光电信息物理基础复习
第一章 光电信息技术物理基础_§1.1理论基础

原子能级和结晶格能带之比较
(4)导体内的能带 以金属钠(Z=11)为例(如图)
空 带
半满带
3p
与1s 、2s 和 2p 原子能 级对应的能带:完全填满。 但 3s 能带:仅有一半被填 充。在外界电场的作用下,获 得额外的少许能量就可到能带 内附近许多空的状态去,形成电
3s
2p 2s
满 带 钠 (1s2 2s2 2p6 3s1 ) 晶体能带
U
UT
1)
)
当I = 0时,可以确定开路光电压Voc为
式中为Isc短路电流。
光生伏特效应的应用: (1)太阳电池;(2)光电探测 器件。
$1.1.5 热释电效应
热释电效应:某些晶体的电极化强度随温度变化而变化, 从而在晶体特定方向上引起表面电荷变化的现象。 此效应只能发生在不具有中心对称的晶体中。 某些晶体内正负电荷中心并不重合,有一定的电矩,其表 面容易吸附自由电荷以抵消总电矩所产生的宏观电场。温度变 化时,由于极化强度的改变而释放出表面吸附的部分电荷,从 而表现出热释电效应。
(2)杂质的电离能小于禁带宽度。
另外,因杂质原子数目少,所以杂质光电导效应
相对本征光电导来说也微弱得多。
掺有不同量砷施主杂质的掺金锗杂质光电导光谱分布曲线图 光电导在光子能量0.7eV附近陡起明显,表示本征光电导开始。在 本征光电导长波限左边(光子能量小于锗禁带宽度)的某一波长处曲线 迅速下降,这就是杂质光电导的长波限。此处光子能量为杂质电离能。
(b)n 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价 杂质元素(如磷、锑、砷等),即构成 N
型半导体(或称电子型半导体)。
每掺入一个杂质原子,就有一个额外电子。这些额外的电 子占有恰在导带下方的某些分立的能级 。
光信息物理基础 第1章 数学基础 第3讲

旋度
Az Ay A A Ay Az R ex ( ) ey ( x z ) ez ( ) y z z x x y
梯度的方向就是标量场变化 率最大的方向,其模就是变 化率的最大值。 在给定点,梯度沿任意方向 的投影就是沿这个方向的标 量场的方向导数。
n lim
A dl S
L 0
lim S 0 S
为矢量场在点M 处沿方向 n的环量面密度。 特点:其值与点M 处的方向 n有关。
环量面密度的计算公式
Ax Az Az Ay n ( ) cos(n , x) ( ) cos(n , y ) y z z x Ay Az ( ) cos(n , z ) x y
C 0
(C 是常矢量)
(uC ) u C (u 是标量场) (uF ) u F u F (F 是矢量场) (F G) F G ( F G ) G F F G (矢量场的旋度的散度 恒为零) ( F ) 0 ( u ) 0
10
利用积分中值定理:
Ax Az Az Ay [( ) cos(n , x) ( ) cos( n , y ) y z z x Ax ( ) cos(n , z )] S x y M
因此环量面密度为:
Ay
Ax Az Az Ay n ( ) cos(n , x) ( ) cos(n , y ) y z z x Ay Az ( ) cos(n , z ) x y
(1)矢量场的环量 矢量场A沿任一闭合曲线L的积分,称为环量。
光电信息技术物理基础

一、基本概念 在光度学和辐射度学中,测量对象(duìxiàng)都是光学
辐射,仅仅是所依据的评价标准不同。常用的光度量和辐 射度量如表。
第二页,共14页。
对于具有连续光谱的辐射,某种辐射度量Χe(如辐射强度、辐 射亮度等)的光谱密集度定义为:在包含给定(ɡěi dìnɡ)波长λ的 无限小波长间隔内,相应的辐射度量与该波长间隔之商,Χe,λ= dΧe /dλ。辐射度量的光谱密集度与波长的函数关系叫做该辐射 度量的光谱分布。对于光度量也可给出类似的定义。光度量和 辐射度量之间的关系可以表示为:
