开关功率变换器的数字有源EMI控制技术
高频开关变换器中emi产生的机理及其抑制方法

高频开关变换器中EMI产生的机理及其抑制方法• 1 前言开关电源具有体积小、重量轻、效率高等特点,广泛用于通信、自动控制、家用电器、计算机等电子设备中。
但是,其缺点是开关电源在高频条件下工作,产生非常强的电磁干扰〔Electromagnet ic Inte rf erence,EMI〕,经传导和辐射会污染周围电磁环境,对电子设备造成影响。
本文从开关电源的电路构造、器件进展分析,讨论了电磁干扰产生的机理及其抑制方法。
2 开关电源电磁干扰〔EMI〕产生的机理开关电源的电磁干扰,按耦合途径来分,可分为传导干扰和辐射干扰。
按噪声干扰源可分为两大类:一类是外部噪声,例如通过电网传输过来的共模和差模干扰、外部电磁辐射对开关电源控制电路的干扰等;另一类是开关电源自身产生的电磁干扰,如开关管、整流管的电流尖峰产生的谐涉及电磁辐射干扰。
其中外部噪声产生的影响可以通过电源滤波器进展衰减,本文不做讨论,仅讨论开关电源自身产生的电磁噪声。
常规交流输入的开关电源主要构造可以分为四大部分,其框图如图1所示。
其中输入与整流滤波部分、高频逆变部分、输出整流与滤波部分是产生电磁干扰的主要来源。
以下将通过对各部分电压、电流波形的分析,说明电磁噪声产生的原因。
2.1 工频整流器引起的电磁噪声一般开关电源为容式滤波,在输入与整流滤波部分电磁噪声主要是由整流过程中造成的电流尖峰、电压波动所引起的。
正弦波电源经过电源滤波器进展差模、共模信号衰减后,由整流桥整流、电解电容滤波,得到的电压作为高频逆变部分的输入电压。
由于滤波电容的存在,使整流器不象纯整流那样一组开通半个周期,而是只在正弦电压高于电容电压时才导通,造成电流波形非常陡峭,同时电压波形变得平缓。
电流、电压的波形如图2所示。
根据Fourier级数,图中的电流、电压波形可分解为直流分量和一系列频率为基波频率整数倍的正弦交流分量之和。
通过电磁场理论以及试验结果说明,谐波〔特别是高次谐波〕会产生传导干扰和辐射干扰。
开关电源EMI整改方案

开关电源的EMI处理方法一、开关电源EMI整改中,关于不同频段干扰原因及抑制办法。
1MHZ以内,以差模干扰为主。
①增大X电容量;②添加差模电感;③小功率电源可采用 PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
1MHZ-5MHZ,差模共模混合,采用输入端并联一系列 X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,①对于差模干扰超标可调整 X 电容量,添加差模电感器,调差模电感量;②对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;③也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一对普通整流二极管1N4007。
5M以上,以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。
对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用; 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环. 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
20-30MHZ,①对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置;②调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值;③在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。
