电子线路练习题
电子线路第二版课后练习题含答案
电子线路第二版课后练习题含答案电子线路是电子信息专业的重要基础课程，本文将为大家提供电子线路第二版的课后练习题及答案，帮助大家更好地掌握该领域的知识。
一、选择题1.能进行电流放大的电路是（） A. 集电极接地放大电路 B. 基极接地放大电路 C. 发射极接地放大电路 D. 集电极与发射极都接地的电路答案：B2.某同步触发器两个触发器输入端Q和Q’之间如果连接（）电路，则能实现T触发器功能。
A. 或B. 与C. 非D. 与或答案：C3.以下不属于单切开关功能的是（） A. 加法器 B. 减法器 C. 翻转器 D. 反相器答案：A二、填空题1.鉴别类比信号中信息的主要手段是__________。
答案：频率分析2.FPGA的相对速度比ASIC慢，原因是FPGA的__________。
答案：资源共享3.放大电路的动态指标一般有__________和__________。
答案：截止频率，增益带宽积三、简答题1.请简述反相器的输入输出特性。
答：反相器的输入输出特性是输入电压为高电平时，输出电压为低电平；输入电压为低电平时，输出电压为高电平。
即输出信号与输入信号相反，因此称为反相器。
2.请简述同步触发器的构成及工作原理。
答：同步触发器由两个锁存器和一组控制电路构成。
当控制电路电平为高电平时，第一个锁存器将数据输入进行锁存，第二个锁存器输出上一个周期的锁存数据。
当控制电路电平为低电平时，第二个锁存器将数据输入进行锁存，第一个锁存器输出上一个周期的锁存数据。
同步触发器主要应用于数字电路中零延迟的数据传输。
四、计算题1.已知一个放大电路的输入电阻为10kΩ，输出电阻为2kΩ，放大倍数为50。
求该电路的截止频率和增益带宽积。
答：根据公式截止频率fT=1/2πRC计算得到截止频率fT=7.96Hz；根据公式增益带宽积GBW=A*fT（A为放大倍数），可得增益带宽积GBW=397.93Hz。
电子线路是一门极其重要的学科，通过练习题目可以在考试中更好的发挥作用，希望这篇文章的练习题目及答案能够为大家提供一些帮助。
电子线路综合练习习六
电子线路综合练习六一、填空1、逻辑门电路是指 输入端和 输出端的开关电路，基本逻辑门电路适当组合能构成 、 、 、 等复合逻辑门，逻辑门电路的逻辑关系可用 、 、 、 . 表示。
2、数字集成电路从器件特性来分有 和 两大系列，前者的电源、地端用 表示，后者则以 表示。
3、组合逻辑电路的特点是： ，也就是说 ， 电路就是最简单的组合电路。
4、逻辑代数的三种基本运算是 、 和 。
5、门电路中，最基本的逻辑门是 、 和 。
6、逻辑函数的两种最基本的表示形式是 和 。
二、单项选择题 1、（ ）图示门电路，Y= 。
A A+B+CB ABC C ABCD C B A ++ 2、（ ）B A Y ⋅=表示的逻辑关系为：A B A Y += B B A Y ⋅= C Y=A+B D Y=AB 3、（ ）输入A 、B 的与门电路，当输入A=1时，输出Y= 。
A 1 B 0 C A D B 4、（ ）B A AB Y ⋅+=的逻辑电路为：A 与或非门B 异或门C 同或门D 都不是5、（ ）C B A ABC Y +++=的最简表达式为：A ABCB 0C 1D 3 6、（ ）下列逻辑代数等式错误的是：A B+B=0B 1=+B BC 00=⋅BD 0=⋅B B7、（ ）晶体三极管饱和时，偏置状态是：A 发射结正偏，集电结反偏B 发射结和集电结都正偏C 反射结反偏，集电结正偏D 反射结和集电结都反偏 8、（ ）如图所示电路，Y= 。
A 0B 1C BD 都不对三、化简： 1、Y=AB+ABCD 2、B AD CD B A Y ++++=3、C B BC BC A ABC A Y ++++=4、C AB C B A C B A C B A Y ++⋅+=Y5、B A AB Y ⋅+=6、A C B AB Y )(+=四、证明下列逻辑函数式： 1、B B C B B B A A =++++)()(2、B A B A A B A A +=+++)(3、AC B A C A B A +=++))((4、C A B A B A AB ⋅+=+5、C A AB C B A BC A C AB ABC +=⋅+++6、A B A B A =+++2、3、六、画波形： 1、2、YA B CYBAYA BC BAC Y。
高频电子线路习题及答案
高频电子线路习题及答案高频电子线路习题一、填空题1. 在单级单调谐振放大器中，谐振时的电压增益 Kvo=有载 QL=，通频带 BW0.7=，矩形系数 K0.1 为。
2. n 级同步单调谐振放大器级联时，n 越大，则总增益越，通频带越，选择性越。