图1.2.1-2 距离平方反比法则和照度的余弦法则
第四页,共14页。
2、叠加原理: 若干辐射(fúshè)(光)源在一面元上建立的照度等于
各辐射(fúshè)(光)源单独建立的照度之和。 3、均匀漫射面及其特性:
均匀漫射面(包括漫反射、漫透射及自身发光的漫射 面)在任何方向都具有相等的亮度,因而在与面的法 线成θ角的方向上的辐射(fúshè)强度或发光强度Iθ = I0 cosθ,I0为漫射面在法线方向的辐射(fúshè)强度或发光 强度。
第八页,共14页。
图1.2.1-5黑体炉标定光谱辐射照度标准灯示意图
一定温度的黑体仅在有限的波长范围才能发出足够强
的辐射。因此,为要建立不同波长范围的积分辐射度标 准和光谱辐射度标准,就需要有不同温度的黑体炉。在 目前技术条件下,由高温黑体炉所建立的光谱辐射度标 准在短波方向只能达到250纳米。近十几年来,发展了同 步加速器辐射技术,可以作为从软X 射线、真空 (zhēnkōng)紫外辐射、紫外辐射、可见辐射、一直到近 红外辐射的原始标准。
图1.2.1-8标定(biāo dìnɡ)亮度计示意 图
光电信息物理基础

结合模拟和数字处理技术,实现光电信息的综合处理。
光电信息处理技术的应用领域
通信领域
光纤通信、卫星通信、移动通信等, 利用光电信息处理技术实现高速、大 容量的信息传输和处理。
图像处理
利用光电信息处理技术对图像进行采 集、增强、识别等处理,广泛应用于 安防监控、医疗影像等领域。
光电子学
利用光电信息处理技术对光电子器件 进行性能测试、参数测量等,促进光 电子学的发展和应用。
主动式光电成像
通过发射光束照射目标,再接收反射回来的光束进行成像。
被动式光电成像
仅通过接收目标自身发出的光束(如红外辐射、紫外辐射等)进 行成像。
数字光电成像
将传统的模拟成像方式转换为数字方式,便于后续的数字信号处 理和图像处理。
光电成像技术的应用领域
01
02
03
04
安全监控
利用光电成像技术实现远距离 、夜间和隐蔽目标的监控和识
光电器件的工作原理
光电器件通过吸收光子能量, 使电子获得足够的能量跃迁至 导带,形成光电流。
光电器件通常由半导体材料制 成,利用其能带结构来实现光 电转换。
光电器件通过外部电路收集光 电流,实现光信号到电信号的 转换。
光电器件的种类及应用
光电二极管
将光信号转换为电信号的器件,用于光电检 测、光纤通信等领域。
04
光电成像技术
光电成像技术的原理
光电效应
当光子照射到物质表面时,能够 将能量传递给电子,使电子从束 缚状态进入自由状态,形成光电
流。
光电转换
利用光电效应将光信号转换为电 信号,为后续的信号处理提供基
础。
图像形成
通过光电转换后的电信号,经过 一系列的信号处理和图像处理,
光电信息技术第一章总复习

2. 灵敏度与光谱特性
灵敏度是表征探测器将入射光信号转换成电信 号能力的特性参数。
U SU Φ
I SI Φ
光电流随波长λ的变化
关系称为探测器的光 谱特性(曲线)。
硅光电器的光谱特性
2 光学基础
电磁空间安全 --光学波段
光学谱区 可见光区
0.01μm~1000μm 0.38μm~0.78μm
hc 1.24 m 0 Eg Eg
杂质吸收 电子 或 空穴
hc 1.24 hc 1.24 μm 或 0 μm 0 Ed Ed Ea Ea
本征吸收
0
杂质吸收
波长增大
非平衡载流子的注入和复合
非平衡载流子 (过剩载流子)
光生载流子 热生载流子
1.辐射能Qe
单位: J
2.辐射通量Φe 又称辐射功率, 简称功率 单位: W
计算光电探测器的光电转换能力常用辐射功率
分析强光对光电探测器破坏机理常用辐射能量
3.辐射强度
I e ( , )
Intensity
在给定方向上的立体角元内,辐射源发出的辐射 通量与立体角元之比
