金属电子逸出功

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金属电子逸出功实验报告

金属电子逸出功实验报告

金属电子逸出功实验报告篇一:《金属电子逸出功的测定》实验指导与报告要求1 《金属电子逸出功的测定》实验指导与报告要求一、电子发射 1、电子发射的分类:⑴、光电发射:靠光照射金属表面引起电子发射。

⑵、热电子发射:加热金属使其中大量电子克服表面势垒而逸出。

⑶、二次电子发射:靠电子流或离子流轰击金属表面产生电子发射⑷、场效应发射:靠外加强电场引起电子发射 2、热电子发射⑴、无线电电子学的基础⑵、真空管中从通电加热的金属丝阴极表面逸出电子的现象二、实验目的和要求1、了解热2、掌握逸出功的测量方法。

2、学习一种数据处理方法。

V三、金属电子逸出功的测定原理简述 1、真空二极管的结构a) 阴极K 通以电流 If 加热b) 阳极A上加以正电压,在连接这两个电极的外电路中将有电流 Ia 通过2、金属电子逸出功⑴金属中电子能量分布根据固体物理学中金属电子理论,金属中传导电子的能量分布按费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布,即:dN=dW314π223(2m)WeW-WFkT+1式中WF称费米能级。

c) 金属-真空界面表面势垒曲线 (x为电子距离金属表面的距离) d) 逸出功定义:E0?Eb?EF?eV⑵、根据费米-狄拉克能量分布公式,可以推导出热电子发射公式,称里查逊-杜什曼(Richardson-Dushman)公式。

I=ASTe式中:I-热电子发射的电流强度(A) S-阴极金属的有效发射面积(cm2) k-玻尔兹曼常数 T-绝对温度eV-金属的逸出功A-与阴极化学纯度有关的系数2-eVkT3、肖脱基效应I=AST2eeΦkT式中的I是不存在外电场时的阴极热发射电流。

无外场时,电子不断地从阴极发射出来,在飞向阳极的途中,必然形成空间电荷,空间电荷在阴极附近形成的电场,正好阻止热电子的发射,这就严重地影响发射电流的测量。

为了消除空间电荷的影响,在阳极加一正电压,于是阳极和阴极之间形成一加速电场Ea,使电子加速飞向阳极。

金属逸出功公式

金属逸出功公式

金属逸出功公式
金属逸出功公式是描述金属表面电子逸出的一种数学公式。

在金属表面,电子受到金属原子的束缚,需要克服金属原子的吸引力才能逸出金属表面。

金属逸出功公式描述了电子逸出所需要的能量与金属表面的物理性质之间的关系。

金属逸出功公式可以表示为:
Φ = hν - E
其中,Φ表示金属的逸出功,h表示普朗克常数,ν表示光子的频率,E表示金属表面的功函数。

这个公式说明了金属表面电子逸出所需要的能量与光子的频率和金属表面的物理性质之间的关系。

金属逸出功公式的应用非常广泛。

在光电子学中,金属逸出功公式被用来描述光电效应。

当光子照射到金属表面时,如果光子的能量大于金属的逸出功,那么金属表面的电子就会逸出。

这个过程被称为光电效应。

金属逸出功公式可以用来计算光电效应的能量阈值。

金属逸出功公式还被用来描述金属表面的化学反应。

在化学反应中,金属表面的电子可以参与反应,但是需要克服金属原子的吸引力才能离开金属表面。

金属逸出功公式可以用来计算化学反应中电子逸出所需要的能量。

金属逸出功公式是描述金属表面电子逸出的一种数学公式。

它可以
用来计算光电效应的能量阈值和化学反应中电子逸出所需要的能量。

这个公式的应用非常广泛,对于研究金属表面的物理和化学性质非常重要。

金属电子逸出功的测定

金属电子逸出功的测定

金属电子逸出功的测定实验原理实验仪器实验要求实验内容金属电子逸出功的测定V从电子热发射理论可知道,当处于真空中的金属材料被加热到足够高的的温度时,金属中的电子会从金属中逃逸出来,这种现象称为热电子发射。

