质沿光的传播方向加上磁场,就会观察到光经过介质后偏振面转过α角度(即磁场使介质具有了旋光性),这种磁光效应称为法拉第效应。法拉第效应在许多方面都有应用。它可以作为物质结构研究的手段,比如,根据结构不同的碳氢化合物其法拉第效应的表现不同来分析碳氢化合物;在半导体物理的研究中 , 它可以用来测量载流子的有效质量和提供能带结构的知识;在电工测量 中,它还被用来测量电路中的电流和磁场;在激光通讯、激光雷达技术中,利用法拉第效应可制成光频环行器、调制器等重要器件;特别是在激光技术中,利用法拉第效应,可制成光波隔离器或单通器,这些在激光多级放大技术和高分辨激光光谱技术都是不可缺少的器件。

1.实验原理 磁光效应的物理起因 我们知道,两个同频率的垂直简谐振动能够合成为一个圆运动,同样,一个圆运动可以分解成一对相互垂直的简谐振动。

图1 左右旋圆运动合成直线简谐运动 现在我们要讨论的是:一个直线简谐振动可以分解为一对圆运动(即左旋圆偏振和右旋圆偏振为磁光介质中光波的两种传播简谐模式,这就是把一个直线简谐振动分解为一对圆运动的原因)。如图 1,EL和ER是两个大小相等(皆为 A)而不变的旋转矢量。它们的角速度(±ω)大小相等方向相反。设在 t=0 时刻它们沿某一方向重合(图 1(a)),由于过任意时刻Δ t 后两个矢量的角位移(±ω t) 也大小相等方向相反,它们的合矢量 E总保持在原来的方向 上(图 1(b) ),这时 E的瞬时值为: E=2Acosωt 由此可见,EL和ER两个旋转矢量合成一个沿直线作简谐振动的矢量 E,其振幅为 2A,方向永远在EL,ER瞬时位置的角平分线上。上述结论也可以反过来叙述:即一个沿直线作简谐振动的矢量 E,可以分解成一对左、右旋的旋转矢量EL和ER,它们的大小是矢量 E 振幅之半,角速度的大小是矢量 E的角频率ω. 运用这个原理到光学,就是线偏振光可以分解成左、右旋圆偏振光,而左、右旋圆偏振光可以合成为线偏振光。 为了解释旋光性,菲涅尔作了如下假设:在旋光晶体中,线偏振光沿光轴传播时分解成左旋和右旋圆偏振光( L光和 R光),它们的传播速度 UL和 VR略有不同,或者说二者折射率 nL=C/vL, nR=C/vR不同, 图2 旋光性的解释 因而经过旋光晶体时产生不同的位相滞后: φL=2πnld/λ φR=2πnRd/λ 当光束穿出晶体后左、右旋圆偏振光的速度恢复一致,我们又可以把它们合成起来考虑,如前所述,它们合成为一个线偏振光,其偏振方向在EL、 ER瞬时位置的角平分线上(图 2)。由图2( b) 不难看出,此方向相对于原来的竖直方向转过了一个角度φ ,其大小为:(φR -φL)/2 上式表明,偏振面旋转的角度φ 是与旋光晶片的厚度 d成正比的,当nR>nl时,φ >0,晶体是左旋的;当nR>nl时,φ <0,晶体是右旋的。

磁致旋光:法拉第旋转 一束线偏振光通过具有磁矩的物质后,其偏振面相对于入射线偏振光发生了一定的旋转,这个现象称为法拉第磁光效应。法拉第旋转角为:

=RLFdnndVBd

ΘF为光传播方向单位长度的旋转角,称为法拉第旋光率; V叫维尔德常数; B 为磁感应强度。 应当注意:当光传播方向反转时,法拉第旋转的左右方向互换,这一点与自然旋光物质很不同,那里左、右旋是由旋光物质决定的,与光的传播方向是否反转无关。

倍频法测量法拉第旋转角 根据 Malus 定律,经过起偏器,再经检偏器输出的光强为: I(a)=I0cos2a 式中 a 为起偏器和检偏器光轴之间的夹角, I0 为 a=0时的输出光强。在两个偏振器之间插入一个由磁化线 圈 交变磁化了的磁光石榴石单晶式单晶薄膜样品,构成一 个 磁光调制器,如图3 所示。设由交变电流产生的交变磁 场 H引起的交变法拉第旋转角为 θ´,则如图 3 系统的输出 光 强度为: I(a +θ’) = I0 cos2 (a +θ’) = (I0 / 2)[1 + cos 2(a +θ’)] 当用正弦电流输入调制线圈,则在垂直石榴石单