④改变PCB LAYOUT;⑤输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;⑥在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;⑦在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;⑧在变压器的输入电压脚加一个小电容。
⑨可以用增大MOS驱动电阻.30-50MHZ,普遍是MOS管高速开通关断引起。
①可以用增大MOS驱动电阻;②RCD缓冲电路采用1N4007 慢管;③VCC供电电压用1N4007 慢管来解决;④或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;⑤在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;⑥在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;⑦在变压器的输入电压脚加一个小电容;⑧PCB心LAYOUT 时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;⑨变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
电源EMI传导辐射实际整改经验总结(绝对值得)

电源EMI传导辐射实际整改经验总结(绝对值得)第一篇:电源EMI传导辐射实际整改经验总结(绝对值得)1、在反激式电源中,Y电容接初级地与次级地之间在20MHZ时,会比Y电容接在高压与次级地之间高5dB左右。
当然也要视情况而定。
2、MOS管驱动电阻最好能大于或等于47R。
降低驱动速度有利于改善MOS管与变压器的辐射。
一般采用慢速驱动和快速判断的办法。
3、若辐射在40MHZ-80MHZ之间有些余量不够,可适当地增加MOS管DS之间的电容值,以达到降低辐射量的效果。
4、若在输入AC线上套上磁环并绕2圈,有降低40-60MHZ之间辐射值的趋势,那么在输入EMI滤波部分中串入磁珠则会达到同样的效果。
如在NTC电阻上分别套上两个磁珠。
5、在变压器与MOS管D极之间最好能串入一个磁珠,以降低MOS管电流的变化速度,又能降低输出噪音。
6、电源输入AC滤波部分,X电容放在共模电厂的那个位置并不重要,注意布线时要将铜皮都集中于X电容的引脚处,以达到更好的滤波效果,但X电容最好不要与Y电容连接在同一焊点。
7、在300W左右的中功率电源中,其又是由几个不同的电源部分组成,一般采用三极共模电感。
第一级使用100UH-3MH左右的双线并绕锰锌磁环电感,其后再接Y电容,第二级与第三级可使用相同的共模电感,需要使用的电感量并不要求很大,一般10MH左右就能达到要求。
若把Y电容放在第二级与第三级之间,效果就会差一些。
如果采用两级共模滤波,秕一级电感量适当取大些,1.5-2.5MH左右。
8、如果采用三级,第一级电感量适当取小些,在200UH-1MH 之间。
测试辐射时,最好能在初次级之间的Y电容套上磁珠。
如果用三芯AC输入线,在黄绿地线上也串磁环,并绕上两到三圈。
9、在二极管上套磁珠,一般要求把磁珠套在其电压变化最剧烈的地方,在正端整流二极管中,其A端电压变化最剧烈。
10、实例分析:一台19W的二合一电源,在18MH左右处有超过QP值7dB,前级采用两级共模滤波方法和一个X电容,无论怎样更改滤波部分,此处的QP值总是难以压下来。
开关电源电磁干扰(EMI)抑制措施总结

摘要:开关电源的电磁干扰对电子设备的性能影响很大,因此,各种标准对抑制电源设备电磁干扰的要求已越来越高。
对开关电源中电磁干扰的产生机理做了简要的描述,着重总结了几种近年提出的新的抑制电磁干扰的方法,并对其原理、应用做了简单介绍。
1 引言随着电子设备的大量应用,电源在这些设备中的地位越来越重要,而开关变换器由于体积小、重量轻、效率高等特点,在电源中占的比重越来越大。
