致冷型红外CMOS读出集成电路的发展现状

第２２卷第４期红外拄术ｖｏｌ２２Ｎｏ．４２０００年７月Ｉ曲ａ删‰ｈｎ０１吲Ｊ１１ｌｖ删致冷型红外ＣＭＯＳ读出集成电路的发展现状＋

戴成窳，李兵，溢涛，哀祥簿

（重庆大学光电王稷学院．重庆４０００４４）

撼要：簸冷登照癸读｝｝；集痰毫露经嚣了勰爹串蟪发熊，冀鼓拳已Ｈ臻完善，ｅ拱０ｓ读耋｛电路是骞夸读出电路斡主流，其发展趋势是减＿，ｌ、像元闻鼹．增加焦平面阵群馕露数而又不跨低其竞电性能。将滤波电路、Ａｍ转换等功能器饽集成农嗣一芯片上也是读出电路妁发震方彝。

关键词：甄弁焦平筒阵列；读出电路；ｃＭＯＳ；纂戚电路

中图分类曝：１＿Ｎ３８６．１；ＴＮ２１５文献标识码：Ａ文章编号：１００１。８８９１（２０００）０４，０。３９＿０３

１ｌ的ｌＣ发展概况

弼众多的辩技术产姥发展过程一样，红外焦平落阵弼（１嚣辩壤）技零遵主要是嚣乎军事懿需璎而发展起来的，如敬外夜视、红外制导等。微嘏予技术的迅速发展黑推动和加速了该技术的发震。红羚ｅ辩ＯＳ渡臻象或电路藏蔗在瑟曹景下盛运丽生的。

在ＲＯＩｃ（瀵鼯粲成电路）问世之前，红外信号黪照瑾是鑫努簿电予蠢锌宠疫懿。霹巍慧像，在给定鹩光学襁场中，其单位面积实现的像元敷是相当有限的。上傲纪７０年代，随着集成电薅王艺鞠鼓零静发展，龙其是ＭＯＳ蔡残裁造技术和工艺的成熟，使ＲＯＩＣ得到了遗猛的发展。最早的纽外ＲＯＩＣ产生于上世烧７０年代

束，限于当时的王艺和按术水平，它爝于单片羲嚣董睾。嚣毙敷嚣俸程瀚撼各占焦平嚣懿一部分面积。这部分地解决了集成度和对光敏元件的电磁干扰ｌ掰魉。稍詹，出于铟械技术的成磅运燕，整红静黎擎嚣薅列楚毪戆发建了历史蛙静转变。她按零将光敏晃箨阵列稍ＲＯＩｃ阵刭努剐制作，然嚣通过两簿利的铟桂将其互连。这襻，弩夔毙敏嚣释辫嘲鼗酌嚣簿捌势爨选用最佳材料和簸佳工艺制作，且分别测试戬确

＊瞧藕霸辩：２。Ｏ乳０ｉ０８保各自瀚髋能，扶而提高蔓连麝焦平面阵列的整体性能。而且，此技术可使ＲＯＩｃ从ＭＯＳ技术转向ＣＭＯｓ技术。敬大大地搬商了ＲＯＩｃ冉臼设嚣覆溪秧鞭竣合嫒麓。

就其本臆而言，ＲＯＩＣ是一种专用的数模漓会信号鬃成处理电路。根据制滤工艺和读取信息穷式豹举疑，舞羲主要毒Ｃｅ轻型寰ＯＩｃ鞠ｅＭＯｓ型ＲＯ｝ｃ。ＣＣｎ型ＲＯｌｃ发展较旱，鑫上世纪１９７０掣提如ｃｃＤ概念后不久，它就成功建鑫薅裂媛努熬警蘑薛臻皆。煞瑟，薅饕ｃＭＯｓ工慧的不断成熟、完善和发展，ｃＭＯＳ蘩成电路在低工作电膳，低功耗，低成本，抗辅射能力强，浆无数爨的随执读取《鞠焦乎霪上强意开窗），黻疑在硅片上与其它黎成模块（翔Ａ，Ｄ和其它时序逻辑）有良好的兼容性等一累划德点，在上世纪９０举代取得了迅猛发展。谈技拳在嚣方发达嚣家穗憝藏熬，菇走毒壤我ｃＣ蛰型ＲＯＩＧ之势。

２传统的ＣＭＯＳＲａ蠖ｅ技术模式

鼠功麓落，酾怼的主要雅糟有：１）绘巍簸元件提供合适的偏鬻。２）给光电转换电荷的僚遘提爨逶黪。３）对毙奄转换电藏进行电匿袋电流的转换。４）用一辙或尼根橇颁躐传输整个熬

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