霍尔效应的原理及应用
霍尔效应的应用及其原理
霍尔效应的应用及其原理1. 霍尔效应的原理霍尔效应是指当通过一块横跨于磁场中的导体中的电流时，垂直于电流方向和磁场方向的霍尔电压产生的现象。
霍尔电压的大小与电流、磁场强度以及导体材料的特性有关。
霍尔效应的原理可以通过以下几个方面来解释：•磁场作用：当电流通过导体时，在矢量形式上磁场会施加力在导体上，这个力称为洛伦兹力。
•费米能级：导体中存在自由电子，这些电子在不受外力影响时遵循费米-狄拉克分布，填满电子能级。
•霍尔电场的产生：在磁场的作用下，电子会受到洛伦兹力的作用，沿着导体中的一侧堆积，导致电子在正负两侧积累，形成电势差。
综上所述，霍尔效应的原理可以理解为在磁场的作用下，用来描述导体中电荷在侧向堆积的现象。
2. 霍尔效应的应用由于霍尔效应具有灵敏度高、稳定性好、响应快等特点，因此在很多领域都有广泛的应用。
以下是一些常见的应用场景：2.1. 磁场测量因为霍尔效应对磁场的灵敏度高，所以通常用来测量磁场强度。
利用霍尔效应可以设计出各种磁力计和磁场传感器，常见的应用包括：•汽车仪表板中的指南针；•磁床或机械臂中的位置传感器；•磁条读写头。
2.2. 电流测量由于霍尔效应与电流的大小成正比关系，因此可以用来测量电流。
通常用于电流表和电流传感器等设备中。
2.3. 速度测量霍尔效应可以用于测量旋转物体的速度。
例如，在车辆的轮边部分安装一个磁铁，当车轮旋转时，霍尔效应传感器可以检测到磁场变化，从而测量车轮的速度。
2.4. 位置传感霍尔效应还可以用于测量物体的位置。
例如，在安全门、工业机器人和自动门等设备中，使用霍尔效应传感器来检测物体的位置，以实现自动控制。
2.5. 霍尔效应元件除了上述应用之外，霍尔效应还可以作为构成一些元件的基础，如霍尔传感器、霍尔开关和霍尔电流传感器等。
这些元件在自动控制系统、工业生产、电子设备等领域中得到广泛应用。
3. 总结霍尔效应是一种将电流与磁场联系在一起的现象，通过霍尔效应原理可以在各个领域应用中发挥作用。
霍尔效应的现象原理及应用
霍尔效应的现象原理及应用1. 霍尔效应的基本概念霍尔效应是指在垂直于载流方向的磁场中通过一块导电材料时，会在材料的一侧产生电势差的现象。
这个现象是由美国科学家爱德华·霍尔于1879年发现的。
霍尔效应是电子运动与磁场相互作用的结果，是电磁感应的一种形式。
2. 霍尔效应的原理霍尔效应的产生是由于载流电子受到垂直于流动方向的磁场力的影响。
当导电材料中有电流通过时，在垂直于电流方向的磁场作用下，自由电子受到洛伦兹力的作用，发生弯曲，并在材料中形成电流分布不均匀的情况。
由于电流的分布不均匀，导致在材料中的某个侧面产生电势差，即霍尔电势差。
这个电势差与导电材料的电导率、磁场强度以及电流的关系可以通过以下公式表示：$$V_H = R_H \\cdot I \\cdot B$$其中，V H为霍尔电势差，R H为霍尔系数，I为通过导体的电流，B为垂直于电流方向的磁场强度。
3. 霍尔效应的应用霍尔效应具有许多实际应用，以下列举几个常见的应用：3.1 磁场传感器霍尔效应被广泛应用于磁场传感器中。
利用霍尔效应，可以通过测量霍尔电势差来确定磁场强度。
磁场传感器常用于测量磁场的方向和大小，广泛应用于导航、磁条读取、车辆制动系统等领域。
3.2 电流传感器由于霍尔效应与电流大小有关，可以利用这一特性设计电流传感器。
电流传感器可以测量通过导线的电流大小，并将其转化为电压输出。
电流传感器在电力系统、电动车辆以及智能家居等领域起着重要的作用。
3.3 速度测量霍尔效应也可以用于测量物体的速度。
一种常见的应用是在计算机硬盘驱动器中，利用霍尔传感器来测量磁盘的旋转速度。
通过测量旋转磁场产生的霍尔电势差，可以确定磁盘的旋转速度。
3.4 开关霍尔效应也可以用于设计开关。