由于不同的金属材料其电子的逸出功是不同的,因此热电子的发射情况也不一样。

本实验本实验以金属钨为例,测量其热电子的逸出功。

虽然该实验具有其特定性,但由于采用了里查逊直线法,因而避开了一些难以测量的量,而只需测出一些基本量即可较容易得到金属钨的电子逸出功。

该方法具有其普适性,在实验中应对其内含的物理机制予以掌握。

实验原理V金属电逸出功(或逸出电位)的测定实验,综合性地应用了直线测定法、外延测量法和补偿测量法等基本实验方法。

在数据处理方面有比较好的技巧性训练。

因此,这是一个比较有意义的实验。

V根据固体物理学中金属电子理论,金属中的传导电子能量的分布是按费密-狄喇克能量分布的。

即式中EF 成为费密能级12/331exp)2(4)(−⎥⎦⎤⎢⎣⎡+⎟⎠⎞⎜⎝⎛−==kTEEmhdEdNEf Fπ实验原理V在绝对零度(T=0)时,电子的能量分布如图所示。

在绝对零度时电子要从金属逸出,至少需要从外界得到能量。

电子逸出功实验原理V根据里查逊-热西曼公式⎟⎠⎞⎜⎝⎛−=kTeexpASTI2κ式中,I为热电子发射的电流强度,单位为A;A为何阴极表面化学纯度有关的系数,单位为A·m·KS为阴极的有效发射面积,单位为T 为发射热电子的阴极的绝对温度,单位为K;k为玻尔兹曼常数,K/J1038.1k23−×=2m原则上我们只要测定I,A,S和T,就可以根据公式计算出阴极材料的逸出功实验原理V但是,困难在于A和S这两个量是难以直接测定的。

所以在实验测量中,常用下属的里查逊直线法。

以设法避开A和S这两个量的测量。

1、里查逊直线法TASkTeAST11004.5lg30.2lg1lg3 2ϕϕ×−=−=从公式上可看出,和成线性关系。

金属电子逸出功的测量与分析

金属电子逸出功的测量与分析

金属电子逸出功的测量分析一、 引言20世纪上半叶,物理学在工程技术上最引人注目的应用之一是无线电电子学,而理查逊(Richarson )提出的热电子发射定律对无线电电子学的发展具有深远的影响。

1901年,理查逊认为:在热金属内部充有大量自由运动的电子,当电子到达金属表面时,如果和表面的垂直速度分量所决定的动能大于逸出功,这个电子就有可能逸出金属表面,而电子的速度分布遵从麦克斯韦玻尔兹曼分布律。

经过计算得出热电子发射电流密度为:)exp(kTWT A j -= 1911年,理查逊用热力学方法对热电子发射公式进行了严格推导,得出热电子发射电流的第二个公式:)'exp('2kTW T A j -=,其中,A ’和W ’是两个有别于A 和W 的系数,但它们之间互为关系。

理查逊认为第二个公式具有更好的理论基础。

1915年,理查逊进一步证明第二个公式的A ’是与材料无关的普适常数,于是更显示出它的优越性。

1923年,电子学家杜许曼(S.Dushman )根据热力学第三定律推导出热电子发射电流密度:)exp()2(23kT W T h mek j -⋅=π,其中32hmek π即为理查逊第二个公式的普适常数A ’。

1926年,费米(E.Fermi )和狄拉克(P.Dirac )根据泡利不相容原理提出了费米-狄拉克量子统计规律,随后泡利(W.Pauli )和索末菲(A.Sommerfeld )在1927-1928年将它用于研究金属电子运动,并推出理查逊第二个公式。

理查逊由于对热电子发射现象的研究所取得的成就,特别是发现了以他的名字命名的热电子发射定律而获得1928年诺贝尔物理学奖。

二、 实验目的1、 了解费米-狄拉克统计规律;2、 理解热电子发射规律和掌握逸出功的测量方法;3、 用理查逊直线法分析阴极材料(钨)的电子逸出功。

三、 实验原理(一) 电子逸出功电子逸出功是指金属内部的电子为摆脱周围正离子对它的束缚而逸出金属表面所需要的能量。

金属电子逸出功的测定

金属电子逸出功的测定

华东理工大学物理实验教学中心 ( 202.120.99.174 )
华东理工大学物理实验教学中心 ( 202.120.99.174 )
实验数据处理
金属逸出功
用外延法求零场电流,作 log Ia ~ Ua 图 用理查逊直线法计算钨的逸出电势,作 log(I T 2 ) ~ 1 T 关系图,
华东理工大学物理实验教学中心 ( 202.120.99.174 )
热发射电子在磁场中的运动
单电子近似的讨论
1)阴 极 发 射 电 子 动 能:
1 2
mV
2

