载流子寿命
载流子寿命实验报告
一、实验目的1. 理解载流子寿命的概念及其在半导体器件中的应用；2. 掌握测量载流子寿命的原理和方法；3. 通过实验验证半导体材料载流子寿命的特性。
二、实验原理载流子寿命是指非平衡载流子在复合前的平均生存时间。
在半导体器件中，载流子寿命是影响器件性能的重要因素之一。
本实验采用光电导法测量半导体材料的载流子寿命。
光电导法是一种基于光电效应的测量方法，通过测量样品的光电导率随时间的变化，得到载流子寿命。
实验中，当样品受到光照时，非平衡载流子产生，导致样品的光电导率发生变化。
随着时间的推移，非平衡载流子逐渐复合，光电导率逐渐恢复到初始值。
通过测量光电导率随时间的变化，可以得到载流子寿命。
三、实验仪器与材料1. 仪器：LTX2高频光电导少数载流子寿命测试仪、双灯太阳光模拟器、样品台、样品夹具、数字多用表、示波器等；2. 材料：硅单晶片、砷化镓单晶片、磷化铟单晶片等。
四、实验步骤1. 将样品放置在样品台上，调整样品与光电导仪的相对位置；2. 打开LTX2高频光电导少数载流子寿命测试仪，设置实验参数，如光照强度、光斑大小、测试时间等；3. 将双灯太阳光模拟器调至所需的光照强度，打开电源，使样品受到光照；4. 记录光电导率随时间的变化曲线；5. 关闭光照，等待样品恢复到初始状态；6. 重复实验步骤3-5，至少进行3次，以确保实验结果的可靠性；7. 分析实验数据，计算载流子寿命。
五、实验结果与分析1. 实验数据：（1）硅单晶片：载流子寿命约为1.2×10^-6s；（2）砷化镓单晶片：载流子寿命约为1.5×10^-6s；（3）磷化铟单晶片：载流子寿命约为2.0×10^-6s。
2. 结果分析：（1）从实验数据可以看出，硅单晶片的载流子寿命最短，砷化镓单晶片的载流子寿命次之，磷化铟单晶片的载流子寿命最长；（2）根据理论分析，载流子寿命与半导体材料的能带结构、缺陷密度等因素有关。
在本实验中，磷化铟单晶片的载流子寿命较长，可能是由于其能带结构有利于载流子的传输和复合；（3）实验结果表明，采用光电导法可以有效地测量半导体材料的载流子寿命。
少数载流子寿命测试
第三章：少数载流子寿命测试少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数，它在半导体发展之初就已经存在了。
早在20世纪50年代，Shockley 和Hall等人就已经报道过有关少数载流子的复合理论[1-4]，之后虽然陆续有人研究半导体中少数载流子的寿命，但由于当时测试设备简陋，样品制备困难，尤其对于测试结果无法进行系统地分析。
因此对于少数载流子寿命的研究并没有引起广泛关注。
直到商业需求的增加，少数载流子寿命的测试才重新引起人们的注意。
晶体生产厂家和IC集成电路公司纷纷采用载流子寿命测试来监控生产过程，如半导体硅单晶生产者用载流子寿命来表征直拉硅单晶的质量，并用于研究可能造成质量下降的缺陷。
IC集成电路公司也用载流子寿命来表征工艺过程的洁净度，并用于研究造成器件性能下降的原因。
此时就要求相应的测试设备是无破坏，无接触，无污染的，而且样品的制备不能十分复杂，由此推动了测试设备的发展。
然而对载流子寿命测试起重要推动作用的，是铁硼对形成和分解的发现[5,6]，起初这只是被当作一种有趣的现象，并没有被应用到半导体测试中来。
直到Zoth 和Bergholz发现，在掺B半导体中，只要分别测试铁硼对分解前后的少子寿命，就可以知道样品中铁的浓度[7]。
由于在现今的晶体生长工艺中，铁作为不锈钢的组成元素，是一种重要的金属沾污，对微电子器件和太阳能电池的危害很严重。
通过少数载流子寿命测试，就可以得到半导体中铁沾污的浓度，这无疑是一次重大突破，也是半导体材料参数测试与器件性能表征的完美结合。
之后载流子寿命测试设备迅速发展。
目前，少数载流子寿命作为半导体材料的一个重要参数，已作为表征器件性能，太阳能电池效率的重要参考依据。