当磁场与霍尔传感器接触时，产生的电势差可以触发开关动作。
这种开关常用于电子设备中的接近传感器、磁性门锁等。
3.5 电流变送器霍尔效应可用于制造电流变送器，用于将测量电流转换为标准电信号输出。
霍尔效应原理的工程应用
霍尔效应原理的工程应用1. 引言霍尔效应是指在导电材料中施加一个垂直于电流方向的磁场时，导电材料的两侧会产生一种垂直于电流和磁场的电势差。
这种现象被称为霍尔效应，该效应由霍尔效应元件来测量并应用于各种工程应用中。
本文将介绍霍尔效应的原理以及在工程领域中的应用。
2. 霍尔效应原理霍尔效应是在1851年由美国物理学家霍尔发现的。
当一个导电材料（通常为半导体）中通过电流时，垂直于电流方向的磁场会导致该材料产生电势差。
这个电势差被称为霍尔电压，它与电流和磁场的乘积成正比。
霍尔效应的原理可以通过以下几个步骤来解释：1.通过导电材料的一端施加电流，形成电流流动。
2.在导电材料的两侧施加一个垂直于电流方向的磁场。
3.由于洛仑兹力的作用，电子会在导电材料中受到一个向一侧偏转的力。
4.这个电子偏转会导致材料两侧产生电势差，即霍尔电压。
5.霍尔电压的大小与电流和磁场的乘积成正比。
霍尔效应原理的具体数学表达式为：VH = (IB * B * d) / n * e•VH为霍尔电压•IB为电流•B为磁场强度•d为导电材料的厚度•n为载流子密度•e为元电荷常数3. 工程应用由于霍尔效应可以测量电流并与磁场相关联，因此在工程领域中有着广泛的应用。
下面将介绍几种常见的工程应用。
3.1 电流传感器霍尔效应元件可以用作电流传感器，通过测量霍尔电压来确定电流的大小。
电流传感器通常由霍尔效应元件和放大电路组成。
当电流通过霍尔效应元件时，会产生一个与电流成正比的霍尔电压。
通过放大电路可以将微小的霍尔电压放大到可以测量的范围。
电流传感器被广泛用于电力系统，工业自动化和电子设备等领域。
3.2 位置传感器利用霍尔效应元件的霍尔电压与磁场的乘积成正比的特性，可以将霍尔效应元件应用于位置传感器。
通过在移动物体上放置磁场，可以测量霍尔电压来确定物体的位置。
这种位置传感器广泛应用于自动化机械、汽车行业和航空航天等领域。
3.3 速度传感器霍尔效应元件也可以用作速度传感器。
论述霍尔效应的原理及应用
论述霍尔效应的原理及应用1. 霍尔效应的原理霍尔效应是指在一个导体中，当有电流通过时，垂直于电流方向的磁场作用下，会在导体两侧产生电压差。
这种现象被称为霍尔效应，其原理可以用以下几点解释：•首先，当电流通过导体时，导体内部的电子发生偏移，使得导体的一侧带正电荷，而另一侧带负电荷。
•其次，在磁场的作用下，电子会受到洛仑兹力的作用，从而发生偏转。
这个力作用的方向与电荷、电流和磁场的方向有关。
•最后，这种电子的偏转导致在导体两侧形成电子密度的差异，进而形成电压差。
霍尔效应的数学表达式为：$$V_H = B \\cdot I \\cdot R_H$$其中，V H为霍尔电压，B为磁感应强度，I为电流，R H为霍尔系数。
2. 霍尔效应的应用霍尔效应的发现和应用，对现代电子和磁学领域有着重要的贡献。
以下是一些霍尔效应的应用：2.1 磁场测量通过测量霍尔电压，可以间接地测量磁场的强度。
当将霍尔元件放置在磁场中时，磁场的强度越大，霍尔电压也会随之增加。
这种特性可以用于磁场传感器、磁力计和磁场测量设备中。
2.2 电流测量霍尔效应也可以用于电流的测量。
通过测量霍尔电压和已知的霍尔系数，可以计算出通过导体的电流大小。
这种测量方法被广泛应用于电流表、电子设备和电力系统中。
2.3 位置检测利用霍尔效应，可以实现对物体位置的检测。
在某些应用中，将霍尔元件放置在移动物体的位置上，当物体经过时，由于磁场的变化导致霍尔电压发生变化，从而可以检测物体的位置。
2.4 速度测量基于霍尔效应，可以测量物体的速度。
