芯片可靠性测试d
IC 产品的质量与可靠性测试
IC 产品的质量与可靠性测试(IC Quality & Reliability Test )质量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以说是IC 产品的生命，好的品质，长久的耐力往往就是一颗优秀I C产品的竞争力所在。
在做产品验证时我们往往会遇到三个问题，验证什么，如何去验证，哪里去验证，这就是what, how , where 的问题了。
解决了这三个问题，质量和可靠性就有了保证，制造商才可以大量地将产品推向市场，客户才可以放心地使用产品。
现将目前较为流行的测试方法加以简单归类和阐述，力求达到抛砖引玉的作用。
质量（Quality）就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎规格（SPEC）的要求，是否符合各项性能指标的问题；可靠性（Reliability）则是对产品耐久力的测量，它回答了一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。
所以说质量（Quality）解决的是现阶段的问题，可靠性（Reliability）解决的是一段时间以后的问题。
知道了两者的区别，我们发现，Q uality 的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位在产品生产出来后，通过简单的测试，就可以知道产品的性能是否达到SPEC 的要求，这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。
相对而言，Reliability 的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，who knows? 谁会能保证今天产品能用，明天就一定能用？为了解决这个问题，人们制定了各种各样的标准，如JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101.注：JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）电子设备工程联合委员会,，著名国际电子行业标准化组织之一。
EIAJED：日本电子工业协会，著名国际电子行业标准化组织之一。
等等，这些标准林林总总，方方面面，都是建立在长久以来IC设计，制造和使用的经验的基础上，规定了IC测试的条件，如温度，湿度，电压，偏压，测试方法等，获得标准的测试结果。
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0是针对芯片可靠性测试的总体规范要求，包括电路可靠性和封装可靠性。
该规范适用于量产芯片验证测试阶段的通用测试需求，并能够覆盖芯片绝大多数的可靠性验证需求。
本规范描述的测试组合可能不涵盖特定芯片的所有使用环境，但可以满足绝大多数芯片的通用验证需求。
该规范规定了芯片研发或新工艺升级时，芯片规模量产前对可靠性相关测试需求的通用验收基准。
这些测试或测试组合能够激发半导体器件电路、封装相关的薄弱环节或问题，通过失效率判断是否满足量产出口标准。
在芯片可靠性测试中，可靠性是一个含义广泛的概念。
以塑封芯片为例，狭义的“可靠性”一般指芯片级可靠性，包括电路相关的可靠性（如ESD、Latch-up、HTOL）和封装相关的可靠性（如PC、TCT、HTSL、HAST等）。
但是芯片在应用场景中往往不是“独立作战”，而是以产品方案（如PCB板上的一个元器件）作为最终应用。
因此广义的“可靠性”还包括产品级的可靠性，例如上电温循试验就是用来评估芯片各内部模块及其软件在极端温度条件下运行的稳定性。
产品级的可靠性根据特定产品的应用场景来确定测试项和测试组合，并没有一个通用的规范。
本规范重点讲述芯片级可靠性要求。
本规范引用了JESD47I标准，该标准是可靠性测试总体标准。
在芯片可靠性测试中，测试组合通常以特定的温度、湿度、电压加速的方式来激发问题。
本规范还新增了封装可靠性测试总体流程图和测试前后的要求，并将《可靠性测试总体执行标准（工业级）》.xlsx作为本规范的附件。
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0本规范旨在规范海思消费类芯片的可靠性测试技术，确保其性能和质量符合要求。
