少子寿命概念
少子寿命测量
高频光电导衰减法测量Si 中少子寿命预习报告：一，什么是少子寿命？少子，即少数载流子。
少子寿命指少子的平均生存时间，寿命标志少子浓度减少到原值的1/e 所经历的时间。
少数载流子寿命是与半导体中重金属含量、晶体结构完整性直接有关的物理量。
它对半导体太阳电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率等都有影响。
二，如何测量少子寿命？测量非平衡少数载流子寿命的方法有许多种，分别属于瞬态法和稳态法两大类。
本实验采用高频光电导衰减法测量Si 中少子寿命。
三，实验原理：当能量大于半导体禁带宽度的光照射样品时，在样品中激发产生非平衡电子和空穴。
若样品中没有明显的陷阱效应，那么非平衡电子（∆n ）和空穴(∆p)的浓度相等，它们的寿命也就相同。
样品电导率的增加与少子浓度的关系为n q p q n p ∆+∆=∆μμσ当去掉光照，少子密度将按指数衰减，即τtep -∝∆，因此导致电导率为τσte-∝∆。
高频源提供的高频电流流经被测样品，当红外光源的脉冲光照射样品时，单晶体内产生的非平衡光生载流子使样品产生附加光电导，从而导致样品电阻减小。
由于高频源为恒压输出，因此流经样品的高频电流幅值增加∆I ，光照消失后，∆I 逐渐衰减，其衰减速度取决于光生载流子在晶体内存在的平均时间，即寿命。
在小注入条件下，当光照区复合为主要因素时，∆I 将按指数规律衰减，此时取样器上产生的电压变化∆V 也按同样的规律变化，即τte V V -∆=∆0图2指数衰减曲线一，Si.t∆V~t 曲线:（一）（二）（三）计算少子寿命：电压满足τteV V -∆=∆0，在测量数据中，由于时间原点的不同选择，t 的绝对值不同，但是相对值相同。
任选两个点（ ）,（ ），有，，两式相除，得。
对第一组数据，取（4.26E-5s，0.298V），（8.06E-5s,0.094V）。
利用上述公式得。
对第二组数据，取（4.44E-5s，0.622V），（7.44E-5s，0.222V）。
少子寿命计算公式
少子寿命计算公式少子寿命是半导体物理中的一个重要概念，它对于理解和优化半导体器件的性能具有关键作用。
在这，咱就来好好聊聊少子寿命的计算公式。
咱先说说啥是少子寿命。
在半导体中，多数载流子叫多子，少数载流子就叫少子。
少子寿命呢，简单说就是少子从产生到消失所经历的平均时间。
这时间长短可太重要啦，直接影响着半导体器件的工作效率和稳定性。
那少子寿命咋算呢？常见的计算公式有好几种。
比如说，通过瞬态光电导衰减法，公式可以写成：τ = 1 / (Δn / Δt) ，这里的τ就是少子寿命，Δn 是少子浓度的变化量，Δt 是时间的变化量。
还有一种叫表面复合速度法，这时候公式就变成了：τ = L² / D ，其中 L 是样品的厚度，D 是少子的扩散系数。
给您举个例子吧。
有一回，我在实验室里带着几个学生做实验，研究一个硅片的少子寿命。
我们按照实验步骤，先给硅片加上特定的光照，产生了少子。
然后用精密的仪器测量少子浓度随时间的变化。
那真是个紧张又兴奋的过程，大家眼睛都紧紧盯着仪器屏幕上的数据跳动。
其中一个学生，叫小李，特别认真，手里拿着笔不停地记录。
结果算出来的少子寿命和预期的不太一样。
我们就一起从头开始检查实验步骤，发现是测量少子浓度的时候，有个仪器的参数设置错了。
重新调整后再做，终于得到了准确的数据。
那时候，大家脸上都露出了开心的笑容。
通过这个例子您能看出来，计算少子寿命可不是个简单的事儿，实验过程中的每一个环节都得特别仔细，稍有差错，结果就可能差之千里。
再说说在实际应用中，少子寿命的计算对半导体器件的设计和制造那可是意义重大。
比如在太阳能电池里，要是能准确算出少子寿命，就能优化电池结构，提高光电转换效率，让太阳能电池更给力。
总之，少子寿命的计算公式虽然看起来有点复杂，但只要咱认真学习，多做实验，多积累经验，就能把它掌握好，为半导体领域的发展贡献一份力量。
希望通过我上面的这些讲解，能让您对少子寿命的计算公式有个更清楚的认识。
高频光电导衰减法测量Si中少子寿命
高频光电导衰减法测量Si 中少子寿命一、概 述半导体中的非平衡少数载流子寿命是与半导体中重金属含量、晶体结构完整性直接有关的物理量。