当物体运动时，通过测量霍尔电压的变化，可以推断出运动物体的速度。
这种方法在汽车、飞机、自动化系统中得到广泛应用。
2.5 开关控制霍尔效应也可以用于开关的控制。
当将霍尔元件与磁铁结合使用时，当磁铁靠近或远离霍尔元件时，由于磁场的变化，霍尔电压也会发生变化。
利用这一特性，可以实现磁敏开关和磁感应控制。
以上只是霍尔效应应用的一些例子，实际上，霍尔效应还在各个领域有着广泛的应用，例如：电动车、计算机硬盘、交通信号灯等。
霍尔效应的原理和实际应用
霍尔效应的原理和实际应用1. 霍尔效应的基本原理霍尔效应是指当电流通过一片材料时，垂直于电流和磁场方向的电势差产生的现象。
这个效应由美国物理学家爱德华·霍尔于1879年首次发现和描述。
霍尔效应的基本原理可以归纳为以下几点：•高斯定律：磁感应强度的切线积分等于通过封闭曲面的磁通量除以该曲面的反面积。
•洛伦兹力：电荷在磁场中受到的力与电荷的速度和磁感应强度的乘积成正比。
•霍尔电流：电流通过导体时，由于相互作用，电荷会聚集在导体的一侧，产生一个电势差。
基于以上原理，当电流通过一片材料时，垂直于电流方向施加一个磁场，就会产生垂直于电流和磁场的电势差。
这个电势差称为霍尔电压，常用符号为VH。
2. 霍尔效应的公式霍尔电压（VH）与电流（I）、磁感应强度（B）、导体材料的特性有关。
霍尔效应的公式可以表示为：VH = RHBID其中，RH是霍尔系数，表示导体材料的本征特性；B是磁感应强度；I是电流；D是导体的厚度。
3. 霍尔效应的实际应用霍尔效应在现实生活中有着广泛的应用，以下列举了其中几个重要的应用领域：3.1 汽车工业霍尔效应被广泛应用于汽车工业中的转速测量和位置检测。
其原理是利用霍尔传感器测量转子旋转产生的磁场变化来检测发动机转速和位置。
这种测量方法因为具有高精度、快速响应和无接触的特点，因此在汽车电子系统中得到了广泛应用。
3.2 磁存储器霍尔效应在磁存储器中起着重要作用。
由于霍尔效应能够测量磁场的强度和方向，因此可以用来读取和写入磁存储器中的数据。
这种应用在磁盘驱动器和磁带等存储设备中非常常见。
3.3 传感器技术霍尔效应传感器已经广泛应用于各种测量和控制系统中。
例如，霍尔传感器可以用来测量电流、磁场、速度和位置等物理量。
它们具有体积小、重量轻、灵敏度高、响应快和可靠性好等优点，被广泛应用于工业自动化、航空航天、医疗设备等领域。
3.4 电子设备霍尔效应在电子设备中也有着一定的应用。
例如，霍尔开关可以用来控制电路的开关状态，这种开关具有无触点、可靠性高和寿命长的特点，被广泛应用于电路保护和电源管理等领域。
霍尔效应原理
霍尔效应原理霍尔效应原理是指在导体中通过存在磁场时，垂直于电流方向和磁场方向的方向上会产生一种电势差现象，这个现象被称为霍尔效应。
霍尔效应主要应用于传感器、磁场测量和电流测量等领域。
本文将详细介绍霍尔效应的原理、应用和发展。
一、原理1. 基本概念霍尔效应是由物理学家愛德溫·赫爾（Edwin Hall）在1879年首次发现的。
在一块导体中，正如导体移动的电荷体现为电流一样，霍尔效应是电流运动所引起的电荷堆积所产生的电势差。
这种电势差与导体垂直方向上的磁场大小和电流大小有关。
2. 工作原理当一个导体上有电流通过时，电子会受到洛伦兹力的作用而偏转。
洛伦兹力使电子在一侧堆积，另一侧产生电荷的亏损。
这种电势差的产生导致了电子的漂移，最终达到电势差平衡，同时垂直方向也会产生Hall电压（霍尔电压）。
霍尔电压与洛伦兹力的大小和电子漂移的速度成正比，与导体上的电流和磁感应强度成正比。
二、应用霍尔效应在电子技术和传感器领域有着广泛的应用。
1. 传感器基于霍尔效应的磁场传感器广泛应用于测量和检测领域。
通过检测电势差和磁场的大小，可以测量磁场的强度和方向。