然而由于不同测试设备在光注入量，测试频率，温度等参数上存在差别，测试值往往相差很大，误差范围可能在100％，甚至以上，因此在寿命值的比较中要特别注意。
概括来说，少数载流子寿命的测试及应用经历了一个漫长的发展阶段，理论上，从简单的载流子复合机制到考虑测试结果的影响因素。
(2021年整理)半导体器件中的载流子寿命及其控制原理
(完整版)半导体器件中的载流子寿命及其控制原理编辑整理：尊敬的读者朋友们：这里是精品文档编辑中心，本文档内容是由我和我的同事精心编辑整理后发布的，发布之前我们对文中内容进行仔细校对，但是难免会有疏漏的地方，但是任然希望（(完整版)半导体器件中的载流子寿命及其控制原理）的内容能够给您的工作和学习带来便利。
同时也真诚的希望收到您的建议和反馈，这将是我们进步的源泉，前进的动力。
本文可编辑可修改，如果觉得对您有帮助请收藏以便随时查阅，最后祝您生活愉快业绩进步，以下为(完整版)半导体器件中的载流子寿命及其控制原理的全部内容。
（完整版）半导体器件中的载流子寿命及其控制原理编辑整理：张嬗雒老师尊敬的读者朋友们：这里是精品文档编辑中心，本文档内容是由我和我的同事精心编辑整理后发布到文库，发布之前我们对文中内容进行仔细校对，但是难免会有疏漏的地方,但是我们任然希望（完整版)半导体器件中的载流子寿命及其控制原理这篇文档能够给您的工作和学习带来便利。
同时我们也真诚的希望收到您的建议和反馈到下面的留言区，这将是我们进步的源泉,前进的动力。
本文可编辑可修改，如果觉得对您有帮助请下载收藏以便随时查阅,最后祝您生活愉快业绩进步，以下为 <（完整版）半导体器件中的载流子寿命及其控制原理> 这篇文档的全部内容。
半导体器件中的载流子寿命及其控制原理微电子器件 2011—01-21 17：42:18 阅读106 评论0 字号：大中小订阅(为什么少子寿命对器件的开关特性、导通特性和阻断特性有很大的影响？器件的开关特性、导通特性和阻断特性对于少子寿命长短的要求分别怎样？）Xie Meng-xian。
（电子科大，成都市）半导体中的非平衡载流子寿命是半导体的一个基本特性参数，它的长短将直接影响到依靠少数载流子来工作的半导体器件的性能，这种器件有双极型器件和p-n结光电子器件等。
但是，对于在结构上包含有p-n结的单极型器件（例如MOSFET)也会受到载流子寿命的影响.非平衡载流子寿命主要是指非平衡少数载流子的寿命.影响少子寿命的主要因素是半导体能带结构和非平衡载流子的复合机理;对于Si 、Ge、GaP等间接禁带半导体，一般决定寿命的主要因素是半导体中的杂质和缺陷。
载流子寿命和扩散长度的关系
载流子寿命和扩散长度的关系全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：载流子是半导体材料中的一种基本元素，其寿命和扩散长度是影响半导体器件性能的重要因素之一。
载流子在半导体器件中起着传导电荷的作用，其寿命和扩散长度直接影响着器件的性能和工作稳定性。
本文将从载流子寿命和扩散长度的概念入手，探讨它们之间的关系及其在半导体器件中的作用。
载流子寿命是指半导体材料中自由载流子（电子或空穴）从注入到失活的时间。
在半导体材料中，载流子的寿命受到多种因素的影响，包括材料的纯度、结晶质量、杂质浓度等。
较长的载流子寿命意味着载流子在材料中传播的时间较长，这有利于提高器件的工作效率和性能稳定性。
载流子寿命和载流子扩散长度之间存在着密切的关系。
载流子扩散长度是指在半导体材料中，载流子从注入位置向四周扩散的距离。
载流子寿命和扩散长度的关系可以用扩散方程来描述。
在半导体材料中，载流子的寿命越长，载流子扩散长度也就越长。
这是因为载流子在材料中传播的时间越长，其范围也就越广，从而导致扩散长度的增加。
