模电补充作业及答案2
【4-1】电路如图所示，晶体管的β＝100，U BE＝V，饱和管压降U CES＝V；稳压管的稳定电压U Z＝4V，正向导通电压U D＝V，稳定电流I Z＝5 mA，最大稳定电流I ZM＝25 mA。
试问：（1）当u I为0 V、V、V时u O各为多少（2）若R c短路，将产生什么现象【相关知识】晶体管工作状态的判断，稳压管是否工作在稳压状态的判断以及限流电阻的作用。
【解题思路】（1）根据u I的值判断晶体管的工作状态。
（2）根据稳压管的工作状态判断u O的值。
【解题过程】（1）当u I＝0时，晶体管截止；稳压管的电流在I Z和I ZM之间，故u O＝U Z＝4 V。
当u I＝时，晶体管导通，基极电流假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流由于u O＞U CES＝V，说明假设成立，即晶体管工作在放大状态。
值得指出的是，虽然当u I为0 V和V时u O均为4 V，但是原因不同；前者因晶体管截止、稳压管工作在稳压区，且稳定电压为4 V，使u O＝4 V；后者因晶体管工作在放大区使u O＝4 V，此时稳压管因电流为零而截止。
当u I＝V时，晶体管导通，基极电流假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流在正电源供电的情况下，u O不可能小于零，故假设不成立，说明晶体管工作在饱和状态。
实际上，也可以假设晶体管工作在饱和状态，求出临界饱和时的基极电流为I B= mA＞I BS，说明假设成立，即晶体管工作在饱和状态。
（2）若R c短路，电源电压将加在稳压管两端，使稳压管损坏。
若稳压管烧断，则u O＝V CC＝12 V。
若稳压管烧成短路，则将电源短路；如果电源没有短路保护措施，则也将因输出电流过大而损坏【方法总结】（1）晶体管工作状态的判断：对于NPN型管，若u BE＞U on（开启电压），则处于导通状态；若同时满足U C≥U B>U E，则处于放大状态，I C＝βI B；若此时基极电流则处于饱和状态，式中I CS为集电极饱和电流，I BS是使管子临界饱和时的基极电流。
（2）稳压管是否工作在稳压状态的判断：稳压管所流过的反向电流大于稳定电流I Z才工作在稳压区，反向电流小于最大稳定电流I ZM才不会因功耗过大而损坏，因而在稳压管电路中限流电阻必不可少。
图示电路中R c既是晶体管的集电极电阻，又是稳压管的限流电阻。
【4-2】电路如图所示，已知晶体管＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少设V C C＝12V，晶体管饱和管压降U C ES＝。
（1）正常情况（2）R b1短路（3）R b1开路（4）R b2开路（5）R C短路图【解题过程】设U BE＝。
则（1）基极静态电流V4.6mA 022.0c C CC C b1BEb2BE CC B ≈-=≈--=R I V U R U R U V I（2）由于U BE ＝0V ，T 截止，U C ＝12V 。
（3）临界饱和基极电流 mA 045.0 cCESCC BS ≈-=R U V I β实际基极电流 mA 22.0 b2BECC B ≈-=R U V I由于I B ＞I BS ，故T 饱和，U C ＝U C ES ＝。
（4）T 截止，U C ＝12V 。
（5）由于集电极直接接直流电源，U C ＝V C C ＝12V【4-3】试问图示各电路能否实现电压放大若不能，请指出电路中的错误。
图中各电容对交流可视为短路。
图(a) 图(b)图(c) 图(d)【相关知识】放大电路的组成原理。
【解题思路】放大电路的作用是把微弱的电信号不失真地放大到负载所需要的数值。
即要求放大电路既要有一定的放大能力，又要不产生失真。
因此，首先要检查电路中的晶体管（非线性器件）是否有合适的直流偏置，是否工作在放大状态（线性状态），其次检查信号源、放大器和负载之间的信号传递通道是否畅通，并具有电压放大的能力。
【解题过程】图(a)电路不能实现电压放大。
电路缺少集电极电阻，动态时电源相当于短路，输出端没有交流电压信号。
图(b)电路不能实现电压放大。
电路中缺少基极偏置电阻，动态时电源相当于短路，输入交流电压信号也被短路。
图(c) 电路也不能实现电压放大。
电路中晶体管发射结没有直流偏置电压，静态电流，放大电路工作在截止状态。
图(d)电路能实现小信号电压放大。
为了保证输出信号不失真（截止、饱和），当输入信号为正时，应不足以使三极管饱和；当输入信号为负时，应不会使三极管截止。
【4-4】由PNP型管组成的共射电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真【解题过程】（a）截止失真，减小R b。
（b）饱和失真，增大R b，减小R c。
（c）同时出现饱和失真和截止失真，应增大V C C。
【4-5】电路如图所示。
晶体管T为3DG4A型硅管，其、r bb'=80Ω。
电路中的V CC=24V、R B = 96kΩ、R C =R E=Ω、电容器C1、C2、C3 的电容量均足够大、正弦波输入信号的电压有效值U i=1V。
试求：用内阻为10kΩ的交流电压表分别测量u o1、u o2时，交流电压表的读数各为多少【解题过程】设表内阻为R L，则由以上计算结果可见，信号由发射极输出时，因电路输出电阻小而带负载能力强。