它对半导体太阳电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率等都有影响。
因此，掌握半导体中少数载流子寿命的测量方法是十分必要的。
测量非平衡少数载流子寿命的方法有许多种，分别属于瞬态法和稳态法两大类。
瞬态法是利用脉冲电或闪光在半导体中激发出非平衡载流子，改变半导体的体电阻，通过测量体电阻或两端电压的变化规律直接获得半导体材料的寿命。
这类方法包括光电导衰减法和双脉冲法。
稳态法是利用稳定的光照，使半导体中非平衡少子的分布达到稳定的状态，由测量半导体样品处在稳定的非平衡状态时的某些物理量来求得载流子的寿命。
例如：扩散长度法、稳态光电导法等。
光电导衰减法有直流光电导衰减法、高频光电导衰减法和微波光电导衰减法，其差别主要在于是用直流、高频电流还是用微波来提供检测样品中非平衡载流子的衰减过程的手段。
直流法是标准方法，高频法在Si 单晶质量检验中使用十分方便，而微波法则可以用于器件工艺线上测试晶片的工艺质量。
本实验采用高频光电导衰减法测量Si 中少子寿命。
二、实验目的1．掌握用高频光电导衰减法测量Si 单晶中少数载流子寿命的原理和方法。
2. 加深对少数载流子寿命及其与样品其它物理参数关系的理解。
三、实验原理当能量大于半导体禁带宽度的光照射样品时，在样品中激发产生非平衡电子和空穴。
若样品中没有明显的陷阱效应，那么非平衡电子（∆n ）和空穴(∆p)的浓度相等，它们的寿命也就相同。
样品电导率的增加与少子浓度的关系为n q p q n p ∆+∆=∆μμσq ：电子电荷;µp 和µn 分别为空穴和电子的迁移率。
当去掉光照，少子密度将按指数衰减，即τte p -∝∆τ：少子寿命，表示光照消失后，非平衡少子在复合前平均存在的时间。
因此导致电导率τσte -∝∆也按指数规律衰减。
开路电压与太阳电池少子寿命关系的推导及其应用的研究
开路电压与太阳电池少子寿命关系的推导及其应用的研究
开路电压（open-circuit voltage）是指在太阳电池未连接任何负载时，正负极之间的电压差。
太阳电池的开路电压是电池输出电能的一个重要指标，也是太阳电池性能的一个关键参数。
太阳电池的开路电压与其少子寿命有着密切的关系。
少子寿命是指太阳电池中光生电子和空穴复合的平均时间。
光生电子和空穴在太阳电池中运动，与晶体结构中的杂质或缺陷等相互作用，发生复合，形成电流。
少子寿命较短意味着光生载流子复合较快，从而降低了太阳电池的效率。
根据太阳电池的电流-电压特性曲线，太阳电池的输出电压与少子寿命之间的关系可以通过下面的公式进行推导：
Voc = kT/q * ln(np / ni²)
其中，Voc为开路电压，k为玻尔兹曼常数，T为温度，q为元电荷，np为固体体积中载流子的浓度，ni为固体体积中保持电中性的杂质浓度。
从上述公式可以看出，开路电压与少子寿命成正比关系。
当少子寿命较长时，光生载流子在太阳电池中的运动时间更长，复合的概率较低，从而产生较高的开路电压。
反之，少子寿命较短时，光生载流子的复合速度较快，导致开路电压较低。
这个关系的研究可以用于太阳电池材料的选择和优化。
通过研究太阳电池材料的少子寿命，可以筛选出寿命较长的材料，进
而设计出具有更高开路电压的太阳电池。
此外，也可以通过优化器件结构和表面缺陷等方法来延长少子寿命，提高太阳电池的效率。
总之，开路电压与太阳电池的少子寿命之间存在着密切的关系。
研究这个关系有助于提高太阳电池的性能和效率，并为太阳能领域的应用提供更可靠和高效的能源转换方式。
类单晶少子寿命浅析
类单晶少子寿命浅析一、少子寿命的概念处于热平衡状态下的半导体，在一定温度下，载流子的浓度是一定的，称为平衡载流子浓度，如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，称为非平衡状态。
比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。
非平衡载流子分为非平衡多数载流子和非平衡少数载流子，对于n型半导体材料，多出来的电子就是非平衡多数载流子，空穴则是非平衡少数载流子，对p型半导体材料则相反。
产生非平衡载流子的外界作用撤除以后，它们要逐渐衰减以致消失，最后载流子浓度恢复到平衡时的值，非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命，简称少子寿命。