以下是通用芯片级可靠性测试要求的详细介绍。
2.通用芯片级可靠性测试要求2.1电路可靠性测试电路可靠性测试是对芯片在不同应力条件下的可靠性进行评估的过程。
在测试过程中，需要按照以下要求进行测试：HTOL：在高温条件下进行测试，温度不低于125℃，Vcc不低于Vccmax。
可靠性实验项目参考(车规级AEC-Q100)
AEC-Q100-005
参考标准 AEC-Q100-001
MIL-STD 883 Method2011
JESD22-B102 JESD22-B100 JESD22-B108
AEC-Q100-010
JESD22-B105
参考标准 / / / / /
接收判据
C1 邦线剪切（WBS） C2 邦线拉力（WBP）
最少5只器件的30个键
Cpk＞1.67
合丝
Cpk＞1.67或温度循环后0 缺陷(#A4)
C3 可焊性（SD）
15
1
＞95%引脚覆盖
C4 物理尺寸（PD）
10
3
Cpk＞1.67
C5 锡球剪切（SBS）
C6 引线完整性（LI）
组别
项目名称
D1 电迁移（EM）
30
3
/
/
/
/
/
/
1
1
10
3
3
1
all
all
F组-缺陷筛选测试分析
样品数/批 批数
/
/
/
/
G组-腔封装完整性测试
样品数/批 批数
15
1
15
1
15
1
15
1
5
1
5
1
5
1
5
1
Cpk＞1.67 0 / 0 / 0 / /
接收判据 / /
接收判据 0 0 0 0 0 0 0 0
目）
参考标准 J-STD-020 JESD22-A113 JESD22-A101 JESD22-A110 JESD22-A102 JESD22-A118 JESD22-A101 JESD22-A104 JESD22-A105 JESD22-A103
各类IC芯片可靠性分析与测试
各类IC芯片可靠性分析与测试随着现代科技的快速发展，各类IC芯片在电子设备中的应用越来越广泛。
为了确保这些IC芯片能够稳定可靠地工作，必须进行可靠性分析与测试。
本文将介绍IC芯片可靠性分析的基本原理和常用方法，并探讨IC芯片可靠性测试的关键技术。
IC芯片可靠性分析是指通过对IC芯片在特定工作环境下的性能与失效进行分析和评估，来确定其可靠性水平。
可靠性分析的目标是了解IC芯片的寿命特征、失效机制和影响因素，进而为设计优化和可靠性改进提供依据。
常用的IC芯片可靠性分析方法包括寿命试验、失效分析和可靠性预测。
寿命试验是通过将IC芯片置于特定的工作环境下进行长时间的运行，以观察其寿命特征和失效情况。
寿命试验可以分为加速寿命试验和正常寿命试验两种。
加速寿命试验是通过提高温度、加大电压等方式来加速IC芯片的失效，从而缩短试验时间；正常寿命试验则是在设备正常工作条件下进行，以获取长时间的可靠性数据。
通过寿命试验可以得到IC芯片的失效率曲线和平均失效率，为预测其寿命和可靠性提供依据。
失效分析是通过对失效的IC芯片进行分析和检测，确定其失效机制和原因。
失效分析可以通过显微镜观察、电学测量、热学分析等手段来进行。
通过失效分析可以分析IC芯片的失效模式、失效位置和失效原因，为进一步改进设计和制造提供依据。
失效分析常用的方法包括扫描电子显微镜（SEM）观察、逆向工程分析和红外热成像。
可靠性预测是通过对IC芯片在特定环境下的性能特征和失效情况进行测量和分析，来预测其可靠性水平。
可靠性预测可以借助可靠性数学模型、统计分析和模拟仿真等手段来进行。
可靠性预测可以根据IC芯片在不同工作条件下的性能变化情况，进行寿命预测和可靠性评估。
常用的可靠性预测方法包括基于物理模型的可靠性预测和基于统计模型的可靠性预测。
除了可靠性分析，IC芯片的可靠性测试也是非常重要的一环。
可靠性测试是通过将IC芯片置于特定工作条件下进行工作，以评估其性能和可靠性水平。
芯片设计基础知识题库单选题100道及答案解析
芯片设计基础知识题库单选题100道及答案解析1. 芯片制造过程中，用于光刻的光源通常是（）A. 紫外线B. 红外线C. 可见光D. X 射线答案：A解析：芯片制造光刻过程中通常使用紫外线作为光源，因为其波长较短，能够实现更高的分辨率。
2. 以下哪种材料常用于芯片的绝缘层？（）A. 硅B. 二氧化硅C. 铝D. 铜答案：B解析：二氧化硅具有良好的绝缘性能，常用于芯片的绝缘层。