【常见错误】容易忽视电压表内阻对被测电路的负载效应。
【4-6】放大电路如图(a)所示，晶体管的输出特性和交、直流负载线如图(b)所示。
已知，。
试求：（1）电路参数、、的数值。
（2）在输出电压不产生失真的条件下，最大输入电压的峰值。
图(a) 图(b)【解题过程】（1）从输出特性和直流负载线可以看出，，，，。
由交流负载线可看出最大不失真输出电压幅值受截止失真的限制，输出电压幅值的最大值由可以算出由可以算出由可以算出（2）由图(b)看出，，则所以输出电压不产生失真时的最大输入电压的峰值【另一种解法】在计算最大不失真输入电压峰值时，还可通过计算确定，然后利用的关系求解。
由图（b）可知，当输入信号增大时，放大电路将首先产生截止失真。
而电路不产生截止失真的临界条件是：即而故【4-7】已知图所示电路中晶体管的 ＝100，r be =1k Ω。
（1）现已测得静态管压降U C EQ ＝6V ，估算R b 约为多少千欧；（2）若测得iU &和o U &的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少千欧【解题过程】（1） Ω≈-====-=k 565μA20mA2BQBEQCC b CQBQ c CEQCC CQ I U V R I I R U V I β（2）Ω==+Ω=-=-=-=k 5.1 111k 1 100L Lc 'L be'L i o R R R R r R A U U A u u β&&【4-8】图为一个放大电路的交流通路。
试在下列三种情况下写出电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式：（1），信号从基极输入，放大后从集电极输出；（2），信号从基极输入，放大后从发射极输出；（3），信号从发射极输入，放大后从集电极输出。
【解题过程】（1），信号从基极输入，从集电极输出，电路为共射极放大电路。
电压放大倍数，输入电阻输出电阻（2），信号从基极输入，从发射极输出，电路为集电极放大电路。
电压放大倍数输入电阻输出电阻（3），信号从发射极输入，从集电极输出。
电路为共基极放大电路。
电压放大倍数输入电阻输出电阻【4-9】电路如图(a)所示。
电路参数为：－V CC=－12V、R C=2kΩ、R B=360kΩ；晶体管T为锗管，其==60、r bb'=300Ω；电容器C1=C2=10μF、负载电阻R L=2kΩ。
试求：(1) 电路的静态工作点I BQ、I CQ及U CEQ值；(2) 电路的动态指标A u、R i、R o及U opp值。
图(a)【解题过程】(1) 先画出直流通路，如图(b)所示。
由图可知：图(b)(2) 画出放大电路的微变等效电路，如图(c)所示。
其中：图(c)由微变等效电路可求得再画出求R o的等效电路如图(d)所示。
得：图(d)又因为故【4-10】电路如图(a)所示。
已知：R B=300kΩ，R E=Ω，负载电阻R L=Ω，信号源内阻R S=10kΩ，－V CC=－12V，C1、C2足够大，T为硅管，其r bb'=100Ω、=β=50。
试求：(1) 电路静态工作点的数值；(2) 电路动态指标A u、R i、A us（=U o/U s）的数值；(3) 电路输出电阻R o的数值。
图(a)【解题过程】(1) 求静态工作点。
画出直流通路如图(b)所示。
图(b)对于晶体管的发射结组成的回路，有取U BEQ=－，代入上式，可求得(2) 画出放大电路的微变等效电路如图(c)所示。
图(c)因，故代入数据，得画出求R o的等效电路如图(d)所示，由于该放大电路所输入的信号源有内阻，所以在画求R o的等效电路时，将U s短路，但保留R S。
图(d)由图可见：令，有代入上式，得代入有关参数，可求得电路的输出电阻。
模电习题二-2(答案)
习题二2.16 已知一N 沟道JFET 的夹断电压U GS (off) = —4 V ，饱和漏极电流I DSS = 4mA ，试估算： (1) 若U GS = 0，漏极电流为多少？ (2)若U GS = —1 V ，I D 和g m 各是多少?解：(1) 若U GS = 0，漏极电流为饱和漏极电流I DSS = 4mA (2) U GS = —1 V ，)(5.12)(25.2)411(4)1)22)ms I I U g mA U U I I D DSS off GS m off GS GSDSS D =-=∴=-⨯=-=（（（2.17 场效应管放大电路如图题2.17所示，电路参数如图所示。
FET 在工作点上的互导g m = 1ms , (1)画出微变等效电路; (2) 试 计算 uA 、R i 、R o;。
U +U +o图题2.17图题2.18解：（1）微变等效电路如图所示。
.微变等效电路（2）u A .=－g m R D =－1ms ×30K=－30R i ≈R G =10M ΩR o ≈R D =30K Ω2.18 由JFET 组成的放大电路如图题2.18所示，夹断电压V U off GS 5)(-=，mA I DSS 4=， 试求：（1）静态工作点D I ，GS U 和DS U ；（2）电压增益u A ； （3）输入电阻i R 和输出电阻OR 。
