光刻工艺原理8
光刻的工作原理
光刻的工作原理光刻技术是一种用于制造集成电路的重要工艺，其工作原理是利用光的作用将图案投射到硅片上，形成微小的电路结构。
本文将从光刻的原理、设备和应用等方面进行详细介绍。
一、光刻的原理光刻技术是利用光的干涉、衍射和透射等特性实现的。
首先，需要将待制作的电路图案转化为光学遮罩，通常使用光刻胶涂覆在硅片上，然后通过光刻机将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上。
光刻胶在光的照射下会发生化学反应，形成光刻胶图案。
接下来，通过将光刻胶暴露在特定的化学溶液中，去除未曝光的光刻胶，得到所需的光刻胶图案。
最后，通过将硅片进行化学腐蚀或沉积等工艺步骤，形成微小的电路结构。
二、光刻的设备光刻机是光刻技术中最关键的设备之一。
光刻机主要由光源、光学系统、对准系统和运动控制系统等部分组成。
光源是产生紫外光的装置，通常使用汞灯或氙灯等。
光学系统由透镜、反射镜和光刻胶图案的投射系统等组成，用于将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上。
对准系统是用于确保光刻胶图案和硅片之间的对准精度，通常采用显微镜和自动对准算法等。
运动控制系统是用于控制硅片在光刻机中的移动和旋转等。
三、光刻的应用光刻技术在集成电路制造中有着广泛的应用。
首先，光刻技术是制造集成电路中最关键的工艺之一，可以实现微米甚至纳米级别的电路结构。
其次，光刻技术还可以制作光学元件，如光纤、激光器等。
此外，光刻技术还被应用于平面显示器、传感器、光学存储器等领域。
四、光刻技术的发展趋势随着集成电路制造工艺的不断发展，光刻技术也在不断进步和改进。
首先，光刻机的分辨率越来越高，可以实现更小尺寸的电路结构。
其次，光刻胶的性能也在不断提高，可以实现更高的对比度和较低的残留污染。
此外，光刻技术还在朝着多层光刻、次波长光刻和非接触式光刻等方向发展。
光刻技术是一种利用光的特性制造微小电路结构的重要工艺。
光刻技术的原理是利用光的干涉、衍射和透射等特性实现的，通过光刻机将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上，最终形成所需的电路结构。
光刻加工的原理
光刻加工的原理光刻加工是一种常见的半导体制造工艺，用于制作微电子器件的图案。
它的原理是利用光敏材料对光的敏感性，通过光照、显影等步骤将期望的图案转移到硅片表面，进而形成电路结构。
光刻加工的步骤分为曝光、显影和清洗三个阶段。
首先，光刻胶涂覆在硅片表面，形成一层均匀的薄膜。
然后，将硅片放在光刻机中，使用曝光光源照射光刻胶。
光源经过掩膜上的图案透过透镜聚焦到光刻胶表面，使得胶层在曝光区域发生化学反应。
曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，使得曝光区域的光刻胶能被显影液溶解，而未经曝光区域的光刻胶保持不变。
接下来是显影步骤。
将硅片浸入显影液中，显影液溶解未曝光区域的光刻胶，使得未曝光区域的光刻胶被去除，而曝光区域的光刻胶保留下来。
通过显影，光刻胶上的图案被转移到硅片表面。
最后是清洗步骤。
在显影后，需要对硅片进行清洗，去除残留的光刻胶和显影液。
清洗的目的是确保在后续工艺步骤中，硅片表面的图案能够得到保护和保持。
光刻加工的原理与光敏材料的特性密切相关。
光刻胶是光刻加工中重要的材料，它具有光敏性，即在光照下会发生化学或物理变化。
常用的光刻胶有正胶和负胶两种。
正胶在曝光后，被光照的区域会发生化学反应，变得更容易溶解。
而负胶则是在曝光后，被光照的区域发生化学反应，变得更难溶解。
通过选择合适的光刻胶，可以实现不同的图案转移效果。
光刻加工的原理还涉及到光源的选择和曝光机的控制。