开关电源大多工作在高频情况下,在开关器件的开关过程中,寄生元件(如寄生电容、寄生电感等)中能量的高频变化产生了大量的电磁干扰( ElectromagneticInterference , EMI )。
EMI 信号占有很宽的频率范围,又有一定的幅度,经过在电路、空间中的传导和辐射,污染了周围的电磁环境,影响了与其它电子设备的电磁兼容( ElectromagneticCompatibility )性。
随着近年来各国对电子设备的电磁干扰和电磁兼容性能要求的不断提高,对电磁干扰以及新的抑制方法的研究已成为开关电源研究中的热点。
本文对电磁干扰产生、传播的机理进行了简要的介绍,重点总结了几种近年来提出的抑制开关电源电磁干扰产生及传播的新方法。
2 电磁干扰的产生和传播方式开关电源中的电磁干扰分为传导干扰和辐射干扰两种。
通常传导干扰比较好分析,可以将电路理论和数学知识结合起来,对电磁干扰中各种元器件的特性进行研究;但对辐射干扰而言,由于电路中存在不同干扰源的综合作用,又涉及到电磁场理论,分析起来比较困难。
下面将对这两种干扰的机理作一简要的介绍。
2.1传导干扰的产生和传播传导干扰可分为共模( CommonMode CM )干扰和差模( DifferentialMode DM )干扰。
由于寄生参数的存在以及开关电源中开关器件的高频开通与关断,使得开关电源在其输入端(即交流电网侧)产生较大的共模干扰和差模干扰。
2.1.1 共模( CM )干扰变换器工作在高频情况时,由于 dv/dt 很高,激发变压器线圈间、以及开关管与散热片间的寄生电容,从而产生了共模干扰。
三相emi 电路

三相emi 电路EMI,即电磁干扰,是指电器设备和电视、电台、电话和射频等其他设备之间发生的电磁能量传输。
它通常是由于电器设备内的电磁场通过电力线及其其他电导体传输到接收器设备中引起的。
电器设备通常不仅会产生电磁辐射,而且还会对其它设备产生电磁敏感性,以此形成电磁相互干扰(EMI)。
三相电路也存在EMI问题,我们需要加强对EMI的控制和干扰抵制,以保障三相电路的正常运行。
1. EMI来源三相电路中EMI的主要来源是电能转换电路。
它通常由激励回路和互感器组成。
当时间变化时,激励回路中的电流也随之变化,这将产生电场和磁场,通过电路中的电导体和空间中的介质传播。
另一方面,路径中的负载电感和电容之间的相互作用会导致噪声电压的产生,这会导致电路中的电压和电流出现波动,进而影响整个系统的工作。
三相电路EMI的最常见源是开关变换器。
开关变换器采用高频脉冲宽度调制(PWM)控制,用于调节功率,以此来实现高效的电能转换。
然而,PWM控制过程中产生大量的高频噪声,这些噪声会通过电磁波的形式在电路中传播。
加之开关变换器周围环境中的磁场、电场和静电放电等各种干扰,都会给整个系统带来一定的EMI。
例如,电源设备和电子设备使用和保护系统中的自然气体和水分散热装置可能会增加干扰的来源。
除了开关变换器之外,电容电磁干扰也是三相电路中常见的EMI来源。
在三相电路中,电容生产过程中的电磁辐射会通过电源线传播,从而影响整个系统的隔离电路性能。
2. EMI对系统的影响由于EMI的存在,三相电路系统可能无法正常运行或其性能受到影响。
服从运行稳定性、噪声限度、压电电容、电磁噪声等方面条件的干扰抵制有着至关重要的作用。
EMI可以引起以下一些系统性问题:i. 电感和电容的相互作用:在电路中,电感和电容之间相互作用导致产生噪声电压,从而影响整个系统的工作。
ii. 电路传输信号的失真:由于EMI的存在,电路中信号的传递可能会失真。
这可能会导致损耗工程的数据丢失或校验错误等问题。
全桥开关型变换器电路PCB的EMI参数提取及优化设计

真 , 对输入 的原理图进行逻辑功能仿真 , 即: 看是 否满足设计者 的功能要求 , 不犯逻辑设计上 的错误 。随着设计技术 的不断成
