电路分析答案内容第三章
电路分析基础第3章

于一个电流源is和多个正电阻组成的电路,有: |ik/is|≤1 式中ik为任一支路电流。
作业: 3-5
3-6
3-11
3-15
2、网络函数 网络函数:对单一激励的线性时不变电路指定响应与激励之比定义为
网络函数。记为:H
H=响应/激励
策动点函数:响应与激励在同一端口,称为策动点函数 转移函数:响应与激励不在同一端口,称为转移函数
由于响应和激励都可以是电流或电压,可以在同一端口或在不同端口,所以网络 函数可分为六种情况。如表3-1所示(P91)。 响应 策动点函数 电流 电压 电流 转移函数 电压 电流 电压 激励 电压 电流 电压 电流 电流 电压 名称及专用符号 策动点电导Gi 策动点电阻Ri 转移电导GT 转移电阻RT 转移电流比Hi 转移电压比Hu
R2
R1 u ' o is1 Ro R1 R 2 Ro
is1
R1
R0
由图(b),运用分流公式后,可求得:
is 2
R2
R2 u ' ' o is 2 Ro R1 R 2 Ro
R1
R0
由图(c),运用分压公式可得:
R1 R 2 u ' ' ' o us R1 R 2 Ro
即:由两个激励所产生的响应,表示为每一激励单独作用时所产生的响应之和
上述特性,在电路理论中称之为“叠加性”。同理,该电路中的其它
电流或电压对us和is的响应,也都存在类似的线性关系。
例3—3:利用叠加定理求解图中电路的电压。
is 2
is1
R1
R 2 R0
us
解:绘出每一独立源单独作用时的电路图,如图(a),(b),(c)所示。 由图(a) ,运用分流公式可求得:
数字集成电路分析与设计 第三章答案

CHAPTER 3P3.1. The general approach for the first two parameters is to figure out which variables shouldremain constant, so that when you have two currents, you can divide them, and every variable but the ones you want to calculate remain. In this case, since the long-channel transistor is in saturation for all values of V GS and V DS , only one equation needs to be considered:()()2112DS N OX GS T DS W I C V V V Lμλ=-+ For the last two parameters, now that you have enough values, you can just choose oneset of numbers to compute their final values.a. The threshold voltage, V T0, can be found by choosing two sets of numbers with the same V DS ’s but with different V GS ’s. In this case, the first two values in the table can be used.()()()()()()211122222201022001121121.2 1.210000.82800.8DS N OX GS T DS DS N OX GS T DS T DS T DS T T W I C V V V L W I C V V V LV I V I V V μλμλ=-+=-+-⎛⎫-===⎪--⎝⎭ 00.35V T V ∴=b. The channel modulation parameter, λ, can be found by choosing two sets of numberswith the same V GS ’s but with different V DS ’s. In this case, the second and third values in the table can be used.()()221 1.225010.8247DS DS I I λλ+==+ -10.04V λ∴=c. The electron mobility, µn , can now be calculated by looking at any of the first three sets of numbers, but first, let’s calculate C OX .631062-31m 10μm22?.210μm1m 10 0.0351 1.610/2.210OX OX t C F cm--=⨯⨯===⨯Now calculate the mobility by using the first set of numbers.()()()()()()()()()()()()22111021262101111 1.21 1.222210002cm 348V-s 1.610(4.75)1.20.3510.04 1.21DS N OX GS T DS N OX T DS N OX GS T DS W W I C V V V C V L LA I W C V V V L μλμλμμλ-=-+=-+===⨯-+-+d. The body effect coefficient gamma, γ, can be calculated by using the last set of numbers since it is the only one that has a V SB greater than 0V.