半导体集成电路
什么是集成电路测试（半导体测试）
什么是集成电路测试（半导体测试）Semiconductor Test 半导体测试，也称为集成电路测试。
在介绍半导体测试之前呢，我们先来了解所谓的半导体产业链是⼀个什么东西。
半导体器件是⼀个很⼴泛的概念，举个⼤家很熟悉的例⼦：⾃家电脑⾥的CPU或者⼿机中的CPU，以及⼤家基本上都⽤过的U盘⾥的存储芯⽚，都属于半导体器件。
这样的⼀个东西，从它的设计，⽣产制造，检测验证，再到被制作成电脑，⼿机，U盘，整个的这样⼀个过程，称为半导体产业链。
当然，芯⽚⽤来制作成电脑⼿机等产品，已经属于半导体产业链的下游了。
整个产业链的上游是设计，⽣产制造已及封装测试。
说到封装测试，就不得不说⼀下设计和⽣产制造。
设计集成电路，有点类似于现在设计电路PCB版，都是先有原理图，再画出制作版图，只不过芯⽚的版图更加精细。
其中集成电路设计⾥还有软核设计，其实就是在FPGA上进⾏功能验证，有点类似跑个虚拟机，跑个仿真。
国内⽐较著名的IC 设计公司就是华为海思。
关于⽣产制造这⼀块，这⾥只讲代⼯⼚，此代⼯⼚⾮富⼠康代⼯⼚能⽐的。
虽然⼤家都叫代⼯⼚，但是半导体代⼯，是因为技术门槛⾼，具有先进制造技术的⼚商分出产能，为设计公司⽣产集成电路，不是富⼠康那种靠廉价劳动⼒来⽣存的代⼯⼚。
讲完了集成电路的设计，制造，就该将封装测试了。
顾名思义，封装测试，就是把芯⽚封装成⼀个个的⼩⿊⾊颗粒；测试，就是把这堆芯⽚⾥不合格的挑选出来 ……^_^ 是不是很简单？感觉有点像⼚⾥的质检员⼲的活是吗？其实，这部分并不是⼈⼯来做，⽽是依靠机械⾃动化来完成，测试机器会⾃动往芯⽚中输⼊各种信号，依据芯⽚的输出信号是否正确来判断⼀个芯⽚的好与坏。
我们⽣活中所应⽤的每⼀颗芯⽚，都是需要经过这样的检测⽽⼀般的ATE ⼯程师呢，也就是测试⼯程师，主要是负责开发⽤于测试芯⽚的外围硬件电路及软件控制脚本，并且，还要负责完成统计学上的数据分析。
下⼀期，我将开始介绍芯⽚测试具体的相关知识。
集成电路制造中的半导体器件工艺
集成电路制造中的半导体器件工艺绪论随着信息技术的飞速发展，集成电路制造技术已成为现代电子工业的核心领域。
集成电路是现代电子产品的基础，在计算机、通讯、军事和工业等领域都有着广泛的应用。
而半导体器件工艺是集成电路制造技术的基石，其质量和效率直接决定了集成电路的性能和成本。
本文将从半导体制造的基本流程、光刻工艺、薄膜工艺、化学机械抛光、多晶硅工艺和后台工艺六个方面详细介绍集成电路制造中的半导体器件工艺。
一、半导体制造的基本流程半导体芯片制造的基本流程包括晶圆制备、芯片制造和包装封装。
具体流程如下：晶圆制备：晶圆是半导体器件制造的基础，它是由高纯度单晶硅材料制成的圆片。
晶圆制备的主要过程包括矽晶体生长、切片、抛光和清洗等。
芯片制造：芯片制造主要包括传输电子装置和逻辑控制逻辑电路结构的摆放和电路组成等操作。
包装封装：芯片制造完成后，晶体管芯片需要被封装起来的保护电路，使其不会受到外界环境的影响。
光刻工艺是半导体工艺中的核心部分之一。
光刻工艺的主要作用是将图形预设于硅晶圆表面，并通过光刻胶定位的方式将图形转移到晶圆表面中，从而得到所需的电子器件结构。
光刻工艺的主要流程包括图形生成、光刻胶涂布、曝光、显影和清洗等步骤。
三、薄膜工艺薄膜工艺是半导体制造中的另一个重要工艺。
它主要通过化学气相沉积、物理气相沉积和溅射等方式将不同性质的材料覆盖在晶圆表面，形成多层结构，从而获得所需的电子器件。
四、化学机械抛光化学机械抛光是半导体工艺中的核心工艺之一。
其主要作用是尽可能平坦和光滑化硅晶圆表面，并去除由前工艺所形成的残余物和不均匀的层。
化学机械抛光的基本原理是使用旋转的硅晶圆，在氧化硅或氮化硅磨料的帮助下，进行机械和化学反应，从而达到平坦化的效果。
五、多晶硅工艺多晶硅工艺是半导体工艺中的一个重要工艺，主要是通过化学气相沉积厚度约8至12个纳米的多晶硅层。
该工艺可以用于形成电极、连接线、栅极和像素等不同的应用。
多晶硅工艺的优点是不需要特殊的工艺装备，因此较为简单。
半导体产品分类
半导体产品分类半导体是一种材料，它具有介于导体和绝缘体之间的电学特性。