熟, 电子产 品的小 型化 、 智能化 、 高速化的发展 , 在板 级设计 中 也需要采用这种分析 、 仿真的方法 , 这是 因为在 高密度 、 高速度
利用 C d n e软件的强大的电路辅 助设 计和寄生参数 提 a ec
取 功 能 可 以方 便 的 得 到 P B上 印 制 导线 的 电感 、 电容 以及 阻 C
的 P B设计 中存在一 系列新 的问题 , : C 如 电磁 干扰 、 号的完 信 整性 、 互连噪音( 串扰 ) 等等 , 他们是影 响高开关频率 、 高功率密 度 的 P B板能否正常工作 、 C 工作状态能否稳定 的主要因素。
2 1 0 0年 5月
广 西 轻 工 业
GuAN Gx I ouRNAL J oF LI GHT I Du s N TRY
第 5期 ( 第 1 8期 ) 总 3
机 械 与 电 气
全桥 开关型 变 换器 电路 PCB的 EM I 数提 取及 优化 设计 参
韩 爱 娟 , 振 徐
设计 的方方 面面, 包括 A I SC设计 、P A设计和 P B板设计 。 FG C 传统 的 P B设计工具只能对布线正确性方面进行检验 ,不 能 C
保 证 电 路 布局 满 足 电磁 兼 容 和热 平 衡 的要 求 , C d n e 司 而 ae c 公
Hale Waihona Puke 仿真技术是采用计算机软件对 电子元件 的电特性 、功率 、
在板级设计中 , 隔离敏感部件 , 如何 以减少 电磁干扰 ; 如何 合理地进行布局和正确地设 置平 行线 对的间距与线宽 , 以减小
开关电源EMI源头降噪设计-RC吸收电路
开关电源EMI源头降噪设计-RC吸收电路1.背景说明原理图EMC设计时,开关电源常见拓扑结构(BUCK,BOOST,FLYBACK,PUSH-PULL,HALF-BRIDGE,FULL-BRIDGE)开关管和二极管一般都要求设计RC 或C吸收电路。
通常要求R尽量小,C尽量大,RC的取值主要依据EMC工程师或电源工程师的设计经验,如典型取值:R=10Ω,C=1nF;具体参数多大,设计者需要兼顾EMC、效率、热、可靠性等,最终综合确定。
RC的添加位置、参数影响、以及对EMC影响的机理以及对EMI的改善频率段并不是每个设计者都有清晰了解,这也就导致了在实际的问题解决过程中更多的是依赖经验或者是不断的尝试。
电源拓扑吸收电路示意图BUCKBOOSTFLYBACK PUSH-PULL HALF-BRIDGEFULL-BRIDGE2.RC吸收电路介绍我们以BUCK电源变换器电路为例,在BUCK变换器集成电路中,开关节点(开关动点)处会产生许多高频噪声,吸收电路提供一种消除这种高频噪声的方法。
图1显示BUCK开关变换器的电路。
在实际电路中,存在大量寄生电感L和寄P生电容C,如图2所示。
当高压侧开关接通或断开时,寄生电感器中积累的能量会P在输入回路中引起LC谐振(通常为阻尼振荡式的振铃波)。
寄生元件的极小值使共振频率可达到百MHz级别,导致EMI电磁干扰特性恶化,如图3所示。
RC吸收电路可以有效减小或降低这种高频振荡噪声,通过在开关节点上增加一个简单的RC电路来实现,如图4所示。
图5为吸收电路的工作过程原理。
当高压侧开关接通时,在寄生电感器中积累的能量作为静电能存储在缓冲电容器SNB C 中。
由于开关节点的电位增加到输入电压IN V ,当充电到IN V 时,2**21IN SNB V C 的能量存储在电容器中。
然后产生的电阻损耗2**21IN SNB V C 等于在缓冲电阻器SNB R 中充电的能量。
当开关节点的电位降低到地电位时,随着低压侧开关的接通,存储在缓冲电容器SNB C 中的能量通过缓冲(阻尼)电阻器放电。
高频开关变换器的数字控制影印版
高频开关变换器的数字控制影印版高频开关变换器的数字控制影印版随着科技的不断发展,高频开关变换器作为一种重要的电力电子设备,已经被广泛应用于工业、通信、家电等领域。
为了更好地满足现代社会对能源转换的需求,高频开关变换器的数字控制技术也日益受到关注。