3. 在芯片设计中，CMOS 技术的主要优点是（）A. 低功耗B. 高速度C. 高集成度D. 低成本答案：A解析：CMOS 技术的主要优点是低功耗。
4. 芯片中的晶体管主要工作在（）A. 截止区和饱和区B. 截止区和放大区C. 饱和区和放大区D. 饱和区和线性区答案：A解析：芯片中的晶体管主要工作在截止区和饱和区。
5. 以下哪个是衡量芯片性能的重要指标？（）A. 功耗B. 面积C. 时钟频率D. 封装形式答案：C解析：时钟频率是衡量芯片性能的重要指标之一。
6. 芯片布线过程中，为了减少信号延迟，通常采用（）A. 长导线B. 短而宽的导线C. 细而长的导线D. 弯曲的导线答案：B解析：短而宽的导线电阻小，能减少信号延迟。
7. 下列哪种工艺可以提高芯片的集成度？（）A. 减小晶体管尺寸B. 增加芯片面积C. 降低工作电压D. 减少引脚数量答案：A解析：减小晶体管尺寸可以在相同面积上集成更多的晶体管，从而提高集成度。
8. 芯片设计中，逻辑综合的主要目的是（）A. 优化电路性能B. 生成门级网表C. 验证功能正确性D. 确定芯片布局答案：B解析：逻辑综合的主要目的是将高级描述转化为门级网表。
9. 以下哪种存储单元在芯片中速度最快？（）A. SRAMB. DRAMC. FlashD. EEPROM答案：A解析：SRAM 的速度通常比DRAM、Flash 和EEPROM 快。
10. 芯片测试中，功能测试的目的是（）A. 检测芯片的制造缺陷B. 验证芯片的功能是否符合设计要求C. 评估芯片的性能D. 确定芯片的可靠性答案：B解析：功能测试主要是验证芯片的功能是否符合设计要求。
iddq测试原理
iddq测试原理iddq测试原理是一种集成电路（IC）测试方法，用于检测芯片内部的电流。
它是一种零漏电流测试技术，通过检测芯片在静态状态下的电流来判断芯片的可靠性和质量。
iddq测试原理是基于CMOS（互补金属氧化物半导体）技术的电路测试方法。
CMOS电路是一种低功耗、高集成度的电路技术，广泛应用于各种集成电路中。
CMOS电路由N型MOS（NMOS）和P型MOS（PMOS）两种类型的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）组成。
在CMOS电路中，NMOS和PMOS是互补的，当一个导通时，另一个处于截止状态。
iddq测试原理利用CMOS电路中的互补特性，通过测量芯片在静态状态下的电流来判断芯片是否正常。
在正常情况下，静态电流应该非常小，接近于零，因为CMOS电路在静态状态下是不消耗功耗的。
而当芯片存在缺陷时，例如晶体管漏电流过大、晶体管通道短路等，会导致芯片内部的电流明显增加。
iddq测试就是通过测量芯片的静态电流来检测这些缺陷。
iddq测试方法可以分为两种：全芯片iddq测试和局部iddq测试。
全芯片iddq测试是在芯片的所有输入和输出端口都关闭的情况下进行的，这样可以确保测量到的电流是芯片内部的电流。
而局部iddq测试则是在具体的电路模块上进行的，通过选择性地关闭部分输入和输出端口，可以更精确地定位电流缺陷。
iddq测试在集成电路制造过程中具有重要的意义。
它可以帮助制造商及时发现芯片的制造缺陷，提高芯片的质量和可靠性。
在芯片设计阶段，iddq测试也可以用来评估芯片的功耗和电流泄漏情况，优化电路设计。
虽然iddq测试方法简单有效，但也存在一些应用限制。
首先，iddq测试只能检测到静态电流缺陷，对于动态电流缺陷无能为力。
其次，iddq测试需要芯片处于静态状态，对于一些高速运行的芯片来说，测试过程可能会影响芯片的正常工作。
因此，在实际应用中，还需要结合其他测试方法来全面评估芯片的性能和可靠性。
总结起来，iddq测试原理是一种通过测量芯片的静态电流来检测电流缺陷的方法。
芯片测试标准
芯片测试标准一、概述芯片测试是确保芯片在各种条件下正常运行的关键过程。
本标准涵盖了功能测试、性能测试、可靠性测试、安全性测试、兼容性测试、易用性测试、可维护性测试和环境适应性测试等方面的要求。
二、功能测试1.测试芯片的各个功能模块是否按照设计要求正确工作。
2.验证芯片的输入输出信号是否正确，如时钟信号、复位信号等。
3.测试芯片的各种特殊功能，如功耗管理、过温保护等。
三、性能测试1.测试芯片的运算速度，确保其满足设计要求。
2.测试芯片的功耗性能，确保其在正常工作范围内的功耗符合标准。
3.测试芯片的存储器访问速度，如内存带宽和缓存命中率等。
