台式反应离子刻蚀(RIE)系统
反应等离子刻蚀及离子束设备及工艺
刻蚀的基本原理IBE刻蚀原理及设备RIE刻蚀原理及设备ICP刻蚀原理及设备工艺过程、检测及仪器1 / 43刻蚀用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分材料去除，从而得到和抗蚀剂完全一致的图形2 / 43干法刻蚀过程示意离子轰击掩膜衬底3 / 43刻蚀种类:① 干法刻蚀利用等离子体将不要的材料去除（亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法）② 湿法刻蚀利用腐蚀性液体将不要的材料去除干法刻蚀工艺特点：①好的侧壁剖面控制，即各向异性②良好的刻蚀选择性; 合适的刻蚀速率；好的片内均匀性③工艺稳定性好，适用于工业生产4 / 43刻蚀参数刻蚀速率习惯上把单位时间内去除材料的厚度定义为刻蚀速率刻蚀前刻蚀后刻蚀速率=刻蚀速率由工艺和设备变量决定，如被刻蚀材料类型，刻蚀机的结构配置，使用的刻蚀气体和工艺参数设置5 / 43刻蚀参数选择比同一刻蚀条件下，被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。
均匀性衡量刻蚀工艺在整个晶片上，或整个一批，或批与批之间刻蚀能力的参数NU(%) = (Emax - Emin)/ 2Eave6 / 43刻蚀剖面被刻蚀图形的侧壁形状各向异性：刻蚀只在垂直于晶片表面的方向进行各向同性：在所有方向上以相同的刻蚀速率进行刻蚀7 / 43离子束刻蚀（IBE)原理• 离子束刻蚀是利用具有一定能量的离子轰击材料表面，使材料原子发生溅射，从而达到刻蚀目的把Ar、Kr或Xe之类惰性气体充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面撞击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。
8 / 439 / 43离子源构成及工作原理IBE刻蚀特点9方向性好，各向异性，无钻蚀，陡直度高9分辨率高，可小于0.01μm9不受刻蚀材料限制（金属or化合物，无机物or有机物，绝缘体or半导体均可）9刻蚀过程中可改变离子束入射角θ来控制图形轮廓离子束刻蚀速率影响因素A.被刻蚀材料种类B.离子能量C .离子束流密度D.离子束入射角度10 / 43IBE-A150设备离子源电控柜真空室分子泵冷却水11 / 4312 / 43IBE 相关刻蚀数据离子能量：350eV 材料 刻蚀速率材料 刻蚀速率 材料 刻蚀速率 nm/min nm/min 7-8 nm/min 34-36 55 Ni 17-18 Ti GaN Au SiO2 17-18Al 15-16 5-6 Ge Si33-34 17-18TiN GaAsITO AZ 胶32-34 1835-40离子能量：300eV 材料 刻蚀速率材料 刻蚀速率 材料 刻蚀速率 nm/min nm/min 10 nm/min 35-37 PMMA 21 AZ 胶AuSi14-15Ni-Cr 合金 10-12Glass Si Ni13 / 43IBE操作注意事项• 启动离子源之前，必须确保离子源室和工件台通入冷却水• 如果刻蚀工艺采用离子束入射角度≥30度时，在刻蚀时间到达预定值10s前，必须将工件台转回水平位置• 为更好的传递热量，放片时需在片子背面涂硅脂放片、取片过程中应尽量避免油脂玷污片子图形表面• 取片后用异丙醇擦去工件台上硅脂• 抽真空次序不能错，开主阀前要确认真空度达到-1级14 / 43反应离子刻蚀（RIE）刻蚀原理一种采用化学反应和物理离子轰击去除晶片表面材料的技术•刻蚀速率高、可控•各向异性，形貌可控•选择比高15 / 43排放分离解吸扩散等离子体工艺反应表面扩散16 / 4317 / 43TEGAL PLASMA ETCHER, MODEL 903e 适用于150mm单片晶片上的SiO2和Si3N4的刻蚀；刻蚀温度能控制在20－35度之间主机显示器射频源18 / 431 2SiO2刻蚀光刻胶掩膜Profirle 85-90°刻蚀均匀性 <+/-5% Si3N4刻蚀光刻胶掩膜刻蚀均匀性 <+/-5%Profile 85-90°典型刻蚀速率：PSG 6000Å/min热氧化SiO2 4000 Å/min 典型刻蚀速率：Si3N4 4000 Å/min PSG 6000 Å/min选择比：SiO2: PR >5:1SiO2: silicon/polysilicon >=10:1选择比：Si3N4: PR >3:1Si3N4: aluminum >100:119 / 43RIE操作注意事项• 初始设置为6寸片刻蚀，必须放在两侧片架里，左侧进片，右侧出片• 每次程序运行前要将两边片架重新手动定位• 射频源功率不宜设置过高，小于500W20 / 43电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理包括两套通过自动匹配网络控制的13.56MHz射频电源一套连接缠绕在腔室外的螺线圈，使线圈产生感应耦合的电场，在电场作用下，刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。