3. 工作在临界耦合状态的双调谐放大器和工作在临界偏调的双参差放大器的通频带和矩形系数是相同的，和单级单调谐放大器相比，其通频带是其倍，矩形系数则从减小到。
4. 为了提高谐振放大器的稳定性，一是从晶体管本身想办法，即选Cb’c的晶体管；二是从电路上设法消除晶体管的反向作用，具体采用法和法。
5. 单级单调谐放大器的谐振电压增益 Kvo=QL=，通频带 BW0.7=。
，有载6. 晶体管在高频线性运用时，常采用两种等效电路分析，一种是，另一种是。
前者的优缺点是。
7. 晶体管低频小信号放大器和高频小信号放大器都是线性放大器，它们的区别是。
8. 为了提高谐振放大器的稳定性，在电路中可以采用法和法，消除或削弱晶体管的内部反馈作用。
9. 晶体管的 Y 参数等效电路中， Yre 的定义是，称为，它的意义是表示的控制作用。
10. 晶体管的 Y 参数等效电路，共有 4 个参数，Y 参数的优点是便于测量。
其中 Yfe 的意义是表示。
11. 晶体管高频小信号放大器与低频小信号放大器都是放大器，结构上的区别是前者包含有后者没有的，具有带通特性的。
12. 对小信号调谐放大器的要求是高、好。
13. 丙类高频功率放大器又称为____________功率放大器，常在广播发射系统中用作____________级。
14. 按照通角θC 来分类，θC=180 的高频功率放大器称为_____类功放； C <90 的高频功率放大器称为_____类功放。
15. 功率放大器的工作状态按照集电极电流的通角θC 的不同可分为四类：当θC= ______时，为_____类：当θC=_____时，为_____类；当θC<____时为____类；当____< θC<____时，为_____类。
电子线路练习题二
电子线路练习题二一、选择题1. 直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为（ ）。
A. 晶体管的非线性B. 电阻阻值有误差C. 晶体管参数受温度影响D. 静态工作点设计不当2. 已知变压器二次电压为t U u ωsin 222=V ，负载电阻为R L ，则半波整流电路流过二极管的平均电流为（ ）。
A. L R U 245.0 B. L R U 29.0 C.LR U 22D. L R U 222 3. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降4. 为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ ）负反馈。
A. 直流B. 交流电流C. 交流串联D. 交流并联5. 乙类互补对称功率放大电路（ ） A ．能放大电压信号，但不能放大电流信号 B ．既能放大电压信号，也能放大电流信号 C ．能放大电流信号，但不能放大电压信号D ．既不能放大电压信号，也不能放大电流信号6. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>7. 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ ）负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联8. 在25oC 时，某二极管的死区电压U th ≈，反向饱和电流I S ≈，则在35oC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。
A U th ≈，I S ≈B U th ≈，I S ≈C U th ≈，I S ≈D U th ≈，I S ≈9. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入1 k Ω负载电阻后输出电压降为1V 。
电路基础练习题库与参考答案
电路基础练习题库与参考答案一、单选题（共60题，每题1分，共60分）1、1KWH电可供一只“220V.25W的灯泡正常发光的时间是()。
A、20hB、40hC、25hD、45h正确答案：B2、我国低压供电电压单相为220伏,三相线电压为380伏,此数值指交流电压的()。
A、平均值B、最大值C、有效值D、瞬时值正确答案：A3、10度电可供220V/40W的灯泡正常发光()。
A、250hB、20hC、200hD、260h正确答案：B4、某正弦电压有效值为380V,频率为50Hz,计时始数值等于380V,其瞬时值表达式为()。
A、u=380sin314t(V);B、u=380sin(314t+90^0)V;C、u=537sin(314t+45^0)V;D、u=537sin(314t+90^0)正确答案：C5、已知某正弦量i=5A2sin(314t+30°)A,则其最大值为()。