四、可靠性测试1.通过高低温循环、高温高湿、振动等环境试验，验证芯片的可靠性。
2.对芯片进行寿命测试，评估其在预期使用年限内的可靠性。
3.测试芯片的故障自愈能力，如冗余设计、故障隔离等。
五、安全性测试1.对芯片进行漏洞扫描，确保其安全性不受威胁。
2.测试芯片的防病毒能力，防止恶意软件入侵。
3.验证芯片的加密和解密算法是否符合安全标准。
六、兼容性测试1.测试芯片与不同厂商的硬件设备的兼容性。
2.验证芯片在多种操作系统和软件环境下的兼容性。
3.确保芯片与现有技术的兼容性，如USB、HDMI等接口标准。
七、易用性测试1.评估芯片是否易于集成到现有系统中。
2.测试芯片的调试和编程接口是否友好易用。
3.验证芯片是否具有明确的文档说明和示例代码，以便用户快速上手。
八、可维护性测试1.验证芯片是否易于升级和扩展，以支持未来的需求变化。
2.对芯片进行故障诊断和修复测试，确保其可维护性良好。
3.评估芯片的寿命周期，预测其在使用过程中的维护需求。
九、环境适应性测试1.在不同温度、湿度、气压等环境下测试芯片的性能表现。
2.对芯片进行辐射抗性测试，以确保其在高辐射环境下正常工作。
3.验证芯片在特殊环境条件下的稳定性和可靠性，如军事应用中的极端环境条件。
芯片测试方案
芯片测试方案引言芯片测试是保证芯片产品质量的重要环节，通过对芯片进行全面、准确的测试可以确保其性能和稳定性。
本文将介绍一种常见的芯片测试方案，包括测试目的、测试流程、测试方法、测试指标等内容。
测试目的芯片测试的主要目的是验证芯片的各项功能和性能是否符合设计要求，以及评估芯片的可靠性和稳定性。
通过测试可以发现芯片中的问题，包括硬件和软件方面的缺陷，从而提供改进产品质量的参考依据。
测试流程通常，芯片测试包括以下几个主要步骤：1.准备阶段：确定测试目标，设计测试方案，准备测试环境和测试设备。
2.功能测试：验证芯片的各项功能是否正常，包括输入输出接口的正确性、逻辑运算的准确性等。
3.性能测试：测试芯片在各种负载条件下的性能表现，例如时钟频率、数据传输速率等。
4.可靠性测试：通过长时间运行、高负载等方式模拟实际工作环境，验证芯片的可靠性和稳定性。
5.故障分析：如果测试发现问题，需要进行故障分析，找出问题原因并提出解决方案。
6.测试报告：根据测试结果撰写测试报告，包括测试概况、测试方法、测试结果和问题总结等。
测试方法芯片测试可以使用多种方法和工具，具体选择取决于芯片的特性和需求。
常见的测试方法包括以下几种：1.黑盒测试：只关注输入和输出，不涉及内部结构和实现细节，通过输入测试用例来检查输出结果是否符合预期。
2.白盒测试：了解芯片的内部结构和实现细节，通过代码覆盖率等指标来评估测试的完整性和覆盖范围。
3.边界测试：针对输入输出边界范围进行测试，检测边界条件下的异常行为和异常处理能力。
4.压力测试：在高负载条件下测试芯片的性能和稳定性，例如同时运行多个任务、大数据量传输等。
5.降频测试：通过逐步降低芯片的时钟频率来测试其性能下限，评估芯片在低功耗模式下的工作能力。
测试指标芯片测试的指标多样，需要根据具体芯片的设计要求和产品需求进行选择。
常见的测试指标包括以下几种：1.功耗：测试芯片在不同工作状态下的功耗消耗情况，评估芯片的电能效率。
AEC-Q100是什么
AEC-Q100为AEC组织所制订的车用可靠性测试标准，为3C&IC厂商打进国际车用大厂模块的重要入场卷，也是提高台湾IC可靠性质量的重要技术，此外，目前国际大厂已经通过车用安全性标准(ISO-26262)，而AEC-Q100则为通过该标准的基本要求。
车用电子件区分为三大类别，包括IC元件、离散半导体元件与被动元件。
其余有关连接器、印刷电路板、机件等，通常由使用公司自行设计测试规范予供应商参考为多。
在AEC建议中，一部汽车应该就零件使用位置区分为引擎区与乘坐区两部份，其基本耐温要求不同，故对于测试温度建议规格也不同。
由于零件种类繁多，因此在试验条件上，AEC 已进行分门别类，亦即依照属性设定建议的试验条件，此与多数传统规范明显不同，也较无争议。
亿博检测提供全方位汽车电子及零组件一站式整合验证服务。
车用电子测试不仅着重于产品寿命测试相关，更重要的是将产品结构或产品组装品质的观念带入试验之中，例如考量到推拉力测试、锡球接合强度测试、弯曲测试等，将传统对于电子零件着重于电性与环境温湿度关联度的试验范畴扩展到应力与机构考量点，属于先期验证作法。