光源的选择要考虑光的波长、功率等参数，以及光刻胶的特性，以获得理想的曝光效果。
曝光机的控制也十分重要，它需要精确控制曝光的时间和强度，以确保图案的精细度和一致性。
总结一下，光刻加工是一种利用光敏材料对光的敏感性，通过光照、显影等步骤将期望的图案转移到硅片表面的制造工艺。
它的原理涉及到光刻胶的光敏性质，光源的选择和曝光机的控制。
光刻加工在微电子器件制造中起到重要的作用，为我们日常使用的各种电子产品提供了可靠的基础。
简述光刻的原理和应用
简述光刻的原理和应用光刻的原理光刻是一种在制造集成电路和微型器件中广泛应用的工艺，其原理是利用光的干涉、衍射和透射等现象，将光线通过掩模或光刻胶等材料进行图形转移，将图案映射到底片或晶片上。
具体而言，光刻工艺主要包括以下几个步骤：1.准备掩模或光刻胶材料：光刻工艺中需要用到的掩模或光刻胶材料需要事先准备好。
掩模通常由玻璃或石英材料制成，上面刻有期望的图案。
光刻胶则是一种感光材料，光线照射后会发生化学反应，形成预定图案。
2.涂布光刻胶：将光刻胶均匀地涂布在待加工的底片或晶片上。
这一步需要保证光刻胶的厚度均匀，避免出现厚薄不均的情况。
3.暴光：将底片或晶片与掩模对准，并将光照射到光刻胶表面。
光线通过掩模上的孔洞或透明部分投射到光刻胶上，形成特定的图案。
4.显影：使用显影液将光刻胶暴露部分溶解掉，留下掩膜固定在底片或晶片上。
显影液的选择根据光刻胶的性质来确定，一般是使用有机溶剂。
5.清洗和处理：清洗掉未固化的光刻胶和显影液残留，对光刻图形进行清洗和处理，以确保图案的质量和精度。
光刻的应用光刻工艺在集成电路和微型器件制造中具有广泛的应用。
下面列举了一些光刻的应用领域：1. 集成电路制造光刻是集成电路制造中最关键的工艺之一。
光刻工艺可以将电路图案转移到硅片上，形成集成电路的图案结构。
通过多次重复光刻工艺，可以在单个硅片上制造成千上万个电路器件，实现高度集成的芯片制造。
2. 光学器件制造光刻技术在光学器件制造中也得到了广泛应用。
例如，用于实现高精度的光学透镜、光纤和平面波导等器件。
通过光刻工艺，可以在光学材料上制造出具有精确形状和尺寸的图案，实现光线的准确控制和传输。
3. 液晶显示器制造在液晶显示器的制造中，光刻工艺被用于制作液晶显示器的控制电路和图案结构。
通过光刻工艺，可以在基板上制作出非常细小的图案，实现液晶显示器的高分辨率和高亮度。
4. 生物芯片制造光刻工艺也在生物芯片制造中得到广泛应用。
生物芯片是一种集成了微流控、光学检测等功能的微小芯片，用于生物样品的分析和检测。
光刻的原理
光刻的原理光刻技术是一种利用光照射光刻胶层，并通过显影和蚀刻等工艺步骤，将芯片上的图形转移到硅片上的工艺。
光刻技术在半导体制造、集成电路、光学元件等领域有着广泛的应用，是微纳加工中至关重要的一环。
其原理主要涉及光的衍射、光的折射、光刻胶的光化学反应等多个方面。
在光刻的过程中，首先需要准备一块硅片作为基板，然后在硅片上涂覆一层光刻胶。
光刻胶的种类有很多，常见的有正胶和负胶。
正胶在紫外光照射后会变得容易溶解，而负胶则相反。
接着，通过掩膜板，将原始图形的信息传输到光刻胶上。
掩膜板上的图形是根据设计需求制作的，包括线宽、间距等尺寸参数。
当紫外光照射到光刻胶表面时，光的波长决定了最小可分辨的图形尺寸。
光波长越短，分辨率也就越高。
光照射到光刻胶上后，光会经过掩膜板的图形结构，产生衍射现象，最终在光刻胶表面形成图形。
而光的折射则决定了图形在光刻胶和硅片之间的投影位置，进而决定了最终图形的位置和形状。
光照射后，光刻胶会发生光化学反应，使得光刻胶在显影液中变得容易溶解。
通过显影，去除未经光照射的部分光刻胶，露出基板表面。
接着进行蚀刻，将露出的部分硅片进行蚀刻，形成所需的图形结构。
最后，清洗去除光刻胶残留，完成整个光刻工艺。
