陶瓷烧结原理工艺 ppt课件
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陶瓷工艺学第十四讲 烧结2
3）表面张力γ：对于常见的硅酸盐玻璃其表面张力不会因组分 变化而有很大的改变。
2 塑性流动
塑性流动：当坯体中液相含量很少时，高温下流动 传质不能看成是纯牛顿型流动，而是同于塑性流动 型。
max 1 exp(
2
fr
)
为了尽可能达到致密烧结，应选择最小的颗粒原始半 径r，液体粘度η和较大的液-气表面张力γ。
问题二：液相为什么加强了致密化过程？
➢增强颗粒重排：摩擦力便小 ➢增强物质输运：对于固相烧结，Dgb和晶界宽度 决定了物质输运的速率，而对于液相烧结，溶解 度DL和液相桥的宽度决定了物质输运的速率。
问题三：液相的来源 ➢添加剂 ➢添加剂与固相颗粒形成低共熔相（相图）
问题四：液相量
➢一般为5Vol％，较少可以达到10Vol％，一般不 可以充填满颗粒之间的空隙。而传统陶瓷可以达 到25～35%，基本上可以填满空隙，这个烧结就 类似于玻璃粉的烧结，直接玻璃化就可以了 （Vitrifiaction）。
在固态烧结中也存在塑性流动。在烧结早期，表面 张力较大，塑性流动可以靠位错的运动来实现；而 烧结后期，在低应力作用下靠空位自扩散而形成粘 性蠕变，高温下发生的蠕变是以位错的滑移或攀移 来完成的、塑性流动机理目前应用在热压烧结的动 力学过程是很成功的。
三、溶解-沉淀传质机理
1、溶解-沉淀传质概念
在有固液两相的烧结中，当固相在液相中有可溶性，这时烧 结传质过程就由部分固相溶解而在另一部分固相上沉积．直 至晶粒长大和获得致密的烧结体。
➢缺点：液相最后会在晶界上形成新相，劣化材料 性能，如高温力学性能；尺寸控制较难；开裂和 塌陷。
液态烧结特点
➢传质机理和液相量有关； ➢传质过程和液相的性质有关； ➢与固-液润湿性有关； ➢与固相在液相的溶解度有关。
2 塑性流动
塑性流动：当坯体中液相含量很少时，高温下流动 传质不能看成是纯牛顿型流动，而是同于塑性流动 型。
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为了尽可能达到致密烧结，应选择最小的颗粒原始半 径r，液体粘度η和较大的液-气表面张力γ。
问题二：液相为什么加强了致密化过程？
➢增强颗粒重排：摩擦力便小 ➢增强物质输运：对于固相烧结，Dgb和晶界宽度 决定了物质输运的速率，而对于液相烧结，溶解 度DL和液相桥的宽度决定了物质输运的速率。
问题三：液相的来源 ➢添加剂 ➢添加剂与固相颗粒形成低共熔相（相图）
问题四：液相量
➢一般为5Vol％，较少可以达到10Vol％，一般不 可以充填满颗粒之间的空隙。而传统陶瓷可以达 到25～35%，基本上可以填满空隙，这个烧结就 类似于玻璃粉的烧结，直接玻璃化就可以了 （Vitrifiaction）。
在固态烧结中也存在塑性流动。在烧结早期，表面 张力较大，塑性流动可以靠位错的运动来实现；而 烧结后期，在低应力作用下靠空位自扩散而形成粘 性蠕变，高温下发生的蠕变是以位错的滑移或攀移 来完成的、塑性流动机理目前应用在热压烧结的动 力学过程是很成功的。
三、溶解-沉淀传质机理
1、溶解-沉淀传质概念
在有固液两相的烧结中，当固相在液相中有可溶性，这时烧 结传质过程就由部分固相溶解而在另一部分固相上沉积．直 至晶粒长大和获得致密的烧结体。
