达林顿管说明
达林顿管原理
达林顿管编辑本段简介达林顿管就是两个三极管接在一起，极性只认前面的三极管。
具体接法如下，以两个相同极性的三极管为例，前面三极管集电极跟后面三极管集电极相接，前面三极管发射极跟后面三极管基极相接，前面三极管功率一般比后面三极管小，前面三极管基极为达林顿管基极，后面三极管发射极为达林顿管发射极，用法跟三极管一样，放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。
编辑本段原理达林顿管原理达林顿管又称复合管。
为共基组合放大器，以组成一只等效的新的三极管。
这等效于三极管的放大倍数是二者之积。
在电子学电路设计中，达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。
编辑本段作用达林顿管是一重复合三极管，他将两个三极管串联，第一个管子的发射极接第2个管子的基极，所以达林顿管的放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。
所以它的特点是放大倍数非常高，达林顿管的作用一般是在高灵敏的放大电路中放大非常微小的信号。
如大功率开关电路[1]。
编辑本段相关达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP，PNP+NPN前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。
NPN+NPN的同极性接法：B1为B，C1C2为C，E1B2接在一起，那么E2为E。
这里也说一下异极性接法。
以NPN+PNP 为例。
设前一三极管T1的三极为C1B1E1，后一三极管T2的三极为C2B2E2。
达林顿管的接法应为：C1B2应接一起，E1C2应接一起。
等效三极管CBE的管脚，C=E2,B=B1，E=E1(即C2）。
等效三极管极性，与前一三极管相同。
即为NPN型。
PNP+NPN的接法与此类同。
NPN PNP同极型达林顿三极管NPN PNP 等效一只三极管异极型达林顿三极管达林顿管的典型应用1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。
2、驱动小型继电器利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。
虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。
3、驱动LED智能显示屏LED智能显示屏是由微型计算机控制，以LED矩阵板作显示的系统，可用来显示各种文字及图案。
达林顿三极管
技术说明
“达林顿”是指两个三极管在一起的组合方式，这种组合方式有4种，NPN管和NPN管、PNP管和PNP管、NPN管 和PNP管、PNP管和NPN管。两只管子组合后的电流放大倍数等于两只管子的电流放大倍数的乘积。比如说两只管 子的放大倍数都是100，那么组合后就是100×100=。达林顿管不仅能做开关使用，也能做放大用 。
优点
达林顿就是两个三极管按照电流流向复合的接在一起，它比普通的三极管的好处就是放大倍数高，具体放大 倍数等于两个三极管的放大倍数乘积。在功率放大器和做稳压电源时，常常用到达林顿。
缺点
达林顿开关三极管的缺点就是输出压降较一般开关三极管多了一个级数，它是两个三极管输出压降的相加值。 由于第一级三极管功率较小，一般输出压降较大，所以造成了达林顿开关三极管是一般开关三级管输出压降3倍左 右。使用时要特别注意是否产生高温；另外高放大倍数带来的不良作用就是容易受干扰，在设计线路时也要注意 相关的保护措施。
达林顿三极管
一种三极管接法的名称
01 简介
03 技术说明 05 缺点
目录
02 达林顿的特性 04 优点 06 应用
达林顿只是一种三极管接法的名称，有成品达林顿管，也有由两只独立的三极管组成一只达林顿管，两级放 大器元件同为NPN型晶体管，将前级晶体管的射极电流直接引入下一级的基极，当作下级的输入。因为使用相同 类型的晶体管，所以称为「同极型达林顿」连接。而使用NPN与PNP晶体管相互串接达成达林顿的特性，则称为 「异极型达林顿」。
简介
达林顿三极管是两颗三极管串接组合的。电流放大倍数是两个三级管各别放大倍数的相乘，这个数字往往可 以过万。很明显，较之一般开关三极管，达林顿开关三极管的驱动电流甚小，在驱动讯号微弱的地方是较好的选 择。
达林顿晶体管
达林顿晶体管DT（Dar1ington Transistor）亦称复合晶体管。
它采用复合过接方式，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次级连而成，最后引出E、B、C三个电极。
图1是由两只NPN或PNP型晶体管构成达林顿管的基本电路。
假定达林顿管由N 只晶体管（TI-Tn）组成，每只晶体管的放大系数分别这hFE1、hFE2、hFEn。
则总放大系数约等于各管放大系数的乘积：hFE≈hFE1·hFE2……hFEn因此，达林顿管具有很高的放大系数，值可以达到几千倍，甚至几十万倍。
利用它不仅能构成高增益放大器，还能提高驱动能力，获得大电流输出，构成达林顿功率开关管。
在光电耦合器中，也有用达林顿管作为接收管的。
达林顿管产品大致分成两类，一类是普通型，内部无保护电路，另一类则带有保护电路。
下面分别介绍使用万用表检测这两类达林顿管的方法。
1．普通达林顿管的检测方法普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成，其基极B 与发射极E之间包含多个发射结。