()()()()244124414411221 1.20.468VDS N OX GS T DS DS GS T N OX DS GS T T GS W I C V V V LI V V W C V LV V V V μλμλ=-+-=+-==-==12000.6VT T T T V V V V γγγ=+-====P3.2. The key to this question is to identify the transistor’s region of operation so that gatecapacitance may be assigned appropriately, and the primary capacitor that will dischargedat a rate of V It C ∂∂= by the current source may be identified. Then, because the nodes arechanging, the next region of operation must be identified. This process continues until the transistor reaches steady state behavior. Region 1:Since 0V GS V = the transistor is in the cutoff region. The gate capacitance is allocated to GB C . Since no current will flow through the transistor, all current will come from the source capacitor and the drain node remains unchanged.68-151010V V 6.67100.6671510s nsSB V I I t C C -∆⨯====⨯=∆⨯ The source capacitor will discharge until 1.1V GS T V V == when the transistor enters thesaturation region. This would require that the source node would be at 3.3 1.1 2.2V S G GS V V V =-=-=.()15961510 3.3 2.2 1.6510s 1.65ns 1010C t V I ---⨯∆=∆=-=⨯=⨯ Region 2:The transistor turns on and is in saturation. The current is provided from the capacitor atthe drain node, while the source node remains fairly constant. The capacitance at the drain node is the same as the source node so the rate of change is given by:68-151010V V 6.67100.6671510s nsSB V I I t C C -∆⨯====⨯=∆⨯ Since the transistor is now in the saturation region, GS V can be computed based on thecurrent flowing through the device.()22 1.1 1.37V 3.3 1.37 1.93VGS T GST S G GS kW I V V LV V V V V =-==+==-=-=This is where the source node settles. This means that most of the current is discharged through the transistor until the drain voltage reaches a value that puts the transistor at the edge of saturation.3.3 1.1 2.2VDS GS TD G T V V V V V V =-=-=-=If we assume that all the current comes from the transistor, and the source node remains fixed, the drain node will then discharge at a rate equal to that of the source node in the first region. Region 3:The transistor is now in the linear region the gate capacitance is distributed equally to both GS C and GD C . and both capacitors will discharge at approximately the same rate.-151510V0.28621510510nsV I A t C μ-∆===∆⨯⨯+⨯The graph is shown below.00.511.522.533.5024681012Time (ns)V o l t a g e (V )P3.3. The gate and drain are connected together so that DS GS V V = which will cause thetransistor to remain in saturation. This is a dc measurement so capacitances are not required. Connect the bulk to ground and run SPICE. P3.4. Run SPICE. P3.5. Run SPICE. P3.6. Run SPICE. P3.7. Run SPICE.P3.8. First, let’s look at the various parameters and identify how they affect V T .∙ L – Shorter lengths result in a lower threshold voltage due to DIBL. ∙ W – Narrow width can increase the threshold voltage.