高频开关变换器是一种将直流电能转换为交流电能的重要装置。
其核心部件是功率开关器件,通过控制这些开关器件的通断状态,可以实现电能的变换和调节。
然而,传统的模拟控制方式存在着调整精度低、抗干扰能力差等问题,已经不能满足现代化生产和生活的需求。
为了解决这些问题,数字控制技术被引入到高频开关变换器中。
数字控制是指通过数字信号处理器(DSP)或微控制器(MCU)等数字电子器件,对功率开关器件进行精确的控制和调节。
相比于模拟控制,数字控制具有调整精度高、系统稳定性好、抗干扰能力强等优点。
数字控制使得高频开关变换器的工作性能得到了显著提升。
首先,数字控制技术可以实现对开关器件的精确控制,可以根据负载变化实时调整开关频率和占空比,提高了传输效率和电能利用率。
其次,数字控制还可以实现对输出电压、电流等参数进行精确调节,满足不同应用场景的需求。
此外,数字控制还可以实现对开关器件的保护,提高了系统的可靠性和稳定性。
然而,在实际应用过程中,数字控制也面临一些挑战。
首先,数字控制需要对器件进行精确测量和采样,因此需要高精度的AD/DA转换器和传感器等辅助设备。
其次,数字控制还需要可靠的通信接口和算法支持,以实现与外部控制系统的互联互通。
综上所述,数字控制技术在高频开关变换器中的应用,为其性能提升和功能拓展提供了新的思路。
随着科技的不断进步,数字控制技术将会进一步发展和完善,为高频开关变换器的应用带来更多的便利和创新。
开关电源的电磁干扰和射频干扰及电气安全标准
开关电源的电磁干扰和射频干扰及电气安全标准一、电磁干扰和射频干扰(EMI-RFI)美国及国际标准化组织已对电磁干扰和射频干扰制定了若干标准,要求电子设备的生产厂商将其产品的辐射和传导干扰降低到可接受的程度。
在美国,权威的指导性文件是FCC Dock-et20780,在国际上,德国的Verband Deutscher Elek-tronotechniker(VDE)安全标准则得到了广泛的采用。
FCC和VDE两个标准,主要是针对最终产品提出的,而不是组装产品的部件,但使用开关电源的整机产品,必须符合EMI-RFI的有关条款,了解这一点是非常重要的。
正是因为如此,既便开关电源已经使用了一个输入滤波器,这个滤波器对无源负载电路是匹配的,但对有源动态电子电路供电时,其抑制干扰的能力会发生剧烈的变化。
本文试图引导大家了解一些RFI的难题,并给出减小这些干扰的措施,这无论对电源设计或最终产品的设计均是需要遵循的。
1.FCC和VDE标准关于噪声抑制的条款FCC和VDE两项标准对由交流供电且由高频数字电路构成的设备的RFI抑制均提出了相应要求。
VDE标准把它的条款分成二类:第一类是工作在0~10kHz 的设备产生的无意性高频干扰。
它们的标准号分别是VDE-0875和VDE-0879;第二类是用于要求那些使用10kHz以上频率的设备所产生的有意性高频干扰,它们的标准号是VDE-0871和VDE-0872。
与此不同的是,FCC则针对产生或使用定时脉冲信号大于10kHz的所有设备提出RFI限制的有关条款。
图1所示给出了FCC和VDE对RFI的各项要求。
注:IEC为国际电子技术委员会的英文缩写;CISPR为国际无线电干扰特别委员会的英文缩写;EEC为电子设备的英文缩写。
FCC对EMI-RFI的有关条款与VDE的有关条款十分接近,其CLASS A部分要求商业、贸易和工业环境的设备,其电磁干扰辐射应在几分贝/微伏,所有能达到VDE 0875/N或VDE-0871/A,C标准规定的设备,几乎都能达到FCC的这一要求。
开关电源EMI滤波器的设计
圈2滤 波器接入前等效 电路 圈
接 收噪 声 源 以 后与 负载 接 收 到 的 噪声 源 功 率之 间的 比 值 。 接 人 滤
波器 的 前后 过 程的 电路 图如 图1 ,图2 所 示 。一 般所 用到 的EM I 滤 波
器 结构 具 体包 括 了许 多, 滤波 器 结 构 电路如 图3 所示。 I L =D B ( P I / P 2 ) = l O l g ( P l / P 2 ) . P 1 = V 2 1 / R L