➢缺点：液相最后会在晶界上形成新相，劣化材料 性能，如高温力学性能；尺寸控制较难；开裂和 塌陷。
液态烧结特点
➢传质机理和液相量有关； ➢传质过程和液相的性质有关； ➢与固-液润湿性有关； ➢与固相在液相的溶解度有关。
陶瓷烧结
目前，微波烧结技术已经被广泛用于多种陶瓷复合 材料的试验研究材料直接耦合导致整体加热。
（2）微波烧结升温速度快，烧结时间短。 （3）安全无污染。 （4）能实现空间选择性烧结。
材料与微波场的作用类型
材料与微波的作用方式示意图
微波烧结系统
5 ）反应烧结
反应烧结（reaction-bonded sintering）是让原料混合 物发生固相反应或原料混合物与外加气（液）体发生 围—气（液）反应，以合成材料，或者对反应后的反应 体施加其它处理工艺以加工成所需材料的一种技术 。
是将粉末压坯或装入包套的粉料装入高压容器中，使粉 料经受高温和均衡压力的作用，被烧结成致密件。
其基本原理是：以气体作为压力介质，使材料（粉 料、坯体或烧结体）在加热过程中经受各向均衡的压力， 借助高温和高压的共同作用促进材料的致密化。 目前，热等静压技术的主要应用有：金属和陶瓷的 固结，金刚石刀具的烧结，铸件质量的修复和改善，高 性能磁性材料及靶材的致密化。
（2）具备快熔快冷性，有利于保持粉末的优异特性；
（3）可以使 Si3N4，SiC 等非热熔性陶瓷在无需添加
烧结助剂的情况下 发生烧结。
间接法爆炸烧结装置（a.单面飞片； b.单活塞；c.双活塞）
直接法爆炸烧结装置
谢谢大家！
1）热压烧结
热压烧结（hot pressing）是在烧结过程中同时对
坯料施加压力，加速了致密化的过程。所以热压 烧结的温度更低，烧结时间更短。
热压技术已有70年历史，最早用于碳化钨和钨粉致密件的 制备。现在已广泛应用于陶瓷、粉末冶金和复合材料的生 产。
热压烧结的优点
（1）所需的成型压力仅为冷压法的1/10
烧结装置
烧结系统大致由 四个部分组成：真空 烧结腔（图中6）， 加压系统（图中3）， 测温系统（图中7） 和控制反馈系统。图 中1示意石墨模具，2 代表用于电流传导的 石墨板，4是石墨模 具中的压头，5是烧 结样品。
《陶瓷材料的烧结》课件
资源循环利用
对废弃的陶瓷材料进行回收和再利用，实现资源的循环利用，降 低对自然资源的依赖。
THANKS。
致密度、均匀性和性能。
烧结设备的改进
03
随着技术的进步，烧结设备的性能和效率也将得到提升，为陶
瓷材料的制备提供更好的设备支持。
环保和可持续发展在陶瓷烧结领域的应用
环保材料的研发
为了降低陶瓷产业对环境的影响，未来将大力研发环保型的陶瓷 材料，如低毒陶瓷、可降解陶瓷等。
节能减排技术的应用
通过采用新型的节能技术，降低陶瓷烧结过程中的能耗和排放， 实现低碳、环保的生产。
04
陶瓷材料的烧结性能
烧结密度和孔隙率
烧结密度
烧结后的陶瓷材料密度，影响材料的 机械性能和热学性能。
孔隙率
陶瓷材料内部孔隙的多少，与材料的 强度、热导率和绝缘性能有关。
烧结陶瓷的力学性能
01
硬度
烧结陶瓷的硬度取决于其成分和 显微结构，硬度高的陶瓷耐磨、 耐划痕。
02
03
抗弯强度
韧性
陶瓷抵抗弯曲应力的能力，与材 料的成分、显微结构和制备工艺 有关。
航天器结构材料
陶瓷材料具有轻质、高强度和耐高温的特性，适用于航天器结构材料，如卫星天线骨架、太阳能电池板支架等。
06
未来展望
新型陶瓷材料的开发
高性能陶瓷
随着科技的发展，对陶瓷材料性能的要求越来越高，未来 将开发出具有更高强度、硬度、耐磨性、耐高温等高性能 的新型陶瓷材料。