为了提高半导体器件的性能和稳定性，需要通过优化材料的制备工艺、改进器件结构和优化载流子注入控制等手段来提高载流子寿命和扩散长度。
也可以通过控制材料的纯度、减少杂质浓度和提高结晶质量等方式来改善载流子的寿命和扩散长度。
通过这些措施，可以有效提高半导体器件的性能，并延长器件的使用寿命。
载流子寿命和扩散长度在半导体器件中起着至关重要的作用。
通过优化载流子寿命和扩散长度，可以有效提高器件的工作效率和稳定性，延长器件的使用寿命，促进半导体器件的发展和应用。
希望本文对读者了解载流子寿命和扩散长度的关系有所帮助，帮助读者更好地理解半导体器件中载流子的行为和作用。
第二篇示例：载流子寿命和扩散长度是固体材料中的两个重要参数，它们直接影响着材料的电学性能。
在半导体器件中，载流子的扩散长度和寿命决定了器件的响应速度和工作稳定性。
研究载流子寿命和扩散长度的关系对于优化半导体器件的性能具有重要意义。
实验二 光电导衰退测量少数载流子的寿命
实验二光电导衰退测量少数载流子的寿命实验项目性质：综合实验所涉及课程：半导体物理、半导体材料计划学时：2学时一、实验目的1．理解非平衡载流子的注入与复合过程；2．了解非平衡载流子寿命的测量方法；2．学会光电导衰退测量少子寿命的实验方法。
二、实验原理半导体中少数载流子的寿命对双极型器件的电流增益、正向压降和开关速度等起着决定性作用。
半导体太阳能电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率也和载流子的寿命有关。
因此，半导体中少数载流子寿命的测量一直受到广泛的重视。
处于热平衡状态的半导体，在一定的温度下，载流子浓度是一定的，但这种热平衡状态是相对的，有条件的。
如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。
处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0，可以比它们多出一部分。
比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子，有时也称为过剩载流子。
要破坏半导体的平衡态，对它施加的外部作用可以是光，也可以是电或是其它的能量传递方式。
常用到的方式是电注入，最典型的例子就是PN结。
用光照使得半导体内部产生非平衡载流子的方法，称为非平衡载流子的光注入，光注入时，非平衡载流子浓度Δn=Δp。
当外部的光注入撤除以后，注入的非平衡载流子并不能一直存在下去，它们要逐渐消失，也是原来激发到导带的电子又回到价带，电了和空穴又成对的消失了。
最后，载流子浓度恢复到平衡时的值，半导体又回到平衡态，过剩载流子逐渐消失，这一过程称为非平衡载流子的复合。
实验表明，光照停止后，Δp随时间按指数规律减少。
这说明非平衡载流子不是立刻全部消失，而是有一个过程，即它们在导带和价带中有一定的生存时间，有的长些，有的短些。
非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命，用τ表示。
由于相对于非平衡多数载流子，非平衡少数载流子的影响处于主导的、决定的地位，因而非平衡载流子的寿命通常称为少数载流子寿命。
半导体中少数载流子寿命测量
讨论
如何选取合适的实验条件? 实验中共有四个可调参数，取样电阻、正向脉冲电压、 负向脉冲电压、脉冲频率。实验中，这些参数的选取必 须受到一定的限制
(1) 正向电压要足够大（大于1.8V）使得正向载流子注 入达到饱和；但是也不能太大，否则就不满足小注 入条件。
(2) 反向电压不能太大（二极管两端小于1.3V),否则会造 成存储时间很短，影响测量精度。
（x为到PN结边界的距离，LD为扩散长度）
在抽取过程中,反向电流为 J J0 (eqV /kT 1)
当反向电压V >> kT/q, 此时抽取电流 J 近似等于J0.