在试验规格中另一较为特殊的是，需将EMC的考量纳入，其认知为终端产品的EMC多由IC所贡献，因此IC须进行先期验证，降低终端产品设计时的风险。
服务范畴：汽车零组件领域(Automotive Parts) 电子控制模组领域(ECU Module) 电路板领域(PCB/ PCBA) IC/元件领域(IC/ Component)服务项目：电磁兼容测试(EMC Test) 可靠度验证(Reliability Test) 失效分析(Failure Analysis) 材料测试(Material Test) 化学分析(Chemical Test)AEC-Q100类别与测试：说明：AEC-Q100规范7大类别共41项的测试群组A-加速环境应力测试(ACCELERATED ENVIRONMENT STRESS TESTS)共6项测试，包含：PC、THB、HAST、AC、UHST、TH、TC、PTC、HTSL群组B-加速生命周期模拟测试(ACCELERATED LIFETIME SIMULATION TESTS)共3项测试，包含：HTOL、ELFR、EDR群组C-封装组装完整性测试(PACKAGE ASSEMBLY INTEGRITY TESTS)共6项测试，包含：WBS、WBP、SD、PD、SBS、LI群组D-芯片制造可靠性测试(DIE FABRICATION RELIABILITY TESTS)共5项测试，包含：EM、TDDB、HCI、NBTI、SM群组E-电性验证测试(ELECTRICAL VERIFICATION TESTS)共11项测试，包含：TEST、FG、HBM/MM、CDM、LU、ED、CHAR、GL、EMC、SC、SER群组F-缺陷筛选测试(DEFECT SCREENING TESTS)共11项测试，包含：PAT、SBA群组G-腔封装完整性测试(CAVITY PACKAGE INTEGRITY TESTS)共8项测试，包含：MS、VFV、CA、GFL、DROP、LT、DS、IWVAEC-Q100与AEC-Q200差别AEC-Q100是汽车集成电路(IC)的重要应力测试标准。
软件水平考试(中级)软件评测师综合(习题卷9)
软件水平考试(中级)软件评测师综合(习题卷9)第1部分：单项选择题，共73题，每题只有一个正确答案,多选或少选均不得分。
1.[单选题]以下关于软件测试的描述中，正确的是（ ）。
A)测试开始越早，越有利于发现软件缺陷B)采用正确的测试用例设计方法，软件测试可以做到穷举测试C)测试覆盖度和测试用例数量成正比D)软件测试的时间越长越好答案:A解析:本题考察软件测试的原则。
选项A显然是正确的原则；选项B是错误的，软件测试的路径是无法穷尽的；选项C是错误的，测试用例数量的增加并不一定意味着测试覆盖度的增加，因为增加的测试用例可能覆盖以前相同的路径；选项D也是错误的，测试时间并非越长越好，需要在质量、进度和成本之间做出平衡。
2.[单选题]以下关于白盒测试叙述中，不正确的是A)白盒测试仅与程序的内部结构有关，完全可以不考虑程序的功能要求B)逻辑覆盖法是一种常用的白盒测试方法C)程序中存在很多判定和条件，不可能实现100%的条件覆盖D)测试基于代码，无法确定设计正确与否答案:C解析:3.[单选题]（4）不属于按寻址方式划分的一类存储器A)随机存储器B)顺序存储器C)相联存储器D)直接存储器答案:C解析:存储系统中的存储器，按访问方式可分为按地址访问的存储器和按内容访问的存储器；按寻址方式分类可分为随机存储器、顺序存储器和直接存储器。
随机存储器（Random Access Memory,RAM）指可对任何存储单元存入或读取数据，访问任何一个存储单元所需的时间是相同的。
顺序存储器（Sequentially Addressed Memory，SAM）指访问数据所需要的时间与数据所在的存储位置相关，磁带是典型的顺序存储器。
直接存储器（Direct Addressed Memory，DAM）是介于随机存取和顺序存取之间的一种寻址方式。
磁盘是一种直接存取存储器，它对磁道的寻址是随机的，而在一个磁道内，则是顺序寻址。
相联存储器是一种按内容访问的存储器。
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芯片可靠性检测
2011-08-08 11:00
电子元器件可靠度评估分析
可靠性评估分析的意义