反应离子刻蚀
反应离子刻蚀简介反应离子刻蚀（RIE）是一种通过气体放电产生的离子束来刻蚀材料表面的技术。
它是一种非常重要的微纳加工工艺，被广泛应用于半导体、光学和纳米科技领域。
本文将介绍反应离子刻蚀的原理、设备和应用。
原理反应离子刻蚀原理基于离子束与材料表面的相互作用。
在RIE设备中，通过一个高频电源产生一个电场，使得工作间隙中的气体（通常为氧气或氟气）在电场下发生电离。
产生的离子在电场的作用下加速并对材料表面进行刻蚀。
反应离子刻蚀的过程可以分为三个主要阶段：电离阶段、加速阶段和反应阶段。
1.电离阶段：利用高频放电使得气体中的原子或分子电离，产生大量正离子和电子。
2.加速阶段：通过电场作用，正离子在电场中加速并进入工作间隙，形成高速离子束。
3.反应阶段：离子束与材料表面发生碰撞，产生物理或化学反应，刻蚀材料表面。
设备反应离子刻蚀需要使用专门的设备，称为反应离子刻蚀机。
RIE机由多个关键组件组成：1.真空腔：用于形成高真空环境，防止气体分子的散射和干扰。
2.高频电源：提供高频放电电场，并驱动气体电离。
3.外加电源：用于控制电场及正离子束的加速程度和方向。
4.气体供给系统：提供刻蚀所需的气体，并控制气体的流量和压力。
5.气体排放系统：将刻蚀产生的废气排放到安全区域。
应用反应离子刻蚀在微纳加工领域具有广泛的应用，主要包括以下几个方面：1.半导体器件制造：RIE技术被广泛用于制造芯片中的光罩和微细结构，如晶体管、电容和互联线路等。
2.光学器件制造：RIE可以用于制造光学器件，如光纤、光波导和微透镜等。
3.微纳加工：RIE可以用于制造微纳米结构和微模具，如微通道、微阵列和微流体器件等。
4.纳米科技研究：RIE可以用于制备纳米材料和纳米结构，如纳米颗粒、纳米线和纳米孔洞等。
优势与挑战反应离子刻蚀具有以下优势：1.高加工速度：RIE可以在较短的时间内实现高精度的刻蚀，提高生产效率。
2.高精度：RIE可以实现亚微米级别的刻蚀精度，满足微纳加工的要求。
反应离子刻蚀机介绍
《反应离子刻蚀机介绍》
嘿，你知道反应离子刻蚀机吗？这玩意儿可神奇啦！今天我就来给你好好唠唠。
我第一次见到反应离子刻蚀机的时候，那场面可真是有点懵。我跟着我们实验室的老大，也就是李教授，还有师兄小张一起走进那个摆满各种仪器的大房间。一进去，就看到这个反应离子刻蚀机像个神秘的大盒子似的站在角落里。
这个反应离子刻蚀机啊，它可不是个简单的家伙。从外观上看，它有着一个结实的外壳，就像一个穿着铠甲的战士，保护着里面精密的部件。它身上有好多的线路和接口，就像人的血管和神经一样，密密麻麻的，看得我眼花缭乱。
李教授就站在旁边，指着这个刻蚀机开始给我们介绍。他说：“这反应离子刻蚀机啊，就像是一个超级精确的雕刻大师。”然后他开始详细地解释它的原理。原来啊，这个刻蚀机是通过产生等离子体来工作的。就像一群小小的精灵在里面跳舞，这些精灵就是离子啦。它们在电场的作用下，变得超级活跃，然后冲向要被刻蚀的材料。
然后就是设置各种参数。这可真是个技术活啊，就像调鸡尾酒一样，各种比例都得恰到好处。李教授在旁边指挥着，一会儿说这个电压要调高一点，一会儿说那个气体流量要减少一些。我和小张师兄就像两个小跟班一样，按照教授的指示在操作面板上按来按去。
等一切都设置好，按下开始键的时候，我们都紧张地盯着刻蚀机。里面会发出一些轻微的嗡嗡声，就好像那些离子精灵在欢呼着开始工作了。这个时候，李教授就开始给我们讲他以前用反应离子刻蚀机做项目的故事。他说有一次，他们在刻蚀一个非常复杂的芯片结构，遇到了好多问题。就像在迷宫里找不到出口一样，一会儿这个地方刻蚀过度了，一会儿那个地方又没刻蚀到位。但是他们没有放弃，经过一次又一次的尝试，不断调整参数，最后终于成功了。
在实际操作的时候，那更是一场紧张又有趣的过程。我们要先把样品小心翼翼地放进刻蚀机里面。这个过程就像是把宝贝放进保险箱一样，得特别小心，不能有一点闪失。小张师兄在放样品的时候，那手都是微微颤抖的。我还打趣他说：“师兄，你这手咋比林黛玉的还娇弱呢？”他白了我一眼说：“你懂啥，这要是放不好，整个实验都得报废。”
台式反应离子刻蚀(RIE)系统
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统设备具有如下特点：
•可互换圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统真空反应腔体和射频电极模块化设计
•可选不同材质的反应离子刻蚀(RIE)系统真空腔体：不锈钢、铝、阳极化铝