光刻技术的原理看似简单，实际操作却十分复杂。
光刻胶的选择、光源的参数、掩膜板的制作等都会影响最终的光刻效果。
而随着微纳加工技术的不断发展，光刻技术也在不断演进，越来越高的分辨率要求和更加复杂的图形结构，都对光刻技术提出了更高的要求。
总的来说，光刻技术作为微纳加工中的一项重要工艺，其原理虽然复杂，但却是实现微纳米级图形的关键。
通过精密的光学系统、优质的光刻胶和精准的掩膜板制作，光刻技术能够实现微米甚至纳米级的图形制作，为现代微电子学和光电子学的发展提供了强大的支持。
随着科技的不断进步，光刻技术也将不断完善和发展，为微纳加工领域的研究和应用带来更多的可能性。
SU8胶紫外光刻理论与实验研究
未来研究方向和改进意见方面，我们提出以下几点建议：首先，可以进一步 研究不同条件下SU8胶的聚合机理和微纳结构形成的细节，以更深入地理解其规 律；其次，可以通过优化实验方案和流程，降低实验误差和不确定性，提高实验 的可重复性和可靠性；最后，可以探索新型的光刻胶和光刻技术，以获得更精细、 更高质量的微纳结构。
聚合反应速度会趋于饱和。此外，升高温度可以加快聚合反应速度，但过高 的温度会导致SU8胶分解或基片热损伤。
尽管我们在SU8胶紫外光刻方面取得了一定的研究成果，但仍存在一些不足 之处。例如，本次演示主要了聚合反应规律的研究，而对微纳结构形成的细节和 形貌控制等方面尚未进行深入探讨。此外，实验过程中可能存在的误差和不确定 性也需要进一步加以研究和控制。
二、极紫外光刻技术概述
极紫外光刻技术是一种基于极紫外线（EUV）光源的高精度微制造技术。极 紫外线是一种波长在10-12纳米的光线，其具有高分辨率、高对比度、低散射等 优点，是制造超微结构如微电子芯片、光电子器件等的关键工具。
三、光刻胶材料在极紫外光刻技 术中的作用
光刻胶材料在极紫外光刻技术中起着关键作用。它是一种对光敏感的有机高 分子材料，能够将极紫外线的能量转化为化学能，从而在光刻过程中形成特定的 图案。光刻胶材料的性能如敏感性、透光性、稳定性等直接影响到光刻效果和产 品质量。
然而，当照射时间和光强达到一定值后，聚合反应速度会趋于饱和，继续增 加照射时间和光强并不能显著改善聚合效果。此外，我们还发现温度对SU8胶紫 外光刻的影响也较为显著，升高温度可以加快聚合反应速度，但过高的温度会导 致SU8胶分解或基片热损伤。
结论
本次演示对SU8胶紫外光刻理论与实验进行了研究。通过实验观察和理论分 析，我们发现照射时间和光强、温度等参数对SU8胶紫外光刻的聚合效果具有重 要影响。在合理的范围内，增加照射时间和光强可以改善聚合效果，提高微纳结 构的分辨率；但当照射时间和光强达到一定值后，
简述光刻工艺的基本原理及流程
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光刻的原理
光刻的原理
光刻是一种将图案转移到光刻胶上的工艺，是微电子制造中最重要的工艺之一。
它的原理是利用紫外光在光刻胶上形成化学反应，从而形成所需的图案。
下面将详细介绍光刻的原理。
光刻的原理主要分为三个步骤：曝光、显影和退火。
首先，在曝光的过程中，将待加工的芯片或晶圆放置在光刻机上，通过光刻胶层让光线照射到芯片表面。
其中，胶层的光敏化过程是利用光刻胶中的光敏剂吸收光子来完成的，这些光子会激发光敏剂中的化学反应，使光刻胶产生化学性变化。
而这种化学性变化会使得胶层变得更加耐蚀和硬化。
接下来是显影步骤，将光刻胶进行显影处理，以便刻蚀出图案。
在这个过程中，光刻胶被暴露在显影液中，显影液会溶解掉没有暴露在光线之下的胶层。
这个过程中的化学反应，使得光线照射的区域和显影液接触的区域产生了不同的化学性变化。
最后是退火步骤，这个过程是通过高温处理来提高芯片或晶圆的结构稳定性。
这个步骤能够使得芯片的线路更加牢固和稳定，从而提高芯片的性能和可靠性。
