(完整版)集成电路设计复习题及解答

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《超大规模集成电路设计》考试习题(含答案)完整版

《超大规模集成电路设计》考试习题(含答案)完整版

1.集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段?划分集成电路的标准是什么?集成电路的发展过程:•小规模集成电路(Small Scale IC,SSI)•中规模集成电路(Medium Scale IC,MSI)•大规模集成电路(Large Scale IC,LSI)•超大规模集成电路(Very Large Scale IC,VLSI)•特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC,ULSI)•巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC,GSI)划分集成电路规模的标准2.超大规模集成电路有哪些优点?1. 降低生产成本VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少.2.提高工作速度VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得.3. 降低功耗芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降.4. 简化逻辑电路芯片内部电路受干扰小,电路可简化.5.优越的可靠性采用VLSI后,元件数目和外部的接触点都大为减少,可靠性得到很大提高。

6.体积小重量轻7.缩短电子产品的设计和组装周期一片VLSI组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度.3.简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。

1、形成N阱2、形成P阱3、推阱4、形成场隔离区5、形成多晶硅栅6、形成硅化物7、形成N管源漏区8、形成P管源漏区9、形成接触孔10、形成第一层金属11、形成第一层金属12、形成穿通接触孔13、形成第二层金属14、合金15、形成钝化层16、测试、封装,完成集成电路的制造工艺4.在VLSI设计中,对互连线的要求和可能的互连线材料是什么?互连线的要求低电阻值:产生的电压降最小;信号传输延时最小(RC时间常数最小化)与器件之间的接触电阻低长期可靠工作可能的互连线材料金属(低电阻率),多晶硅(中等电阻率),高掺杂区的硅(注入或扩散)(中等电阻率)5.在进行版图设计时为什么要制定版图设计规则?—片集成电路上有成千上万个晶体管和电阻等元件以及大量的连线。

《超大规模集成电路设计》考试习题(含答案)完整版分析

《超大规模集成电路设计》考试习题(含答案)完整版分析

1.集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段?划分集成电路的标准是什么?集成电路的发展过程:•小规模集成电路(Small Scale IC,SSI)•中规模集成电路(Medium Scale IC,MSI)•大规模集成电路(Large Scale IC,LSI)•超大规模集成电路(Very Large Scale IC,VLSI)•特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC,ULSI)•巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC,GSI)划分集成电路规模的标准2.超大规模集成电路有哪些优点?1. 降低生产成本VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少.2.提高工作速度VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得.3. 降低功耗芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降.4. 简化逻辑电路芯片内部电路受干扰小,电路可简化.5.优越的可靠性采用VLSI后,元件数目和外部的接触点都大为减少,可靠性得到很大提高。

6.体积小重量轻7.缩短电子产品的设计和组装周期一片VLSI组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度.3.简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。

1、形成N阱2、形成P阱3、推阱4、形成场隔离区5、形成多晶硅栅6、形成硅化物7、形成N管源漏区8、形成P管源漏区9、形成接触孔10、形成第一层金属11、形成第一层金属12、形成穿通接触孔13、形成第二层金属14、合金15、形成钝化层16、测试、封装,完成集成电路的制造工艺4.在VLSI设计中,对互连线的要求和可能的互连线材料是什么?互连线的要求低电阻值:产生的电压降最小;信号传输延时最小(RC时间常数最小化)与器件之间的接触电阻低长期可靠工作可能的互连线材料金属(低电阻率),多晶硅(中等电阻率),高掺杂区的硅(注入或扩散)(中等电阻率)5.在进行版图设计时为什么要制定版图设计规则?—片集成电路上有成千上万个晶体管和电阻等元件以及大量的连线。

集成电路设计基础期末考试题

集成电路设计基础期末考试题

集成电路设计基础 2010-11年第一学期试题⼀一.填空题(20分)1、目前,国内已引进了12英寸0.09um芯片生产线,由此工艺线生产出来的集成电路特征尺寸是0.009um (大小),指的是右图中的 W (字母)。