•多种射频电极配置：圆筒笼式（cage）电极、托盘式（tray）电极、反应离子刻蚀(RIE)式电极、下游式（Downstream）电极
圆筒笼式cage电极托盘式tray电极反应离子刻蚀rie式电极下游式downstream电极圆筒型台式反应离子刻蚀rie系统多真空泵浦选选配圆筒型台式反应离子刻蚀rie系统概况在等离子处理过程的研究和工艺研究中用户强烈需要一款功能高度多样同时也可靠的台式反应离子刻蚀rie系统研发工具
产品P/N:
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统(蚀刻、等离子混合清洗、等离子清除浮渣、刻胶、去胶、表面处理、Etching、故障分析应用、材料改性、钝化层腐蚀、聚酰亚胺蚀刻、等离子促进粘合、生物医学应用、聚合反应)VHF
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统的射频电源
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统有两种可选等离子工艺频率即30 kHz射频电源和13.56 MHz射频电源。每个射频频率具有独特的处理特性，允许用户选择最合适的频率，从而满足具体要求。可用的射频功率范围从150瓦到1250瓦。自动或手动匹配网络，在必要时提供。
•等离子清除浮渣
反应性离子刻蚀技术的研究与应用
反应性离子刻蚀技术的研究与应用章节一：引言反应性离子刻蚀技术(RIE)是一项重要的微纳加工技术，被广泛应用于集成电路、光电、微系统等领域。
该技术的实现取决于离子束在物质表面所产生的化学反应，这些反应在等离子体和物质之间传递电荷。
与传统的干法刻蚀技术相比，RIE具有高成像分辨率、刻蚀速度快等优点，在集成电路制造、光学元件、微电子机械系统、纳米技术等领域，具有广泛的应用前景。
本文将从RIE技术的原理、设备结构、刻蚀参数、优缺点等方面进行详细阐述。
章节二：RIE技术的原理反应性离子刻蚀技术(RIE)是一种利用化学反应进行刻蚀的离子束刻蚀技术。
其基本原理是利用离子束与待刻蚀材料表面所发生的等离子体化学反应，使得材料表面形成易挥发性的化合物并被排出。
RIE主要涉及等离子体物理和表面化学两个机制。
等离子体化学反应是通过金属电极、电磁场、气体放电等进一步生成等离子体，使反应物与物质表面发生化学反应。
表面化学反应是利用表面材料原子（或分子）的空缺位置与等离子体中的离子和分子相互反应，并使表面材料发生化学变化，以产生易挥发产品的表面化学反应。
章节三：RIE技术的设备结构RIE的设备结构主要由等离子体处理室、真空装置、电源、气体输送系统等四部分组成。
其中，等离子体处理室是RIE的核心部分，包括气体分析系统、真空泵、样品保护措施、接地系统、隔热系统等。
气体输送系统主要是将待处理实验样品送入等离子体处理室中，保证反应气体的稳定输送。
电源系统是RIE技术必不可少的一个部分，主要包括射频电源、直流电源、微波辅助电源等。
章节四：RIE技术的刻蚀参数成功的RIE制程需要通过多种参数的综合调整和优化来实现。
RIE技术的刻蚀参数包括六个方面：气体类型、压力、放电功率、放电频率、反应室温度、等离子体电荷密度。
其中，气体和压力是决定RIE反应物质刻蚀状态的重要因素，不同的气体和压力对反应物的刻蚀速度、反应物质的稳定性和丝杆的寿命有着重要的影响。
rie刻蚀机原理
rie刻蚀机原理
电解铝刻蚀机（也称作RIE，即 Reactive Ion Etching）是一种
常用的表面精细加工设备，常用于微电子行业中的半导体工艺中。
下面是RIE刻蚀机的工作原理。
RIE刻蚀机的工作原理主要包括以下几个步骤：
1. 氮气和氧气的混合气体由进气入口注入到刻蚀室中。
2. 通过设定的高频电场使气体中的电子获得能量而变成电离态，形成等离子体。
3. 表面待刻蚀材料上的化学键与等离子体中的活性粒子（如氧等）发生反应，从而发生化学腐蚀。
4. 通过设定的静电场（即电极）将形成的粒子沉积在待刻蚀的表面上，形成膜层，而不是从表面剥离。
5. 通过将等离子体中不需要的粒子排出刻蚀室，实现精确的刻蚀控制和加工。
总的来说，RIE刻蚀机利用电离态的混合气体形成等离子体，
并利用等离子体中的活性粒子对待刻蚀材料进行化学反应，从而实现表面的刻蚀。
刻蚀结果受到等离子体密度、粒子能量、静电场等因素的影响，可通过调整进气量、工作压力、高频功率等参数来控制刻蚀速率和刻蚀深度。
离子束刻蚀和反应离子刻蚀
离子束刻蚀和反应离子刻蚀离子束刻蚀（Ion Beam Etching, IBE）和反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching, RIE）是常见的微纳加工和纳米制造技术，用于制作微结构、纳米结构和纳米材料。