∙ V SB – Larger source-bulk voltages (in magnitude) result in a higher threshold voltage. ∙ V DS –Larger drain-source voltages (in magnitude) result in a lower threshold voltage due to DIBL. The transistor with the lowest threshold voltage has the shortest channel, larger width, smallest source-bulk voltage and largest drain-source voltage. This would be the first transistor listed.The transistor with the highest threshold voltage has the longest channel, smallest width,largest source-bulk voltage and smallest drain-source voltage. This would be the last transistor listed. P3.9. Run SPICE.P3.10. Run SPICE. The mobility degradation at high temperatures reduces I on and the increasemobile carriers at high temperatures increase I off . P3.11. The issues that prompted the switch from Al to Cu are resistance and electromigration.Copper wires have lower resistances and are less susceptible to electromigration problems. Copper on the other hand, reacts with the oxygen in SiO 2 and requires cladding around the wires to prevent this reaction.For low-k dielectrics, the target value future technologies is 2.High-k dielectrics are being developed as the gate-insulator material of MOSFET’s. This is because the current insulator material, SiO 2, can not be scaled any longer due to tunneling effects.P3.12. Self-aligned poly gates are fabricated by depositing oxide and poly before the source anddrain regions are implanted. Self-aligned silicides (salicides) are deposited on top of the source and drain regions using the spacers on the sides of the poly gate. P3.13. To compute the length, simply use the wire resistance equation and solve for L .LR TWRTWL ρρ==First convert the units of ρ to terms of μm. Aluminum:2.7μΩρ=cm 6Ω10μΩ⨯610μm100cm ⨯()()()0.027Ωμm1000.812963μm 2.96mm0.027RTWL ρ=====Copper:1.7μΩρ=cm 6Ω10μΩ⨯610μm100cm ⨯()()()0.017Ωμm1000.814706μm 4.71mm0.017RTWL ρ=====P3.14. Generally, the capacitance equation in terms of permittivity constants and spacing is:k C WL tε=a. 4k = ()()()()230048.8510 3.541100SiO k k C WL TL t S S Sεε-====b. 2k = ()()()()30028.8510 1.771100k k C WL TL t S SSεε-====The plots are shown below.Capacitance vs. Spacing01234567800.511.522.533.544.555.5Spacing (um)C a p a c i t a n c e (f F)。
电路第四版答案解析(第三章)

第三章电阻电路的一般分析电路的一般分析是指方程分析法,它是以电路元件的约束特性(VCR)和电路的拓扑约束特性(KCL,KVL)为依据,建立以支路电流或回路电流,或结点电压为变量的回路方程组,从中解出所要求的电流、电压、功率等。
方程分析法的特点是:(1)具有普遍适用性,即无论线性和非线性电路都适用;(2)具有系统性,表现在不改变电路结构,应用KCL,KVL,元件的VCR建立电路变量方程,方程的建立有一套固定不变的步骤和格式,便于编程和用计算机计算。
本章的重点是会用观察电路的方法,熟练运用支路法、回路法和结点电压法的“方程通式”写出支路电流方程、回路方程和结点电压方程,并加以求解。
3-1 在一下两种情况下,画出图示电路的图,并说明其节点数和支路数(1)每个元件作为一条支路处理;(2)电压源(独立或受控)和电阻的串联组合,电流源和电阻的并联组合作为一条支路处理。
解:(1)每个元件作为一条支路处理时,图(a)和(b)所示电路的图分别为题解3-1图(a1)和(b1)。
图(a1)中节点数6b==n,支路数11图(b1)中节点数7b==n,支路数12(2)电压源和电阻的串联组合,电流源和电阻的并联组合作为一条支路处理时,图(a)和图(b)所示电路的图分别为题解图(a2)和(b2)。
图(a2)中节点数4b=n,支路数8=图(b2)中节点数15n,支路数9=b=3-2指出题3-1中两种情况下,KCL,KVL独立方程数各为多少?解:题3-1中的图(a)电路,在两种情况下,独立的KCL方程数分别为(1)51=-4-n1==61=-1-n(2)3独立的KVL方程数分别为(1)641=8-b1-n+=+1=111b(2)5+6+--n=图(b)电路在两种情况下,独立的KCL方程数为(1)651=-=1-n7-n(2)41=1-=独立的KVL方程数分别为(1)6+1=95b1-n+=-=12711=+-nb(2)5+-3-3对题图(a)和(b)所示G,各画出4个不同的树,树支数各为多少?解:一个连通图G的树T是这样定义的:(1) T包含G的全部结点和部分支路;(2) T本身是连通的且又不包含回路。
电路分析基础(英文版)课后答案第三章

0 = ¡26i1 ¡ 90i2 + 124i3
[a] Solving, i1 = 5 A; therefore the 80 V source is delivering 400 W to the circuit.