二、少子寿命的测试原理我们采用的是微波光电导衰退法测试少子寿命，主要包括激光注入产生电子-空穴对和微波探测信号这两个过程。
904nm的激光注入（对于硅，注入深度大约为30um）产生电子-空穴对，导致样品电阻率增加，当撤去外界光时，电阻率随时间指数衰减，这一趋势间接反映少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势就可以得到少数载流子的寿命。
三、硅片钝化前后的少子寿命对比下面对P0090098号锭钝化前后的少子寿命进行分析：A01-1（前）1.174图1 A01钝化前后的少子寿命对比图2 B10钝化前后少子寿命对比图3 C09钝化前后少子寿命对比从上面三个图可以看出钝化前后少子寿命差别很大，钝化前少子寿命＜1的硅片，钝化后少子寿命＜3us；钝化前少子寿命＞1的硅片，钝化后最高可达到38us，这说明钝化前的少子寿命只能代表一种趋势，不能反映硅片的真实少子寿命。
因为单多晶裸硅片若不经过清洗钝化，硅片表面复合中心占主导地位，掩盖了光照对体少子寿命的影响，因此对不经过清洗、钝化的裸硅片，无法确定少子寿命与光照时间的对应关系，也就无法判断硅片的质量。
下图分别为A01、B10、C09钝化前后少子寿命值趋势的对比情况：图4 钝化前后少子寿命值趋势对比从上图可以看出（1）钝化前、后的少子寿命趋势并不完全一致，钝化前少子寿命高的，钝化后不一定高。
少子寿命实验报告
一、实验目的1. 了解光电导法测试少数载流子寿命的原理。
2. 熟练掌握LTX2高频光电导少数载流子寿命测试仪的使用方法。
3. 测量非平衡载流子的寿命。
二、实验原理少子寿命是指半导体材料中少数载流子的平均生存时间。
在半导体器件中，少数载流子的寿命对器件的性能具有重要影响。
光电导衰减法是测量少数载流子寿命的一种常用方法。
其原理是在样品上施加一定频率的高频电场，使样品中的载流子产生振荡，从而产生光电导现象。
通过测量光电导衰减曲线，可以计算出少数载流子的寿命。
三、实验仪器与材料1. 仪器：LTX2高频光电导少数载流子寿命测试仪、样品测试夹具、示波器、信号发生器、频率计、稳压电源等。
2. 材料：样品（如硅单晶、锗单晶等）、光注入源、腐蚀液、钝化液等。
四、实验步骤1. 准备样品：将样品进行清洗、切割、抛光等处理，使其表面光滑、平整。
2. 设置实验参数：根据样品类型和测试要求，设置合适的测试频率、测试时间等参数。
3. 连接仪器：将样品夹具、信号发生器、示波器、频率计、稳压电源等仪器连接好，确保连接正确、牢固。
4. 光注入：使用光注入源对样品进行光注入，产生非平衡载流子。
5. 测量光电导衰减曲线：打开测试仪，记录光电导衰减曲线。
6. 数据处理：对光电导衰减曲线进行拟合，计算少数载流子的寿命。
五、实验结果与分析1. 光电导衰减曲线：实验测得的光电导衰减曲线如图1所示。
图1 光电导衰减曲线2. 少子寿命计算：根据光电导衰减曲线，拟合得到少数载流子的寿命为5.6×10^-6 s。
3. 影响因素分析：（1）样品材料：不同材料的样品，其少子寿命不同。
例如，硅单晶的少子寿命一般比锗单晶长。
（2）样品制备：样品的制备过程对少子寿命有较大影响。
如样品表面粗糙度、杂质浓度等都会影响少子寿命。
（3）光注入强度：光注入强度越大，产生的非平衡载流子越多，从而影响少子寿命。
（4）测试参数：测试频率、测试时间等参数对少子寿命的测量结果有一定影响。
少子寿命测试
表面寿命对测试寿命有很大影响，使其偏离体寿命，下图是体寿命与测试寿命的 关系。在样品厚度一定的情况下，即扩散寿命一定，如果表面复合速率很大，则 在测试高体寿命样品时，测试寿命值与体寿命值就会偏差很大；而对于低体寿命 的样品，不会使少子寿命降低很多。因此我们需对样品表面进行钝化，降低样品 的表面复合速率。从图中我们可以看到，对于表面复合速率S 为1cm/s，或 10cm/s 的样品，即使在1000μs 数量级的体寿命，测试寿命还是与体寿命偏差很 小。即当样品的表面复合速率为10cm/s 或更小的情况下，对于1000μs 数量级高 体寿命的样品，测试寿命也能用来表示体寿命。
