模拟电子技术基础(张凤凌主编)第十九讲 习题课
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术基础习题ppt课件
18. 造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响 最大的是____温度升高____。
19. 三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是___共射 ___电路，与相位相同的是____共集和共基_____电路。
9. 理想二极管正向电阻为__零__，反向电阻为__无穷大___， 这两种状态相当于一个___理想的开关___。
10. 稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压__几乎不变__。
11. 当温度升高时，二极管的正向特性曲线将__左移___， 反向特性曲线将__下移__。
质。 2. 利用半导体的__杂敏__特性，制成杂质半导体；利用半导
体的__光敏__特性，制成光敏电阻；利用半导体的_热敏__ 特性，制成热敏电阻。 3. PN结加正向电压时_导通__，加反向电压时_截止_，这种特 性称为PN结_单向导电性_特性。 4. PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。 5. 二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压，使二极 管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__ 电压。
10. 晶体管放大电路中，三个电极的电位分别
为 V1 4V ，V2 1.2V ，V3 1.5V，试判断晶体管的类型是 ___PNP_____，材料是____锗___。
11. 温度升高时，晶体管的电流放大系数将___增加___，穿 透电流将___增加___，发射极电压将___减小____。
12 温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将____左___移， 输出特性曲线将___上____移，而且输出特性曲线的间隔 将变____大___。
模拟电子电路学习基础试题及其答案解析(大学期末考试-题)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版
《电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版》第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路；1.4.2 1-n ，)1(--n b ；1.4.3 不变；1.4.4 21W ，负载；1.4.5 Ω1.65A ， ；1.4.6 1A 3A ， ； 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=； 1.4.8 1A ；1.4.9 Ω4.0，A 5.12；1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源；1.4.11 3A ；1.4.12 3A ；1.4.13 Ω2；1.4.14 15V ，Ω5.4；1.4.15 V 6S =U 。
二、单 项 选 择 题1.4.16 C ； 1.4.17 B ； 1.4.18 D ； 1.4.19 A ；1.4.20 A ； 1.4.21 C ； 1.4.22 B ； 1.4.23 D 。
第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路，开路；2.4.2 零输入响应；2.4.3 短路，开路；2.4.4 电容电压，电感电流；2.4.5 越慢；2.4.6 换路瞬间；2.4.7 三角波；2.4.8 s 05.0，k Ω25； 2.4.9 C R R R R 3232+； 2.4.10 mA 1,V 2。
二、单 项 选 择 题2.4.11 B ； 2.4.12 D ； 2.4.13 B ；2.4.14 D ； 2.4.15 B ； 2.4.16 C 。
第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10， ， ； 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ；3.4.3 容性， A 44；3.4.4 10V ，2V3.4.5 相同；3.4.6 V 30，20V ；3.4.7 A 44，W 7744；3.4.8 A 5；3.4.9 减小、不变、提高；3.4.10 F 7.87μ；3.4.11 20kVA ，12kvar -；3.4.12 不变、增加、减少；3.4.13 电阻性，电容性； 3.4.14 LC π21，阻抗，电流；3.4.15 1rad/s ，4；3.4.16 Ω10；3.4.17 P L U U =，P L 3I I =，︒-30； 3.4.18 P L 3U U =，P L I I =，超前。
模电课件
面接触型：结面积 大，结电容大，故结 允许的电流大，最高 工作频率低。
平面型：结面积可小、 可大，小的工作频率 高，大的结允许的电 流大。
华成英 hchya@
二、二极管的伏安特性及电流方程
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
i f (u)
u
i IS (eUT 1) (常温下UT 26mV)