AC
噪声源, ⑦高频 变压 器。 关断 最初 导通 的开 关管 , 高 频 变压器 就会 形 成 关断 电压 尖峰 的情 况 , 进而 出现传导 干扰 的现 象 ; ③电感 器、 电容
以 及导 线 。开关 电源 因为 工作 频 率很 高 , 从 而低 频 元 器 件 的特 点会 因此发 生改 变 , 从 而形 成了噪 声。
的, 从 而造 成了EMI 情 况 恶劣。防止 电磁 干扰 的方 法可 以分为三种 ,
的形式 存 在 , 然而 A C 端 口有两 个, 开 关 电源的 主要 形成 部分 包 括 了 中线 ( N) 、 地线 ( E ) 以及相 线 ( L ) 等。 因此 在具 体 的分 析过 程 中把 噪 声 源分 为差模 以及 共模 和 噪 声源 。 共模 电流 I C M特点 是采 用同样 的幅 度 , 在 通 过所 有 的A C 线 的 时候 , 选 择 的是 同样 的相 位 。 差模 电 流I DM特 点是 是在 中线和 相 线之 间来 回。 E MI 滤波 器衡 量 干扰 噪 声
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开关功率变换器的数字有源EMI控制技术摘要——本论文提出一项基于可编程逻辑矩阵针对开关功率变换器中噪声消弱的电磁兼容抑制技术。
通过高频采样的噪声信号,经过相位翻转等加工后,在噪声进入线性阻抗稳定网络前与噪声信号进行叠加抵消,以实现对噪声的抑制。
此技术通过单项AC—DC变换器的仿真和实验证明其可行性。
此技术可推广使用到DC/DC变换器中替换传统意义下因PCB 体积限制而无法使用的无源滤波器。
因此,这项技术将有可能在对体积有要求严格的工业场合中得以应用。
关键词:AC/DC变换器,DC/DC变换器,数字有源滤波器,电磁兼容(EMI),可编程逻辑矩阵(FPGA),无源滤波器(PEF)1.导读出于设计成本的考虑,电磁兼容设计应在一个功率转换器的研发初期进行考虑。
然而,EMC设计中势必包含一系列的测量误差。
这可以从减小耦合路径和增大共模干扰对地的距离等方面考虑。
一个产品从设计阶段到模型检验和大批量生产的过程中,对噪声抑制的能力逐渐下降。
作为功率转换器设计第一步,在设计阶段就应该分析其电磁干扰的产生,并选择所要采取的抑制方法。
目前使用最广泛的是无源滤波器[1]–[9],但其花费高,收益小,体积大。
其他的一些方法,例如扩频调制[10]–[14]、软开关技术[15]–[18]在实际中也收效甚微。
有源模拟电磁滤波器能进行基本噪声抑制,并且优点是价格低,易使用。
然而,它的局限性在于它也需要一些无源器件来完成对噪声的抑制[19]–[22]。
同时,装换器的负阻抗对其稳定性也有很大影响[23]–[27]。
这主要取决于EMI滤波器中无源器件的选取及功率转换器的安装。
因此,滤波器的界面阻抗是使转换器稳定的重要条件。
并且,无源滤波器尺寸也不固定,随电流变化率、电压变化率等输入参数的变化而变化。
而针对花费的减少的要求,功率转换器趋向数字化控制[28]–[34]。
其通常可基于FPGA技术实现数学化的资源开发。
Fig. 1.开关功率变换器中DAEF和PEF的应用对比本论文中,将提出一种基于FPGA的电磁干扰抑制技术。
它也被称为有源数字滤波器(DAEF)。
这项基于FPGA的滤波方法,可弥补之前其他抑制技术的很多不足。
针对电磁噪声的共模干扰的抑制效果可与无源滤波器进行对比。
在Fig. 2中,噪声的耦合回路针对的大地而不是返回回路。
然而,耦合电路到中性点之间的差模干扰也被消弱。
事实证明,对开关转换器中共模信号的抑制大多数是非对称的而非对称的。
Fig. 1就展示了一个无源滤波器和有源数字滤波器对共模干扰抑制的简易框图。
结果表明,随输入电压的变化,无源滤波器的体积不断增加,而有源数字滤波器的体积不变。
进而所用PCB板的面积和其质量随之增加。
