模拟电子技术基础复习题答案
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术基本概念复习题与答案
《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。
×4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。
×5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
×6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。
√7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
√8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
×9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。
√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
√ 18、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。
√ 19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。
× 22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
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第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V 。
(a) (b)(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
（2）在测二极管的反向电阻时，黑表笔接负极，红表笔接正极。
（3）第一次测量中指针偏转的角度大，偏转角度大的一次阻值小。
1.6．有两个三极管分别接在放大电路中，今测得它们的管脚对地的电位分别如表题1.6所列，试判断（1）三极管的管脚，并在各电极上注明e 、b 、c ；（2）是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管？表题1.6三极管І 三极管Ⅱ解：由表可见，三极管І的l 脚和2脚电位差为0.6 V ，所以三极管І是硅管；三极管Ⅱ的2脚和3脚电位差为0.3V ，所以晶体管Ⅱ是锗管。
三极管І的1脚为基极，2脚为发射极，3脚为集电极。
三极管І是NPN 管。
同理可知，三极管Ⅱ的1脚为集电极，2脚是发射极，3脚是基极，且三极管Ⅱ是NPN 管。
1.7．在两个放大电路中，测得三极管各极电流分别如图题1.7所示，求另一个电极的电流，并在图中标出其实际方向及各电极e 、b 、c 。
试分别判断它们是NPN 管还是PNP 管。
管脚123电位/V 4 3.4 9 管脚123电位/V -6 -2.3 -2图题1.7解：电流实际方向及各电极如图所示。
左边为NPN管右边为PNP管。
1.8 试判断以下结论是否正确并改正。
（1）场效应管的导电机理和双极型三极管相似均为多数载流子和少数载流子参与导电。
（×）解：场效应管的导电机理为一种载流子参与导电，而双极型三极管为两种载流子参与导电。
（2）场效应管属于电压型控制器件，其g、s间阻抗要远大于三极管b、e 间的阻抗。
（√）解：场效应管属于电压型控制器件，其g、s间阻抗要远大于三极管b、e 间的阻抗。
（3）场效应管工作区域有：放大区、饱和区、截止区。
（×）解：场效应管工作区域有：可变电阻区、饱和区、截止区。
（×）（4）场效应管三个电极g、d、s分别和双极型三极管c、e 、b相对应。
解：场效应管三个电极g、d、s分别和双极型三极管b、c、e相对应。
1.9 T1、T2、T3为某放大电路中三个MOS管，现测得g、s、d三个电极的电位如表题1.9所示，已知各管开启电压U T。
试判断T1、T2、T3的工作状态如何。
表题 1.9管号U T/V U S/V U G/V U D/V 工作状态T1 4 －5 1 3T2－4 3 3 10解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS 管。
根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表题1.9所示。
解表题1.9第2章习题及答案2. 1 试比较并说明三极管的三种基本放大电路特点。
解：共射极放大电路输入电压、输出电压反相，电压增益高，高频特性一般，一般用于低频放大和多级放大中间级。
共集电极放大电路输入电压、输出电压同相，电压增益约等于1，高频特性一般，适用于多级放大电路的输入、输出级。
共基极放大电路输入电压、输出电压同相，电压增益高，高频特性好，适用于高频电路、宽频带电路和恒流源电路。
2. 2 电路如图题2.2所示，b R =100kΩ，U CC =9 V ，晶体管参数β=50，U BE =-0.2 V 。