A、5B、5a2C、10D、以上皆正确正确答案：A6、当用万用表测较大电阻值时,不小心将两手接触在电阻两端,此时测量值会()。
A、不变B、偏大C、偏小D、以上皆正确正确答案：C7、常用电工仪表的难确度等级分为()。
A、四级B、七级C、五级D、以上皆正确正确答案：B8、交流发电机用转子总成来产生()。
A、磁场B、电场C、电磁场D、以上皆正确正确答案：A9、三相四线制电源的线电压与相电压的数量关系为()。
A、UL=A3UPB、UL=A2UPC、UL=UPD、以上皆正确正确答案：A10、1安培等于()微安。
A、102B、109C、106D、103正确答案：C11、下列设备中,其中通常作为电源()。
A、发电机B、电视机C、电炉D、以上皆正确正确答案：A12、电流表必须如何在被测电路中进行测量()。
A、并联B、串联C、串并联D、以上皆正确正确答案：B13、电容器电容量的大小与极板的哪一部分成正比关系()。
A、面积B、之间的距离C、尺寸D、材料正确答案：A14、锗二极管的管压降约为()。
高频电子线路习题20221113
填空题1.通信系统一般由、____、、以及五部分组成。
2.并联谐振回路发生谐振时，回路呈________性。
3.根据晶体管的导通角大小，将放大器分为、和等工作状态。
4.无线电波的传播方式主要有___________、_____________、___________三种。
5.高频谐振功率放大器为了提高效率而工作在状态，其导通角θ小于，因此要求放大器的基极偏压V BB小于。
6.在____________调制中，调制的结果实现了频谱的线性搬移。
7.调频是指载波信号的____________随调制信号呈___________变化。
8.包络检波器适用于_______________的解调，同步检波器适用于_______________和_______________的解调。
9.当负载由小逐渐增大时，谐振功率放大器由___________状态逐步向__________状态过渡。
10.小信号谐振放大器工作在状态，其主要技术指标有、、。
11.丙类谐振功率放大器按晶体管集电极电流脉冲形状可分为、、三种工作状态，它一般工作在状态。
12.LC并联谐振回路，谐振时阻抗________，且对外呈现_______特性；当信号频率高于谐振频率而失谐时，阻抗将__________，并呈现_________特性。
13.调幅信号有三种，它们分别是、和。
14.斜率鉴频器是先将调频信号变换成信号，然后用进行解调得到原调制信号。
15.二极管包络检波只适用解调_____________信号，对于DSB、SSB 信号解调则需采用____________检波电路，而对于调频信号应采用_____________进行解调。
16.高频功率放大器的作用是___________；其目标是在保证输出功率的前提下，追求放大器___________、___________；其性能指标主要包括___________ 和___________。
17.为了有效地实现基极调幅，调制器必须工作在状态，为了有效地实现集电极调幅，调制器必须工作在状态。
通信电子线路复习题
一、单项选择题1、谐振时，串联谐振回路的阻抗呈（）性并且取（）值。
A、纯电阻、最小B、纯电阻、最大C、电感、最小D、电容、最大2、由两个相同的单调谐放大器组成的两级放大电路若单级的通频带10kHzB=，则两级放大器的通频带是（）kHz。
A、5B、6.4C、10D、203、双耦合谐振回路临界状态时的矩形系数K=（）。
0.1A、1B、2.56C、3.16D、9.954、当LC谐振回路接入信号源内阻和负载后，其回路的品质因数（），通频带（）。
A、变大、变窄B、变大、变宽C、变小、变宽D、变小、变窄4、高频功率放大器一般采用（）作为负载，其电流导通角θ（）90o。
A、电阻、小于B、调谐回路、小于C、电阻、大于D、调谐回路、大于5、基极调幅时，高频谐振功率放大器工作在（）。
A、欠压状态B、过压状态C、临界状态D、任意状态6、某丙类谐振功率放大器工作在临界状态，晶体管为NPN管，若保持其它参数不变，集电极直流电压E减小，则放大器工作状态可能进入（）状态。
CA、过压B、不确定C、欠压D、临界7、模拟相乘器不可以完成的功能有（）。
A、调幅B、混频C、调频D、鉴频8、试从振荡器的相位条件出发，判断下图的高频等效电路能否振荡（不考虑晶体管内部电容的影响）。
A（）、B（）3ABA、不能，不能B、不能，可能C、可能，不能D、可能，能9、下图所示的晶体振荡器属于（）晶体振荡器。
输出A 、密勒B 、西勒C 、皮尔斯D 、串联型10、DSB 调幅波的数学表达式为：36()cos1010cos 210(V)DSB o u t U t t ππ=⨯⨯，则此DSB 信号的频带宽度是（ ）。