本文将介绍离子束刻蚀和反应离子刻蚀的原理、过程、应用和优缺点。
离子束刻蚀是利用离子束的动能将物质从固体表面去除的一种刻蚀方式。
离子束源产生的高速离子束照射到待加工的材料表面，离子与原子或分子碰撞后传递能量，使表面原子具有足够的动能来克服结合能，从而将表面原子剥离。
离开表面的原子或分子通过真空环境扩散或被其他粒子吸附后被排除。
离子束刻蚀是一种无遮罩刻蚀方法，适用于对整个样品进行刻蚀或加工。
离子束刻蚀可控制刻蚀速度、刻蚀深度和表面质量，广泛应用于半导体器件制造、光学元件加工、微纳加工等领域。
反应离子刻蚀是在离子束刻蚀的基础上引入反应气体，使表面物质发生化学反应并形成可挥发的产物的一种刻蚀方式。
反应离子刻蚀一般使用高能粒子束和反应气体，高能粒子束提供克服表面能的能量，而反应气体提供物质溶解刻蚀的辅助。
反应离子刻蚀通过控制离子束能量、反应气体浓度和碰撞概率来调节刻蚀速率和刻蚀速度的非均匀性。
反应离子刻蚀的刻蚀选择性很高，可以实现对特定材料的选择性刻蚀。
相对于离子束刻蚀，反应离子刻蚀能够更精确地控制刻蚀深度和刻蚀形貌。
离子束刻蚀和反应离子刻蚀都可以使用不同种类的离子，包括惰性气体离子（如氦、氩）、反应离子（如氧、氮、氯气）以及金属离子。
离子能量、束流密度和束斑尺寸等参数都是刻蚀效果和加工精度的重要影响因素。
特别是在纳米尺度加工中，离子束直径和束聚焦是制造纳米结构和纳米材料的关键。
离子束刻蚀和反应离子刻蚀的刻蚀速率可以根据加工要求进行调节，通常在纳米加工中需要高精度和微纳米级的控制。
离子束刻蚀和反应离子刻蚀在微纳加工和纳米制造中有广泛的应用。
离子束刻蚀可用于制作平坦度高、表面质量好的光学元件、半导体器件和微纳结构，如光波导器件、集成电路和微机电系统。
纳米刻蚀工艺中的反应离子刻蚀技术
纳米刻蚀工艺是纳米制造中的一项关键技术，它涉及对材料进行微米级的剥离或去除。
其中，反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching，RIE）是一种重要的纳米刻蚀技术，具有广泛的应用。
反应离子刻蚀技术是一种利用等离子体对材料进行刻蚀的工艺。
在RIE工艺中，气体被电离并形成等离子体，该等离子体包含带电粒子和中性粒子。
带电粒子在电场的作用下，可以吸附到工件表面并发生电荷交换，从而改变工件表面的化学环境。
这种改变有利于反应离子与材料发生化学反应，进而实现对材料的刻蚀。
反应离子刻蚀技术的优点主要包括高精度、高效率、深蚀深和大面积刻蚀等。
高精度和高效率使得RIE工艺在纳米制造中具有广泛的应用，可以快速地加工出复杂的纳米结构。
同时，由于反应离子与材料之间的化学反应，RIE可以实现深蚀深和大面积刻蚀，这对于大规模制造纳米器件具有重要的意义。
反应离子刻蚀技术的工作原理主要是通过电场产生等离子体，等离子体中的离子在电场的作用下吸附到工件表面并发生电荷交换，从而改变工件表面的化学环境。
这种改变有利于反应离子与材料发生化学反应，进而实现对材料的刻蚀。
同时，反应离子刻蚀技术还可以根据不同的材料和需求选择不同的气体进行刻蚀，这使得RIE工艺具有很高的灵活性和适应性。
总的来说，反应离子刻蚀技术是一种重要的纳米刻蚀技术，具有广泛的应用前景。
它通过高精度、高效率、深蚀深和大面积刻蚀等特点，为纳米制造提供了有力的支持。
随着纳米技术的不断发展，反应离子刻蚀技术将会在更多的领域得到应用，为人类社会的进步做出更大的贡献。
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通用的圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统的基础系统平台包含所有必要的阀门、真空管路，射频电源、射频电源匹配器、工艺气体控制和系统逻辑提供一个完全自动化的圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统。圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统的基础平台设计可容纳各种模块化的真空腔及射频电极插入到基础系统单元之中。圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统可以在几分钟内从一般的圆筒型台式反应离子清洗系统转换成圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统或圆筒型台式平板电极系统。
产品P/N:
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统(蚀刻、等离子混合清洗、等离子清除浮渣、刻胶、去胶、表面处理、Etching、故障分析应用、材料改性、钝化层腐蚀、聚酰亚胺蚀刻、等离子促进粘合、生物医学应用、聚合反应)VHF
产品关键字：