2、CMOS工艺可分为 p阱 、 n阱 、 双阱 三种。

在CMOS工艺中,N阱里形成的晶体管是 p (PMOS,NMOS)。

3、通常情况下,在IC中各晶体管之间是由 场氧 来隔离的;该区域的形成用到的制造工艺是 氧化 工艺。

4.集成电路制造过程中,把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道工序是指 光刻 ,包括 晶圆涂光刻胶 、 曝光 、 显影 、 烘干 四个步骤;其中曝光方式包括 ① 接触式 、②非接触式 两种。

5、阈值电压V T是指 将栅极下面的si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压,根据阈值电压的不同,常把MOS区间分成 耗尽型 、 增强型 两种。

降低V T的措施包括: 降低杂质浓度 、 增大Cox 两种。

二、名词解释(每词4分,共20分)①多项目晶圆(MPW)②摩尔定律③掩膜④光刻⑤外延三、说明(每题5分共10分)① 说明版图与电路图的关系。

② 说明设计规则与工艺制造的关系。

四、简答与分析题(10分)1、数字集成电路设计划分为三个综合阶段,高级综合,逻辑综合,物理综合;解释这三个综合阶段的任务是什么?2、分析MOSFET尺寸能够缩小的原因。

五、综合题(共4小题,40分)1.在版图的几何设计规则中,主要包括各层的最小宽度、层与层之间的最小间距、各层之间的最小交叠。

把下图中描述的与多晶硅层描述的有关规则进行分类: (1)属于最小宽度是: (2)属于层与层之间的最小间距的是: (3)属于各层之间的最小交叠是:2.请提取出下图所代表的电路原理图。

画出用MOSFET构成的电路。

图2 图3 图 4 3、图4是一个标准的CMOS 反相器电路,V TN 和V TP 分别为NMOS 、PMOS晶体管的阈值电压,讨论PMOS 和NMOS 晶体管导通和截至的条件。

集成电路大题及答案

集成电路大题及答案

1.简述逐次比较型A/D转换器的工作原理,并绘出其原理框图。

(1)MSB高位输出为1,其余个位全为0,U X与D/A转换器输出U0比较,若U X ﹥U0比较器输出为低电平,使寄存器的输出不变。

若U X﹤U0,比较器输出为高电平,寄存器MSB的高位输出变为0(2)MSB次高位输出为1 U X与D/A转换器输出U0比较,若U X﹥U0比较器输出为低电平,使寄存器的输出不变。

若U X﹤U0,比较器输出为高电平,寄存器MSB的次高位输出变为0(3)其他位依次类推,完成N位的逐次比较、输出。

1.仪器放大器的特点仪器放大器是具有高增益、高增益精度、高共模抑制比、高输入电阻、低噪声、高线性度的集成放大器;主要应用于小信号放大。

2.简述开关电源的主要优点开关电源取消了工频变压器,主要优点:效率高、高密度、高可靠性、体积小、重量轻、用铜用铁大大减小。

3.试说明TTL电路和CMOS电路的一般特性。

对比说明TTL电路和CMOS电路1)电源电压范围2)频率特性3)电压输入输出特性4)输出驱动电流5)扇出能力6)输入阻抗7)功耗等5. TTL和COMS电路比较:1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。

2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。

COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。

COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。

3)COMS电路的锁定效应:COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。

这种效应就是锁定效应。

当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。

(完整版)集成电路设计复习题及解答

(完整版)集成电路设计复习题及解答

集成电路设计复习题绪论1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。

2.集成电路分类情况如何?集成电路设计1.层次化、结构化设计概念,集成电路设计域和设计层次2.什么是集成电路设计?集成电路设计流程。

(三个设计步骤:系统功能设计逻辑和电路设计版图设计)3.模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程4.版图验证和检查包括哪些内容?如何实现?5.版图设计规则的概念,主要内容以及表示方法。