解 （1） 该自给偏压放大电路D S GS I R U -= （1）)(S d D DD DS R R I U U +-= （2）2)()1(o f fGS GS DSS D U U I I -= （3）由（1）（2）（3）公式代入数据计算得到mA I D 9.0=VU DS 7.16=VU GS 7.2-=（2）LD L R R R //='4.3-='-=Lm U R g A （3）Ω==M R R g i 1Ω==K R R d 1.502.19 图题 2.19示所示电路中FET 的I DSS = 5 mA ，U GS (off) = -4 V ，Ω=k R G 911，Ω=k R G 102,Ω=k R G 5103,Ω=k R D 3,Ω=k R S 2，V U DD 10=,Ω=M R L 1。
模电试题及答案1-2
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压①图1 ① 图2C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是B。
模电试题及答案
模电试题及答案Title: 模电试题及答案详解Introduction:在学习电子工程方向的学生中，模拟电路课程一直被认为是较为重要且有挑战性的课程之一。
为了帮助大家更好地掌握和理解模拟电路，本文提供了一系列常见的模拟电路试题，并附带详细的答案解析，希望能够对读者有所帮助。
1. 试题一：题目描述：根据以下电路图，计算并求解输出电压Vo。
[电路图]解析：根据电路图，我们可以使用基本的电路分析方法来计算输出电压Vo。
首先，根据电压分压原理，我们可以得到：Vo = Vin * (R2 / (R1 + R2))其中，Vin为输入电压，R1和R2分别为电阻1和电阻2的阻值。
2. 试题二：题目描述：在以下示意图中，根据给定的电路参数和输入信号波形，计算并绘制输出电压波形。
[示意图]解析：根据示意图，我们可以得到输入电压Vin的波形如下：[输入信号波形图]根据电路参数和输入信号波形，我们可以进行电路分析，计算并绘制输出电压Vo的波形。
具体的计算和绘图步骤如下：1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [输出电压波形图]3. 试题三：题目描述：根据给定的操作放大电路图，计算并分析输入信号和输出信号之间的增益。
[操作放大电路图]解析：操作放大器是一种常见的电路组件，用于放大输入信号。
我们可以根据给定的操作放大电路图，进行电路分析来计算增益。
具体步骤如下：1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [计算结果，即输入输出信号之间的增益]4. 试题四：题目描述：根据电路图，计算并绘制输出电流随时间的变化曲线。
[电路图]解析：根据电路图，我们可以使用基本的电路分析方法来计算输出电流随时间的变化曲线。
具体步骤如下：1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [输出电流随时间的变化曲线图]5. 试题五：题目描述：根据给定的振荡器电路图，计算并分析输出信号的频率。
模电(填空+选择+大题共224道)题目和答案
`0001 01A1在纯净的半导体中掺入5价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。
`0002 01A1在纯净的半导体中掺入3价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。
`0003 01A1PN结的导电特性是。
`0004 01A2为了使晶体管能有效地起放大作用，其管芯结构总是使：（1）发射区掺杂浓度；（2）集电结面积比发射结面积。
`0005 02A1夹断电压是（）型场效应管的参数，开启电压是（）型场效应管的参数。
`0006 02A1场效应管有（）种载流子导电，场效应管是（）控制（）型器件。
`0007 02A1共射放大电路中输出电压与输入电压相位。
`0008 02A1在放大电路中，晶体管通常工作在工作区。
`0009 02A1双极性晶体管工作在放大区的条件：发射结，集电结。
`0010 02A1场效应管三个电极分别为极、极和极。
`0011 02A1在单管共集放大电路中，输出电压与输入电压的极性。
`0012 02A2在单管共基放大电路中，输出电压与输入电压的极性。
`0013 02A2场效应管放大电路有共、共和共三种基本形式。
`0014 02A2场效应管从结构上可以分为（）和（）型两大类型`0015 02A2单管共射极放大器，当工作点Q选择较高时，易出现失真。
`0016 02A2在电子线路中，一般用输出电阻R O来衡量放大器带负载的能力，R O越小，则带负载的能力。
`0017 02A2双极性晶体管工作在饱和区的条件：发射结，集电结。
`0018 02A2双极性晶体管工作在截止区的条件：发射结，集电结。
`0019 02A3单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现失真。
`0020 02A3某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2KΩ负载电阻后，输出电压降为4 V，这表明该放大电路的输出电阻为。
`0021 02A3如果信号源接近于理想电压源，通常希望放大电路的输入电阻；如果信号源接近于理想电流源，通常希望放大电路的输入电阻。