多功能陶瓷
除了传统的结构陶瓷外，未来还将开发出具有多种功能如 导电、导热、压电、磁性等功能的新型陶瓷材料。
05
陶瓷材料的烧结应用
在电子行业的应用
电子封装
对废弃的陶瓷材料进行回收和再利用，实现资源的循环利用，降 低对自然资源的依赖。
THANKS。
致密度、均匀性和性能。
烧结设备的改进
03
随着技术的进步，烧结设备的性能和效率也将得到提升，为陶
瓷材料的制备提供更好的设备支持。
环保和可持续发展在陶瓷烧结领域的应用
环保材料的研发
为了降低陶瓷产业对环境的影响，未来将大力研发环保型的陶瓷 材料，如低毒陶瓷、可降解陶瓷等。
节能减排技术的应用
通过采用新型的节能技术，降低陶瓷烧结过程中的能耗和排放， 实现低碳、环保的生产。
04
陶瓷材料的烧结性能
烧结密度和孔隙率
烧结密度
烧结后的陶瓷材料密度，影响材料的 机械性能和热学性能。
孔隙率
陶瓷材料内部孔隙的多少，与材料的 强度、热导率和绝缘性能有关。
烧结陶瓷的力学性能
01
硬度
烧结陶瓷的硬度取决于其成分和 显微结构，硬度高的陶瓷耐磨、 耐划痕。
02
03
抗弯强度
韧性
陶瓷抵抗弯曲应力的能力，与材 料的成分、显微结构和制备工艺 有关。
航天器结构材料
陶瓷材料具有轻质、高强度和耐高温的特性，适用于航天器结构材料，如卫星天线骨架、太阳能电池板支架等。
06
未来展望
新型陶瓷材料的开发
高性能陶瓷
随着科技的发展，对陶瓷材料性能的要求越来越高，未来 将开发出具有更高强度、硬度、耐磨性、耐高温等高性能 的新型陶瓷材料。
多功能陶瓷
除了传统的结构陶瓷外，未来还将开发出具有多种功能如 导电、导热、压电、磁性等功能的新型陶瓷材料。
05
陶瓷材料的烧结应用
在电子行业的应用
电子封装
陶瓷烧结原理与技术
图 14-1 烧结现象示意图
2．烧结阶段
生胚: 陶瓷生坯颗粒 之间呈点接触。 烧结前期:高温时物质 通过不同的扩散途径向 颗粒间的颈部和气孔部 位填充，使颈部渐渐长 大，颗粒间接触界面扩 大，使气孔缩小、致密 化程度提高，孤立的气 孔布于晶粒相交的位置 上，坯体的密度超过理 论密度的90%。
烧成与烧结的区别
烧成：除了包括烧结过程外，还包 括其它物理化学过程。 烧结：仅指陶瓷致密化过程，包括 均匀细致的晶粒尺寸和低气孔率。
影响烧结的主要因素
1．粉料的粒度
粉料粒度愈细，活性愈高，增加了烧结 推动力，缩短了原子扩散距离，提高了颗 粒在液相中的溶解度。烧结温度可相应降 低150～300℃。 但是颗粒细，表面活性强，可吸附大 量气体或离子，如CO32-等，这不利于颗 粒间接触而起了阻碍烧结的作用。 另外从防止二次重结晶来考虑也并非粒度 愈细愈好。最适宜的烧结起始粒度为 0.05～0.5μm。
烧结后期
：随着晶界上的物质继续 向气孔扩散填充，使致密 化继续进行，晶粒继续均 匀长大，气孔随晶界一起 移动，直至获得致密化的 陶瓷材料，。另外，不同 形状的晶界，移动的情况 也各不相同，弯曲的晶界 总是向曲率中心移动。曲 率半径愈小，移动就愈快。 在烧结后期晶粒生长在过 程中，出现气孔迁移速率 显著低于晶界迁移速率的 现象，这时气孔脱开晶界， 被包裹到晶粒内。
6．烧结过程的物质传质机构有哪些？ 7．界面的形成？粒界移动与晶粒长大？平直晶 界与120°角的诞生？ 8．固相反应和固相烧结的区别？ 9. 烧结与烧成的区别? 10.烧成制度曲线的制定? 11．何谓二次重结晶？是利是害？ 12. 各种烧成方法的特点与特色?