为什么需要指定版图设计规则?6.集成电路设计方法分类?(全定制、半定制、PLD)7.标准单元/门阵列的概念,优点/缺点,设计流程8.PLD设计方法的特点,FPGA/CPLD的概念9.试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。

10.标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些?分别在IC设计的什么阶段应用?11.集成电路的可测性设计是指什么?Soc设计复习题1.什么是SoC?2.SoC设计的发展趋势及面临的挑战?3.SoC设计的特点?4.SoC设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么?5.什么是软硬件协同设计?6.常用的可测性设计方法有哪些?7. IP的基本概念和IP分类8.什么是可综合RTL代码?9.么是同步电路,什么是异步电路,各有什么特点?10.逻辑综合的概念。

11.什么是触发器的建立时间(Setup Time),试画图进行说明。

12.什么是触发器的保持时间(Hold Time),试画图进行说明。

13. 什么是验证,什么是测试,两者有何区别?14.试画图简要说明扫描测试原理。

绪论1、 画出集成电路设计与制造的主要流程框架。

2、集成电路分类情况如何?集成电路设计1. 层次化、结构化设计概念,集成电路设计域和设计层次分层分级设计和模块化设计.将一个复杂的集成电路系统的设计问题分解为复杂性较低的设计级别,⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎩⎪⎨⎧按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路B iCMOS B iMOS 型B iMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS双极型单片集成电路按结构分类集成电路这个级别可以再分解到复杂性更低的设计级别;这样的分解一直继续到使最终的设计级别的复杂性足够低,也就是说,能相当容易地由这一级设计出的单元逐级组织起复杂的系统。

专升本《集成电路版图设计》_试卷_答案

专升本《集成电路版图设计》_试卷_答案

专升本《集成电路版图设计》一、(共75题,共150分)1. 单词“LAYOUT”的含义是:()。

(2分)A.版图B.电路C.输出.标准答案:A2. 集成电阻通常由扩散或者淀积层形成,通常可以用厚度一定的薄膜作为模型,因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位,称为()。

(2分)A.方块电阻B.电阻C.半导体电阻.标准答案:A3. 由于其较小的方块电阻,发射区是唯一适合于制作较小电阻(0.5~100)的区域。

对于发射区电阻可以忽略()和电导调制效应。

(2分)A.电流调制B.电压调制C.电荷调制.标准答案:B4. 在模拟BiCMOS工艺中,发射区电阻可以直接置入()外延层内;(2分)A.P型B.N型C.P型或N型.标准答案:A5. 电容的标准单位是()。

(2分)A.法拉B.伏特C.安培.标准答案:A6. CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容,()可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极。

(2分)A.电阻多晶硅B.电容多晶硅C.多晶硅栅.标准答案:C7. 单位面积电容与相对介电常数即电介质常数成()。

(2分)A.反比B.正比C.无关.标准答案:B8. 流过导体的电流会在导体周围产生()。

(2分)A.电场B.磁场C.电磁场.标准答案:B9. 发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的()工作电压。

重要的三种击穿电压为VEBO,VCBO,VCEO等。

(2分)A.最大 B.最小 C.任意.标准答案:A10. 发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO,绝大多数晶体管的集电区和基区都是()的,所以VCBO通常很大。