这种传感器可以用于车辆导航、位置检测和磁性材料的测试等。
2. 电流测量霍尔效应也可用于测量电流的大小。
通过将电流通过一个导线并使其与磁场垂直，可以测量电流大小。
这种电流传感器常用于电子设备、电机控制和电力系统中。
3. 锁相放大器霍尔效应的原理被应用于锁相放大器。
锁相放大器是一种用于测量弱信号的仪器。
通过将霍尔元件置于电路中，可以实现对信号的放大和检测，从而提高系统的灵敏度和精度。
三、发展随着技术的发展，霍尔效应的应用越来越广泛，同时也出现了一些改进和发展。
1. 高精度磁场传感器目前，磁场传感器不仅能够测量磁场的大小，还可以提供更高的精度和稳定性。
这些传感器不仅应用于物理磁场测量，还广泛用于生物医学、地质勘探与导航等领域。
2. 三维测量近年来，研究人员还开发出了用于进行三维磁场测量的霍尔传感器。
霍尔效应及其应用实验原理
霍尔效应及其应用实验原理霍尔效应是一种利用材料内部自由电子的磁场运动所引起的电压现象，也是一种用来测量磁场强度和磁场方向的技术。
该效应可以在所有导体材料中观察到，尤其是在半导体材料中表现出更为复杂的特性。
霍尔效应的实验原理是：当一个导体材料处于垂直于磁场方向的磁场中，自由电子的运动受到磁场的力作用而偏向一侧，形成电荷分离，从而产生电势差，这个电势差称为霍尔电势差。
霍尔电势差与磁场的大小和电流的方向有关。
一般来说，当电流方向与磁场垂直时，霍尔电势差达到最大值；当电流方向与磁场平行时，霍尔电势差为零。
霍尔效应在实际应用中有着广泛的用途，包括测量磁场强度和方向、测量导体材料内部自由电子浓度、测量射线辐照量等。
在半导体材料中，霍尔效应可以用来测量载流子类型、载流子浓度以及半导体的类型等。
在实验中，霍尔效应的应用可以通过霍尔元件进行。
霍尔元件通常是一个纯半导体片，在片的交叉口处引入掺杂杂质，使其形成p型和n型结构，从而形成一个p-n结。
当通过霍尔元件的电流和磁场垂直时，就可以观察到霍尔电势差的产生。
具体实验步骤如下：1.准备霍尔元件。
将霍尔元件插入电路板的插孔中，连接元件的负载电阻。
2.设置磁场。
将磁铁放在电路板上方并打开电源，调整磁铁的位置和方向，使磁场垂直于霍尔元件。
3.测量电压。
开启电源，调节电流大小，记录不同电流下霍尔电压的大小和方向。
4.绘制图表。
将电流和霍尔电压数据绘制成图表，根据图表分析霍尔电势差与电流和磁场的关系。
霍尔效应具有广泛的应用前景，特别是在微电子工业中，可以用来测量半导体性能和器件参数，从而提高半导体器件制造的精度和可靠性。
霍尔效应的应用和原理
霍尔效应的应用和原理1. 介绍霍尔效应是指在通过一定的电流流过具有一定形状和大小的金属或半导体的时候，垂直于电流方向的横向电压差。
该效应由美国物理学家爱德华·霍尔于1879年发现并命名。
霍尔效应不仅有重要的理论意义，还具有广泛的应用，包括传感器、电子器件、测量、电力、磁体等领域。
本文将重点介绍霍尔效应的应用和原理。
2. 应用2.1 磁场传感器霍尔效应可以用于制造磁场传感器，这些传感器可以测量磁场的强度和方向。
其中最常见的应用是如下几种：•磁力计：通过测量对象周围的磁场变化来检测物体的位置和运动。
•磁场计：测量磁场的大小和磁极的方向，并将其转化为电信号。
磁场传感器广泛应用于社交媒体、电子游戏、导航系统、安防系统等领域。
2.2 电流测量霍尔效应可以应用于电流测量。
通过将电流传导器件放在电路中，利用霍尔传感器测量横向电压差并根据一定的数学计算关系求得电流大小。
这种方法可以测量直流和交流电流。
电流测量是电力行业、电子设备制造业和电动车制造业中常见的应用。
2.3 速度测量霍尔效应也可以用于速度测量。
在车辆的制动系统中，可以使用霍尔传感器检测车轮的转速，并根据转速计算车辆的速度。
此外，霍尔传感器还可用于工业机械设备以及风力发电机组等领域的速度测量。