1．烧结的定义
特种陶瓷烧结工艺课件
隧变道成。孤立闭合气
孔，密堆达到
1.4 烧结阶段
颗粒形状 气孔形状 烧结速度
初期 球形，粘结成颈
无一定形状 慢
中期 十四面体模型 圆柱形，并连通
快
末期
十四面体粘附， 颈部粗大 球形
（封闭在顶点）
快
1 烧结理论
1.5 组织结构 ?组织结构：一般指陶瓷多晶体内的晶相、玻璃相以及气孔的 分布情况（形状、大小、数量），还包括晶粒取向，晶粒均 匀度，晶界性质，杂质分布等 。
1.5 组织结构
1 烧结理论
1.5.1 晶相
?主晶相的性能就是材料的性能，因此在电子陶瓷的组 织结构中，主晶相是最基本、最重要的组成。
1.5 组织结构 1.5.1 晶相
1.5 组织结构 1.5.2 晶界
1 烧结理论
1.5 组织结构 1.5.2 晶界
1 烧结理论
1.5 组织结构 1.5.2 晶界
特种陶瓷
第三章 特种陶瓷烧结工艺
内容
本讲主要 内容
1 烧结理论 2 烧结工艺
1.1 概念
1 烧结理论
烧结：一种或多种固体粉末经过成型，在加热到一定 温度后开始收缩，在低于熔点温度下变成致密、坚硬 的烧结体，这种过程称为烧结。
衡衡量量标标准准
烧结收缩 强度
密度 气孔率
1.1 概念
1 烧结理论
烧结温度对气孔率（1）、 密度（2）、电阻（3）、
1.1 概念
烧结和熔点的关系
1 烧结理论
烧结温度Ts < 熔点Tm 金属： Ts = (0.3 ~ 0.4) Tm
无机盐： Ts = 0.57 Tm
1.2 烧结理论 1.2.1 烧结现象
1 烧结理论
1.2 烧结理论 1.2.1 烧结现象
孔，密堆达到
1.4 烧结阶段
颗粒形状 气孔形状 烧结速度
初期 球形，粘结成颈
无一定形状 慢
中期 十四面体模型 圆柱形，并连通
快
末期
十四面体粘附， 颈部粗大 球形
（封闭在顶点）
快
1 烧结理论
1.5 组织结构 ?组织结构：一般指陶瓷多晶体内的晶相、玻璃相以及气孔的 分布情况（形状、大小、数量），还包括晶粒取向，晶粒均 匀度，晶界性质，杂质分布等 。
1.5 组织结构
1 烧结理论
1.5.1 晶相
?主晶相的性能就是材料的性能，因此在电子陶瓷的组 织结构中，主晶相是最基本、最重要的组成。
1.5 组织结构 1.5.1 晶相
1.5 组织结构 1.5.2 晶界
1 烧结理论
1.5 组织结构 1.5.2 晶界
1 烧结理论
1.5 组织结构 1.5.2 晶界
特种陶瓷
第三章 特种陶瓷烧结工艺
内容
本讲主要 内容
1 烧结理论 2 烧结工艺
1.1 概念
1 烧结理论
烧结：一种或多种固体粉末经过成型，在加热到一定 温度后开始收缩，在低于熔点温度下变成致密、坚硬 的烧结体，这种过程称为烧结。
衡衡量量标标准准
烧结收缩 强度
密度 气孔率
1.1 概念
1 烧结理论
烧结温度对气孔率（1）、 密度（2）、电阻（3）、
1.1 概念
烧结和熔点的关系
1 烧结理论
烧结温度Ts < 熔点Tm 金属： Ts = (0.3 ~ 0.4) Tm
无机盐： Ts = 0.57 Tm
1.2 烧结理论 1.2.1 烧结现象
1 烧结理论
1.2 烧结理论 1.2.1 烧结现象
第五章 烧结ppt课件
T
Ta Tb
T
4. 冷却阶段（烧成温度 1350℃～400℃）
• 快冷区（烧成温度1350℃～750℃）
✓防止釉层因失透（析晶）而无光泽
✓防止莫来石晶体过分长大（一次莫来石～二次莫来石）而降低强度
• 慢冷区（750℃～400℃）
✓液相（50～60％）冷为玻璃相时，会有应力产生
✓石英转变时会有应力产生 α－石英
.