可靠性（Reliability）则是对产品耐久力的测量, 我们主要典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示。
如上图示意,集成电路得失效原因大致分为三个阶段:
Region (I) 被称为早夭期（Infancy period）, 这个阶段产品的失效率快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷；
Region (II) 被称为使用期（Useful life period）, 这个阶段产品的失效率保持稳定，失效的原因往往是随机的，比如温度变化等等；
Region (III) 被称为磨耗期（Wear-Out period）这个阶段产品的失效率会快速升高，失效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。
·军工级器件老化筛选
·元器件寿命试验
·ESD等级、Latch_up测试评价
·高低温性能分析试验
·集成电路微缺陷分析
·封装缺陷无损检测及分析
·电迁移、热载流子评价分析
根据试验等级分为如下几类:
一、使用寿命测试项目（Life test items）：EFR, OLT (HTOL), LTOL
①EFR:早期失效等级测试（ Early fail Rate Test ）
目的: 评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品。
测试条件: 在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试
失效机制：材料或工艺的缺陷，包括诸如氧化层缺陷，金属刻镀，离子玷污等由于生产造成的失效。
参考标准：
JESD22-A108-A
EIAJED- 4701-D101
②HTOL/ LTOL：高/低温操作生命期试验（High/ Low Temperature Operating Life ）
目的: 评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力
测试条件: 125℃，1.1VCC, 动态测试
失效机制：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子玷污等
参考数据：
125℃条件下1000小时测试通过IC可以保证持续使用4年，2000小时测试持续使用8年；150℃ 1000小时测试通过保证使用8年，2000小时保证使用28年。
参考标准:
MIT-STD-883E Method 1005.8
JESD22-A108-A
EIAJED- 4701-D101
二、环境测试项目（Environmental test items）
PRE-CON, THB, HAST, PCT, TCT, TST, HTST, Solderability Test, Solder Heat Test ①PRE-CON:预处理测试（ Precondition Test ）
目的: 模拟IC在使用之前在一定湿度，温度条件下存储的耐久力，也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性。
②THB: 加速式温湿度及偏压测试（Temperature Humidity Bias Test ）
目的: 评估IC产品在高温，高湿，偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程
测试条件: 85℃，85%RH, 1.1 VCC, Static bias
失效机制：电解腐蚀
参考标准:
JESD22-A101-D
EIAJED- 4701-D122
③高加速温湿度及偏压测试（HAST: Highly Accelerated Stress Test ）
目的: 评估IC产品在偏压下高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程
测试条件: 130℃， 85%RH, 1.1 VCC, Static bias，2.3 atm
失效机制：电离腐蚀，封装密封性
参考标准:
JESD22-A110
④PCT:高压蒸煮试验 Pressure Cook Test (Autoclave Test)
目的: 评估IC产品在高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程