漂移运动
因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态 平衡，就形成了PN结。
华成英 hchya@
PN 结的单向导电性
PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加
剧，由于外电源的作用，形 成扩散电流，PN结处于导通 状态。
P必N要结吗加？反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运
§１．１ 半导体基础知识 §１．２ 半导体二极管 §１．３ 晶体三极管
华成英 hchya@
§1 半导体基础知识
一、本征半导体 二、杂质半导体 三、ＰＮ结的形成及其单向导电性 四、ＰＮ结的电容效应
华成英 hchya@
一、本征半导体
1、什么是半导体？什么是本征半导体？
华成英 hchya@
五、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
模拟电子技术基础清华大学全套完整版PPT课件
电路中有40亿个晶体管。有科学家预测，集成度还将按10倍
/6年的速度增长，到2015或2020年达到饱和。
学习电子技术方面的课程需时刻关注电子技术的发展！
华成英 hchya@
值得纪念的几位科学家！
第一只晶体管的发明者
（by John Bardeen , William Schockley and Walter Brattain
近似分析要“合理”。 抓主要矛盾和矛盾的主要方面。 电子电路归根结底是电路。不同条件下构造不同模型。
2. 实践性
常用电子仪器的使用方法 电子电路的测试方法 故障的判断与排除方法 EDA软件的应用方法
华成英 hchya@
五、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放
的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。
结电容： Cj Cb Cd
结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程 度，则失去单向导电性！
清华大学 华成英 hchya@
华成英 hchya@
问题
物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。 气体、液体、固体均有之。
P区空穴 浓度远高 于N区。
N区自由电 子浓度远高
于P区。
扩散运动
扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接 触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。
华成英 hchya@
PN 结的形成
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成 内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、 自由电子从P区向N 区运动。
以及将所学知识用于本专业的能力。
注重培养系统的观念、工程的观念、科技进 步的观念和创新意识，学习科学的思维方法。提 倡快乐学习！
华北电力大学模拟电子技术基础习题
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2018.8.15目录第1章习题及答案1第2章习题及答案15第3章习题及答案37第4章习题及答案46第5章习题及答案55第6章习题及答案71第7章习题及答案87第8章习题及答案106第9章习题及答案118第10章习题及答案134模拟电子技术试卷1147模拟电子技术试卷2153模拟电子技术试卷3159第1章习题及答案1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价（2）P N结加正向电压时，空间电荷区将。
A.变窄B.基本不变C.变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C（2）A（3）A（4）C1.2.1写出图P1.2.1所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V（2）二极管截止U O2=2V（3）二极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V（2）二极管导通U O2=-1.3V（3）二极管截止U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所示，已知u i＝10s i nωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V时，D导通，u o=u i；当u i≤0V时，D截止，u o=0V。
u i和u o的波形如解图1.3.2所示。
模拟电子技术基础张凤凌主编Q点稳定电路
UE
UBE
IC
IB
上述电路称为分压式电流负反馈Q点稳定电路。
2.4.2 静态工作点的估算
U BQ
Rb1 Rb1 Rb2
VCC
I EQ
UBQ UBEQ Re
ICQ IEQ
UCEQ VCC ICQ(Rc Re)
I BQ
IEQ
1
2.4.3 动态参数的估算
Au
Uo Ui
Ib(RC //
Ibrbe
IC IB
温度升高时集电极电流明显增大。
所谓稳定Q点,是指在环境温度变化时静态集电极电流ICQ 和管压降UCEQ基本不变。
因此，必然依靠IBQ的变化来抵消ICQ和UCEQ的变化。