总之，光刻是一种非常关键的微电子制造工艺，它的原理是通过曝光、显影和退火三个步骤来实现芯片制造中的图案转移。
在整个过程中，光刻胶的光敏化、显影液的化学反应和高温处理都是非常重要的步骤，它们可以使得芯片的制造更加精确、高效和可靠。
- 1 -。
光刻的原理
光刻的原理光刻技术是一种重要的微电子制造工艺，广泛应用于芯片、集成电路、液晶显示器等微电子领域。
其原理是利用光的干涉、衍射和化学反应等作用，将芯片设计图案转移到光刻胶上，然后通过化学腐蚀和蚀刻等步骤，将芯片上的电路图案形成。
光刻技术的核心是光刻胶，它是一种特殊的化学物质，具有光敏性质。
当光照射到光刻胶上时，它会发生化学反应，使得光刻胶的物理性质发生变化，形成可控的图案。
因此，光刻技术的工艺流程通常包括以下几个步骤：1.基片清洗：将芯片基片进行清洗，去除表面的杂质和污染物，以便后续工艺的进行。
2.涂覆光刻胶：将光刻胶沉积在基片上，并利用旋涂机将光刻胶均匀地涂布在基片表面上，形成一层薄膜。
3.预烘烤：将光刻胶暴露在高温下，使其变得更加坚硬和稳定，以便进行后续的光刻。
4.曝光：将芯片设计图案照射在光刻胶表面上，利用光刻机器对光进行精确的控制和调节，形成可控的图案。
5.显影：将光刻胶进行显影处理，去除不需要的部分，以便后续的化学腐蚀和蚀刻。
6.腐蚀和蚀刻：根据芯片设计图案的要求，进行化学腐蚀和蚀刻处理，将芯片上的电路形成。
光刻技术的精度和稳定性是微电子制造的关键因素之一。
在光刻胶的制备和光刻机器的调节上，需要精细的控制和调整，以保证芯片上的电路图案精度和一致性。
此外，光刻技术还需要考虑光源的波长和光强度、光刻胶的选择和配方、显影液的选择和浓度等因素，以实现最佳的光刻效果。
随着微电子制造技术的不断发展和进步，光刻技术也在不断地演变和改进。
例如，使用更高分辨率的光刻机器和更先进的光刻胶，能够实现更小尺寸和更高精度的芯片设计图案。
同时，利用多重曝光、多层光刻等技术，也能够实现更加复杂和精细的芯片电路图案。
光刻技术是微电子制造的重要工艺之一，其原理和流程十分复杂和精细。
只有通过精细的控制和调节，才能够实现高精度和高稳定性的芯片设计图案。
随着技术的不断发展和进步，相信光刻技术将会越来越成熟和完善，为微电子制造带来更多的发展机遇。
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2、高灵敏度的光刻胶
3、低缺陷密度
4、套刻对准精度
在电路制造过程中要进行多次的光刻， 每次光刻都要进行严格的套刻。
为了提高经济效益和硅片的利用率。
5、大尺寸硅片的加工
光刻工艺
光刻工艺包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻。这
两种基本工艺的主要区别在于所使用的光刻胶的类型不同。
单视场曝光,包括:聚焦,对准, 曝光,步进和重复过程 承片台在X, Y, Z, 方向控制硅片的位臵
分曝光和未曝光的光刻胶;
4.光刻胶散发的气体(由于曝光时的热量)可能沾污光学系统
的透镜;
4：对准和曝光
UV 光源
工艺小结:
将掩膜版上图形转移到涂胶 的硅片上
掩膜版
激活光刻胶中的激活成分
质量指标:
线宽分辨率 套准精度 颗粒和缺陷
光刻胶
光刻机的三个基本目标
1.使硅片表面和石英掩膜版对准并聚焦(包括图形); 2.通过对光刻胶曝光,把高分辨率的投影掩膜版的图形复制
窗口
紫外光 在掩膜版上的铬 岛
光刻胶的曝光区
光刻胶t 氧化硅 硅衬底
氧化层
硅衬底
光刻胶显影后的最终图 形
正性光刻
紫外光 使光衰弱的被曝 光区 在玻璃掩膜版 上的铬岛 光刻胶上的 阴影
岛
photoresist 光刻胶t
窗口
光刻胶的曝 光区