测试条件: 130℃， 85%RH, Static bias，15PSIG（2 atm）
失效机制：化学金属腐蚀，封装密封性
参考标准:
JESD22-A102
EIAJED- 4701-B123
*HAST与THB的区别在于温度更高，并且考虑到压力因素，实验时间可以缩短，而PCT则不加偏压，但湿度增大。
⑤TCT: 高低温循环试验（Temperature Cycling Test ）
目的: 评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。
方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。
测试条件:
Condition B:-55℃ to 125℃
Condition C: -65℃ to 150℃
失效机制：电介质的断裂，导体和绝缘体的断裂，不同界面的分层
参考标准:
MIT-STD-883E Method 1010.7
JESD22-A104-A
EIAJED- 4701-B-131
⑥TST: 高低温冲击试验（Thermal Shock Test ）
目的: 评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。
方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。
测试条件:
Condition B: - 55℃ to 125℃
Condition C: - 65℃ to 150℃
失效机制：电介质的断裂，材料的老化（如bond wires）, 导体机械变形
参考标准：
MIT-STD-883E Method 1011.9
JESD22-B106
EIAJED- 4701-B-141
* TCT与TST的区别在于TCT偏重于package 的测试，而TST偏重于晶园的测试
⑦HTST: 高温储存试验（High Temperature Storage Life Test ）
目的: 评估IC产品在实际使用之前在高温条件下保持几年不工作条件下的生命时间。
测试条件: 150℃
失效机制：化学和扩散效应，Au-Al 共金效应
参考标准:
MIT-STD-883E Method 1008.2
JESD22-A103-A
EIAJED- 4701-B111
⑧可焊性试验（Solderability Test ）
目的: 评估IC leads在粘锡过程中的可靠度
测试方法:
Step1：蒸汽老化8 小时
Step2：浸入245℃锡盆中 5秒
失效标准（Failure Criterion）：至少95％良率
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883E Method 2003.7
JESD22-B102
⑨SHT Test:焊接热量耐久测试（ Solder Heat Resistivity Test ）
目的: 评估IC 对瞬间高温的敏感度
测试方法: 侵入260℃锡盆中10秒
失效标准（Failure Criterion）：根据电测试结果
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883E Method 2003.7
EIAJED- 4701-B106
三、耐久性测试项目（Endurance test items ）
Endurance cycling test, Data retention test
①周期耐久性测试（Endurance Cycling Test ）
目的: 评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能
Test Method: 将数据写入memory的存储单元，在擦除数据，重复这个过程多次
测试条件: 室温，或者更高，每个数据的读写次数达到100k~1000k
参考标准:
MIT-STD-883E Method 1033
②数据保持力测试（Data Retention Test）
目的: 在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失
测试条件: 在高温条件下将数据写入memory存储单元后，多次读取验证单元中的数据失效机制：150℃
参考标准：。