圆筒型腔体台式反应离子刻蚀(RIE)系统
等离子清除浮渣、刻胶、去胶、表面处理、蚀刻、Etching、故障分析应用、材料改性、钝化层腐蚀、聚酰亚胺蚀刻、等离子促进粘合、生物医学应用、聚合反应、等离子混合清洗
•成熟的圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)处理工艺程序
•可靠的圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统部件
•圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统终点检测
•台式反应离子刻蚀(RIE)系统配套射频电源匹配器网络
•圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统下游（Downstream）压力控制
•圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统采用计算机控制系统
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统的模块化真空舱及射频电极配置
模块化的真空舱和射频电极组件是圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统的最独特的设计特点。钱真空舱材质可以是铝、阳极氧化铝和不锈钢。圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统的真空舱可以很容易互换从一种转换成另外一种。真空处理舱的组成包括几种不同的射频电极设计，其中包括水冷[温度控制]和用于反应离子刻蚀(RIE)系统的平行射频电极板，交变托盘式射频电极用于等离子表面清洁或处理，用于普通的为最大限度地减少离子损伤的下游电极和圆筒笼式（cage）电极。
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统的射频电源
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统有两种可选等离子工艺频率即30 kHz射频电源和13.56 MHz射频电源。每个射频频率具有独特的处理特性，允许用户选择最合适的频率，从而满足具体要求。可用的射频功率范围从150瓦到1250瓦。自动或手动匹配网络，在必要时提供。
反应离子刻蚀(RIE)系统重量：约45公斤
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统机电信息
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统：220V AC，50Hz，7A
H20用于射频电极冷却（因不同射频电极而异]
空气用于电磁阀门操作
N2用于等离子真空舱泄压
气工艺气体
图片：
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统设备具有如下特点：
•可互换圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统真空反应腔体和射频电极模块化设计
•可选不同材质的反应离子刻蚀(RIE)系统真空腔体：不锈钢、铝、阳极化铝
•多种射频电极配置：圆筒笼式（cage）电极、托盘式（tray）电极、反应离子刻蚀(RIE)式电极、下游式（Downstream）电极
嵌入式计算机的键盘和显示屏提供完整的自动化圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统。无限等离子工艺存储设有多级的处理步骤。圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统提供了显示所有的运行参数，用户可以很容易地编程。
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统尺寸
反应离子刻蚀(RIE)系统：度62厘米x深63.5厘米x高40厘米
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统其高度的多功能设计理念，是其取得巨大成功的重要因素。圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统的特性包括设备安装占地尺寸小、台式反应离子刻蚀(RIE)系统安装简易和满足各种等离子体处理工艺的真空舱体模块化设计和多种射频电极配置。此外射频电源的工作频率、工艺控制器、工艺气体的控制及真空系统均可选配。
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统的真空系统