因此,有源数字滤波器在中大电流转换器中有较大竞争优势。
Fig.2. 数字有源EMI控制器的结构图因为DAEF可在离散域使用硬件描述语言进行模拟,并且它不依赖于频率;因此,图中有源模拟电磁滤波器不考虑信号相位扭曲[35]。
然而,电路中的输入电容会产生一个无意义的延时,反过来使的噪声发生无意义的转变。
本文的框架如下。
在第2节中,阐述的是提出的DAEF的整体设计思路和设计原则。
在第3节中,传递函数的推导及关键波形的分析。
第4、5节中,仿真和实验结果的验证。
最后,在第6节进行总结。
2.整体设计思路和设计原则该DAEF的设计目的是消除或最小化电路中产生的不希望的干扰信号。
这些干扰信号倾向于流入单元并网系统和配电系统输入轨道。
这个有源滤波技术通过改变幅值和频率来仿效随机产生的噪声信号。
因此,这个噪声信号要采用高速的ADC采样后进行相位翻转运算。
之后,经过DAC转换输出引导EMI无用信号的产生。
Fig. 2展示了有源EMI滤波器的整体设计思路。
在Fig. 2中,数字EMI滤波器的输入参数为进过高通滤波的噪声电压。
这个噪声电压通过高速ADC模块采样,并经过反相器反相进行处理,经DAC模块转换输出。
这个转换信号的反馈也会经过一个寄生的低通滤波器滤除高频噪音。
其输入电容Cinj也会防止ADC模块被功率转换器加载。
表ⅠDAEF组成器件的功耗Fig.3. 基于FPGA的数字EMI滤波器的反馈框图3.分析和设计方法在很多的期刊杂志上都已经发表无源滤波器的分析和设计流程。
他们的优缺点也已经被指出,但体积和功耗的问题还是设计工程师一直考虑的。
这就是说,无源滤波器在忽略设计的最优程度的条件下,其体积和功耗会随着电路电压、电流变化率的变化成比例增加。
进一步忽略电路自身热耗,DAEF的功耗也比PEF小,详见表1。
在本节中,会进一步论证DAEF在EMI抑制上的可行性,系统框图见Fig. 3。
闭环系统传递函数为其中,Y(s)为无噪声输入的EMI函数的单位阶跃;X(s)为有噪声输入的EMI函数;X’(s)为数据处理后产生的EMI噪音。
在理论上,X’(s)与X(s)的幅值相等,以得到全部的EMI噪音。
然而,事实上,由于电路的寄生参数而无法实现。
因此,Y(s)=X(s)−X’(s)≠0。
K2为相位翻转后的增益;K1为系统增益;H(s)为高通滤波器的拉布拉斯变换的传递函数,为其中,ω1 =2·π·f1 =1/(Rs·Cs)为高频滤波器的转折频率。
G(s)是RC低通滤波器的拉布拉斯传递函数,为其中,ω2 =2·π·f2 =1/(Rinj·Cinj) 为低通滤波器的转折频率。
Dzoh(s)为ADC和DAC的零阶保持器(ZOH)的拉布拉斯传递函数。
为其中,T为ZOH的采样频率。
将s=jω带入(4)式得其增益和幅值为于是,ZOH在闭环反馈的作用是增加sin(ωT/2)的增益和导致一个ωT/2的相位转换,而这就是一个可忽略的时间延时。
将H(s),G(s)和Dzoh(s)分别带入(1)式中得Fig. 3中闭环反馈框图的传函数为(8)式幅值和相位的频率响应详见Fig. 4(a) 和(b)。
为了尽可能的减弱噪声干扰,(8)式中反馈传递函数的幅值尽可能的大。
这可增加系统增益K1。
当K1为100时,理论上可得10kHz到30MHz的噪音可降到50dB以下。
事实上,由于寄生参数的存在,只能达到20—30dB的效果。
系统的增益也因体积而不能超过100 。
此时,DAEF相对于PEF的优势将不再明显。
在Fig. 4中,在180°处将sine函数发生符号改变,ZOH的频率特性对整体减弱传递函数会有明显影响。
Fig.4. 数字有源EMI 滤波器的频率响应。
(a)幅值,(b)相位4.计算机仿真和实验结果本节由PSPICE软件[36]得到初步仿真结果。
需要指出,仿真的目的不是比较转换电路的不同而是比较在仿真和实验环境在DAEF和PEF之间的不同表现。
包括DAEF和PEF的整个电路用MA TLAB/PSPICE/Modelsim进行协同仿真。