检测时可使用万用表的R×1k或R×10k档来测量。
测量达林顿管各电极之间的正、反向电阻值。
正常时，集电极C与基极B之间的正向电阻值（测NPN管时，黑表笔接基极B；测PNP管时，黑表笔接集电极C）值与普通硅晶体管集电结的正向电阻值相近，为3~10kΩ之间，反向电阻值为无穷大。
而发射极E与基极B之间的的正向电阻值（测NPN管时，黑表笔接基极B；测PNP管时，黑表笔接发射极E）是集电极C与基极B之间的正、反向电阻值的2~3倍，反向电阻值为无穷大。
集电极C与发射极E之间的正、反向电阻值均应接近无穷大。
若测得达林顿管的C、E极间的正、反向电阻值或BE极、BC极之间的正、反向电阻值均接近0，则说明该管已击穿损坏。
若测得达林顿管的BE极或BC 极之间的、反向电阻值为无穷大，则说明该管已开路损坏。
达林顿管,达林顿管原理
=E1(即C2）。等效三极管极性，与前一三极管相同。即为 NPN型。 PNP+NPN的接法与此类同。 NPN PNP 同极
型达林顿三极管 NPN PNP 等效一只三极管 异极 型达林顿三极管 达林顿管的应用 1、用于大功率 开关电路、电机调速、逆
变电路。 2、驱动小型继电器 利用CMOS电路经 过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。 虚线框内是小功率NPN达林顿管
林顿管由于内部由多只管子及电阻组成，用万用表测试 时，be结的正反向阻值与普通三极管不同。对于高速达 林顿管，有些管子的前级be结还反并
联一只输入二极管，这时测出be结正反向电阻阻值很接 近；容易误判断为坏管，这个请注意 4、判断达林顿 管等效为何种类型的三极管： 首
先看看第一只管是什么类型的，第一只管是什么类型的， 那么这只达林顿管就是什么类型的，与第二只无关！更 加重要的是 要看看这两只管构成的达
林顿管能不能正常工作，如果工作电流冲突，则直接否 定这只管！！继任先生曾经教过我们很简单的判断 但是 到了快考试的时候，我竟然忘记了，悲
哀！希望谁可以补全这个判断方法！达林顿模块电路典 型结构实际比较常用的是达林顿模块，它把GTR、续流二 极管、辅助电路做到一个模块内。在
较早期的功率电子设备中，比较多地使用了这种器件。 图1-2是这种器件的内部典型结构。两个二极管左侧是加 速二极管，右侧为续流二极管。加速
二极管的原理是引进了电流串联正反馈，达到加速的目 的。这种器件的制造水平是1800V/800A/2KHz、 600V/3A/100KHz
左右（参考）。
1
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FN020。 3、驱动LED智能显示屏 LED智能显示屏 是由微型计算机控制，以LED矩阵板作显示的系统，可用 来显示各种文字及图案
达林顿管
达林顿管达林顿管就是两个三极管接在一起，极性只认前面的三极管。
具体接法如下，以两个相同极性的三极管为例，前面为三极管集电极跟后面三极管集电极相接，前面为三极管射极跟后面三极管基极相接，前面三极管功率一般比后面三极管小，前面三极管基极为达林顿管基极，后面三极管射极为达林顿管射极，用法跟三极管一样，放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。
达林顿管原理达林顿管又称复合管。
它将二只三极管适当的连接在一起，以组成一只等效的新的三极管。
这等于效三极管的放大倍数是二者之积。
在电子学电路设计中，达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。
达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP,PNP+NPN.前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。
NPN+NPN的同极性接法：B1为B，C1C2为C，E1B2接在一起，那么E2为E。
这里也说一下异极性接法。
以NPN+PNP 为例。
设前一三极管T1的三极为C1B1E1，后一三极管T2的三极为C2B2E2。
达林顿管的接法应为：C1B2应接一起，E1C2应接一起。
等效三极管CBE的管脚，C=E2,B=B1，E=E1(即C2）。
等效三极管极性，与前一三极管相同。
即为NPN型。
PNP+NPN的接法与此类同。
达林顿管的典型应用1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。
2、驱动小型继电器利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。
虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。
3、驱动LED智能显示屏LED智能显示屏是由微型计算机控制，以LED矩阵板作显示的系统，可用来显示各种文字及图案。
该系统中的行驱动器和列驱动器均可采用高β、高速低压降的达林顿管。
图2是用BD683(或BD677)型中功率NPN达林顿管作为列驱动器，而用BD682(或BD678)型PNP达林顿管作行驱动器，控制8×8LED矩阵板上相应的行(或列)的像素发光。
应注意的是，达林顿管由于内部由多只管子及电阻组成，用万用表测试时，be结的正反向阻值与普通三极管不同。
达林顿管
简介达林顿管就是两个三极管接在一起，极性只认前面的三极管。