3. 原理3.1 霍尔元件霍尔元件通常由铬、铂、铜等金属制成的片状金属电极组成。
在元件的一边施加电流，而在另一边测量横向电压差。
元件两侧的接触电极与电流方向垂直，并且在两个接地电极之间有一定距离。
3.2 磁场作用当将一个垂直于电流方向的磁场加在霍尔元件上时，由于电子的洛仑兹力作用，电子会产生一个横向偏转运动，从而形成横向电压差。
这个横向电压差正比于电流的大小和磁场的强度。
通过测量这个横向电压差，可以间接测量电流或磁场的值。
4. 结论霍尔效应是一种重要的物理现象，它不仅有理论研究的意义，还在很多领域发挥着重要的应用价值。
磁场传感器、电流测量和速度测量是霍尔效应最常见的应用领域。
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学号：1003618095河南大学民生学院毕业论文（2014届）年级2010级专业班级电子信息科学与技术学生姓名范博指导教师姓名翟俊梅指导教师职称副教授论文完成时间2014-04-22河南大学民生学院教务部二○一三年印制目录目录摘要 (1)一霍尔效应 (2)1.1经典霍尔效应 (2)1.2经典霍尔效应误差 (3)二量子霍尔定律 (3)三霍尔元件 (6)3.1霍尔器件 (6)3.2霍尔元件 (7)3.3霍尔元件的特点 (8)四霍尔效应的应用 (8)（1）工程技术中的应用 (9)（2）日常生活中的应用 (10)（3）科学技术中的应用 (11)五结语 (11)六参考文献 (12)霍尔效应的原理及应用范博（河南大学民生学院，河南开封，475004）摘要霍尔效应是电磁效应，这种现象是美国的物理学家霍尔于1879年在校读研期间将载流子的导体放入磁场中的做受力作用实验的时候发现的。
实验中电流垂直在导体的外磁场并通过导体时，导体垂直磁场与电流两个方向的端面之间就会产生出一种电势差，产生的这种现象就是霍尔效应。
在实在验中产生的电势差被名为霍尔电势差。
Principle and Application of Hall effectAbstract：Hall effect is a kind of electromagnetic effect,This phenomenon is caused by the American physicist A-H-Hall in 1879 when the carriers do during graduate conductors in a magnetic field by the force of the experimental findings.When the current is perpendicular to the external magnetic field and through the conductor, the conductor is perpendicular to the magnetic field and electric current produces electric potential difference between the two direction of end face, this phenomenon is called the hall effect. The electric potential difference caused by experiment have been called hall electric potential difference.一霍尔效应1.1经典霍尔效应1897年，霍尔于马里兰Johns opkins大学读研究生。
当时还并没有人发现电子的存在，也没有人知道金属具有导电的原理。