A 、2MHzB 、20kHzC 、10kHzD 、5kHz11、若调频波的载波频率为10.7MHz ，调制信号频率为10kHz ，最大频偏为200kHz ，若调制信号频率不变，振幅增大一倍，则此时的调频波的频带宽度为（ ）。
A 、400kHz B 、420kHz C 、21.4MHz D 、820kHz12、已调波()0.5cos10000cos10000.5sin10000sin1000(V)u t t t t t ππππ=+是（ ）信号。
电子线路复习题(附答案)
一、 填空题1. PN 结具有 单向导电 性能，既加正向电压时PN 结 导通 ，加反向电压时PN 结截止。
2. N 型半导体又称电子型半导体，它主要靠 自由电子 导电。
3.硅二极管导通时的正向压降为 0.7 伏，锗二极管导通时的正向压降为0.3伏。
4. 最常用的半导体材料有 硅 和 锗 。
5. N 型半导体中多数载流子是自由电子_少数载流子是空穴。
6. 三极管具有放大作用的外部条件是发射结正偏、集电结反偏。
7. 放大电路的静态工作点过高，可能引起 饱和 失真，静态工作点过低，可能引起截止 失真。
8. NPN 型晶体三极管工作在放大状态时，三个极中电位最高的是 集电极 极。
PNP 型晶体三极管工作在放大状态时，三个极中电位最高的是发射 极。
9. 三极管的基本联接方式有：共发射极接法、共基极接法 、 共集电极接法 。
10. 场效应晶体管属于 电压 控制器件,场效应管的最大优点是 输入电阻高 。
11. 开启电压0)(>th U GS 的是 N 沟道增强型 场效应管, 开启电压0)(<th U GS 的是 P 沟道增强型 场效应管。
12. 场效应管属于电压控制器件。
场效应管从结构上分成 结型和 绝缘栅型 两大类型 13. 并联反馈的反馈量以电流形式馈入输入回路，和输入电流相比较而产生净输入量。
14. 串联 负反馈能提高放大器的输入电阻， 并联 负反馈能降低放大器的输入电阻。
15. 要从２２０Ｖ交流电源获得稳定度高的直流电压要经过变压器,整流,滤波,稳压。
16. 在整流电路的负载两端并联一只电容，其输出波形脉动的大小，将随着负载 电阻和电容量的增加而 减 小。
17. 逻辑函数F=ABC+A+B+C 的逻辑值为 1 。
18. 二进制数1100转换成十进制是12，十六进制是C 。
20. CMOS 门电路中不用的输入端不允许_悬空通过大电阻接地的输入端相当于低电平。
21. 在“或非”门构成的基本RS 触发器电路中，将___Q=0_____称为触发器的0状态，Q=1称为触发器的1状态，R D = 1，S D =0时其输出为__0____状态。
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练习题1（二极管的单向导电性）一、判断题：1、晶体二极管加一定的正向电压时导通。
（）2、晶体二极管加一定的反向电压时导通。
（）3、晶体二极管具有单向导电性。
（）二、选择题：1、如果二极管的阳极电位为1.5V，阴极的电位为0.8V，二极管将会（）。
A导通B截止C烧坏二极管D无法确定2、晶体二极管的阳极电位是—7V，阴极电位是—5V，该晶体二极管处于（）。
一、判断题：1、当晶体二极管的PN结导通时，参加导电的是多数载流子。
（）2、本征半导体就是不加杂质的纯净半导体。
（）3、在硅单晶体中加入微量的硼元素可得到P型硅。
（）4、N型半导体中空穴是多数载子，自由电子是少数载流子。
（）5、晶体二极管内部有一个具有单向导电性的PN结。
（）6、二极管的正极从N型区引出，负极从P型区引出。
（）7、在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（）二、选择题：1、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为（）。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定2、（）又称为空穴型半导体。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定3、（）又称为电子型半导体。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定4、（）内部空穴数量多于自由电子数量。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定5、（）内部自由电子是多数载流子。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定练习3（二极管的伏安特性）一、判断题：1、二极管两端只要加正向电压就一定导通。