(2分)A.重掺杂B.不掺杂C.轻掺杂.标准答案:C11. 二极管连接形式的晶体管可以作为一个很方便的基准()源。

(2分)A.电压B.电流C.电压或电流.标准答案:A12. 使用P型外延层,必须加入深的轻掺杂()型扩散区用于制作PMOS晶体管。

(2分)A.NB.PC.N或P.标准答案:A13. MOS晶体管是一种()控制器件。

集成电路设计基础作业题解答~

集成电路设计基础作业题解答~

第五次作业4.14、改正图题4.14所示TTL 电路的错误。

如下图所示:解答:(a)、B A B A Y ••=•=0,A,B与非输出接基极,Q 的发射极接地。

从逻辑上把Q 管看作单管严禁门便可得到B A Y •=。

逻辑没有错误!若按照题干中所示接法,当TTL 与非门输出高电平时,晶体管Q 的发射结要承受高压,必然产生巨大的电流。

为了不出现这种情况,可以在基极加一电阻或者在发射极加一二极管。

但发射极加二极管后会抬高输出的低电平电压。

所以只能在基极加一大电阻,实现分压作用。

此外一种方法是采用题4.15(a )图中的A 输入单元结构。

(b)、要实现由,我们可以使用线与+得到和B A B A 。

但题干中的线与功能不合理。

若其中一个为高电平且此外一个为低电平时,高电平输出降会往低电平输出灌电流,从而容易引起逻辑电平混乱。

为了消除这一效应,可以在各自的输出加一个二极管。

(c)、电阻不应当接地,应当接高电平 (d)、电阻不应当接VCC ,而应当接低电平4.15、试分析图题4.15(a ),(b)所示电路的逻辑功能。

解答:图(a )中,单元1实现了A 的电平输入,B 是A 的对称单元。

功能单元2实现了A 和B 输入的或逻辑功能单元4充当了Q8管的泄放网络,同时抬高了Q3,Q4管的输入逻辑电平,此外该单元还将或的结果传递给了Q8管 功能单元3中的Q8管实现了非逻辑,Q6和Q7复合管加强了输出级的驱动能力。

综上所述,4.15(a )电路实现功能为B A Y +=,即或非的功能图(b)中,Q1,Q2管仍然实现传递输入的功能,Q3,Q4管实现或非的功能 Q6管和Q5管以及R5,R7共同组成的泄放网络实现了电压的传递Q9管实现了非功能,Q7,Q8管仍然是用来驱动负载的。

Q9管和Q7,Q8轮流导通综上所述,4.15(b )实现的功能为B A B A Y +=+=第六次作业:5.1已知一ECL 电路如图题5.1所示,其Vcc=0V ,V EE =-4.5V ,V BEF =0.8V ,V BB =-1.2V ,逻辑摆幅V L =0.8V 且对称于参考电压,各管的I E,MAX =5mA ,并假设输入和输出的逻辑电平V i ,V o 互相匹配,且忽略基极电流的影响。

集成电路设计基础作业解答(8~12)

集成电路设计基础作业解答(8~12)

集成电路设计基础作业解答(8~12)1、求N +硅NMOS 晶体管的阈值电压和体因⼦K 。

设t OX =0.1um , N A =3×1018/cm 3。

多晶硅栅掺杂浓度N D =1020/cm 3。

氧化层和硅界⾯处单位⾯积的正离⼦电荷为1010cm -3 解答:(1)P 型衬底体因⼦OXA S C N q K ε2=,其中C q cm F cm N S A 1914318106.1/10854.89.11/103--?=??=?=,,εmT C OXOXOX µεε1.09.30==。

计算可得V K 13.29=(2)V T 有三部分组成:a 、平带电压V FB ;由两部分组成OXOXbulk poly FB C Q V -=-φ。

其中bulk poly -φ为栅多晶硅和体硅的功函数差;)ln(DA bulk poly N N q kT⽶势=多晶硅费⽶势-硅体费=-φ Q ox 为界⾯电荷;b 、降落在栅氧上的电压OXA OX n A OX C QC Q Q V ≈+=;其中F S A S S A F A qN qN Q φεφεφ42)2(≈=c 、半导体表⾯势)ln(2iA F F F n N q kT=是衬底费⽶势,其中φφφ。

所以得到F OXA OX OX bulk poly F OX FB thC QC Q V V V φφφ22+--=++=- 带⼊相应数值得到当没有衬底偏置效应时(V SB =0)阈值电压为V th =28.9V 阈值电压的通式为:)22(),(00F SB F th th SB th V K V V V V φφ-++=评注:这个的数字很不正常,⼀般电路中MOS 器件的阈值电压只有0.7~0.8V 左右。