具体接法如下，以两个相同极性的三极管为例，前面三极管集电极跟后面三极管集电极相接，前面三极管射极跟后面三极管基极相接，前面三极管功率一般比后面三极管小，前面三极管基极为达林顿管基极，后面三极管射极为达林顿管射极，用法跟三极管一样，放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。
编辑本段原理达林顿管原理达林顿管又称复合管。
为共基组合放大器，以组成一只等效的新的三极管。
这等效于三极管的放大倍数是二者之积。
在电子学电路设计中，达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。
编辑本段相关达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP,PNP+NPN.前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。
NPN+NPN的同极性接法：B1为B，C1C2为C，E1B2接在一起，那么E2为E。
这里也说一下异极性接法。
以NPN+PNP为例。
设前一三极管T1的三极为C1B1E1，后一三极管T2的三极为C2B2E2。
达林顿管的接法应为：C1B2应接一起，E1C2应接一起。
等效三极管CBE的管脚，C=E2,B=B1，E=E1(即C2）。
等效三极管极性，与前一三极管相同。
即为NPN型。
PNP+NPN的接法与此类同。
NPN PNP同极型达林顿三极管NPN PNP 等效一只三极管异极型达林顿三极管达林顿管的典型应用1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。
2、驱动小型继电器利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。
虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。
3、驱动LED智能显示屏LED智能显示屏是由微型计算机控制，以LED矩阵板作显示的系统，可用来显示各种文字及图案。
该系统中的行驱动器和列驱动器均可采用高β、高速低压降的达林顿管。
图2是用BD683(或BD677)型中功率NPN达林顿管作为列驱动器，而用BD682(或BD678)型PNP达林顿管作行驱动器，控制8×8LED矩阵板上相应的行(或列)的像素发光。
NPN小信号达林顿晶体管说明书
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010 September, 2010 − Rev. 61Publication Order Number:BSP52T1/DBSP52T1G, BSP52T3GNPN Small-SignalDarlington TransistorThis NPN small signal Darlington transistor is designed for use in switching applications, such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications.Features•The SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die•Available in 12 mm Tape and ReelUse BSP52T1 to Order the 7 Inch/1000 Unit Reel•PNP Complement is BSP62T1•These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS CompliantMAXIMUM RATINGS (T C = 25°C unless otherwise noted)Rating Symbol Max Unit Collector-Emitter Voltage V CES80Vdc Collector-Base Voltage V CBO90Vdc Emitter-Base Voltage V EBO 5.0Vdc Collector Current I C 1.0AdcTotal Power Dissipation (Note 1) @ T A = 25°CDerate above 25°C P D0.86.4WmW/°CTotal Power Dissipation (Note 2) @ T A = 25°CDerate above 25°C P D1.2510WmW/°COperating and StorageTemperature RangeT J, T stg−65 to 150°C THERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Value Unit Thermal Resistance (Note 1)Junction-to-AmbientR q JA156°C/WThermal Resistance (Note 2) Junction-to-Ambient R qJA100°C/WMaximum Temperature for SolderingPurposesTime in Solder Bath T L26010°CSecStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.1.Device