dΦe Ie , dΩ
2.2 光度量
人眼只能感知波长在0.38~0.78μm之间的辐射
人眼对不同波长的感光灵敏度不同
2.2.1.光谱光视效率 或视见函数
最大值在555 nm
明视觉光谱光视效率
• • λ/nm 385 395 • 415 V(λ) 6E-05 0.00022 0.00218 λ/nm 595 615 635 V(λ)
光电信息技术总复习
第一章 光电信息技术物理基础
1 半导体理论基础 2 光学基础 3电路基础 理解掌握 了解
第一章 光电信息技术物理基础

第 一 章 光 电 信 息 技 术 物 理 基 础
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(4)光电发射的瞬时性
光电发射的瞬时性是光电发射的一个重要特性。实验证 明,光电发射的延迟时间不超过 3 × 10-13 s 的数量级。 因此,实际上可以认为光电发射是无惯性的,这就决定了 外光电效应器件具有很高的频响。
原子具有满充壳层,但是在固体时由于最上面的满带和一
个空带重叠的话,便成为导体,常称这些物质为半金属。
6
理 论 能 4.绝缘体的能带 基带 理 础 论 3p 之
第一章 上一页
3s 2p 2s 1s
导 带(空) 能隙较 大 价 带(满)
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现在考虑这样一种物质, 该物质中的最高能带即 价带是满的,而且不与 下一个全空的能带重叠, 如图所示。
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24
理光 论电 基 导 3 光电导的光谱分布 础 效 1)本征光电导的光谱分布 之应 图表示典型的半导体本征光电导的光谱分布。
第一章 上一页
第 一 章 光 电 信 息 技 术 物 理 基 础
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25
理光 论电 基导 础效 之应
光 电 信 息 技 术 物 理 基 础
3
理 论能 基带 理 础 论 之
第一章 上一页
价带 :能量最高的被价电子填满的能带 导带:价带以上的能带基本上是空的 其中能量最低的能带
导带 禁带 价带
光电物理知识点总结大全

光电物理知识点总结大全1. 光电效应光电效应是光和电子之间的基本相互作用过程。
它是指当金属表面或半导体中的电子受到光的照射时,会被激发出来并形成光电流的现象。
光电效应是建立现代光电子学的基础,它揭示了光子的能量和动量对于材料中电子能级的激发影响。
光电效应有三种主要类型:外光电效应、内光电效应和光电发射效应。
2. 波粒二象性波粒二象性是指光和电子都具有波动性和粒子性。
在某些实验中,光和电子表现出波动特性,而在其他实验中,它们又表现出粒子特性。
这一概念的提出解决了红外灾变、飞行时间技术、光学和粒子散射中的许多问题。
波粒二象性的发现是量子力学的重要基础,它为光电物理的发展提供了关键的理论基础。
3. 光的波动性质光的波动性质是指光是一种电磁波,它在传播过程中表现出波动的特性。
光波动性质的研究揭示了光的干涉、衍射、偏振等现象,为光电物理的研究与应用提供了理论基础。
光的波动性质在光学、光电子学、光通信等领域具有重要的应用价值。
4. 光的粒子性质光的粒子性质也称为光子性质,是指光在相互作用过程中表现出粒子的特性。
光的粒子性质的研究揭示了光的能量、动量和频率对材料中电子的激发影响,为光电子学、半导体器件等领域的应用提供了理论支持。
5. 光电子发射光电子发射是指金属或半导体中的电子受到光照射时,把部分能量吸收,并运动到离开金属或半导体表面的位置。
光电子发射是光电效应的重要现象之一,它在光电子学、半导体器件和光学信息处理等领域具有重要的应用价值。