根据所需的真空处理水平要求，圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统提供机械泵及罗茨鼓风机用机械真空泵。这些真空泵可提供在腐蚀性气体如氧或腐蚀性化学应用。下游压力控制和质量流量控制也可独立控制真空和处理气体流量。
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统的电脑控制系统
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统应用
多模块设计及可选的真空腔和电极配置的圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统能够满足广泛的等离子体处理条件。这些等离子处理工艺的范围包括从简单的等离子表面清洗、到复杂的亚微米反应离子刻蚀(RIE)刻蚀。成熟的工艺程序、最优质的组件、多模块系统提供最高的运行时间保证反应离子刻蚀(RIE)系统的可靠性，可重复性和可维护性。典型的等离子工艺包括：
•圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统多真空泵浦选选配
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统概况
在等离子处理过程的研究和工艺研究中，用户强烈需要一款功能高度多样，同时也可靠的台式反应离子刻蚀(RIE)系统研发工具。在等离子体处理工艺研究的不断变化的需求中，选择一款台式反应离子刻蚀(RIE)系统必须能够处理广泛的等离子处理工艺参数，及其可重复性程度极高的验证等离子处理工艺；并且很容易修改为新的等离子处理工艺要求。圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统的干法反应离子刻蚀(RIE)工艺系统能满足执行这些反应离子刻蚀(RIE)任务的苛刻要求。筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统是一款用于研究、工艺开发或小批量光刻胶去胶和清除浮渣，等离子各向同性刻蚀、等离子有机物灰化、混合电路等离子清洗、印刷电路去污、失效分析、塑料的等离子表面处理及改性、聚合物沉积及其它广泛的等离子应用领域。圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统提供了一个独特的新型模块化方法来实现圆筒型离子系统。圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统具有两个不同射频频率该的版本，即低版本的30kHz低频射频电源和13.56 MHz的高频射频电源系统。圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统可容纳203毫米（8英寸）或更小基片的等离子处理。圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统选择成熟、高质量的部件，模块化的组件，多功能真空舱-电极设计，体积小，自动化控制和等离子领域验证的工艺程序将使圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统成为一款大多数等离子工艺工程师首选的台式反应离子刻蚀(RIE)系统。
产品描述：圆筒型腔体台式反应离子刻蚀(RIE)系统
VHF系列圆筒型腔体台式反应离子刻蚀(RIE)系统定义了一个新的台式反应离子刻蚀(RIE)系统圆筒型等离子处理方式。该台式反应离子刻蚀(RIE)系统是基于台式反应离子刻蚀(RIE)系统模块化设计理念，用一个通用的圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统作为基础反应离子刻蚀(RIE)设备，可与多种结构真空反应腔体及射频电极模块方便地插入到该圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统设备。该圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统设备可处理各种等离子处理工艺、可维护性高及其具有吸引力的价格优势，是任何其他圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统设备无法比拟的。
•等离子清除浮渣
•等离子光刻胶去胶
•等离子表面处理
•等离子各向异性和各向同性蚀刻（Anisotropic & Isotropic Etching）
•故障分析应用
•等离子材料改性
•等离子钝化层腐蚀
•等离子聚酰亚胺蚀刻
•等离子促进粘合
•生物医学应用
•等离子聚合反应
•等离子混合清洗
圆筒型台式