半导体材料的电学特性使得它们非常适合用于电子器件和电路中。
半导体产品是指基于半导体材料制造的各种电子器件和电路。
在本文中，我们将讨论半导体产品的分类。
1. 集成电路集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是一种将多个电子器件集成在一起的电路。
IC的制造过程非常复杂，需要使用光刻和蚀刻等高精度工艺。
根据集成电路中器件的数量和复杂度，IC可以分为以下几种类型：（1）SMD集成电路：表面贴装集成电路，是一种非常常见的IC类型。
它们通常被用于电子设备中，如手机、电视、计算机等。
（2）DIP集成电路：双列直插式集成电路，是一种较老的IC类型。
它们通常被用于较为简单的电子设备中，如计算器、电子钟等。
（3）ASIC：专用集成电路，是一种按照特定需求设计和制造的IC。
ASIC通常用于需要高度定制化的电子设备中，如通讯设备、汽车电子等。
（4）FPGA：可编程门阵列，是一种可以按照特定需求编程的IC。
FPGA通常用于需要高度灵活性的电子设备中，如高端通讯设备、航空航天电子等。
2. 传感器传感器是一种可以检测和测量物理量的装置。
半导体传感器是利用半导体材料的电学特性来测量物理量的传感器。
根据测量的物理量，半导体传感器可以分为以下几种类型：（1）温度传感器：测量环境温度的传感器。
温度传感器通常被用于温度控制和环境监测等领域。
（2）压力传感器：测量压力的传感器。
压力传感器通常被用于气体和液体的压力测量领域。
（3）光电传感器：测量光强度和光频率的传感器。
光电传感器通常被用于光电子学和光学领域。
（4）气体传感器：测量气体浓度和类型的传感器。
气体传感器通常被用于空气质量监测和气体检测等领域。
3. 功率器件功率器件是一种可以控制电能流动的装置。
半导体功率器件是利用半导体材料的电学特性来控制电能流动的器件。
根据功率器件的类型，半导体功率器件可以分为以下几种：（1）晶闸管：一种用于控制交流电的功率器件。
对半导体技术、微电子技术、集成电路技术三者的浅略认识
对半导体技术、微电子技术、集成电路技术三者的浅略认识一、半导体技术、微电子技术、集成电路技术三者的联系与区别我们首先从三者的概念或定义上来分别了解一下这三种技术。
半导体技术就是以半导体为材料，制作成组件及集成电路的技术.在电子信息方面，绝大多数的电子组件都是以硅为基材做成的，因此电子产业又称为半导体产业。
半导体技术最大的应用便是集成电路,它们被用来发挥各式各样的控制功能，犹如人体中的大脑与神经。
微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术，是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术，为微电子学中的各项工艺技术的总和。
集成电路技术，在电子学中是一种把电路小型化的技术.采用一定的工艺,把一个电路中所需的各种电子元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。
（以上三者概念均来源于网络）这般看来，三者概念上互相交叉，却也略有区别。
依我这个初次接触这三个名词、对电子信息几乎一窍不通的大一新生来看,半导体技术是其他二者技术的基础，因为半导体是承载整个电子信息的基石，不管是微电子还是集成电路，便是以半导体为材料才可以建造、发展。
而微电子技术,个人感觉比较广泛,甚至集成电路技术可以包含在微电子技术里。
除此之外,诸如小型元件,如纳米级电子元件制造技术，都可以归为微电子技术。
而集成电路技术概念上比较狭窄，单单只把电路小型化、集成化技术，上面列举的小型元件制造，便不能归为集成电路技术，但可以归为微电子技术。
以上便是鄙人对三者概念上、应用上联系与区别的区区之见，如有错误之处还望谅解。
二、对集成电路技术的详细介绍首先我们了解一下什么是集成电路。
集成电路是一种微型电子器件或部件。
人们采用一定的工艺，把一个电路中所需的各种元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构.其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。