（1）要求mA I C 2=，U BB =？（2）要求mA I C 2=，－U CE ＝5V ，c R =？（3）如果基极改为由电源U CC 供电，工作点不改变，则b R 值应改为多少?图题2. 2解：（1）A mA I I CB μβ4050/2===，V U BB 2.4=（2）Ω=-=k I U U R CCECC C 2（3）Ω=-=k I U U R BBECC b 2202. 3 分析如图题2.3所示电路对正弦交流信号有无放大作用。
图中各电容对交流可视为短路。
(b)(a)(c)(d)图题2. 3解：（a ）电路不能实现电压放大。
电路缺少集电极电阻c R 。
（b ）电路不能实现电压放大。
电路中缺少基极偏置电阻B R 。
（c ） 电路不能实现电压放大。
电路中晶体管发射结没有直流偏置电压，静态电流0=BQ I ，放大电路工作在截止状态。
（d ）电路能实现小信号电压放大。
2. 4 在如图题2.4所示电路，当输入交流信号时，出现如图题2. 5所示输出波形图，试判断何种失真，产生该失真的原因是什么？如何才能使其不失真？（a ） （b ）图题2.4解：当输入交流信号时，出现（a ）的输出图形，说明是截止失真。
产生截止失真的原因是静态工作点偏低，即I BQ 太小，引起I CQ 太小。
只要将偏置回路的电阻R b 减小，即增大I BQ ，使静态工作点上移就可消除失真。
出现（b ）的输出图形，说明是饱和失真。
产生饱和失真的原因是静态工作点偏高，即I BQ 太大，引起I CQ 太大。
只要将偏置回路的电阻R b 增大，即减小I BQ ，使静态工作点下移就可消除失真。
2. 5 某电路如图题2.5所示。
晶体管T 为硅管，其20=β。
电路中的U CC =24V 、R B = 96kΩ、R C =R E =2.4kΩ、电容器C 1、C 2、C 3 的电容量均足够大、正弦波输入信号的电压有效值u i =1V 。
试求： (1) 输出电压u o1、u o2的有效值；(2) 用内阻为10kΩ的交流电压表分别测量u o1、u o2时，交流电压表的读数各为多少？图题2. 5解：（1）根据共射极、共集电极放大电路的开路电压放大倍数求i u o u A u =。
mA R R U U I EB BEQ CC BQ 16.0)1(=++-=βΩ=++=24.026)1(300BQbe I mVr β V u R r R u A u i Ebe Ci u o o 95.0)1(11=++==ββV u R r R u A u i Ebe Ei u o o 995.0)1()1(22=+++==ββ（2）V u R r R R u A u i Ebe L C i u o o 76.0)1()//(11=++==ββV u R r R R u A u i Ebe L E i u o o 994.0)1()//)(1(22=+++==ββ2. 6如图题2.6所示的偏置电路中，热敏电阻R t 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？+UCC+U CC(a)(b)图题2.6解：（a ）能稳定Q 点，过程如下：[↓↓↓→↓→↓→↑C C B BE t I I I V R T（b ）不能稳定Q 点，因为[↑↑↑→↑→↓→↑C C B BE t I I I V R T2. 7 画出图题2.7所示电路的等效电路，设电路中各电容容抗均可忽略，并注意标出电压、电流的正方向。
(b)(a)图题2.7解：等效电路如图解2.7所示。
(b)(a)图解2.72. 8 如图题2.8所示R S 、R e 、R b1、R b2、R c 、R L 、U CC 均已知；求静态工作点I C 、I B 、U CB 。
图题2.8 解：CC eb b b e B E C U R R R R R U I I )(/212+==≈β/C B I I =CCb b b CC e b b C b CC CCb b b C C CC CB U R R R U R R R R R U U R R R R I U U )()()(212212212+-+-=+--=第3章习题及答案3.1 电路如图题3.1所示。
1T 和2T 参数一致且β足够大。
（1） 1T 、2T 和电阻1R 组成什么电路，起什么作用？ （2） 写出2c I 的表达式。
图题3.1解：（1）1T 、2T 和电阻1R 组成镜像电流源，给2c I 提供电流。
（2）1CC C R 0.7U I -=3.2 威尔逊电流源如图题 3.2所示。
三个BJT 的参数相同，ββββ===321，且β>>1。
试求电流2c I 。
图题3.2解： A R 1.4U I 11C2-=3.3 多路电流源电路入图题 3.3所示，已知所有晶体管的特性均相同，U BE 均为0.7V 。
试求I c1，I c2各为多少。
2Rk 1362c图题3.3解：μA 105I I C2C1==3.4 什么叫耦合？常见的耦合方式有那些？解：在放大电路中，耦合是指各级间的连接方式，常用的耦合方式有三种：阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。
3.5 多级直接耦合放大电路的主要问题是什么？如何克服？ 解：多极直接耦合放大电路的主要问题有两个，一是级间直流电位匹配问题，可以通过提高后射极电位的方法来实现，或者采取直流电平移动电路来实现；二是零点漂移问题，解决的办法有三种：引入直流负反馈来稳定静态工作点、采用温敏元件补偿放大管的温漂、采用差分放大电路作为输入级。