在边界处累积电荷没有被抽取完之前，电路中近似存在一个恒定电 流。当边界电荷被抽取完之后，内部电荷产生的复合电流呈指数衰减。
If
Ts Tr
反向抽取
内建电场
扩散流
P
漂移流
N
_
负向偏压
+ (以空穴行为为例)
在正向偏压之后，PN结两端又加上一个负向偏压, 它与内建电场的方向相同 , 因此 在PN结边缘处的积累电荷会被抽取出来.当边缘处的电荷被抽取完之后，内部的载 流子就会随着复合而消失。
在经历过正向偏压之后，少数载流子的分布为 n(x) n0 * ex/LD
2.少数载流子寿命是由半导体材料性质、掺杂情况及半 导体中深能级缺陷所决定的参数，它对器件的特性起 着重要作用（如太阳能电池的光电转化效率）
3. 通常的光学测量方法很难测量器件中的少数载流子寿 命。使用反向恢复时间法测量半导体中少数载流子的 寿命，就能够克服光学方法的难点，测量器件中的少 子寿命。
(3) 脉冲时间要足够长（频率一般小于100kHz），否则正 向注入或者反向抽取都不能达到饱和。
1.3 非平衡少数载流子寿命的测量
4）衰减曲线“平顶”现象。 如图所示 产生的原因： a、高频振荡电压过大； b、闪光灯的电压过大。
通过以下方法去除： a、减小高频振荡器的输出功率； b、减小闪光灯的电压，或加滤波片，减小光栏的孔径。
(4)高频光电导衰退法的测试工艺
1）样品的要求 a、尽量使用大尺寸样品，或整个单晶锭（取头尾 两个部分测量），减少表面复合的影响； b、测量小尺寸时，需考虑复合的影响，必须进行 修正。因此要求对样品表面研磨或喷砂处理，且要 形状规则； C、样品的电阻率要均匀（体内最小电阻率不小于 最大电阻率的90%）
（5）侧准因素的分析
1）严格控制在“注入比≤1%”的范围内。一般取使注入比近 似等于V /V。 2）衰减曲线的初始部分为快速衰减（由于表面复合引起）， 在测量中要去除。如图所示。 a、用滤波片去掉非贯穿光，减小少子； b、读数时要将信号幅度的头部去掉再读数。
3）陷阱效应的影响
（4）非平衡载流子的产生 产生非平衡载流子的方式：光照、电注入或其他能量传递方 式。 如：对n型半导体材料，当没有光照时，电子和空穴的平衡 浓度分别为n0和p0，且n0≥ p0.当用适当波长的光照射到该 半导体时， 只要光子产生的能量大于该半导体的禁带时， 光子就能把价带上的电子激发到导带上，产生电子-空穴对， 使导带多一部分电子△n,价带上对一部分空穴△p， △n和 △p分别为非平衡多数载流子和非平衡少数载流子。其过程 如图所示：
陷阱效应：在有非平衡载流子出现的情况下，半导体中的某 些杂质能级中所具有的电子数也会发生变化，导致载流子的 积累，这种积累非平衡载流子的效应称为陷阱效应。 一般情况下，这些落入陷阱的非平衡载流子需要一定时间才 能释放出来，因此导致少子寿命偏大。使曲线出现“拖尾 巴”。如图所示
少子寿命
少数载流子寿命（Minority carriers life time）：（1）基本概念：载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。
而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。
例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。
对n型半导体，其中非平衡少数载流子——空穴的寿命τ，也就是空穴的平均生存时间，1/τ就是单位时间内空穴的复合几率，Δp/τ称为非平衡空穴的复合率 (即n型半导体中单位时间、单位体积内、净复合消失的电子-空穴对的数目)；非平衡载流子空穴的浓度随时间的变化率为dΔp /dt =－Δp /τp, 如果τp与Δp 无关, 则Δp 有指数衰减规律：Δp = (Δp) exp( -t/τp ) 。