6. 光电晶体光电晶体是由光子晶体和电子晶体组成的一种新型功能材料。
它具有光学周期结构和电子周期结构的双重优势,能够在光电效应的基础上实现光与电子的相互转换和控制。
光电晶体在半导体器件、光通信、光电信息处理等领域具有重要的应用前景。
7. 光电导现象光电导现象是指当半导体材料受到光照射时,导电性能会发生变化的现象。
光电导现象的研究为半导体光电子器件的设计和应用提供了技术支持,包括太阳能电池、光电导光纤、光电探测器等。
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1-吸收系数a :介质单位长度上由于吸收而引起的光谱辐射功率P的相对减小量。
2. 透射系数R:3. 本征吸收:半导体当中电了在能级之间发生跃迁所形成的吸收过程。
4. 发生木征吸收的必要条件:光了能量大于禁带宽度5. 木征吸收限入°:吸收系数显著下降的特定波长6. 直接跃迁:电子在K空间波矢方|hj—致的跃迁7. 间接跃迁:除吸收光了外,还与晶格交换能量的非直接跃迁8. 半导体的光吸收主要包括:1激子吸收:受激电子和空穴相互束缚而结合在一起形成一个新的系统2自由载流了吸收:电了和空穴在带内跃迁而引起的吸收3.杂质吸收:束缚在杂质能级上的电了可以吸收光了跃迁到导带,而杂质能级上的空穴同样可以吸收光了跃迁到价带4晶格振动吸收:在远红外区域内低能光了被晶格吸收转变为声了。
9. 光电导:由于光照而引起的半导体电导率增加10. 解释为什么光敏电阻材料一般都选择高阻材料且在低温下使用:11. 定态光电导:恒定光照下产生的光电导。
12. 光电导弛豫:光照停止以后光电流逐渐消失,这种在光照下电导率逐渐上升,光照停止后电导率逐渐下降的现象称为……13. 光电导的灵敏度:一定光照强度下光电导的强弱。
14. 光电导增益:15.15. 解释光生伏特效应原理:当用适当波长的光照射非均匀半导体时(如PN JUNTION),由于内建电场的作用,半导体背部产生电动势,如果PN结短路则会产生电流。
16. 光电池工作时的三股电流:光生电流,光生电压导致的PN结正向电流,流经外电路的电流17. 表征光电池IV特性的三个最重要参数:开路电压,短路电流,填充因了18. 根据不同的激发方式,可以将发光过程分为:电致发光,光致发光,阴极发光19. 辐射跃迁:电了由高能级向低能级跃迁时必然放出能量,如果跃迁过程伴随着放出光了,这种跃迁称为辐射跃迁。
20. 无辐射跃迁:电子在跃迁过程中不发射光了。
21. 辐射跃迁可以分为:本征跃迁和非本征跃迁22. 无23. PN结的注入发光原理:对pn结加反向偏压使势垒降低从而减小内部电场,电了从n[x:注入P区,空穴从p区注入n区,电子空穴都属于非平衡少子,它们与多子复合发光。
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光电信息物理基础
注意:矢量都要写成带上箭头的字母表示
1. 媒质对电磁场的响应可分为三种情况:极化、磁化和传导。
2. 坡印廷矢量的数学表达式是
3. 电磁波的等相位面在空间中的移动速度称为 相速度。
该速度相速只与媒质参数有关,而与电磁波的频率无关.
4. 在电磁波传播空间给定点处,电场强度矢量的端点
随时间变化的轨迹称为电场的偏振态。
5.
光电效应。
6.
7. 光在传播过程中表现出波动性,如干涉、衍射、偏振现象,在与物质发生作用时表现出粒子性,如光电效应,这两种性质的统一称为光的波粒二象性. 8. 德布罗意波长公式为 ,频率公式为: 9. 德布罗意波由电子衍射实验所验证。
10. 海森堡不确定关系的两个表达式为
11. 波函数的标准条件为单值,有限,连续
12. 量子力学中的动量算符表达式为: 13. 量子力学中表示力学量的算符都是厄密算符,其本证值均为实数,
对应不同本征值的本征函数正交,且本征函数具有完全性.