霍尔通过学习注意到物理学家埃德隆与物理学家麦克斯韦关于某个问题产生的分歧，于是在霍耳的导师罗兰教授的帮助和支持下，通过实验来验证磁场对导线中的电流到底有无影响，霍尔在实验中却发现了一种从未见到的特殊现象：如下图所示，将带着有载流子导体板放入磁场当中，使磁场的方向垂直电流的方向，于导体板两侧也就是图中a 与b 之间就会产生出横向的电势差U，这种现象就是由霍尔通过实验最先发现的，于是称这种现象为霍尔效应，在导体的两侧形成的电势U称之为霍尔电压。
霍尔当时的发现震惊了科学界，许多科学家都转向这一研究领域。
图1 霍尔效应霍尔效应也能从运动电荷受到的洛伦兹力这一理论中得到诠释。
从实验中表明，霍尔电压u与磁感应强度b、电流I都成正比的，与板子的厚度d是成反比。
退出的公式是：，在式中，是一比例常数，被称为霍尔系数，它是由导体或半导体材料的性质来决定的1.2经典霍尔效应误差(1) 下图中霍尔电压的测量点A和A’很难做到最初在同一个等势面上，所产生的电压Vo=ISR，R为A和A’两个测量点所在的两个等势面之间的电阻。
图2 霍尔效应中等势面影响(2)由现象本身所产生的电场和磁场，是可以通过电磁效应来产生出热电效应和热磁效应二量子霍尔定律1980年，德国物理学家K·von Klitzing发现在低温状态下半导体硅所产生的霍尔效应所呈现并不是往常常规的那种直线形式，而是通过磁场的变化所展现出的跳跃性变化，实验中跳跃的阶梯大小是通过被整数除的基本物理常数来决定的，这种霍尔效应被称之为“整数量子霍尔效应”。
在上述实验的情况下，霍尔电阻RH 将随着磁场的变化而呈现出一些量子化的电阻平台, 这些平台电阻的数值可以用后面的式子描述出来式中h 表示为普朗克常数, e 电子电荷, i 正整数, 即可推出i = 1, 2, 3, ⋯. 由上式所表达出的量子化电阻率在目前所能测量水平的精度已经达到10−8以上的数量级, 这也为解决其他的问题打下一定的基础: 一方面提供一个绝对电阻标准：, 从1990 年起这种电阻标准已经被确认为是国际电阻标准; 另一方面可以确定出来精细的结构常数：, 这种结构常数可以用来验证一些理论的正确与否如量子电动力学, 在这些理论中光速和真空电容率已经通过其它的方法得到精确测定图3由上图所示我们可以看得出霍尔电阻平台是确实存在的。
通过发现量子化霍尔电阻平台给人们展现出即使像这样非常薄的样品在强度很高磁场和超低温度状态这类极端的物理条件下, 已经被发现100余年并且得到多种应用的不同类型的霍尔效应而且出现新的现象。
由于这些新发现的现象是一种宏观量子现象也被称作为宏观量子效应通过把新条件下所产生的新特点这类效应称为量子霍尔效应。
经实验表明,如果二维电子处于强度较高的磁场或超低温度环境时在电阻率随磁场增大而发生变化的关系曲线, 每当达到特定磁感应强度B的时候，于电流子方向相同的电阻R就下降至0, 与此同时与电流垂直的霍尔电阻也会出现一个数值恒定的平台, 当磁感应强度B再次增加的时候, 电阻R也再次增加的过程中, 就又会在另外特定的磁感应强度B时再次出现电阻R降至0和霍尔电阻RH成为平台的这种现象。
在K Von Klitzing实验发现整数量子霍尔效应的存在后不久，崔琦和赫萨德在1982时，整数量子霍尔效应在磁场20t和弱温度0 1K，的高迁移率的二维电子气系统的测量，发现霍尔平台的电阻是步结构具有更精确，在V =1/3和V =2/3两，在这种情况下，将有霍尔电阻平台已经被发现，公式：v 的各种分数值但与整数量子霍尔效应是不同的，对应于对应于这些阻力平台的整体价值不是原来的量子霍尔效应，但一些新的价值，因此把这种现象称为分数量子霍尔效应。
材料的性能，分数量子霍尔效应和样品的，无关的能带结构，这些点的二维电子气系统是相同的。
一些及其普适的现象之后, 很多实验中展现出大多的分数v 所对应的ρxy平和ρxx极小值。