体效应系数只有0.3左右。

产⽣这些偏差的原因是衬底浓度太⾼(3e1018)。

⼀般的衬底浓度只有1015~1016量级7.1 已知⼀⾃举反相器如图题7.1所⽰,其负载管的W/L =2,设其他参数委V T =0.7,V DD =5V ,k ’=1×10-5A/V 2, 忽略衬底偏置效应。

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集成电路设计复习题绪论1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。

2.集成电路分类情况如何?集成电路设计1.层次化、结构化设计概念,集成电路设计域和设计层次2.什么是集成电路设计?集成电路设计流程。

(三个设计步骤:系统功能设计逻辑和电路设计版图设计)3.模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程4.版图验证和检查包括哪些内容?如何实现?5.版图设计规则的概念,主要内容以及表示方法。

为什么需要指定版图设计规则?6.集成电路设计方法分类? (全定制、半定制、PLD)7.标准单元/ 门阵列的概念,优点/缺点,设计流程8.PLD设计方法的特点,FPGA/CPLD的概念9.试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。

10.标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些?分别在IC设计的什么阶段应用?11.集成电路的可测性设计是指什么?Soc设计复习题1. 什么是SoC?2. SoC设计的发展趋势及面临的挑战?3. SoC设计的特点?4. SoC设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么?5. 什么是软硬件协同设计?6. 常用的可测性设计方法有哪些?7. IP 的基本概念和IP分类8. 什么是可综合RTL代码?9. 么是同步电路,什么是异步电路,各有什么特点?10. 逻辑综合的概念。

11. 什么是触发器的建立时间( Setup Time ),试画图进行说明。

12. 什么是触发器的保持时间( Hold Time ),试画图进行说明。

13. 什么是验证,什么是测试,两者有何区别?14. 试画图简要说明扫描测试原理。

绪论1、画出集成电路设计与制造的主要流程框架。

2、集成电路分类情况如何?双极型数字模拟混合电路按应用领域分类集成电路设计1.层次化、结构化设计概念,集成电路设计域和设计层次分层分级设计和模块化设计.将一个复杂的集成电路系统的设计问题分解为复杂性较低的设计级别,集成电路MSI按规模分LSI 类VLSIULSIGSI数字电按功能分类模拟电路组合逻辑电路路时序逻辑电路路线性电路路非线性电路单片集成按结构分类混合集成SSIPMOS电M路OS 型NMOSCMOSB iMOSB iMOS 型B iCMOS电厚路膜混合集成电路薄路膜混合集成电路这个级别可以再分解到复杂性更低的设计级别;这样的分解一直继续到使最终的设计级别的复杂性足够低,也就是说,能相当容易地由这一级设计出的单元逐级组织起复杂的系统。

从层次和域表示分层分级设计思想域:行为域:集成电路的功能结构域:集成电路的逻辑和电路组成物理域:集成电路掩膜版的几何特性和物理特性的具体实现层次:系统级、算法级、寄存器传输级(也称RTL级)、逻辑级与电路级2.什么是集成电路设计?集成电路设计流程,根据电路功能和性能的要求,在正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下,尽量减小芯片面积,降低设计成本,缩短设计周期,以保证全局优化,设计出满足要求的集成电路。

三个设计步骤:系统功能设计,逻辑和电路设计,版图设计3.模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程A.数字电路:RTL级描述逻辑综合(Synopsys,Ambit)逻辑网表电路实现(包括满足电路性能要求调用单元库完成;没有单元库支持:对各单元进行电路设计,通过电路模拟与分析,预测电路的直流、交流、瞬态等特性,之后再根据模拟结果反复修改器件参数,直到获得满意的结果。