[b] Solving, i3 = 2:5 A; therefore p8− = (6:25)(8) = 50 W
v1 + v1 ¡ v2 = 4:5
1
8
53
54 CHAPTER 3. Techniques of Circuit Analysis
v2 + v2 ¡ v1 + v2 ¡ 30 = 0
12 8
4
Solving, v1 = 6 V v2 = 18 V Thus, i = (v1 ¡ v2)=8 = ¡1:5 A v = v2 + 2i = 15 V
DE 3.8 Use the lower node as the reference node. Let v1 = node voltage across the 7.5 − resistor and v2 = node voltage across the 2.5 − resistor. Place the dependent voltage source inside a supernode between the node voltages v and v2. The node voltage equations are
3
Techniques of Circuit Analysis
Drill Exercises
DE 3.1 [a] 11,8 resistors, 2 independent sources, 1 dependent source
电路分析第三章习题解答

+
10Ω
u1
30Ω
+ uo
78Ω
50V
39Ω
4
图题 3-11 解:选节点 4 为参考节点,列出节点方程为
u n1 = 50V − 1 1⎞ ⎛ 1 ' u n1 + ⎜ + ⎟u n 2 = −i x 10 ⎝ 30 10 ⎠
(1)
(2)
1 ⎞ ⎛ 1 ' ⎜ + ⎟u n3 = i x 39 78 ⎝ ⎠
50Ω
30Ω
i1 5A
15Ω
30Ω
10Ω
5i 1
图题 3-12 解: (1)原电路等效为下面电路
1
50Ω
2
30Ω
i1 5A
15Ω
30Ω
10Ω
5i1 30
3
选节点 3 作为参考节点,列出节点方程
1 ⎞ 1 ⎛1 u n1 ⎜ + ⎟ − u n 2 = 5 A ⎝ 15 50 ⎠ 50 −
(1)
1 1 1 1 ⎞ 1 ⎛ 1 u n1 + ⎜ + + + ⎟u n 2 = − i1 (2) 50 6 ⎝ 50 30 10 30 ⎠
u n1 = 5i
(1)
1 1 ⎛1 1 1⎞ − u n1 + ⎜ + + ⎟u n 2 − u n3 = 0 (2) 3 6 ⎝3 4 6⎠ 1 30 ⎛1 1⎞ − u n 2 + ⎜ + ⎟u n3 = − ix 6 8 ⎝6 8⎠ u n3 − u n1 = 24
辅助方程: i = (1) (2) (3) (4) (5)联立得: (3)
电路分析试题及答案(第三章)

相量图形:1、下图中,R 1=6Ω,L=0.3H ,R 2=6.25Ω,C=0.012F,u (t)=)10cos(210t ,求稳态电流i 1、i 2和i 3,并画出电路的相量图。
解:V U0010∠= R 2和C 的并联阻抗Z 1= R 2//(1/j ωC )=(4-j3)Ω, 输入阻抗 Z = R 1+j ωL +Z 1 =10Ω,则:A Z U I 0010110010∠=∠== A R Z I I 0211287.368.0-∠== A U C j I 02313.536.0∠== ω 所以:A t i )10cos(21=A t i )87.3610cos(28.02ο-= A t i )13.5310cos(26.02ο+=相量图见上右图2、下图所示电路,A 、B 间的阻抗模值Z 为5k Ω,电源角频率ω=1000rad/s ,为使1U 超前2U 300,求R 和C 的值。