半导体的应用领域(3篇)
第1篇一、电子器件领域1. 集成电路（IC）集成电路是半导体技术中最具代表性的应用之一。
集成电路将大量晶体管、电阻、电容等元件集成在一个芯片上，具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性高等优点。
集成电路广泛应用于计算机、通信、消费电子、工业控制等领域。
2. 显示器半导体显示器是半导体技术的重要应用之一，主要包括液晶显示器（LCD）、有机发光二极管（OLED）和量子点显示器（QLED）等。
这些显示器具有高分辨率、高亮度、低功耗等特点，广泛应用于电视、手机、电脑、车载显示屏等领域。
3. 光电子器件光电子器件是利用半导体材料的光电特性制成的器件，主要包括发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、光电二极管（PD）等。
这些器件在照明、通信、医疗、安防等领域具有广泛应用。
二、通信领域1. 无线通信半导体技术在无线通信领域得到了广泛应用，如手机、无线网卡、无线充电等。
半导体器件在无线通信中起到了关键作用，如射频放大器、滤波器、功率放大器等。
2. 光通信光通信是利用光波在光纤中传输信息的一种通信方式。
半导体技术在光通信领域发挥着重要作用，如光发射器、光接收器、光开关等。
三、计算机领域1. 中央处理器（CPU）CPU是计算机的核心部件，半导体技术在CPU的发展中起到了关键作用。
随着半导体工艺的进步，CPU的性能不断提升，使得计算机的运算速度越来越快。
2. 内存内存是计算机中用于存储数据和指令的部件。
半导体技术在内存的发展中起到了关键作用，如动态随机存取存储器（DRAM）、静态随机存取存储器（SRAM）等。
四、消费电子领域1. 手机手机是半导体技术的重要应用领域之一。
随着半导体工艺的进步，手机的功能越来越强大，如高性能处理器、高清摄像头、大容量电池等。
2. 数字相机数字相机是半导体技术的重要应用领域之一。
半导体技术在数字相机中起到了关键作用，如高性能图像传感器、图像处理芯片等。
五、医疗领域1. 医疗成像设备半导体技术在医疗成像设备中得到了广泛应用，如X射线成像、CT扫描、核磁共振成像（MRI）等。
半导体集成电路
1、什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？器件的亚阈值特性是指在分析MOSFET时，当Vgs影响：亚阈值导电会导致较大的功率损耗，在大型电路中，如内存中，其信息能量损耗可能使存储信息改变，使电路不能正常工作。
2、MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？短沟道效应是指：当MOS晶体管的沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道效应，栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制，其中有一部分受源、漏控制，产生耗尽区电荷共享，并且随着沟道长度的减小，受栅控制的耗尽区电荷不断减少的现象。
影响：由于受栅控制的耗尽区电荷不断减少，只需要较少的栅电荷就可以达到反型，使阈值电压降低；沟道变短使得器件很容易发生载流子速度饱和效应。
3、请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
4、什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？5、为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？6、简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？7、什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？8、什么是MOS晶体管的有源寄生效应？9、什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响？10、消除“latch-up”效应的方法？版图设计时：为减小寄生电阻Rs和Rw，版图设计时采用双阱工艺、多增加电源和地接触孔数目，加粗电源线和地线，对接触进行合理规划布局，减小有害的电位梯度；工艺设计时：降低寄生三极管的电流放大倍数：以N阱CMOS为例，为降低两晶体管的放大倍数，有效提高抗自锁的能力，注意扩散浓度的控制。