实验表明, 在小注入条件(Δp<<no+po) 下, 非平衡载流子浓度确实有指数衰减规律，这说明Δp(t +τp) = Δp(t)/e, Δp(t)│（t=τp） = Δpo , τp即是非平衡载流子浓度减小到原来值的1/e时所经历的时间；而且在小注入条件下, τp的确是与Δp无关的常数；利用这种简单的指数衰减规律即可测量出少数载流子寿命τp的值；同时可以证明，τp确实就是非平衡载流子的平均生存时间<t>。
应当注意的是，只有在小注入时非平衡载流子寿命才为常数，净复合率才可表示为－Δp/τp；并且在小注入下稳定状态的寿命才等于瞬态的寿命。
（2）决定寿命的有关因素：不同半导体中影响少数载流子寿命长短的因素，主要是载流子的复合机理（直接复合、间接复合、表面复合、Auger复合等）及其相关的问题。
对于Si、Ge等间接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶不在Brillouin 区的同一点，故导带电子与价带空穴的直接复合比较困难（需要有声子等的帮助才能实现——因为要满足载流子复合的动量守恒），则决定少数载流子寿命的主要因素是通过复合中心的间接复合过程。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
载流子寿命半导体中的非平衡载流子寿命是半导体的一个基本特性参数，它的长短将直接影响到依靠少数载流子来工作的半导体器件的性能，这种器件有双极型器件和p-n结光电子器件等。
但是，对于在结构上包含有p-n结的单极型器件（例如MOSFET）也会受到载流子寿命的影响。
非平衡载流子寿命主要是指非平衡少数载流子的寿命。
影响少子寿命的主要因素是半导体能带结构和非平衡载流子的复合机理；对于Si、Ge、GaP等间接禁带半导体，一般决定寿命的主要因素是半导体中的杂质和缺陷。
对于少子寿命有明显依赖关系的电子器件特性，主要有双极型器件的开关特性、导通特性和阻断特性；对于光电池、光电探测器等之类光电子器件，与少子寿命直接有关的特性主要有光生电流、光生电动势等。
（1）少子寿命对半导体器件性能的影响：①双极型器件的开关特性与少子寿命的关系：双极型器件的开关特性在本质上可归结为p-n结的开关性能。
p-n结的开关时间主要是关断时间，而关断时间基本上就是导通时注入到扩散区中的少子电荷消失的过程时间（包括有存储时间和下降时间两个过程）。
少子寿命越短，开关速度就越快。
因此，为了提高器件的开关速度，就应该减短少子寿命。
②器件的阻断特性与少子寿命的关系：半导体器件在截止状态时的特性——阻断特性，实际上也就是p-n结在反向电压下反向漏电流大小的一种反映。
因此，这里器件的阻断特性不单指双极型器件，而且也包括场效应器件在内。
p-n结的反向漏电流含有两个分量：一是两边扩散区的少子扩散电流，二是势垒区中复合中心的产生电流；这些电流都与少子寿命有关，载流子寿命越长，反向漏电流就越小，则器件的阻断特性也就越好。
当载流子寿命减短到一定程度时，反向电流即大幅度地上升，就会产生反向电流不饱和的“软”的阻断特性。
一般，硅p-n结的反向漏电流主要是势垒区复合中心的产生电流，因此载流子的产生寿命将严重地影响到器件的阻断特性。
所以注意工艺控制，减小杂质和缺陷的不良影响，对于提高器件的阻断特性至关重要。
总之，为了获得良好的器件阻断特性，要求器件应该具有较长的少数载流子寿命。
为此，半导体的掺杂浓度不可太高，势垒区中的复合中心浓度要尽量减少。
③器件的导通特性与少子寿命的关系：半导体器件导通特性的好坏可以用它的导通电阻或者导通压降来表征；导通压降越低，器件的大电流性能就越好，器件的功率处理能力也就越强。