由此可形成用户自己的单元库;单元库:一组单元电路的集合;经过优化设计、并通过设计规则检查和反复工艺验证,能正确反映所需的逻辑和电路功能以及性能,适合于工艺制备,可达到最大的成品率。

逻辑模拟与验证,时序分析和优化难以综合的:人工设计后进行原理图输入,再进行逻辑模拟电路结构和元件参数):单元库由厂家(Foundary)提供,也可由用户自行建立B. 模拟电路:尚无良好的综合软件RTL级仿真通过后,根据设计经验进行电路设计原理图输入电路模拟与验证模拟单元库逻辑和电路设计的输出:网表(元件及其连接关系)或逻辑图、电路图。

软件支持:原理图软件、逻辑综合、逻辑模拟、电路模拟、时序分析等软件(EDA 软件系统中已集成)。

4.集成电路设计方法分类全定制、半定制、PLD5.标准单元/门阵列的概念,优点/ 缺点,设计流程门阵列:(设计流程)概念:形状和尺寸完全相同的单元排列成阵列,每个单元内部含有若干器件,单元之间留有布线通道,通道宽度和位置固定,并预先完成接触孔和连线以外的芯片加工步骤,形成母片根据不同的应用,设计出不同的接触孔版和金属连线版,单元内部连线及单元间连线实现所需电路功能采用母片半定制技术门阵列方法的设计特点:设计周期短,设计成本低,适合设计适当规模、中等性能、要求设计时间短、数量相对较少的电路不足:设计灵活性较低;门利用率低;芯片面积浪费;速度较低;功耗较大。

标准单元:(设计流程)一种库单元设计方法,属基于单元的布图方法需要全套掩膜版:定制方法概念:从标准单元库中调用事先经过精心设计的逻辑单元,并排列成行,行间留有可调整的布线通道,再按功能要求将各内部单元以及输入/输出单元连接起来,形成所需的专用电路芯片布局:芯片中心是单元区,输入/ 输出单元和压焊块在芯片四周,基本单元具有等高不等宽的结构,布线通道区没有宽度的限制, 利于实现优化布线。

SC 方法特点:需要全套掩膜版,属于定制设计方法 门阵列方法:合适的母片,固定的单元数、压焊块数和通道间距 标准单元方法:可变的单元数、压焊块数、通道间距,布局布线的自由度增大较高的芯片利用率和连线布通率依赖于标准单元库, SC 库建立需较长的周期和较高的成本,尤 其工艺更新时 适用于中批量或者小批量但是性能要求较高的芯片设计6. PLD 设计方法的特点, FPGA/CPLD 的概念 概念:用户通过生产商提供的通用器件自行进行现场编程和制造, 或者通 过对与或矩阵进行掩膜编程,得到所需的专用集成电路编程方式:现场编程:采用熔断丝、电写入等方法对已制备好的 PLD 器件实现编程, 不需要微电子工艺,利用相应的开发工具就可完成设计,有些 PLD 可多次擦 除,易于系统和电路设计。

掩膜编程:通过设计掩膜版图来实现所需的电路功能, 但由于可编程逻辑 器件的规则结构,设计及验证比较容易实现。

PLD 和 FPGA 设计方法的特点现场编程:功能、逻辑设计 网表 编程文件PLD 器件 硬件编程器 编程软件掩膜编程: PLA 版图自动生成系统,可以从网表直接得到掩膜版图 设计周期短,设计效率高,有些可多次擦除,适合新产品开发 FPGA 与 CPLD 的区别: 1、 CPLD 内部结构 Product -term 程序存储 内部 EEPROM SRAM , 资源类型 组合电路资源丰富 集成度 低 使用场合 完成控制逻辑 速度 慢 其他资源 - 保密性 可加密2、 FPGA 采用 SRAM 进行功能配置,可重复编程,但系统掉电后, SRAM 中的数据丢失。