为减小寄生PNP管的寄生电阻胁，可在高浓度硅上外延低浓度硅作为衬底，抑制自锁效应。
工艺上采用深阱扩散增加基区宽度可以有效降低寄生NPN管的放大倍数。
11、如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？12、如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？13、双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？14、集成电路中常用的电容有哪些。
集成电路设计和半导体制造工艺的发展
集成电路设计和半导体制造工艺的发展随着信息时代的到来，半导体产业变得愈发重要，而半导体制造工艺和集成电路设计则成为半导体产业的两个重要支柱，为电子产品的制造提供了基础。
在这篇文章中，我们将探讨半导体制造工艺和集成电路设计在过去几十年里的发展历程以及未来的发展趋势。
从简单的晶体管到集成电路半导体制造的基础技术是利用硅材料构建晶体管。
晶体管是一种可以控制电子流动的器件，它的发明使得我们能够控制电子的流动方向和大小，并且将它们用于逻辑计算。
在20世纪60年代，集成电路被发明出来，它能够在一个小巧的芯片上集成多个晶体管和其他电子元件。
随着集成电路的发展，电子产品越来越小巧，功能越来越强大，同时，它们的价值也越来越高。
精细半导体制造工艺的发展半导体的制造工艺一直在不断地发展。
在早期，半导体制造并不需要太高的技术，在几次加热和冷却的过程中，材料里的掺杂元素会扩散分布，从而形成了P型和N型半导体，这个过程也被称作扩散工艺。
尽管这种加工工艺能够制造出工作的晶体管，但是这些晶体管的性能并不是很优秀，还处于实验室和学术阶段。
在60年代，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的发明催生了集成电路设计和精细制造工艺的发展。
MOSFET利用了一些特殊的导电材料，在半导体表面构建起了一个氧化层，然后通过外界电场控制氧化层处电子的流动，从而实现电子的控制。
它是集成电路和精细制造的重要开端。
除此之外，还有一些制造工艺被发明，例如刻蚀、光刻，蒸散等等，为半导体制造提供了更多的手段。
如今，最重要的半导体制造工艺是微影制程，这是一种成本效益极高的制造工艺，也是目前主流的工艺。
微影制程利用光刻技术和干法蚀刻技术，将芯片上的模式通过掩模转移到硅片表面，并形成各种电子元件。
利用这种制造工艺，我们可以生产出含有数亿个晶体管的微型芯片。
集成电路设计的发展集成电路的发明让电子产业进入了一个全新的时代，能够将多个晶体管和其他电子元器件集成到一个小型芯片上，并提供复杂的功能。
芯片和半导体有什么关系
芯片和半导体的区别：芯片，又称微电路、微芯片、集成电路，是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
半导体，指常温下导电性能介于导体绝缘体间的材料。
如二极管就是采用半导体制作的器件。
半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。
无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。
今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。
1、芯片和半导体有什么关系？
首先，从概念上来看，芯片与半导体都是属于高科技产品，所以它们不仅可以做到像手机一样使用时间比较长，而且还能够提供更加精准的处理速度快捷的功能。