（）2、晶体二极管的正向电压小于门坎电压时，二极管呈现电阻很大仍处于截止状态。
（）3、晶体二极管的反向电压增加到某一数值时，反向电流会突然急剧增大，这种现象称为反向电击穿。
（）4、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（）5、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小，当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。
（）二、填空题：1、硅管的截止电压为，锗管的截止电压为。
硅管的导通电压为，锗管的导通电压是。
三、选择题：1、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的区，而且所受的正向电压小于其门槛电压时，二极管相当于（）A小阻值电阻B断开的开关C闭合的开关D不确定2、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（）。
A减小B增大C不变D不确定3、当硅晶体二极管加上0.4V的正向电压时，该晶体二极管相当于（）A小阻值电阻B断开的开关C闭合的开关D被烧毁4、如果把二极管的阳极接到1.5V电源的正极，把阴极接到电源的负极，将会（）。
A导通B截止C烧坏二极管D无法确定5、二极管导通时其两端所加的是（）电压。
A正向B反向C击穿D门坎6、当二极管两端正向电压大于（）电压时，二极管才能导能。
A门坎B截止C死区D导通7、二极管两端的反向电压增大时，在达到（）电压之前，通过的电流很小。
A门坎B导通C最大D击穿8、二极管两端的正向电压小于（）电压时，二极管仍然处于截止状态。
A门坎B导通C最大D击穿9、二极管两的反向电压小于反向击穿电压时，二极管中的电流称为（）电流。
A反向饱和B反向击穿C导通D死区10、二极管两的反向电压大于反向击穿电压时，二极管中的电流称为（）电流。
A反向饱和B反向击穿C导通D死区练习题4（二极管的测试）一、判断题：1、万用表的红表笔接内电源的正极。
（）二、选择题：1、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（）挡。
A R×100Ω或R×1kΩB R×10ΩC R×10kΩD R×1Ω2、测试一个正常的二极管，将万用表的红黑表笔分别接二极管的两端，若测得电阻很小，则（）表笔所接的是二极管正极。
A红B黑C不确定3、用万用表测试二极管时，若两次测得的都很小表明（）A二极管正常B二极管内部短路C二极管内部断路D不确定4、用万用表测试二极管时，若两次测得的都很大表明（）A二极管正常B二极管内部短路C二极管内部断路D不确定5、用万用表测试二极管时，若一次测得的电阻值很大，一次测得的电阻值很小表明（）A二极管正常B二极管内部短路C二极管内部断路D不确定练习题5（二极管的分类、型号和参数）一、判断题：1、最大整流电流I FM是二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。
（）2、最高反向工作电压V RM是二极管允许承受的反向工作电压平均值。
（）3、反向漏电流I R是在规定的反向电压和环境温度下测得的二极管反向电流值。
（）4、反向漏电流值越大，二极管单向导电性能越好。
（）5、通常标定的最高反向工作电压是反向击穿电压的一半或三分之一。
（）6、二极管工作时的正向电流平均值不能超过最大整流电流，否则二极管会被损坏。
（）二、选择题：1、面接触型晶体二极管比较适用于（）A小信号检波B大功率整流C大电流开关D稳压2、点接触型晶体二极管比较适用于（）A小信号检波B大功率整流C大电流开关D稳压3、一个二极管上标有“2CW50”字样，该二极管是（）材料。
A锗B硅C不确定4、一个二极管上标有“2CW50”字样，该二极管是什么类型的？（）A普通管B微波管C稳压管D参量管三、画电路图符号：普通二极管稳压二极管发光二极管光敏二极管变容二极管练习题6（单相半波整流电路）一、填空题：1、利用（）把单相交流电转换成直流电的电路称为二极管单相整流电路。
2、（）的电压和电流称为脉动直流电。
二、选择题：1、把交流电转换为直流电的过程称为（）A整流B滤波C稳压D以上均不对2、单相半波整流电路负载两端电压的平均值与变压器二次电压有效值的关系是（）A V L=V2B V L=0.45V2C V L=0.9V2D V L=1.41V2三、判断题：1、半波整流二极管允许最大反向电压应大于随的反向峰值电压。
（）2、流过半波整流二极管的正向工作电流等于流过负载的电流的一半。
（）3、半波整流二极管截止时承受的反向峰值电压是变压器副线圈电压v2的最大值。