mounted on a FR-4 glass epoxy printed circuit board using minimumrecommended footprint.2.Device mounted on a FR-4 glass epoxy printed circuit board using 1 cm2 pad.Device Package Shipping†ORDERING INFORMATIONMARKING DIAGRAMSOT−223CASE 318ESTYLE 11AYWAS3GGA= Assembly LocationY= YearW= Work WeekAS3= Specific Device CodeG= Pb−Free Package(Note: Microdot may be in either location)MEDIUM POWERNPN SILICONSURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTORBSP52T1G SOT−223(Pb−Free)1000/Tape & Reel†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our T ape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.BSP52T3G SOT−223(Pb−Free)4000/Tape & ReelELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)Characteristics Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICSCollector-Base Breakdown Voltage (I C = 100 m Adc, I E = 0)V(BR)CBO90−VdcEmitter-Base Breakdown Voltage (I E = 10 m Adc, I C = 0)V(BR)EBO5.0−VdcCollector-Emitter Cutoff Current (V CE = 80 Vdc, V BE = 0)I CES−10m AdcEmitter-Base Cutoff Current (V EB = 4.0 Vdc, I C = 0)I EBO−10m AdcON CHARACTERISTICS (Note 3)DC Current Gain(I C = 150 mAdc, V CE = 10 Vdc) (I C = 500 mAdc, V CE = 10 Vdc)h FE10002000−−−Collector-Emitter Saturation Voltage (I C = 500 mAdc, I B = 0.5 mAdc)V CE(sat)− 1.3VdcBase-Emitter Saturation Voltage (I C = 500 mAdc, I B = 0.5 mAdc)V BE(sat)− 1.9Vdc3.Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2.0%2PACKAGE DIMENSIONSSOT −223 (TO −261)CASE 318E −04ISSUE NSTYLE 1:PIN 1.BASE2.COLLECTOR3.EMITTER4.COLLECTORNOTES: 1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M,1994. 2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.SOLDERING FOOTPRINT*DIM A MIN NOM MAX MIN MILLIMETERS 1.50 1.63 1.750.060INCHESA10.020.060.100.001b 0.600.750.890.024b1 2.90 3.06 3.200.115c 0.240.290.350.009D 6.30 6.50 6.700.249E 3.30 3.50 3.700.130e 2.20 2.30 2.400.0870.850.94 1.050.0330.0640.0680.0020.0040.0300.0350.1210.1260.0120.0140.2560.2630.1380.1450.0910.0940.0370.041NOM MAX L1 1.50 1.75 2.000.0606.707.007.300.2640.0690.0780.2760.287H E −−e10°10°0°10°q L 0.20−−−−−−0.008−−−−−−*For additional information on our Pb −Free strategy and solderingdetails, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). 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达林顿管简单的解释资料
达林顿管简单的解释资料达林顿管（Darlington tube）是一种双三极管连接的特殊放大器电路，由美国物理学家和电子工程师 Sidney Darlington 提出并命名。