模电训练题和答案第二章
【1】电路如图(a)所示。
设为A理想的运算放大器，稳压管DZ的稳定电压等于5V。
（1）若输入信号的波形如图(b)所示，试画出输出电压的波形。
（2）试说明本电路中稳压管的作用。
图(a) 图(b)【相关知识】反相输入比例器、稳压管、运放。
【解题思路】（1）当稳压管截止时，电路为反相比例器。
（2）当稳压管导通后，输出电压被限制在稳压管的稳定电压。
【解题过程】（1）当时，稳压管截止，电路的电压增益故输出电压当时，稳压管导通，电路的输出电压被限制在，即。
根据以上分析，可画出的波形如图(c)所示。
图(c)（2）由以上的分析可知，当输入信号较小时，电路能线性放大；当输入信号较大时稳压管起限幅的作用。
【2】在图(a)示电路中，已知, ，，设A为理想运算放大器，其输出电压最大值为，试分别求出当电位器的滑动端移到最上端、中间位置和最下端时的输出电压的值。
反馈类型？图(a)【相关知识】反相输入比例器。
【解题思路】当时电路工作闭环状态；当时电路工作开环状态。
【解题过程】（1）当的滑动端上移到最上端时，电路为典型的反相输入比例放大电路。
输出电压（2）当的滑动端处在中间位置时，画出输出端等效电路及电流的参考方向如图(b)所示。
图中。
图(b)由图可知以上各式联立求解得代入有关数据得（3）当的滑动端处于最下端时，电路因负反馈消失而工作在开环状态。
此时，反相输入端电位高于同相输入端电位，运放处于负饱和状态。
输出电压。
【3】电压－电流转换电路如图所示，已知集成运放为理想运放，R2＝R3＝R4＝R7＝R，R5＝2R。
求解i L与u I之间的函数关系。
【相关知识】集成运放工作在线性区的特点，“虚短”和“虚断”的分析方法，基本运算电路的识别。
【解题思路】（1）由图判断出集成运放A1和A2分别引入的局部电压反馈为负反馈。
（2）识别集成运放A1和A2分别组成的基本运算电路类型。
（3）根据运算电路类型以及“虚短”和“虚断”的分析方法分别求解u O1以及u O2的表达式，从而得到i L与u I之间的函数关系。
模电题库及答案
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100分）1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。
（）2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
（）3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
（）5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
（）6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。
（）8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
（）9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。
（）10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。
A.阻当层不变，反向电流基本不变B.阻当层变厚，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大D.阻当层变厚，反向电流减小作业1-2一、习题（满分100分）1.N型半导体（）。
A.带正电B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。
A.正常B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。
A.正向偏置时导通，反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。
流出三极管 e、c、b 流进三极管 e、c、b流出三极管 c、e、b 流进三极管 c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。
模电课后习题 (2)
习题八8.1选择正确的答案填入空内。
（1）场效应管的漏极电流是由( )的漂移运动形成的。
A.少子 B.多子 C.两种载流子 （2）场效应管是一种( )控制型的电子器件。
A.电流 B.光 C.电压（3）场效应管是利用外加电压产生的( )来控制漏极电流的大小的。
A.电流 B.电场 C.电压 （4）与双极型晶体管比较，场效应管( )。
A.输入电阻小B.制作工艺复杂C.放大能力弱(5)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为3mA 时，它的低频跨导将( )。
A.增大 B.减小 C.不变(6)某场效应管的转移特性如由题8.1图所示，则该管是( )场效应管 。
A.增强型NMOS B.耗尽型NMOS C.耗尽型PMOS(7)当耗尽型场效应管工作于放大区时， 场效应管I D 的数学表达式为( )。