（）四、画出半波整流电路图。
若负载电阻为3kΩ，负载电流为10mA，求：⑴流过二极管的平均电流，⑵电源变压器的二次电压，⑶整流二极管承受的最大反向电压。
练习题7（桥式整流电路）一、选择题：1、桥式整流电路负载两端电压的平均值与变压器二次电压有效值的关系是（）A V L=V2B V L=0.45V2C V L=0.9V2D V L=1.41V22、单相桥式整流电路中若有一个二极管内部短路，整流电路会出现什么现象？（）A正常工作B负载上只有半波信号C烧毁电路D负载上无电流3、单相桥式整流电路中若有一个二极管虚焊（断路），整流电路会出现什么现象？（）A正常工作B负载上只有半波信号C烧毁电路D负载上无电流4、单相桥式整流电路中若有一个二极管内部极性接反了，整流电路会出现什么现象？（）A正常工作B负载上只有半波信号C烧毁电路D负载上无电流二、判断题：1、桥式整流电路中每个二极管截止时承受的反向峰值电压是变压器副线圈电压v2的最大值。
（）2、流过桥整流二极管的正向工作电流等于流过负载的电流的一半。
（）三、画出半波整流电路图。
若输出电压为1V，负载电流为5mA，求：⑴流过二极管的平均电流，⑵电源变压器的二次电压，⑶整流二极管承受的最大反向电压。
练习题8（滤波器）一、选择题：1、能把脉动直流电中脉动万分滤掉的电路称为（）A整流B滤波C稳压D以上均不对二、判断题：1、电容滤波电路中，电容器C的容量越大或负载电阻越大，电容器C放电越慢。
（）2、电容滤波电路中，电容器C的容量越大或负载电阻越大，输出的直流电压就越平滑，并越接近V2的峰值。
（）3、电容滤波电路适用于负载电流较大并经常变化的场合。
（）4、电感滤波器适用于负载电流较小的场合。
（）5、电感滤波器中电感器的电感量越大，滤波效果越坏。
（）练习题9（硅稳压二极管稳压电路）一、选择题：1、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态二、判断题：1、稳压二极管在反向击穿区两端电压变化量与通过电流变化量之比值叫做动态电阻。
（）2、稳压二极管的动态电阻越小稳压性能越好。
（）三、画出一个带有硅稳压二极管稳压电路的桥式整流滤波电路，并在电路中标出整流、滤波、稳压和负载四部分。
练习题10（三极管）一、选择题：1、关于三极管下列说法中正确的是（）A发射区掺杂浓度较小B基区很薄，掺杂多C集电区比发射区体积小且掺杂少D以上说法均不对2、三极管内有（）个PN结。
A 1B 2C 3D 43、下列是共发射极接法的是（）二、判断题：1、三极管就是两个PN结的简单组合，它可以用两个二极管代替。
（）2、三极管的发射极和集电极可以颠倒使用。
（）三、画出NPN型和PNP型三极管的电路图符号。
练习题11（三极管的电流分配）一、选择题：1、下列说法错误的是（）A三极管的反向饱和电流I CBO是发射极开路时集电结的反向电流B三极管的穿透电流I CEO基极开路时，集电极与发射极之间的电流C I CEO会随温度的升高而增大D I CEO越大说明三极管的温度稳定性越好2、已知三极管的β=100，若I B=10μA，则该管的I C=（）（忽略I CEO）A 10μAB 1mAC 1.01mAD 03、已知三极管的β=50，若I B=2mA，则该管的I E=（）（忽略I CEO）A 40μAB 2mAC 2.04mAD 0二、判断题：1、当三极管的I B有一个微小变化时，就能引起I C较大的变化。
（）2、三极管中电流分配关系是I E= I C+ I B。
（）3、一般情况下，三极管的电流放大系数随温度的增加而变大。
（）4、已知某三极管的射极电流I E=1.36mA，集电极电流I C=1.33 mA，则基极电流I B=30μA。
（）5、某三极管的I B=10μA时，I C=0.44 mA；当I B=20μA时，I C=0.89 mA，则它的电流放大系数β=45。
（）练习题12（三极管的工作状态）一、选择题：1、三极管工作在放大区的条件是（）A发射结加正向电压，集电结加反向电压B发射结和集电结都要加正向电压C发射结加反向电压，集电结加正向电压D发射结和集电结都要加反向电压2、三极管工作在饱和区的条件是（）A发射结加正向电压，集电结加反向电压B发射结和集电结都要加正向电压C发射结加反向电压，集电结加正向电压D发射结和集电结都要加反向电压3、三极管工作在截止区的条件是（）A发射结加正向电压，集电结加反向电压B发射结和集电结都要加正向电压C发射结加反向电压，集电结加正向电压D发射结加反向电压或两端电压为零4、PNP型三极管三只管脚的电位关系为V B＞V C＞V E，则三极管工作在（）区。
A截止B放大C饱和D无法确定5、PNP型三极管三只管脚的电位关系为V E＞V B＞V C，则三极管工作在（）区。