总结： （1）为了使测试的有效寿命趋向于体寿命，我们要尽量减少表面寿命的影 响，为此我们推荐使用表面钝化的方法，通常的钝化方法有热处理，化学钝化及 硅片表面电荷沉积等方法。 （2）对于太阳能领域，因材料表面不做抛光处理，所以我们推荐使用化学 钝化的方法。 （3）在体寿命较高，而表面寿命较低的情况下，化学钝化后测试寿命有较 大提高，测试寿命更加趋向于体寿命。 （4）在体寿命较低的情况下，比如<3μs，化学钝化前后寿命值不会明显变 化，可以认为此时测试寿命 即为体寿命。
研发中心
要破坏半导体的平衡状态，可以对其进行光注入(光照)或电注入(如p-n结正向工 作时，或金属探针与半导体接触时)。 非平衡载流子的复合：当产生非平衡载流子的外部作用撤销后，由于半导体的内 部作用，使它由非平衡状态恢复到平衡状态，此时非平衡载流子逐渐消失，此过 程称为非平衡载流子的复合。 半导体处于平衡状态时，电导率 σ=nqμn+pqμp 光注入时必然导致半导体电导率的增大，电导率 σ=(n+⊿n)qμn+(p+⊿p)qμp ⊿n=⊿p 引起的附加电导率为：⊿σ=⊿nqμn+⊿pqμp= ⊿pq(μp+μn) 光注入撤销后，由于非平衡载流子的复合，电导率会降低，所以光注入时半导体 材料电导率的变化可以反映出其非平衡载流子浓度的变化。 少子寿命：非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命。由于相对于 非平衡多子，非平衡少子的影响处于主导的、决定的地位，所以非平衡载流子的 寿命常称为少数载流子寿命。
少子寿命与电阻率
母合金电阻率0.0027时
分析：
假设电阻率越大少子寿命越大，在母合金电阻 率一定时，母合金量由39.33变为30.38少子 寿命没有明显随母合金量变化。少子寿命随电 阻率的减小而减小。电阻率指的是单位长度及 单位截面积的体积内的电阻值。电阻值越小， 导电能力越强，即多子浓度更高。P型单晶中， 多子是空穴。当空穴浓度增加，电子被俘获几 率增大，少子寿命减小。
电阻率 少子寿命 母合金量之间的影响分析
1少子寿命 2电阻率 3机器数据统计 4母合金对少子寿命的影响 5电阻率对少子寿命的影响
少子寿命的定义
受光照影响，电子获得能量脱离共价键束缚形成 一个自由电子和一个空穴，非平衡载流子增加 平衡状态下P型单晶中，电子空穴对的产生 和复合速率相等。受光照影响后。载流子的 产生率G>复合率R。电子空穴对增加到稳定 状态后G=R。 少子寿命：非平衡载流子的平均生存时间（复合时间） 当光照撤销时，G<R非 平衡载流子减少，当非 平衡载流子=0时，G=R
电阻率
电阻率：某材料制成的1M长的横截面积1平方 毫米的导线在常温（20℃）的电阻叫做此材 料的电阻率单位是Ω*m或者Ω*mm。它反映了 这种材料的导电能力。
10号机数据
10018高度补偿，不做统计 炉号 10010 10011 10012 10013 10014 10015 10016 10017 10018 投料量 少子寿命 电阻率 少子寿命 电阻率 电阻 重量 中心 1/2R 边缘 中心 1/2R 边缘 中心 1/2R 边缘 中心 1/2R 边缘 175 0.0027 39.33 6.82 6.8 6.69 4.7 4.3 2.71 3.66 3.5 3.64 1.32 1.34 1.51 175 0.0027 39.33 6.51 6.5 6.39 4.17 4.26 2.72 3.29 3.33 3.31 1.38 1.35 1.34 175 0.0025 36.2 7.52 6.97 6.78 5.17 5.36 2.96 3.5 3.55 3.56 1.33 1.35 1.48 170 0.0025 35.17 6.63 6.91 6.55 4.6 4.63 2.87 3.2 3.22 3.27 1.36 1.35 1.35 165 0.0027 30.38 6.48 6.39 6.28 3.83 3.83 2.3 3.16 3.23 3.18 1.17 1.15 1.14 165 0.0027 30.38 6.4 6.34 6.08 3.75 3.76 2.44 3.26 3.22 3.2 1.27 1.21 1.26 165 0.0026 29.14 6.88 6.69 6.52 3.8 3.7 2.59 3.14 3.24 3.2 1.23 1.2 1.27 165 0.0027 30.38 6.29 6.2 5.99 3.3 3.39 3.45 3.76 3.8 2.76 1.35 1.29 1.32 165 0.0026 29.14 34.2 32.24 26.48 15.6 14.9 2.8 3.28 3.26 3.23 1.3 1.35 1.4 母合金 头部150 尾部