2.4 .1 电路组成
I2 I1 IBQ
I1 I BQ
U BQ
Rb1 Rb1 Rb2
VCC
I2 I1
T
IC
Ro Rc
小结： 掌握典型静态工作点稳定电路的
静态计算和动态计算。
作业：p62-64 2-6, 2-8
模拟电子技术基础
河北科技大学信息科学与工程学院
1
晶体管简化的h参数等效电路
内容回顾
b
c
e
rbe
rbb'
(1
)
UT I EQ
或
rbe
rbb'
UT I CQ
(1)利用估算法求Q点，并判断Q点是否合适。
(2)画出放大电路的交流等效电路。 画出放大电路的交流通路，用晶体管的微变
等效电路模型取代晶体管便可得到放大电路的交 流等效电路。 (3)利用交流等效电路求解交流参数。
Ib(RC // Ibrbe
RL)
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
2 R4 Au 2 rbe2
A A A u u1 u2
(1 1 )(R2 ∥ R3 ∥ rbe2 ) 2 R4 ( ) rbe1 (1 1 )(R2 ∥ R3 ∥ rbe2 ) rbe2
Ri R1 ∥[rbe1 (1 1 )(R2 ∥ R3 ∥rbe2 )]
Ri Rb1 // Rb 2 //rbe (1 ) Re 6.25kΩ
Ro Rc 2kΩ
Au 减小，Ri增大，Ro不变。
解： （1）第一级为共集放大电路，第二级为共射放大电路 （2）
VCC UBEQ1 IBQ1 R1 (1 1) R 2
IEQ1 (1 1) IBQ1
N P N N
P
硅管Ube 0.7 V 锗管Ube 0.3V
P
放大区：
UC UB UE
UE UB UC
(1)找出相差0.2V或0.7V的两个极，为基极和发射极； 并确定三极管是硅管还是锗管。 (2)根据第三极是最高还是最低确定为NPN型还是PNP型，确定 三个电极的电位。
N P N N
故需在反相端接平衡电 阻R4。
使R4 // R1 // Rf R2 // R3 得R 4 33k
VCC UBEQ IBQ 0.022 mA Rb
ICQ IBQ 1.77mA
UCEQ VCC ICQRc 3.15V
（2）
（3）
o U ( RC // RL) Au 200 i U rbe Ui Ri Rb // rbe 1kΩ Ii
取Rf=100kΩ，
若R1//Rf=R2//R3
uI 1 uI 2 uI 3 uO Rf ( ) R1 R 2 R3
Rf / R1 2, 故R1 50k; Rf / R 2 5, 故R 2 20k; Rf / R3 1, 故R3 100k。
由于 R1 // Rf R2 // R3
R o Rc 5 k Ω
o Ui Uo U Ri Aus Au 66.7 Us Us Ui Rs Ri
解：（1)
U BQ I EQ
Rb1 VCC 4V Rb1 Rb 2
I BQ
UBQ UBEQ 1.65mA Re IEQ 0.033mA 1
模拟电子技术基础
河北科技大学信息科学与工程学院
步骤： 1）假设二极管截止，计算uA、uK。 2 ）若 uA-uK<0.7V, 则二极管截止；若 uA-uK>0.7V, 则二极管导 通，UD=0.7V。
Uo1= 4.3V ; Uo4= 3.7V;
Uo2= 0V; Uo5= -2.3V;
Uo3= -2.3V; Uo6= -4.3V
Ro R4
解
（1）
（2）
Ro 2RC RP
解
（1）
VEE UBEQ ICQ1 ICQ 2 0.265 mA 2 Re
RL UCQ1 VCC ICQ1( RC // RL) RC RL 3.23V
UCQ 2 15V
UT （2） rbe rbb ' (1 ) 5.1kΩ IEQ
RP R3 // R 4
RN RP
uI1 uI2 uI3 uO Rf ( ) R1 R2 R3 5uI1 uI2 5u13
uI1 uI2 uI3 uI 4 uO Rf ( ) R1 R2 R3 R 4 5uI1 5uI2 10u13 uI 4
uI1 uI2 uO1 R3 ( ) 5uI1 5uI2 R1 R2 uO1 uI 3 uI4 uO1 R8 ( ) 5uO1 2uI3 2uI 4 R5 R 6 R7
25uI 1 25uI 2 2uI3 2uI 4
解：uI1应作用于反相输入端，uI2和uI3应作用于同相输入端。
UCEQ VCC ICQ ( Rc Re) 5.4V
（2）
（3）
o U ( RC // RL) Au 50 i U rbe
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe 0.87 kΩ Ro Rc 2kΩ
（4）
( RC // RL) Au 0.5 rbe (1 ) Re
P
硅管Ube 0.7 V 锗管Ube 0.3V
P
放大区：
UC UB UE
UE UB UC
A管为NPN型硅管 ,
U1=10V为集电极C，U2=3V为发射极E，U3=3.7V为基极B
B管为PNP型锗管 U1=0V为集电极C，U2=6V为发射极E，U3=5.7V为基极B
解：（1）
UCEQ1 VCC IEQ1R 2
VCC UBEQ2 IBQ 2 R3
ICQ 2 2 IBQ2
UCEQ 2 VCC ICQ 2 R 4
（3）
A u1
(1 1 )(R2 ∥ R3 ∥ rbe2 ) rbe1 (1 1 )(R2 ∥ R3 ∥ rbe2 )
Ad
( R // R )c L来自2rbe 33
Ri 2rbe 10.2kΩ Ro Rc 20 kΩ
（3）
uO AdUI 0.33V
Uo UCQ1 uO 2.9V
RN R1 // Rf
RP R 2 // R3
RN R1 // R2 // Rf RN RP