因此,需在 FPGA 外加 EPROM ,将配置数据写入其中,系统 每次上电自动将数据引入 SRAM 中。

CPLD 器件一般采用 EEPROM 存储技术,可重复编程,并且系统掉电后, EEPROM 中的数据不会丢失,适于数据的保密。

3、FPGA 器件含有丰富的触发器资源, 易于实现时序逻辑, 如果要求实现 较复杂的组合电路则需要几个 CLB 结合起来实现。

CPLD 的与或阵列结构,使其适于实现大规模的组合功能,但触发器资源 相对较少。

FPGA Look -up Table 外挂 EEPROM 触发器资源丰富 高 能完成比较复杂的算法 快 EAB ,锁相环 一般不能保密4、FPGA为细粒度结构,CPLD为粗粒度结构。

FPGA内部有丰富连线资源,CLB分块较小,芯片的利用率较高。

CPLD的宏单元的与或阵列较大,通常不能完全被应用,且宏单元之间主要通过高速数据通道连接,其容量有限,限制了器件的灵活布线,因此CPLD 利用率较FPGA器件低。

5、FPGA为非连续式布线,CPLD为连续式布线。

FPGA器件在每次编程时实现的逻辑功能一样,但走的路线不同,因此延时不易控制,要求开发软件允许工程师对关键的路线给予限制。

CPLD每次布线路径一样,CPLD的连续式互连结构利用具有同样长度的一些金属线实现逻辑单元之间的互连。

连续式互连结构消除了分段式互连结构在定时上的差异,并在逻辑单元之间提供快速且具有固定延时的通路。

CPLD的延时较小。

7.试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。

门阵列设计方法:半定制标准单元设计方法:定制8.标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些?分别在IC 设计的什么阶段应用?标准单元库:标准单元库中的单元是用人工优化设计的,力求达到最小的面积和最好的性能,完成设计规则检查和电学验证描述电路单元在不同层级的属性的一组数据逻辑符号(L):单元名称与符号、I/O 端:用于逻功能描述电路结构、电学指标拓扑版图(O):拓扑单元名、单元宽度高度、I/O 掩膜版图(A)不同设计阶段调用不同描述9.集成电路的可测性设计是指什么?可测性设计是在尽可能少地增加附加引线脚和附加电路,并使芯片性能损失最小的情况下,满足电路可控制性和可观察性的要求可控制:从输入端将芯片内部逻辑电路置于指定状态可观察:直接或间接地从外部观察内部电路的状态SOC设计复习题1. 什么是SoC?包括一个或多个计算“引擎” (微处理器/微控制器/数字信号处理器)、至少十万门的逻辑和相当数量的存储器。

2.SoC设计的发展趋势及面临的挑战?3.SoC 设计的特点?一个完整的SoC设计包括系统结构设计(也称为架构设计),软件结构设计和ASIC设计(硬件设计)。

(不太确定)4.SoC 设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么?A.SoC设计更需要了解整个系统的应用,定义出合理的芯片架构,使得软硬件配合达到系统最佳工作状态。

因而,软硬件协同设计被越来越多地采用。

B.SoC设计是以IP 复用或更大的平台复用为基础的。

因而,基于IP 复用的设计是硬件实现的特点。

5. 什么是软硬件协同设计?软硬件协同设计指的是软硬件的设计同步进行,在系统的初始阶段,两者就紧密相连。

(下面这种描述方法是从百度上来的)软硬件协同设计是指对系统中的软硬件部分使用统的描述和工具进行集成开发,可完成全系统的设计验证并跨越软硬件界面进行系统优化。

6. 常用的可测性设计方法有哪些?内部扫描测试设计,自动测试矢量生成,存储器内建自测试,边界扫描测试7.IP 的基本概念和IP 分类IP是知识产权的意思,指一种事先定义,经验证可以重复使用的,能完成某些功能的组块,在集成电路行业里,IP通常是指硅知识产权(Silicon Intellectual Property ),即IP 核。

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