烧结过程的物质传递
烧结过程中 的物质传递
气相传质（蒸发与凝聚为主） 固相传质（扩散为主） 液相传质（溶解和沉淀为主）
.
影响烧结的因素
影响因素
原料粉末的粒度 烧结温度 烧结时间 烧结气氛
.
5.2 烧结参数及其对烧结性影响
5.2.1 烧结类型
液相烧结
（Liquid phase intering）
.
5.2.4 烧结参数对于烧结样品性能的影响
一、材料参数对烧结的影响 （1）颗粒尺寸对烧结的影响
在一定温度下，半径为r1的一列球形颗粒所需要的烧结时间为t1，半径为 r2的另一列排列相同的球形颗粒烧结时间为t2，则：
颗粒间由点接触转变为面接触，孔隙缩小，连通孔 隙变得封闭，并孤立分布。 ③ 小颗粒间率先出现晶界，晶界移动，晶粒长大。
.
2）烧结后期阶段 ① 孔隙的消除：晶界上的物质不断扩散到孔隙处， 使孔隙逐渐消除。 ② 晶粒长大：晶界移动，晶粒长大。
➢ 烧结的分类：
烧结
固相烧结（只有固相传质） 液相烧结（出现液相） 气相烧结（蒸汽压较高）
.
• 石英的晶相转变
β－石英
573℃ α－石英
△V ±0.82％
气孔率高 25～40％，应力缓冲
3. 高温阶段（950℃～烧成温度）
陶瓷烧结过程【共23张PPT】
氧化锆，（<2000C）
– 钟罩窑、梭式窑 室温就高吸收：CaCO3、Fe2O3、Cr2O3、SiC等
以高压气体作为压力介质作用于陶瓷材料（包封的粉体和素坯，或烧结体），使其在高温环境下受到等静压而达到高致密化 氧化锆，（<2000C）
• 连续式： 氮化硅无熔点、高温分解（1900C）
硅钼棒，MoSi2（<1700C）
• 整体均匀加热 低温吸收小，高于某温度急剧增加：Al2O3、MgO、ZrO2、Si3N4等
利用微波与材料的相互作用，其介电损耗导致陶瓷坯体自身发热而烧结
• 无热惯性，烧成周期短 埋粉（Si3N4：BN：MgO=5:4:1）抑制氮化硅分解
管式气氛炉：电热丝、硅碳、硅钼 为了抑制氮化物分解，在N2气压力1-10MPa高压下烧成。
Al2O3-SiO2）
• 采用α氮化硅为原料，1420C相变为β相，有利烧结， 且该β相为柱状晶，力学性能好。
• 埋粉（Si3N4：BN：MgO=5:4:1）抑制氮化硅分解
氮化硅的气压烧结 （Gas Pressure Sintering GPS）
• 为了抑制氮化物分解，在N2气压力110MPa高压下烧成。
• 对于氮化硅常压烧成温度要低于1800C， 而气压烧结温度可提高到2100-2390C。
热压烧结（Hot Pressing, HP）
• 加热的同时施加机械压力 ，增加烧结驱动力，促进 烧结
– 粘性流动 – 塑性变形 – 晶界滑移 – 颗粒重排
• 一般采用石墨模具，表面 涂覆氮化硼，防止反应
热等静压 （Hot Isostatic Pressing, HIP）
陶瓷烧结过程
烧结的驱动力
• 粉体表面能与界面能的差 • 传质过程
– 钟罩窑、梭式窑 室温就高吸收：CaCO3、Fe2O3、Cr2O3、SiC等