2、芯片和半导体对于整个行业来说，两者虽然没有直接的关系，但是二者具有很强的联动性，同时又会带来新的发展空间。
3、芯片和半导体通过传输介质连接起来，将数据交换出去，并实现无缝化运算，减少了资源浪费；
而半导体则只需要把信息转移到特定的位置，再经过复杂的计算才能达到自己的效果。
4、如果单纯依靠cpu核心部件（例如gpu）作为支撑，显然前者受到限制，后者却拥有非常好的抗干扰能力。
5、当市场竞争激烈时，全球各种终端厂商纷纷开始布局5g网络，随着5g建设的推进，未来5g基站已经逐步完善，届时根据规划，2020年底至2025年初期，4g覆盖率将超过70%。
总结：综合来看，芯片和半导体本身存在诸多的区别，投资者选择适合自己的产品即可。
半导体集成电路产业基础概念
20世纪50年代锗（Ge）
锗煤
锗矿渣 锗废料
稀有金属元素，自然界分不少 较高电子迁移率和空穴迁移率
20世纪60年代后期硅（Si）
硅矿 硅石 硅砂 储量丰富、自然界分布广 薄膜绝缘性能好，可靠性高
锗管适用于高频大功率器件中，且在强辐 射与－40℃下运转正常。锗衬底适用于太 阳能、卫星与空间站的启动电源等领域。
是指通过一系列特定的加工工艺 ，将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源元 件， 按照一定的电路互联，“集成”在半导体晶片上，封装在一个外壳 内，执行特定功能的电路或系统
半 导 体 ( Semiconductor) 元素半导体
硅 ( Si) 、 锗 ( Ge) 等
化合物半导体
砷 化 镓 (GaAs) 、 磷 化 镓 (GaP) 、 碳 化 硅 ( SiC) 、 氮化镓 (GaN)、 磷化 铟(lnP)、铝镓 砷( AIGaAs)
基础概念-芯片
芯片（Chip）：又称微电路（microcircuit、微芯片（microchip）、集成电路（integrated circuit,IC）是半导体元
件的统称，我们可以把它理解成半导体+集成电路，合起来就叫芯片。它根据特定功能，采用一定的工艺，可以将上百亿 晶体管及其他被动元件布线集成在一块半导体晶圆上，然后封装起来，就形成了体积很小，但具备强大功能的芯片。
基础概念-芯片示例图
部分封装好的芯片图例
基础概念-晶圆制作主要流程
晶圆 就是硅做的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆再经过一系列半导体制造工艺形成极微小的
电路结构，再经切割、封装、测试成为芯片。
冶炼粗硅
多晶硅
拉单晶棒
切割
研磨
ic是什么意思
ic 是什么意思IC，即集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。
它在电路中用字母IC(也有用文字符号N 等)表示。
IC 的定义IC 就是半导体元件产品的统称。
包括：1.集成电路板(integrated circuit，缩写：IC); 2.二、三极管;3.特殊电子元件。
IC 的分类(一)按功能结构分类集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。
模拟集成电路用来产生、放大和处理各种模拟信号(指幅度随时间边疆变化的信号。
例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等)，而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散取值的信号。
例如VCD、DVD 重放的音频信号和视频信号)。
基本的模拟集成电路有运算放大器、乘法器、集成稳压器、定时器、信号发生器等。
数字集成电路品种很多，小规模集成电路有多种门电路，即与非门、非门、或门等;中规模集成电路有数据选择器、编码译码器、触发器、计数器、寄存器等。
大规模或超大规模集成电路有PLD(可编程逻辑器件)和ASIC(专用集成电路)。
从PLD 和ASIC 这个角度来讲，元件、器件、电路、系统之间的区别不再是很严格。
不仅如此，PLD 器件本身只是一个硬件载体，载入不同程序就可以实现不同电路功能。