14. 原子的状态可由主量子数n ,角量子数l ,磁量子数m 和自旋量子数s 完全确定。
15. 在一个原子系统内,即不可能具有相同的四个量子数的两个或两个以上电子称为泡利不相容原理。
16. 属于同一品种的晶体,两个对应晶面(或晶棱)间的夹角恒定不变称为晶面角守恒定律。
17. 晶体结构由基元和布拉菲格子完全描述。
18. 对于体心立方结构,设立方体边长为a ,则某个原子最近邻结点有8个,距离为• 所对应原胞体积为a 3/2
19. 晶列的方向用晶列指数来表征。
20. 晶体的结合,可以概括为离子性结合、共价结合、金属性结合和范德瓦耳斯结合四种不同的基本形式 。
21. 共价结合的两个基本特征是饱和性和方向性。
22. 晶格振动形成的波动称为格波,表征它的能量量子称为声子。
23. 没有掺杂的理想半导体称为本征半导体。
/2/4x x P h π∆∆≥=/2E t ∆∆≥h P λ=E h ν=ˆ()x y z p i i e e e x y z
∂∂∂=-∇=-++∂∂∂/2
1. 矢量场在空间任意闭合曲面的通量等于该闭合曲面所包含体积中矢量场的散度的体积 分,即 散度定理是闭合曲面积分与体积分之间的一个变换关系,在电磁理论中有着广泛的应用。
2. 导体的静电平衡特点
• 导体内部场强处处为零;
• 导体表面外侧,紧靠表面处的场强处处与表面垂直;
• 导体是个等势体,导体表面是等势面。
3. 写出电流连续性方程微分形式和积分形式
4. 简述法拉第电磁感应定律
因磁通量变化产生感应电动势的现象,闭合电路的一部分导体在磁场里做切割磁感线的 运动时,导体中就会产生电流,这种现象叫电磁感应,产生的电流称为感应电流。
5. 写出麦克斯韦方程组微分形式和积分形式并讨论各子方程及方程组的物理意义。
(10分) 积分形式 微分形式
①从上往下:描述了电场的性质、磁场的性质、变化的磁场激发电场的规律、传导电流和变化的电场激发磁场的规律 ②麦克斯韦方程组在电磁学中的地位,如同牛顿运动定律在力学中的地位一样。
以麦克斯韦方程组为核心的电磁理论,是经典物理学最引以自豪的成就之一。
它所揭示出的电磁相互作用的完美统一,为物理学家树立了这样一种信念:物质的各种相互作用在更高层次上应该是统一的。
这个理论被广泛地应用到技术领域。
6. 写出电磁场边界条件的一般表达式
7. 理想介质中均匀平面波的传播特点为:
1. 电场、磁场与传播方向之间相互垂直,是横电磁波(TEM 波)。
2. 无衰减,电场与磁场的振幅不变。
3. 波阻抗为实数,电场与磁场同相位。
4. 电磁波的相速与频率无关,无色散。
电场能量密度等于磁场能量密度,能量的传输速度等于相速度。
8. 简述爱因斯坦对光电效应的解释。
提出光子假说、只有当入射光的频率高于某个值v 。
时才有光电子逸出、光电子的能量取决于照射光的频率、光电子的产生几乎与光照射同时发生
积分形式 ⎰⎰-=-=⋅V S V t t q S J d d d d d d ρ 微分形式 t J ∂∂-=⋅∇ρ dS d S V A A V ⋅=∇⋅⎰⎰
9. 简述氢原子玻尔理论的意义和困难。
1)正确地指出原子能级的存在(原子能量量子化);(2)正确地指出定态和角动量量子化的概念;(3)正确的解释了氢原子及类氢离子光谱;4)无法解释比氢原子更复杂的原子;(5)把微观粒子的运动视为有确定的轨道是不正确的;(6)是半经典半量子理论,存在逻辑上的缺点,即把微观粒子看成是遵守经典力学的质点,同时,又赋予它们量子化的特征.。