以高压气体作为压力介质作用于陶瓷材料（包封的粉体和素坯，或烧结体），使其在高温环境下受到等静压而达到高致密化 氧化锆，（<2000C）
• 连续式： 氮化硅无熔点、高温分解（1900C）
硅钼棒，MoSi2（<1700C）
• 整体均匀加热 低温吸收小，高于某温度急剧增加：Al2O3、MgO、ZrO2、Si3N4等
利用微波与材料的相互作用，其介电损耗导致陶瓷坯体自身发热而烧结
• 无热惯性，烧成周期短 埋粉（Si3N4：BN：MgO=5:4:1）抑制氮化硅分解
管式气氛炉：电热丝、硅碳、硅钼 为了抑制氮化物分解，在N2气压力1-10MPa高压下烧成。
Al2O3-SiO2）
• 采用α氮化硅为原料，1420C相变为β相，有利烧结， 且该β相为柱状晶，力学性能好。
• 埋粉（Si3N4：BN：MgO=5:4:1）抑制氮化硅分解
氮化硅的气压烧结 （Gas Pressure Sintering GPS）
• 为了抑制氮化物分解，在N2气压力110MPa高压下烧成。
• 对于氮化硅常压烧成温度要低于1800C， 而气压烧结温度可提高到2100-2390C。
热压烧结（Hot Pressing, HP）
• 加热的同时施加机械压力 ，增加烧结驱动力，促进 烧结
– 粘性流动 – 塑性变形 – 晶界滑移 – 颗粒重排
• 一般采用石墨模具，表面 涂覆氮化硼，防止反应
热等静压 （Hot Isostatic Pressing, HIP）
陶瓷烧结过程
烧结的驱动力
• 粉体表面能与界面能的差 • 传质过程
第三章 陶瓷材料的烧结
d
dt
3 2r
1 1
fr
2
ln
1
1
d
其中：η是作用力超过屈服值f时液体的粘度，r为原始颗粒半径，γ液-气表 面张力。f值愈大，烧结速率愈低。当屈服值f=0时，(d)式即变为(c)式，此 时为粘性流动。r↓、η↓、γ↑→有利于烧结，t↑→易于烧结。
烧成的含义包括的范围广，一般发生在多相系统中，而烧结只是
烧成过程中的一个重要部分。
2、烧结和熔融
烧结是在远低于固态物质的熔融温度下进行的，泰曼烧结温度（TS） 和熔融温度（TM）的关系规律： ✓ 金属粉末：TS =（0.3~0.4）TM ✓ 盐类： TS =0.5TM ✓ 硅酸盐： TS =（0.8~0.9）TM 熔融时全部组元都转变为液相，而烧结时至少有一组元处于固相。
液相烧结：烧结过程中出现液相。
Illustration of various types of sintering
§ 3.2 特种陶瓷烧结概论
一、特种陶瓷烧结原理
1、烧结过程和现象 烧结过程中，主要发生晶粒和气孔尺寸及其形状变化：
烧结过程大致分为烧结前期、烧结中期和烧结后期三个阶段：
点接触
烧结前期 烧结中期
3、烧结和固相反应
•相同之处：两个过程在低于材料熔点或熔融温度之下进行的，并 且在过程中自始自终都至少有一相是固态。 •不同之处：固相反应必须至少有两组元参加，如A和B，发生化学 反应，最后生成化合物C。而烧结可以只有单组元，或者两组元参 加，且两组元并不一定发生化学反应。