photoresist 光刻胶 t oxide 氧化层 silicon substrate 硅衬底 oxide 氧化层 silicon substrate 硅衬底
涂胶设备
Z X q Y
喷嘴位置可四个方向调整
光刻胶液流 光刻胶喷嘴 硅片 不锈钢碗
背面 EBR
气流
真空吸 盘 气流 抽气
旋转电机 真空
泄漏
光刻胶
光刻胶是一种有机化合物,它受紫外曝光后,在显影溶液中的
溶解度会发生变化.硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅 片表面,而后被干燥成膜.硅片制造中光刻胶的目的是: 1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中; 2.在后续工艺中,保护下面的材料(例如刻蚀或离子注入阻挡 层); 随着器件电路密度持续几代缩小了关键尺寸,为了将亚微米 线宽图形转移到硅片表面,光刻技术得到了改善,这些改善包 括: 1.更好的图形清晰度(分辨率); 2.对半导体硅片表面更好的粘附性; 3.更好的均匀性; 4.增加了工艺宽容度(对工艺可变量敏感度降低)
到硅片上;
3.在单位时间内产生出足够多的符合产品质量规格的硅片;
版图转移到光刻胶上
紫外光源 快门 对准激光
快门再聚焦和对准过程中闭 合,而在曝光过程中打开 曝光光线波长越短能爆出的特 征尺寸就越小。
投影掩膜版(在投影掩膜版 视场内可能包含一个或多芯 片个) 投影透镜(缩小的投影掩膜版 的视场到硅片表面)
5) 曝光后烘焙
6) 显影
7) 坚膜烘焙
8) 显影检查
1：气相成底膜处理
光刻的第一步是清洗:要成功地制造集成电路，硅片在所有
的工艺步骤中都要仔细地清洗。在各个工艺步骤间的保存和 传送硅片时不可避免地要引入沾污，所以清洗步骤非常必要。 硅片清洗是为了增强硅片和光刻胶之间的粘附性，硅片的清 洗包括湿法清洗和去离子水冲洗以去除沾污物.
5、粘附性:光刻胶的粘附性描述了光刻胶粘着于衬底的强度。 光刻胶必须粘附于许多不同的表面,包括硅,多晶硅,二氧化 硅，氮化硅和不同的金属。光刻胶粘附性的不足会导致硅片 表面上的图形变形.光刻胶的粘附性必须经受住曝光,显影和 后续工艺。
6、抗蚀性:光刻胶胶膜必须保持它的粘附性,并在后续的 湿刻和干刻中保护衬底表面,这种性质就被称为抗蚀性. 7、表面张力:指的是液体中将表面分子拉向液体主体内 的分子间吸引力.光刻胶具有产生相对大的表面张力的分 子间力,所以在不同的工艺步骤中光刻胶分子会聚在一起. 同时光刻胶的表面张力必须足够小,从而在应用时能提供 良好的流动性和硅的覆盖.
旋转涂布光刻胶的4个步骤
1) 滴胶 2) 加速旋转
3) 甩掉多 余的胶
4) 溶剂挥发
旋转涂胶
硅片上光刻胶的厚度和均匀性是非常重要的质量参数。厚度
并不是由淀积的光刻胶的量来控制的，因为绝大部分光刻胶 都飞离了硅片。对于光刻胶厚度最关键的参数是转速和光刻 胶粘度。粘度越高转速越低，光刻胶就越厚。不同的参数会 影响光刻胶的厚度和均匀性。
线宽 间距 光刻胶
厚度
衬底 光刻胶的三维图形
硅片的制造流程
硅片制造（前端） 硅片起始t
薄膜
无图形硅片r 完成的硅片 扩散 光刻
抛光
刻蚀
测试/筛选
注入
几个光刻的重要概念
套准精度：光刻要求硅片表面上存在的图案与掩模版上的图
形准确对准，这种特性指标就是套准精度。对准十分关键是 因为掩模版上的图形要准确地转移到硅片上。
在真空热板上软烘
腔盖
软烘的目的:
光刻胶中溶剂部分挥发
改善粘附性
改善均匀性 改善抗蚀性 改善线宽控制
硅片
优化光刻胶的光吸收特性
热板 溶剂 排出
如果光刻胶胶膜在涂胶后没软烘将出现的问题
1.光刻胶膜发黏并易受颗粒沾污： 2.光刻胶膜来自于旋转涂胶的内在应力将导致粘附性问题; 3.由于溶剂含量过高导致在显影时由于溶解差异,而很难区
HMDS可以用浸泡,喷雾和气相方法来涂.