将所得出的这些分数v 写作p/q 这些v可以分为以下几类: [1]当分母q为奇数, 分子p = 1 或p = q-1,如等[2]当q为奇数, 1<p<q- 1 如等[3]当q为偶数, 例如.除了这些还观测到ρxx对应的电导率σxx随着温度T 而升高并且指数式增大得出有:证明σx是热激活性的。
其中E a是激活能从历史的发展可以得出，在和量子霍尔效应的研究发现，充分体现了当代的磁性和物理研究的特点：一是使用范围广泛的条件下，高科技和新的实验为例，利用强大的磁场领域，在这些极端的物理条件研究超低温度霍尔效应；二是实验和理论研究之间的密切合作，并在实验中所观察到的现象不仅及时、正确认识的影响，为进一步的研究提供了条件。
在实验中，实验和理论的方法的组合是值得学习的，使用在今后的学习和研究 (2)三霍尔元件3.1霍尔器件利用霍尔效应器件制造的电子设备被称为霍尔。
霍尔效应更为明显，往往有较高的流动性开关材料，因为只有一个高流动性，在同一领域，流速，因此加磁场后载流子收到的洛伦兹力就会大，霍尔效果会很明显。
霍尔器件分别为: 霍尔元件和霍尔集成电路这两大类，前者是一个简单的霍尔芯片，当接收放大霍尔电压。
，后者将信号处理电路集成在同一芯片。
InSb 霍尔器件的输出特性，如图（a）在控制电流，磁感应强度B和霍尔电压VH的关系；图（b）是磁感应强度达到某一点时，控制电流和电压之间的关系。
约200 ~ 300mV的输出电压。
霍尔元件是磁传感器，它能够检测到的磁场和其变型中，可以在各种相关磁场事项来使用。
按照功能霍尔器件中，它们可分为：霍尔线性霍尔开关器件。
前者是模拟输出，它是数字输出。
3.2霍尔元件霍尔元件一般选择采用N型锗（Geμn=3.900cm2/(V‧s)）,锑化铟（InSb μn=7.8m2/(Vs)）和砷化铟（InAμn=3m2/(V‧s)）这些半导体材料来制成。
锑化铟元件的霍尔输出电势较大，受温度的影响也相应变大；锗材料元件的输出电势小，但是受温度影响小，线性度较好。
所以采用砷化铟材料做霍尔元件受到更大的重视。
霍尔效应和霍尔元件1.InSb霍尔元件的输出特性2.GaAs霍尔元件的输出特性3.3霍尔元件的特点霍尔器件是基于霍尔效应的工作。
霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，便于生活区，安装，低功耗，高频率（最高可达1MHz），并能承受冲击，不怕灰尘，油污，水和盐雾的污染或腐蚀。
线性度好精密线性霍尔器件;霍尔开关设备无接触，无磨损，洁净的输出波形，抖动，不反弹，重复的更高的定位精度。
在一个比较宽的温度范围内使用霍尔器件保护，可达-55 ℃〜150℃ 。
取决于待检测的对象的性质可以分为：直接和间接的应用。
前者是直接通过检测磁场或磁特性，并且其自身，这是该信息载体由磁场检测到，由一些非电，例如，在提供人造物体检测所检测的非磁性的物理力，当压力，位移，速度，加速度，角速度，转数和状态变化被转换成电能，以便检测和控制。
【2】四霍尔效应的应用霍尔器件在静止状态下感受磁场，而且结构简单、坚固，由于是以多数载流子为主，频率响应宽，寿命长，可靠性高。
所以，目前在自动化技术以及信息处理等方面得到广泛的应用。
（1）工程技术中的应用1.测量电流强度：在该图中，经过校准的霍尔效应器件来显示的输出电流值可直接从霍尔输出电压的测量值获得的。
这种方法的优点是简单，测量精度和线性很高。
可以测量直流，交流，以及各种电流波形。
但它的测量范围，带宽等受到一定的限制。
在这种应用中，霍尔效应磁场检测装置，用于检测磁感应铁心间隙。
后的电流增大时，磁芯会饱和;当频率增大时，涡流损耗在核心，还将增加磁滞损耗。
这些将不会对测量精度产生影响。
当然，改进可能是必要的，以减少这些影响，如基片的选择的高饱和磁通密度;多层核心;使用用于检测等等多个霍尔元件。