4、固相烧结和液相烧结
固相烧结：整体上在固相情况 下发生的致密化；
➢ 塑性流动
在高温下坯体中液相含量降低，而固相含量增加，这是烧结传质 不能看成是牛顿型流体，而是属于塑性流动的流体，过程的推动 力仍然是表面能。为了尽可能达到致密烧结，应选择尽可能小的 颗粒、粘度和较大的表面能。
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- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
➢ 烧结的主要阶段：
1）烧结前期阶段（坯体入炉——90％致密化） ① 粘结剂等的脱除：如石蜡在250～400℃全部汽化
挥发。 ② 随着烧结温度升高，原子扩散加剧，孔隙缩小，
颗粒间由点接触转变为面接触，孔隙缩小，连通孔 隙变得封闭，并孤立分布。 ③ 小颗粒间率先出现晶界，晶界移动，晶粒长大。
陶瓷烧结原理工艺
第七章 陶瓷的烧结原理及工艺
第一节 陶瓷的烧结理论 第二节 陶瓷的烧结方法 第三节 陶瓷烧结后的处理
陶瓷烧结原理工艺
第一节 陶瓷的烧结理论
概述
➢ 定 义：
烧结是指高温条件下，坯体表面积减小，孔隙率降 低、机械性能提高的致密化过程。
➢ 烧结驱动力：
粉体的表面能降低和系统自由能降低。
陶瓷烧结原理工艺
➢ 普通烧结
传统陶瓷在隧道窑中进行烧结，特种陶瓷大都在电 窑中进行烧结。
➢ 热压烧结
热压烧结是在烧结过程中同时对坯料施加压力，加 速了致密化的过程。所以热压烧结的温度更低，烧结时 间更短。
陶瓷烧结原理工艺
➢ 热等静压烧结
将粉体压坯或装入包套的粉体放入高压容器中，在 高温和均衡的气体压力釉是通过高温加热，在陶瓷表面烧附一层玻 璃状物质使其表面具有光亮、美观、绝缘、防水等优异 性能的工艺方法。
➢ 工艺过程
釉浆制备
涂釉
烧釉
陶瓷烧结原理工艺
➢ 真空烧结
将粉体压坯放入到真空炉中进行烧结。真空烧结有 利于粘结剂的脱除和坯体内气体的排除，有利于实现高 致密化。
陶瓷烧结原理工艺
➢ 其他烧结方法
反应烧结、气相沉积成形、高温自蔓延（SHS）烧 结、等离子烧结、电火花烧结、电场烧结、超高压烧结、 微波烧结等
陶瓷烧结原理工艺
第三节 陶瓷烧结的后处理
陶瓷烧结原理工艺
影响烧结的因素
影响因素
原料粉末的粒度 烧结温度 烧结时间 烧结气氛
陶瓷烧结原理工艺
第二节 陶瓷的烧结方法
烧结分类
按压力分类
常压烧结 压力烧结
普通烧结
按气氛分类
氢气烧结 真空烧结
陶瓷烧结原理工艺
按反应分类
固相烧结 液相烧结 气相烧结 活化烧结 反应烧结
陶瓷烧结原理工艺
常见的烧结方法
2）烧结后期阶段 ① 孔隙的消除：晶界上的物质不断扩散到孔隙处，
使孔隙逐渐消除。 ② 晶粒长大：晶界移动，晶粒长大。
➢ 烧结的分类：
烧结
固相烧结（只有固相传质） 液相烧结（出现液相） 气相烧结（蒸汽压较高）
陶瓷烧结原理工艺
烧结过程的物质传递
烧结过程 中的物质 传递
气相传质（蒸发与凝聚为主） 固相传质（扩散为主） 液相传质（溶解和沉淀为主）