A.GSv D SS D eI i = B.2)(D S G S D SS D v v I i -= C.2)()1(off GS GS DSS D v v I i -=（8）当栅源电压V GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管答案（1）B （2）C （3）B （4）C (5) A (6) B (7) C （8）A C8.2 已知场效应管的输出特性曲线如题8.2图(a)所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
题8.2图v DS /Vi D /mAi D /mAv GS /V (a) 输出特性曲线 (b) 转移特性曲线题8.1图P v GS /V解：在场效应管输出特性曲线的恒流区作横坐标的垂线，如题８.2图(a)所示，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及V GS 值，建立i D ＝f （v GS ）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如题８.2图(b)所示。
8.3在题8.3图所示电路中，已知场效应管的V P =－5V ；问在下列三种情况下，管子分别工作在哪个状态？（1）v GS =－8V ，v DS =4V （2）v GS =－3V ，v DS =4V （3）v GS =－3V ，v DS =1V8.4测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位及其开启电压如题8.4表所示。
模电课后习题答案
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
模电模拟考题二及参考答案
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（ ）。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态 (c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态 2、整流的目的是（ ）。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频 (c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、 当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈 （ ）。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（ ）。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y ＝aX 1＋bX 2＋cX 3，a 、b 和c 均大于零的运算电路是（ ）。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ ）。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈 (c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈 7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ ）。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小 (c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（ ）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路 (c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路 9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ ）。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性 (c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为（ ）。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V ，导通后在较大电流下的正向压降约 V ，硅二极管的死区电压约 V ；导通后在较大电流下的正向压降约 V 。
模电试题及答案 (2)
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二 B.三 C.四 D 五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于 B.等于 C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83 B. 91 C. 100 D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]硅管 硅管 锗管 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。