HMDS滴浸润液和旋转
滴浸润形成
旋转硅片去除多余的液 体
2：旋转涂胶
工艺小结: 硅片臵于真空吸盘上 滴约5ml的光刻胶 以约500 rpm的慢速旋转 加速到约 3000 至 5000 rpm 质量指标: 时间 速度 厚度 均匀性 颗粒和缺陷
光刻胶 衬底
UV
被曝光的光刻胶溶 于显影液
氧化硅
曝光的
PAG PAG PAG H+ H+ PAG
未曝光的
PAG
PAG
PAG
H+
PAG
PAG
曝光前的正性光刻胶
酸催化反映 (在 PEB中)
未改变
曝光后的 光刻胶
显影后的 光刻胶
光刻胶的物理特性
1、分辨率:是区别硅片表面上两个或更多的邻近特征图形的
能力.一种解释分辨率的实际方法是通过硅片上形成符合质 量规范要求的最小特征图形.形成的关键尺寸越小,光刻胶的 分辨能力和光刻系统就越好.
光刻胶的成分
溶剂: 使光刻胶具有流动性 树脂: 作为粘合剂的聚合物的混合 物,给予光刻胶机械和化学
性质
感光剂: 光刻胶材料的光敏成分
添加剂: 控制光刻胶材料特殊方面的化 学物质
负性光刻胶交联
未曝光的区域保留 可容于显影液的化 学物质.
光刻胶
衬底 未被曝光
UV
被曝光的区域发生交 联,并变成阻止显影 的化学物质
光刻胶显影后的最终图 形
掩膜版与光刻胶之间的关系
期望印在硅片上的光刻胶结 构 光刻胶岛 衬底
铬
石英
窗口
岛
当使用负胶时要求掩膜版上的 图形(与想要的结构相反)
当使用正胶时要求掩膜版上 的图形(与想要的结构想同)
光刻的八个步骤
紫外光
HMDS
光刻胶
掩膜版
1) 气相成底膜
2) 旋转涂胶
3) 软烘
4) 对准和曝光
去除边圈：在硅片旋转过程中，由于离心力光刻胶向硅片边
缘流动并流到背面。光刻胶在硅片边缘和背面的隆起叫边圈。 当干燥时，光刻胶剥落并产生颗粒。这些颗粒可能落在电路 有源区，硅片传送系统和工艺设备里面，导致硅片上缺陷密 度增加，甚至硅片背面的光刻胶可能会因为它粘附在硅片托 盘上而导致故障。因此要去除边圈。
负性光刻：所使用的是负性光刻胶，当曝光后，光刻胶会因为
交联而变得不可溶解，并会硬化，一旦硬化，交联的光刻胶就
不能在溶济中被洗掉，因为光刻胶上的图形与投影掩膜版上的
图形相反因此这种光刻胶被称为负性光刻胶。
正性光刻：与负性光刻相反
负性光刻
被曝光的区域发生交联并变成 阻止显影的化学物质 岛 光刻胶 光刻胶上的阴影
比度代表着只适于在掩膜板透光区规定范围内曝光的光刻胶 的能力。高对比度产生的垂直的光刻胶侧墙是理想的。
差的光刻胶对比度 斜坡墙 膨胀 差的对比度
好的光刻胶对比度 陡直墙 无膨胀 好的对比度
光刻胶
光刻胶
膜
膜
3、敏感度：是硅片表面光刻胶中产生一个良好图形所需的一 定波长光的最小能量值,提供给光刻胶的光能量值通常称为 曝光量。 4、粘滞性:指的是对于液体光刻胶来说其流动特性的定量指标. 粘滞性与时间相关,因为它会在使用中随着光刻胶中溶剂挥 发增加。
0.1
0.25
0.5
1.0
线宽和间距的尺寸必须相等。随着特征尺 寸减小，要将特征图形彼此分开更困难
2.0
影响曝光分辨率的主要因素
光刻掩膜版与光刻胶膜的接触情况
曝光光线的平行度
光的衍射及反射效应 光刻胶膜的质量和光刻胶膜的厚度
曝光时间的确定
掩膜版的分辨率和质量
2、对比度:是光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对
小分子力引起小 的表面张力
大分子力引起大 的表面张力
传统负胶的缺点
1、在显影时曝光区域由溶剂引起的泡涨。这种泡涨使硅片
表面的光刻胶图形变形,对于具有微米和亚微米关键尺寸的 极细小图形线条来说是不能接受的。
2、曝光时光刻胶可与氮气反应从而抑止其交联。
3：软烘
软烘的目标:除去光刻胶中的溶剂。 软烘的作用:1.提高了粘附性; 2.提升了硅片上光刻胶的均匀性,在刻蚀中得到了 更好的线宽控制; 典型的软烘条件:先在热板上90度到100度烘30秒,结下来是 在冷板上降温的步骤,以得到光刻胶一致特性的硅片温度控 制。