在Fig. 5中,方框SLPS中包括这个电路在PSPICE下的仿真。
DAEF的运算法则为在MATLAB/Simulink平台下在modelsim方框和整个电路中进行仿真。
Fig. 6为PSpice中的转换电路。
Fig.5. 仿真电路的反馈框图Fig.6. SLPS MA TLAB模型的仿真电路表ⅡAC/DC转换器的仿真参数软件的库文件中有除了50Ω线性阻抗稳定网络(LISN)的绝大多数所需的组合模型。
DAEF电路使用库文件中有的ADC,DAC模型构建。
这些装置的分辨率为14位,ADC的采样频率设为200MSPS,大约为发射频率为30MHz的EMC上限频率的十倍左右。
在这种情况下,香农采样定理没有充分考虑信号幅值和频率的变化。
因此,采样过密需要充足和完整的信号离散化。
由于位分辨和采样率的问题,达不到采样条件,结果导致DAEF离散化的采样信号(检测出的)和叠加信号(重组的)出现相位误差。
转换参数见表II。
Fig.7. 无EMI滤波器时的噪声结果Fig.8. 带有无源输入EMI滤波器的噪声结果Fig.9. 带有所述数字输入EMI滤波器的噪音结果首先,在未连接EMI滤波器的情况下进行仿真。
之后,加入无源模拟滤波器以便观察输入噪声减弱对这个电路的影响。
在第三个模型中,将数字滤波器加入没有无源滤波器的电路中。
在所有的仿真模型中,FFT分析是展示LISN检测端口检测电压与噪声电压之间的关系。
在Figs. 7–9中,波形图分别无EMI滤波器,无源滤波器和数字滤波器的情况下EMI的噪声频带。
由图可得,有DAEF的情况下,EMI噪声减弱20dB。
注意到,在第一个谐振波峰数字滤波器的效果优于PEF。
然而,本次试验的目的是通过DAEF找到合适的EMI解决方案替换PEF,只要DAEF的仿真结果优于或等于PEF即可。
仿真结果详见表III。
5.实验及结果为了验证前面提出的技术,使用一个带有PFC控制的80W ac/ac开关电源和作为被测部件(UUT)。
被测部件的参数见表III。
表ⅢDAEF和PEF仿真结果的对比表Ⅳ实验电路参数DAEF的主要部分在表III中列出。
因为使用高速的DAC和ADC模块,所以转换器的采样频率要达到30MHz。
CPLD/FPGA用来完成对ADC采样信号进行逻辑函数的位取反。
赛灵思CPLD的程序使用JTAG和Webpack软件烧写程序。
I/O端口的CPLD被设置为DAC 和ADC与之间一个界面。
CPLD的特征拥有灵活、低功耗和低花费等特点。
被测单元的传导发射误差按照CISPR22标准测量。
三个测试对象中分别在无任何EMI 滤波器,有PEF和仅考虑有源数字滤波器,以及从PCB板上移除PEF等情况下的测量。
测试计划见Fig. 10,放大视图见Fig. 11。
Fig.10. 误差实验的建立和实施Fig.11. 包括DAEF的实验原型Fig.12. 所述DAEF滤波器的输入和输出电压信号实验中有关概念的证明见后续图片。
Fig. 12为DAEF输入输出端口测量波动电压和叠加波动电压。
被测单元开关频率和理想频率消弱的EMI噪声波形180°异相。
Fig.13. 无滤波器的UUT误差波形图Fig.14. 仅有PEF的UUT误差波形图Fig.15. 仅有DAEF的UUT误差波形图Fig. 13图中波形为没有任何滤波器的被测单元的传导误差频带。
幅值达到80dB的高波峰可视为较低频带。
Fig. 14图中波形为在被测单元输入端随PEF引入振幅的减弱。
同理,Fig. 15 为DAEF的波形。
使用此方法可减弱都30dB。
表Ⅴ实验误差对比(PEF和DAEF)表V为PEF和DAEF在不同频率上一些波峰的实验对比。
Fig. 16为DAEF替换PEF 后的噪声消弱效果图,以此来证实此方法的正确性。
Fig.16. PEF和DAEF噪声消弱的对比Fig.17. 80W转换器原型中PEF和DAEF的PCB板大小比较Fig. 17为PEF和DAEF实际PCB板尺寸的比较。