它在电子设备中被广泛应用，特别是在低频和中频的放大器电路中。
达林顿管的原理是将两个三极管通过共享负载电阻连接在一起。
其中，第一个三极管的输出作为第二个三极管的输入。
这样，达林顿管相当于两个三极管级联在一起，第一个三极管起放大器的作用，而第二个三极管则起电流放大的作用。
达林顿管的电路结构相对简单，由于两个三极管的连接方式的优越性，可以实现电流放大倍数的大幅提升。
此外，达林顿管的输入电阻也相对较低，使其能够更好地适应各种信号源。
因此，达林顿管在实际应用中具有广泛的优势。
达林顿管的工作原理可以通过以下步骤来解释：当输入信号加入到第一个三极管的基极时，它将放大并传递给第二个三极管。
当第一个三极管工作时，它会改变第二个三极管的输入电流，从而控制第二个三极管的放大度。
由于两个三极管级联，所以整体放大倍数更高。
此外，达林顿管还可以实现更高的工作频率范围和更好的线性度。
在实际应用中，达林顿管被广泛用于放大器和开关电路中，特别是在需要较高输出电流的电路中。
例如，在声音放大器中，达林顿管可以提供强大的功率放大能力，使得输出音量更大。
此外，达林顿管还可以用于直流电机的驱动电路，提供更高的输出电流。
尽管达林顿管有许多优点，但也存在一些限制。
其中之一是由于两个三极管级联，所以达林顿管的输出电压会比输入电压稍低；另一个是由于输入电压需要通过两个三极管级联，达林顿管的响应时间较长。
总的来说，达林顿管是一种常用的放大器电路，在电子设备中具有广泛的应用。
它通过级联两个三极管实现了更高的放大倍数和更大的输出电流能力。
尽管存在一些限制，但在适当的应用场景下，达林顿管可以提供可靠且高效的性能。
达林顿管达林顿管原理
达林顿管达林顿管原理达林顿管是一种由两个PNP型晶体管构成的双极型晶体管，它的工作原理是通过两个级联的PNP型晶体管放大器实现高电流放大。
达林顿管的结构由两个PNP型晶体管共同组成，其中第一个晶体管的发射极连接到第二个晶体管的基极，第一个晶体管的集电极连接到第二个晶体管的发射极，第二个晶体管的集电极作为输出端。
两个晶体管的基极是输入端，而第一个晶体管的发射极和第二个晶体管的集电极连接的端口是输出端。
达林顿管的工作原理如下：当输入信号施加在第一个晶体管的基极时，该晶体管开始导通，这样会使得第二个晶体管的基极电压降低，使得第二个晶体管也开始导通。
由于第一个晶体管的发射极与第二个晶体管的基极相连，所以第二个晶体管的基极电压降低会导致第一个晶体管的导通电流增大，从而增大整个达林顿管的放大倍数。
另外，由于第二个晶体管的输出电流经过第一个晶体管，所以达林顿管的输出电流也会相对较大。
达林顿管的优点是输出电流放大倍数高，达到了普通单晶体管放大倍数的平方。
此外，它还具有高输入电阻和低输出电阻的特性。
由于输出电流大，所以达林顿管适用于需要较大输出电流的场合，如功率放大、电机控制等。
然而，达林顿管也存在一些缺点。
首先，达林顿管的输出电压会有所下降，因为在第二个晶体管导通时，它的发射-基极电压会有一定的损失。
其次，达林顿管的频率响应较差，因为两个级联的PNP型晶体管都有一定的极限频率，所以整个达林顿管的频率响应也会受限制。
总结来说，达林顿管是一种由两个PNP型晶体管构成的双极型晶体管，通过级联放大器的方式实现高电流放大。
它具有高输入电阻、低输出电阻和较大的放大倍数的优点，适用于需要较大输出电流的应用。
然而，它的输出电压下降和频率响应受限制是其缺点。
达林顿管芯片结构
达林顿管芯片结构
达林顿管（Darlington Transistor）芯片结构主要由两部分组成：双极性晶体管部分和第一只晶体管的发射极。
双极性晶体管部分由两个或更多个三极管复合而成，通过特殊的连接方式将它们组合在一起。
在达林顿管芯片中，两个或更多个三极管通过集电极连接在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极。
这种连接方式使得达林顿管的放大倍数是单个三极管放大倍数的乘积，从而实现了高放大倍数。
此外，达林顿管芯片内部还有电阻和二极管等元件，以提高热稳定性和耐压能力。
电阻的作用是提供一定的泄放电阻，防止前级晶体管的漏电流被逐级放大，从而提高整体的稳定性。
二极管则是为了防止感性负载断开时反向电动势损坏三极管。
总体来说，达林顿管芯片结构的特点是具有高放大倍数、热稳定性好、耐压能力强等优点，因此在各种大功率开关电路、电机调速、逆变电路、驱动小型继电器、驱动LED智能显示屏等领域得到广泛应用。
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达林顿管就是两个三极管接在一起，极性只认前面的三极管。
具体接法如下，以两个相同极性的三极管为例，前面为三极管集电极跟后面三极管集电极相接，前面为三极管射极跟后面三极管基极相接，前面三极管功率一般比后面三极管小，前面三极管基极为达林顿管基极，后面三极管射极为达林顿管射极，用法跟三极管一样，放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。
达林顿管原理
达林顿管又称复合管。
它将二只三极管适当的连接在一起，以组成一只等效的新的三极管。
这等于效三极管的放大倍数是二者之积。
在电子学电路设计中，达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。
达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP,PNP+N PN.