因此，现代的器件已经不是纯硬件了，软件器件和以及相应的软件电子学在现代电子设计中得到了较多的应用，其地位也越来越重要。
电路元器件种类繁多，随着电子技术和工艺水平的不断提高，大量新的器件不断出现，同一种器件也有多种封装形式，例如：贴片元件在现代电子产品中已随处可见。
对于不同的使用环境，同一器件也有不同的工业标准，国内元器件通常有三个标准，即：民用标准、工业标准、军用标准，标准不同，价格也不同。
军用标准器件的价格可能是民用标准的十倍、甚至更多。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
半导体集成电路
semiconductor integrated circuit
半导体集成电路是将晶体管，二极管等等有源元件和电阻器，电容器等无源元件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路或者系统功能。
在一个半导体衬底上至少有一个电路块的半导体集成电路装置，在所述半导体衬底上有：设置在所述电路块边缘的多个焊盘和从所述电路块延伸至所述焊盘之间的多条布线；所述多个焊盘跟半导体集成电路装置的外部引线连接，且所述多条布线是在所述半导体衬底的主面上设有另一电路块时，用以跟来自该另一电路块的布线连接的布线，做成具有能够与来自该另一电路块的布线连接的形状。
基本概念:
1 电路的关态-指电路的输出管处于截止工作状态时的电路状态，此时在输出端可得到VO=VOH，电路输出高电平。
2电路的开态-指电路的输出管处于饱和工作状态时的电路状态，此时在输出端可得到VO=VOL，电路输出低电平。
3 电路的电压传输特性-指电路的输出电压VO随输入电压Vi变化而变化的性质或关系（可用曲线表示，与晶体管电压传输特性相似）。
4 输出高电平VOH-与非门电路输入端中至少一个接低电平时的输出电平。
5 输出低电平VOL-与非门电路输入端全部接高电平时的输出电平。
6 开门电平VIHmin-为保证输出为额定低电平时的最小输入高电平(VON)。
7关门电平VILmax-为保证输出为额定高电平时的最大输入低电平(VOFF)。
8 逻辑摆幅VL-输出电平的最大变化区间，VL=VOH-VOL。
9 过渡区宽度VW-输出不确定区域（非静态区域）宽度，VW=VIHmin-VILmax。
10 低电平噪声容限VNML-输入低电平时，所容许的最大噪声电压。
其表达式为
VNML=VILmax-VILmin=VILmax- VOL(实用电路)。
11高电平噪声容限VNMH-输入高电平时，所容许的最大噪声电压。
其表达式为
VNMH=VIHmax-VIHmin=VOH- VIHmin(实用电路)。
12 电路的带负载能力（电路的扇出系数）-指在保证电路的正常逻辑功能时，该电路最多可驱动的同类门个数。
对门电路来讲，输出有两种稳定状态，即应同时考虑电路开态带负载能力和电路关态带负载能力。
13 输入短路电流IIL-指电路被测输入端接地，而其它输入端开路时，流过接地输入端的电流。
14输入漏电流（拉电流，高电平输入电流，输入交叉漏电流）IIH-指电路被测输入端接高电平，而其它输入端接地时，流过接高电平输入端的电流。
15 静态功耗-指某稳定状态下消耗的功率，是电源电压与电源电流之乘积。
电路有两个稳态，则有导通功耗和截止功耗，电路静态功耗取两者平均值，称为平均静态功耗。
16 瞬态延迟时间td-从输入电压Vi上跳到输出电压Vo开始下降的时间间隔。
Delay-延迟。
17瞬态下降时间tf-输出电压Vo从高电平VOH下降到低电平VOL的时间间隔。
Fall-下降。
18 瞬态存储时间ts-从输入电压Vi下跳到输出电压Vo开始上升的时间间隔。
Storage-存储。
19 瞬态上升时间tr-输出电压Vo从低电平VOL上升到高电平VOH的时间间隔。
Rise-上升。
20瞬态导通延迟时间tPHL-（实用电路）从输入电压上升沿中点到输出电压下降沿中点所需要的时间。
21 瞬态截止延迟时间tPLH-（实用电路）从输入电压下降沿中点到输出电压上升沿中点所需要的时间。
22 平均传输延迟时间tpd-为瞬态导通延迟时间tPHL和瞬态截止延迟时间tPLH的平均值，是讨论电路瞬态的实用参数。