对于双极型器件，从本质上来看，它的导通特性实际上可近似地归结为p-n结的正向导通特性；而对于双极型功率器件而言，其正向导通特性可归结为pin二极管的导通特性。
因为一般p-n结的正向电流主要是少子扩散电流，则少子寿命越短，少子的浓度梯度越大，正向电流就越大，于是在同样电流情况下的导通压降也就越低。
所以少子寿命宜较短一些。
但是，对于pin结则有所不同，因为pin结处于正偏时，即有大量电子和空穴分别从两边注入到本征的i型层，则必为“大注入”；这时可以认为i型层中的电子浓度等于空穴浓度，并且均匀分布，即n=p=const。
正是由于在i型层中存在大量的两种载流子，所以必然会产生电导调制效应，使得pin结的正向电压降低。
而pin结的正向导电是由载流子渡越i型层（势垒区）时的复合过程所造成的，则pin 结的导通特性与i型层中载流子的复合寿命有很大的关系。
在此考虑到大注入的强烈影响，因此决定载流子寿命的因素除了大注入下的寿命——双极复合寿命τa以外，还需要计入Auger复合的寿命τA，于是应该采用有效寿命τeff的概念。
由于i层载流子的有效寿命越长，在大注入情况下该层的电导调制效应就越强，则器件的正向压降也就越低，因此pin结的正向压降与载流子有效寿命成反比。
然而，有效寿命将随着正向电流密度的增大而减短，特别是在大电流密度时，有效寿命将显著变短，从而会导致正向压降很快增加。
（2）载流子寿命的控制原理：如上所述，对于功率器件而言，它的开关特性要求载流子寿命越短越好，而它的阻断特性和导通特性却要求载流子寿命越长越好。
因此，同一种半导体器件的不同特性，对于载流子寿命的要求不一定相同。
这就产生了一个所谓寿命优化的问题，即如何综合考虑、恰当地选取载流子的寿命，以使得器件的特性能够最大限度地满足使用要求。
对于Si等半导体器件，影响载流子寿命的主要因素是缺陷和有害杂质构成的复合中心的浓度以及半导体的本底掺杂浓度。
复合中心的重要特性参数是它的能级位置以及俘获截面。
在复合中心的能级位置和半导体掺杂浓度适当时，复合中心将成为最有效的复合中心，则对载流子寿命的影响最大。
一般，复合中心能级越深（即越靠近本征Fermi能级）、半导体掺杂浓度越高（即Fermi能级越靠近能带边），复合中心就越有效。
例如，位于导带底以下0.54eV的复合中心一般就满足该条件，为一个最有效的复合中心；而位于导带底以下0.3eV的复合中心则是无效复合中心。
实际上，最有效的复合中心也具有较小的对两种载流子的俘获截面之比（接近1）。
总之，复合中心的能级越靠近禁带中央，而且其俘获截面比越接近1，则该复合中心就越有效，寿命也就越短。
在小注入时，少子寿命与注入水平无关，而仅决定于复合中心的能级位置和俘获截面之比；在大注入时，任何复合中心决定的载流子寿命都将趋于双极寿命τa=τno+τpo（仅决定于复合中心的浓度和俘获截面之比）。
a）兼顾高阻断特性和高开关速度特性的优选复合中心：为了提高器件的开关速度，应该少子的小注入寿命尽可能短，即要求复合中心能级靠近禁带中央和俘获截面比接近1；但是，为了提高器件的阻断能力，应该少子的产生寿命尽可能长，即要求复合中心能级远离禁带中央和俘获截面比大于1。
这种对载流子寿命的矛盾要求，也就意味着少子的产生寿命τs与少子的复合寿命τp之比（τs/τp）应该取极大值。
分析表明：①τs/τp比值的大小与复合中心的性质（能级位置和俘获截面比）无关，但只有在适当的能级位置、俘获截面比和温度情况下才能达到最高值；②复合中心能级靠近能带边（Ec或者Ev）时，τs/τp比值最大；③最大的τs/τp比值与掺杂浓度和俘获截面比有关，并且掺杂浓度越低、俘获截面比越大，则不同复合中心能级位置不影响τs/τp取最大值的范围就越大，同时温度越高、该范围也越大（但最大τs/τp 比值与本征载流子浓度有关）。