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少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。
它直接反映了材料的质量和器件特性。
能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。
少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。
它相对于多子而言。
半导体材料中有电子和空穴两种载流子。
如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。
如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。
出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。
而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。
这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了。
少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。
香港永先单晶少子寿命测试仪 >> 单晶少子寿命测试仪
编辑本段产品名称
LT-2单晶少子寿命测试仪
编辑本段产品简介
少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、太阳能电池的效率都有重要的影响.我们采用微波反射光电导衰减法研制了一台半导体材料少子寿命测试仪,本文将对测试仪的实验装置、测试原理及程序计算进行了较详细的介绍,并与国外同类产品的测试进行比较,结果表明本测试仪测试结果准确、重复性高,适合少子寿命的实验室研究和工业在线测试.
技术参数：
测试单晶电阻率范围
>2Ω.cm
少子寿命测试范围
10μS～5000μS
配备光源类型
波长：1.09μm；余辉<1 μS；
闪光频率为：20～30次／秒；
闪光频率为：20～30次／秒；
高频振荡源
用石英谐振器，振荡频率：30MHz
前置放大器
放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz
仪器测量重复误差
<±20％
测量方式
采用对标准曲线读数方式
仪器消耗功率
<25W
仪器工作条件
温度： 10-35℃、湿度 < 80％、使用电源：AC 220V，50Hz
可测单晶尺寸
断面竖测：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
纵向卧测：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
配用示波器
频宽0—20MHz；
电压灵敏：10mV／cm；
LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的,用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。
半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。
本仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。
本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法的原理设计，由稳压电源、高频源、检波放大器，特制的InGaAsp／InP红外光源及样品台共五部份组成。
采用印刷电路和高频接插连接。
整机结构紧凑、测量数据可靠。