图3 磁光调制器 晶薄膜平面的方向上产生一个正弦变化交变磁场,由此引起的交变法拉第旋转角 θ´为:θ ‘=θ0 ‘sinωt。式中θ0’ 是交变法拉第旋转角θ´的幅度,称为调制幅度。 图3 磁光调制器 由上可知,当α一定时,输入光强I仅随 θ´变化,而θ´是受磁场 H控制的,因此 I 随 H而变化,这就是光强的磁光调制。显然,由于交变磁场 H引起的法拉第旋转使输出光强幅度变化(磁光调制幅度)为:I0 cos2 (α−θ’) – I0 cos 2(α+θ’) = I0sin 2α⋅ sin 2θ0’ 由上式可知,当θ0′为定值时,磁光调制幅度随 α而变化。α=45º 时,磁光调制幅度最大(如图 4(a)所示)。此时由(1)式得: I(45º+θ’)=(I0/2)(1-sin2θ’) (1)当α=45º 时,θ0’=45º 磁光调制幅度最大。由(3)式可以看出,当θ0’>45º 时,调波形将产生畸变。 (2)当α≠45º 时,I 不仅与θ´有关,而且与α的变化也有关,因此调制波形及其幅度将随起偏器和检偏器相对位置α值而变化,θ0’<45º 也会引起调制波形的畸变,如图 4(b)、 4(c)所示。 (3)当α=90º,即两偏振器处于正交位置时,输出光强为: I(90° +θ’)= I0 cos 2 (90° +θ’) = (I0 / 2)(1 − cos 2θ’) 此时,I是θ´的偶函数,输出光强仅与θ´的大小有关,即与交变磁场 H的大小有关,与磁场的方向无关。显然,此时输出调制信号的频率是输入调制信号频率的两倍(如图4(d)所示)。由此可见,当我们用图 5 所示的测量装置检测出倍频信号时,即可确定两偏振器处于正交(“消光”)位置。 当α=0 时,输出光强为: I(θ’) = I0 cos 2θ’ = (I0 / 2)(1 + cos 2θ’) 输出光强 I的变化情况与 α=90º 时相类似。从(4)、(5)两式可以看出,在α=0º,90º情况下,磁光调制(倍频信号)幅度随θ´的增大而增大,而 θ0’=90º 时,其幅度最大。

图4 波形变化 2. 实验装置 LMG-II型晶体磁光效应仪:由氦氖激光器、电磁铁、起偏器、测角仪、光电接受器、特斯拉计等组成。

图5 LMG-II型晶体磁光效应仪 图6 法拉第旋转测量装置 3. 实验内容 旋转测角仪,检偏器就与之同轴旋转,当 α+θ=90º( “消光”位置)时,示波器上再次出现倍频信号。根据被测样品放入前后两次出现倍频信号时的测角仪位置,即可确定被测样品的法拉第旋转角 θ。这个测量方法我们称之为磁光调制倍频法。

测定样品的θ—B 关系: 3.1 光路调节 (1)调节装有氦氖激光管的支架,使激光管位于激光架中心位置,并使其氦氖激光束从电磁铁磁路中的通光孔中通过。把待测样品置于磁极中。 (2)在电磁铁前放置起偏器,使激光束从起偏器盒上的通光孔中通过。再放置测角仪、光电接收管。 (3)旋转测角仪手轮,使其通过检偏器后的光强为最小,此时表示起偏器与检偏器的偏振方向大致相互垂直。 3.2 测量: (1)不加励磁电流。调节0—6V 交流输出的电位器旋钮,使起偏器作小角度摆幅的振荡,微调测角仪的手轮,观察示波器到出现倍频信号为止。记录下测角仪上的刻度值。如此反复3次,取其平均值。 (2)把励磁电流的粗调旋钮拔打到1档,数显表显示其励磁电流值。同时,示波器上显示的倍频信号将发生变化,重新微调测角仪手轮,直到出现倍频信号为止,记录下此电流(对应此电流下的磁感应强度)和测角仪的刻度值。重复3次,取其平均值。减去起始角度值后即为在此磁感应强度下的法拉第旋转角。 (3)如上逐级调节不同的励磁电流档位,测出其对应的法拉第旋转角。 (4)取出待测样品,把特斯拉计的探头放入磁极中,测出上面不同档位励磁电流下相对应的磁感应强度B值,并记录其数据。

注: 测量磁场时,需要微调电流使其与之前同一档位记录电流相同;由于特斯拉计是移动传感器探头,为稳定数值和减小误差,本实验采用的办法是,将探头紧贴磁铁壁以稳定,调整探头位置至探头中心与激光斑大致重合,待读数基本稳定后记录数据。 调节电流档位以后可能看上去倍频波形几乎没变,应该重新从混合波形调节到倍频波形。 由于实验仪器各精度以及存在的环境干扰导致难以调出平滑、稳定的倍频波形,因此很难非常准确识别何时倍频,本实验采用如下方法: 将输入输出波形同时显示在示波器上并稳定显示,调节相对位置使其幅值中心大致一致,调节测角仪直到两波形最大程度相近,也就是振幅尽可能一致,以此作为倍频的标准。如图7所示。

图7 倍频波形 4.实验结果 4.1 对以上得到的三组数据进行求平均并得到各磁场下对应的法拉第旋转角θ,以θ和B由origin作图如图8:

图8 法拉第旋转角与磁感应强度的关系图 由此得到该波长下维尔德常数 V=13.0 T-1m-1 4.2 实验误差: (1)实验环境的误差: 电源电压的不稳定导致波形的不稳定; 光源准直性以及通光量大小也会影响倍频波形; 试验台的震动也会导致偏振片或检偏器改变位置轻微抖动;因此一次测量中应该保持环境因素不变。 (2)操作误差: 磁电流大小控制误差,包括两次控制磁电流,测量时发现磁电流趋向于减弱,由此导致测量的磁场递减,可能由于电源设备的老化; 磁场测量误差,包括由于设备探测器为手动固定导致的测量位置误差和不稳定性; 测角仪读数误差; (3)倍频波形确定的误差: 即使采用上述实验内容中的确定倍频的方法,也难以找到确切的倍频位置,并不可避免地产生很大误差。 减小这样的误差的办法只能是多次测量取平均值。

5. 实验结论 法拉第效应在许多方面都有广泛应用,因此了解磁光效应很有必要。本实验通过学习法拉第旋转来理解磁光效应的物理意义,同时掌握一种法拉第旋转角的测量方法、测出磁旋光玻璃的θ-β关系以及计算样品的维尔德常数。

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