前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。
NPN+NPN的同极性接法：B1为B，C1C2为C，E1B2接在一起，那么E2为E。
这里也说一下异极性接法。
以NPN+PNP为例。
设前一三极管T1的三极为C1B1E1，后一三极管T2的三极为C2B2E2。
达林顿管的接法应为：C1B2应接一起，E1C2应接一起。
等效三极管CBE的管脚，C= E2,B=B1，E=E1(即C2）。
等效三极管极性，与前一三极管相同。
即
为NPN型。
PNP+NPN的接法与此类同。
NPN PNP
同极型达林顿三极管
NPN PNP等效一只三极管
异极型达林顿三极管
达林顿管的典型应用
1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。
2、驱动小型继电器
利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。
虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。
3、驱动LED智能显示屏
LED智能显示屏是由微型计算机控制，以LED矩阵板作显示的系统，可用来显示各种文字及图案。
该系统中的行驱动器和列驱动器均可采用高β、高速低压降的达林顿管。
图2是用BD683(或BD677)型中功率NPN达林顿管作为列驱动器，而用BD682(或BD67 8)型PNP达林顿管作行驱动器，控制8×8LED矩阵板上相应的行(或列)的像素发光。
应注意的是，达林顿管由于内部由多只管子及电阻组成，用万用表测试时，be结的正反向阻值与普通三极管不同。
对于高速达林顿管，有些管子的前级be结还反并联一只输入二极管，这时测出be结正反向电阻阻值很接近；容易误判断为坏管，这个请注
意
4、判断达林顿管等效为何种类型的三极管：
首先看看第一只管是什么类型的，第一只管是什么类型的，那么这只达林顿管就是什么类型的，与第二只无关！更加重要的是要看看这两只管构成的达林顿管能不能正常工作，如果工作电流冲突，则直接否定这只管！！继任先生曾经教过我们很简单的判断但是到了快考试的时候，我竟然忘记了，悲哀！希望谁可以补全这个判断方法！
它是将两只以上的三极管的集电极连在一起，而把第一只三极管的发射极直接接到第二只三极管的基极，并以此类推而接，最后引出E、B、C三个电极。
图是两只三极管组成的达林顿管。
图:达林顿管基本电路
达林顿管可分为普通达林顿管和带有保护功能的达林顿管(大功率达林顿管)。
带有保护功能的达林顿管的内部结构如图所示。
图:有保护功能的达林顿管
(a)NPN型;(b)PNP型
达林顿管的特点是:放大系数比普通三极管大很多，它的
放大系数为h(FE)=h(FE1)×h(FE1)×…×h(FE1)
达林顿管除具有很高的放大系数外，还具有较高的输入阻抗，以及热稳定性好，开关速度快和简化电路的特点。
它的封装外形如图所示。
中、小功率达林顿管一般采用TO-92塑料封装，大功率管采用T O一O金属封装。
图:达林顿管外形
常用的达林顿管有:BD677、BD678、BDX62A、BDX63A、MJlO016、MJl1032、MJl1033、3DD5OL、3DD75L、3DDlOOL、3DD2OOL、3DD3O0L
等。
达林顿管主要用于开关控制电路、功率放大电路、电源电路和驱动电路等。