解:从AB 端看进去的阻抗为Cj R Z ω1+=, I213其模值为:Ω=+=k CR Z 5)1(22ω (1) 而2U /1U =)arctan()(112CR CR ωω-∠+由于1U 超前2U 300,所以ωCR =tan300=31 (2)联列(1)、(2)两式得R =2.5k Ω,C =0.231μF3、测量阻抗Z 的电路如下图所示。
已知R=20Ω,R 2=6.5Ω,在工频(f =50Hz)下,当调节触点c 使R ac =5Ω时,电压表的读数最小,其值为30V ,此时电源电压为100V 。
试求Z 及其组成的元件的参数值。
(注意:调节触点c ,只能改变cd U 的实部,电压表读数最小,也就是使实部为零,cd U 为纯虚数,即cdU =±j30V)解:UZR R U R R U ac cd++-=22调节触点c ,只能改变cd U 的实部,其值最小,也就是使实部为零,cd U 为纯虚数,即cdU =±j30V , 因此上式可表示为:±j 30=-25+(100⨯6.5)/(6.5+Z ) 解得:Z=(4.15±j 12.79)Ω 故:R Z =4.15ΩL =40.7mHC =249μF4、电路如下图所示,已知f =1kHz ,U =10V ,U 1=4V ,U 2=8V 。
电路分析第三章答案

uS1 I1R1 I 2 R2 uS 2 uS 2 I 4 R4 I 3 R3 I 2 R2 I 3 R3 I 5 R5 ri3
附加方程:
I 3 iS
3-4 电路如图,列写支路电流方程 设电流I1、I2、I3、I4、I5、I6、U5 uS2 R + 列写节点①②③的KCL方程 I2 2 3 I1 I 2 I 5 I 5 I 6 I 4 ① I5 R5 ② iS5 + uS4
p1 4i 2W 8V电压源的功率: p2 8I1 28W
4V电压源的功率:
受控源的功率: p2 U n3 2i1 4W
3-16 用节点分析法,求图 示电路中的电压U1和电流I 解:(1)给节点编号, 以节点④为参考节点,列 写节点方程。
U n1 0.5U1 U n1 U n 2 (1 2) 0.5I 2U n1 U n3 (1 2) 0.5I 2
R3 R 3
3-13 列写图示电路的节点电压方程 解:给节点编号,以节点 4A ③为参考节点,列写节点 ① 方程。 + 1Ω
10V 2A
② + 3V 1Ω
+ 5V ③
2Ω
U n1 (1 0.5) U n 2
Un2 5
10 24 2
3-14 列写图示电路的节点电压方程 解:给节点编号,以节点 4Ω ③为参考节点,列写节点 ① 2Ω ② 方程。 + 2A +
I6
I 2 I3 I6
列写回路1、2、3的 KVL方程
I1 + + U5 − R1 U1 R42 − I4 1 + + uS1 βU1
第3章 电阻电路的一般分析答案

第三章 电阻电路的一般分析一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错).1. 利用节点KCL方程求解某一支路电流时,若改变接在同一节点所有其它已知支路电流的参考方向,将使求得的结果有符号的差别。
[×] .2. 列写KVL方程时,每次一定要包含一条新支路才能保证方程的独立性。
[√] .3. 若电路有n个节点,按不同节点列写的n-1个KCL方程必然相互独立。
[√] .4. 如图所示电路中,节点A的方程为: (1/R 1 +1/ R 2 +1/ R 3)U =I S +US /R 3 [×]解:关键点:先等效,后列方程。
图A 的等效电路如图B :节点A的方程应为: 332)11(R U I U R R S S A +=+ .5. 在如图所示电路中, 有 12232/1/1/S S A I U R U R R +=+ [√]解:图A 的等效电路如图B :.6. 如图所示电路,节点方程为:12311()S S G G G U GU I ++-=; 3231S G U G U I -=; 13110GU GU -=. [×]解:图A 的等效电路如图B :S S U G I U G G 1121)(+=+.7. 如图所示电路中,有四个独立回路。