总之，兼顾器件的高阻断特性和高开关速度特性的优化复合中心，其能级应该位于能带边附近处；并且在轻掺杂半导体中，比较容易选择这种优化复合中心；在同样掺杂浓度时，对于俘获截面比较大的复合中心，它的能级位置受到的限制较小。
b）兼顾高导通特性和高开关速度特性的优选复合中心：为了降低功率器件在大电流时的导通压降，应该增长有效载流子寿命，也就是要求大注入时的载流子寿命（τH=τa）足够长，以加强少子的电导调制作用。
但是，为了提高开关速度，则希望少子在小注入时的寿命（τL）足够短。
因此，要使得一种复合中心能够兼顾大电流和高速度的需要，就必须选取τH/τL比值取极大值的那种复合中心。
分析表明：①能够使τH/τL比值取极大值的复合中心，正好是其τs/τp比值取极小值，因此高速大电流的器件，就难以顾及到高的阻断电压，反之亦然；②较高的τH/τL比值，要求复合中心能级位于禁带中央处，这正好也与高τs/τp比值的要求恰恰相反；③τH/τL比值与半导体掺杂浓度有关，并且变化幅度还与复合中心能级的位置有关。
可见，从载流子寿命的优选方面来看，器件的高速大电流性能与高速高耐压性能一般较难以同时兼顾。
不过，如果选取某种复合中心，若它的少子寿命对注入水平具有很高的敏感性的话，使得大注入时τH最大，小注入时τL最小，则既可以得到大电流下的较好导通特性，也可以得到小电流时的较好阻断特性，那么高速大电流性能与高速高耐压性能之间的矛盾即可适当地缓解。
此外，在优选复合中心时还需要考虑其它一些方面的问题，例如：①复合中心对载流子的补偿问题：例如n型Si中的Au，是一种复合中心杂质，它有一个能级位于导带底以下0.54eV处，起着受主作用；当Au浓度接近于施主浓度时，将会使平衡电子浓度显著下降，这就是Au的补偿效应。
复合中心的这种补偿效应，显然将会使半导体电阻率升高，并因而影响到器件的导通压降和阻断电压。
因此，为了降低复合中心的这种补偿作用，应该选取对少子具有很大俘获截面的那种复合中心杂质；这样既可以保持所需要的寿命，而且又可以降低起补偿作用的复合中心的浓度，以减弱对载流子浓度（半导体电阻率）的影响。
②复合中心对多种掺杂浓度的适应性问题：为了器件制作工艺的方便，对于不同的半导体器件最好能够统一采用一种寿命控制的方法，即掺入一种复合中心杂质；这就要求在控制寿命的同时，半导体电阻率不要发生变化。
因此，应该选取寿命或者两种寿命的比值对掺杂浓度不敏感的那些复合中心杂质。
不过，这对于高阻半导体而言往往是一件很困难的事情。
（3）控制少子寿命的主要方法：一般，有两个方面需要考虑：一是注意在工艺过程中控制好载流子寿命，使得不发生变化。
这里主要是要注意清洁度和操作过程的控制，以避免有害杂质的引入和减少工艺诱生的二次缺陷。
二是通过有意掺入一些深能级杂质，或者造成一些晶体缺陷来加以控制，因为许多深能级杂质和晶体缺陷都将构成复合中心。
在Si器件中，常用作为复合中心的深能级杂质是Au和Pt，常用来引入晶体缺陷的措施是电子辐照。
Au和Pt以及电子辐照，这三种复合中心的引入方法各有千秋。
一般，可以见到：①对于高掺杂（低电阻）半导体材料，掺Au和掺Pt的τH/τL比值都较大；但对于低掺杂（高电阻）半导体材料，只有掺Au的τH/τL比值才较大。
因此，从既降低导通压降、又提高开关频率的角度来考虑时，还是掺Au的效果比较好。
②从少子产生寿命与大注入寿命之比（τs/τH）来看，掺Pt和电子辐照的比值较大，因此，在保持导通压降相同的情况下，掺Pt和电子辐照都可以维持器件的反向漏电流较小。
③对于掺Pt的Si，τH/τL比值随掺杂浓度的变化很大，因此Pt作为功率器件的复合中心不太理想；④对于电子辐照的Si，τH/τL比值基本上不随掺杂浓度而变化，因此，电子辐照能够对功率器件提供比较理想的复合中心；⑤对于掺Au的Si，τH/τL比值完全不随掺杂浓度而变化，因此，Au也是功率器件的一种理想的复合中心。