各回路电流的取向如图示, 则可解得各回路 电流为: I1=1A;I2=2A; I3=3A;I4=4A。
[×] 解:;11A I = ;22A I =;33A I = ;7344A I =+=二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论).1.对如图所示电路,下列各式求支路电流正确的是 C_。
(A) 12112E E I R R -=+; (B) 222E I R =(C) AB L LUI R =.2. 若网络有b 条支路、n 个节点,其独立KCL方程有_C_个,独立KVL方程有_D__个,共计为_A_个方程。
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将已知数据代入,有:
联立解得:
因而有: 将 、 代入
可得:
3.5如题3.5图所示电路,已知当开关S在位置1时,I=40mA;当S在位置2时,I=-60mA;求当S在位置3时的I值。
解:设电源 和 对电流 的贡献为 ,
根据线性电路的叠加定理,有:
其中 为开关外接电源的作用。
显然有:
图(b)电路可以看成图(e)电路,
所以图(e)电路是图(d)电路的互易
电路。根据互易定理形式三,有:
解得:
可得:
3.20如题3.20图所示电路,已知二端电路N端子上的电压电流关系为 ,试求 、 和 。
解:对连接电路N的外电路进行戴文宁
等效,可知等效电阻为
开路电压为(根据叠加定理):
根据端口关系,有 又已知
解:将电路N进行戴文宁等效,并将受控源
转换为电压源形式,有
得:
又有: 得:
可得:
将 , ; , 代入,有
和
联立求解可得:
再求电路N的等效电阻 ,用外加电压、电流法,有
可求得:
当 时可获得最大功率,则有:
解得:
最大功率为:
3.18如题3.18图所示电路, 仅由线性电阻组成。已知当 、 时, 、 ;当 、 时, ,求此时的 。
解:从输出端进行戴文宁等效,有
当 时, ,可得
当 时, ,代入上式可求得:
因此,当 时,有
3.9如题3.9图所示电路,当R=12Ω时其上电流为I。若要求I增至原来值的3倍,而电路中除R外的其他部分均不变,则此时的电阻R为多少?
解:从R两端进行戴文宁等效,可得等效
电源 ,等效电阻
根据等效电路,当 有
而 ,若 ,则有:
根据叠加定理可得:
3.3如题3.3图所示电路,求电压 。如独立电压源的值均增至原值的两倍,独立电流源的值下降为原值的一半,电压 变为多少?
解:根据KVL列一个回路
两个电压源支路可列方程:
由此可得:
代入上式得:
若独立电压源的值均增至原值的两倍,独立电流源的值下降为原值的一半,由上式可知:
解得
有:
3.4如题3.4图所示电路,N为不含独立源的线性电路。已知:当 、 时, ;当 、 时, ;求当 、 时的电压 。
3.10求如题3.10图所示各电路ab端的戴维宁等效电路和诺顿等效电路。
解:对图(a)电路进行诺顿等效,求ab两端的短路电流,如图可知:
而
可得:
求电压源短路时,ab两端的等效电阻:
对图(b)电路进行戴文宁等效,
3.11如题3.11(a)图所示线性有源二端电路N,其伏安关系如题3.11(b)图所示。试求它的戴维宁等效电路。
开关S在位置1时,有
此时可将 视为0
开关S在位置2时,有
由上可解得:
当S在位置3时, ,则有:
3.6如题3.6图所示电路,若 ,求电阻 的值。
解:运用置换定理将电路变为如下图所示。
根据叠加定理电压 可看成电流源 和 共同
作用,即
由电流源 单独作用, 电流源 单独作用。
根据分流关系,有:
因而有:
故得:
有 ②
联解①式和②式,可得:
因而有:
当 , 时,可得
3.13如题3.13图所示电路,已知 ,求电阻R。
解:从电阻R两端进行戴文宁等效,其
开路电压为:
等效电阻为:
则可得:
解得:
3.14如题3.14图所示电路,N为含有独立源的线性电阻电路。已知当 时其上获得最大功率为1W,求N的戴维宁等效电路。
解:将电路等效为如图所示,根据功率
当 时,端口为开路电压 ,有:
当 时,端口电压为零,有:
由上两个方程解出 和k为:
可得:
由戴文宁等效电路可知:
代入上式,可得:
最大传输定理,有:
可解得:
又有:
u为 两端的开路电压,可解得:
根据等效电路可知:
解得: 或
3.15如题3.15图所示电路, 可任意改变,问 等于多大时其上获得最大功率,并求出该最大功率。
解:对 两端进行戴文宁等效,首先
求开路电压 ,有:
而
解得 可得:
再求等效电阻 ,如右图所示,有:
而此时
解得
故得
根据最大功率传输定理,当 时,
可获得最大功率,为:
3.16如题3.16图所示电路, 、 均未知,已知当 时电流 。若 可任意改变,问 等于多大时其上获得最大功率,并求出该最大功率。
解:从 两端进行戴文宁等效
可知
又有 代入已知数据可得:根据Fra bibliotek大功率传输定理,有
当 时可获得最大功率
为
3.17如题3.17图所示电路,N为含独立源的线性电阻电路。已知当受控电流源系数 时,电压 ;当 时,电压 。求 为何值时外部电路从N获得最大功率,并求出该功率。
第三章习题
3.1如题3.1图所示梯形电路。
⑴ 已知 ,求 、 和 。
⑵ 已知 ,求 、 和 。
⑶ 已知 ,求 和 。
解:根据线性电路的性质,设:
令: 可推出
因而可得:
1当 时,有:
2当 时,有:
3当 时,有:
3.2如题3.2图所示电路,已知 , ,用叠加定理求电路 。
解: 单独作用时,有:
单独作用时,有:
代入可得方程
解方程得: 有
当 , 时,有
当 , 时,有
3.21如题3.21图所示电路中,若要求输出电压 不受电压源 的影响,问受控源中的 应为何值?
解:从 两端进行戴文宁等效,如下图
所示,其开路电压为(将电流源变换为电压源,
再根据叠加原理):
而 代入上式
可得:
根据分压有:
若 不受 的影响,则应有:
可得:
3.7如题3.7图所示电路,当 分别为1Ω、2Ω和5Ω时,求其上电流 分别为多少?
解:将电流源变换为电压源形式,再根据
叠加原理,有:
整理可得:
当 时,有:
当 时,有:
当 时,有:
3.8如题3.8图所示电路,N为不含独立源的线性电路,已知输出电压 ;若在输出端接上5Ω电阻,则 。问在输出端接3Ω电阻时,输出电压 与输入电压 的关系如何?
结合上面电阻 欧姆定律,有
因而可得
根据给出的已知条件,由电路可知
代入上式,有
解得
3.19如题3.19图所示电路中 仅由线性电阻组成,当 端接电压源 时[如图(a)],测得 、 ;若 接 电阻, 端接电压源 时[如图(b)],求电流 。
解:应用互易定理求解,互易后要保持拓扑结构不变,将图(a)变为如下的电路图(c),并联一个 的电阻不影响电流 ,由置换定理将图(c)电路变为图(d)电路。
解:根据戴文宁等效电路,端口
电压、电流的约束关系为:
当 时,有
当 时,有
3.12如题3.12图所示线性时不变电阻电路,已知当 、 时,电流 ;当 、 时,电流 ;问当 、 时,电流 为多少?
解:从负载两端进行诺顿等效,根据线性
电路的齐次性,等效电流源为:
则有:
t=0时, , , 代入上式
有 ①
再将 、 时, 代入上式
解:设两组条件分别对应两个电路:其中第一组条件对应图(a),第二组条件对应图(b)。求解变为对图(b)的电路,当 、 、 时,求
设 中有k个电阻,对图(a),第j个电阻上的电压、电流分别为 和 ;对图(b),第j个电阻上的电压、电流分别为 和 。根据欧姆定律,有
图(a)与图(b)具有相同的拓扑结构,根据特勒根定理,有
3.22如题3.22图所示某线性电路的支路A中接有电阻 。当 时,另一支路B中的电流 ;当 时,支路B中的电流为 。设从N的左端向右看进去的戴维宁等效电阻为 。试证,当 为任一值时,支路B中的电流
或
解:将支路B电流 用电流源置换,则根据
线性电路的叠加定理,电路N左端的端口电压可表示为:
为电路N内电源作用的分量