eU a

E
阳极加速 热激发能
电场能

2)在 激 励 磁 场B作 用 下 电 子 发 生 偏 转
V2 m

eVB
R
B k'IS
3)在 临 界 状 态 下Ua ~ IC成 线 性 关 系
和阴极表面化 学纯度有关的
系数
阴极有效 发射面积
玻尔兹曼常数, k = 1.38×10-23焦开
发射热电子的阴极 的绝对温度
这两个量是难以直 接测定的 ?????
华东理工大学物理实验教学中心 ( 202.120.99.174 )
理查逊直线法
I AST2exp eV
1 T
kT
r1ln
r2 r1
Ua
求出一组I(T)数据!
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金属逸出功的测定
外延法求零场发射电流 I 查理逊直线法求逸出电势V
Ua
~
logIa


T1

T6

I1 I6

不同材料的逸出功

不同材料的逸出功

不同材料的逸出功
材料的逸出功是指在特定条件下,材料表面上的电子脱离固体进入真空所需的最小能量。

逸出功的大小直接影响材料的电子发射性能和光电性能。

不同材料的逸出功差异很大,下面将分别介绍金属、半导体和绝缘体的逸出功。

一、金属的逸出功
金属是导电性能良好的材料,其逸出功通常较低。

金属的逸出功与其电子结构和原子半径有关。

金属的电子结构中存在自由电子,其能级分布呈现连续的能带结构,使得金属的逸出功相对较低。

此外,金属的原子半径较大,电子在金属表面形成的电势垒较低,也有利于电子的逸出。

因此,金属的逸出功一般在2-6电子伏特之间。

二、半导体的逸出功
半导体是介于金属和绝缘体之间的一类材料,其逸出功介于金属和绝缘体之间。

半导体的逸出功与其禁带宽度和电子亲和能有关。

禁带宽度越大,逸出功越高;电子亲和能越大,逸出功越低。

半导体的逸出功通常在2-5电子伏特之间。

三、绝缘体的逸出功
绝缘体是导电性能极差的材料,其逸出功相对较高。

绝缘体的电子结构中存在完全填满的能带,电子无法自由移动。

在绝缘体的表面形成的电势垒较高,需要较大的能量才能使电子逸出。

因此,绝缘
体的逸出功通常大于6电子伏特。

金属、半导体和绝缘体的逸出功差异主要取决于材料的电子结构、原子半径、禁带宽度和电子亲和能等因素。

了解材料的逸出功对于研究材料的电子发射性能、光电性能以及材料的应用具有重要意义。

金属电子逸出功的测量-北京化工大学

金属电子逸出功的测量
北京化工大学
实验目的
• 掌握用里查逊直线法测定钨的逸出功; • 了解热电子发射的基本规律; • 学习避开某些不易测量常数而直接得到结
果的实验方法; • 学习测定电子荷质比的方法; • 测定电子荷质比。
实验原理
• 根据电子从金属表面逸出提供能量的方式 不同,电子发射可以分为光电子发射、热 电子发射、二次电子发射、场效应发射四 种类型。
原则上只要测出I0,A,S和T,就可以计算 出逸出功。难点在于:A和S这两个量难以
直接测定。
• 实验中采用里查逊直线法避开两个量的测 量。
2、里查逊直线法
• 对(5-13-1) 式两边除以T2再取对数得:
lg
I0 T2
lg
AS
5.04103
1 T
(5-13-2)
由上式可见,如果以
1 T
Va
(5-13-3)
• 由上式可知,如果以 Va 为横坐标,以lg Ia 为纵坐标,此直线的截距为 lg I0 。由此 可求出一定温度下,加速电场为零时的发
射电流I0
实验装置
• W-III型金属电子逸出功测定仪; • 理想二极管; • 螺线管; • 导线等
实验内容
• 熟悉仪器装置,正确连接电路,调整各旋钮使仪 器处于测量安全状态。
为横坐标,以
lg
I T
0 2
为纵坐标,从直线的斜率即可求出电子的
逸出电位φ,从而求出逸出功e φ。这种方法
叫做里查逊直线法。
• 思考:这种方法有什么好处?
3、加速场外延法求零场电流
• 为了维持阴极发射的热电子能连续不断地飞向阳极,必须 在阴极和阳极间外加一个加速电场Ea.在加速电场Ea的作 用下,阴极发射电流Ia与Ea有如下的关系:

增补实验:金属电子逸出功的测定

增补实验:金属电子逸出功的测定【实验目的】1. 了解热电子发射的基本规律,验证肖特基效应;2. 学习用理查森直线法处理数据,测量电子逸出电位。

【实验原理】电子的逸出电位正是热电子发射的一个基本物理参数。

根据量子理论,原子内电子的能级是量子化的。

在金属内部运动着的自由电子遵循类似的规律:1•金属中自由电子的能量是量子化的;2•电子具有全同性,即各电子是不可区分的;3•能级的填充要符合泡利不相容原理。

根据现代的量子论观点,金属中电子的能量分布服从费米-狄拉克分布。

在绝对零度时,电子数按能量的分布曲线如图1中的曲线(1)所示,此时电子所具有的最大动能为W i,W i所处能级又称为费米能级。

当温度升高时,电子能量分布曲线如图1中的曲线(2)所示,其中少数电子能量上升到比W i高,并且电子数随能量以接近指数的规律减少。

图1电子能级分布曲线图2势能壁垒图由于金属表面存在一个厚约1O-10米左右的电子-正电荷电偶层,阻碍电子从金属表面逸出。

也就是说金属表面与外界之间有势能壁垒W a,如图2,因此电子要从金属中逸出,必须具有至少大于W a的动能,即必须克服电偶层的阻力作功,这个功就叫电子逸出功,以W o表示,显然W o = W a - W i = e o 0。

W o的常用单位为电子伏特(eV),它表征要使处于绝对零度下的金属中具有最大能量的电子逸出金属表面所需要的给予的能量。

0称为逸出电位,其数值等于以电子伏特表示的电子逸出功,单位为伏特( V )。

有上述可知:热电子发射是用提高阴极温度的办法以改变电子的能量分布,使动能大于W i的电子增多,从而使动能大于W a的电子数达到一可观测的大小。

可见,逸出功的大小对热电子的发射强弱有决定性的作用。

根据以上理论,可以推导出热电子发射的理查森-杜旭曼(S.Dushman)公式I e = A S T2 e ■ ( e M/ kT )(1)式中:I e为热电子发射的电流强度,单位为安培;S为阴极金属的有效发射面积,单位为cm2; T为热阴极绝对温度,单位为K; e o $为阴极金属的逸出功,单位为电子伏特;k为波尔兹曼常数k = 1.38*10-23( J*K ); A为与阴极化学纯度相关的系数。

金属电子逸出功的测定大学物理实验


实验结果分析
对比分析
将实验结果与理论值进行对比,分析差异产 生的原因,以检验实验的准确性和可靠性。
规律总结
根据实验结果,总结金属电子逸出功与相关 因素之间的规律,加深对实验原理和物理现 象的理解。
误差分析
误差来源
分析实验过程中可能产生的误差来源,如测 量误差、仪器误差等。
误差传递
根据误差传播理论,计算误差对实验结果的 影响,以提高实验的精度和准确性。
记录加热过程中金属薄膜表面形貌的变化情况,包 括颜色、光泽、熔融等。
02
测量金属薄膜的厚度,计算金属电子逸出功。
03
分析实验数据,得出结论,并与理论值进行比较。
04
结果分析
数据处理与图表绘制
数据处理
将实验测得的数据进行整理、筛选和计 算,确保数据的准确性和可靠性。
VS
图表绘制
根据处理后的数据绘制图表,如柱状图、 曲线图等,以直观地展示实验结果。
感谢您的观看
THANKS
步骤4
观察电子显微镜中的金属薄膜 表面形貌,记录加热过程中的 变化。
步骤1
将金属样品放入真空镀膜机中, 制备一定厚度的金属薄膜。
步骤3
连接恒流电源和恒压电源,调 整电流和电压值,使金属薄膜 加热至一定温度。
步骤5
调整恒流电源和恒压电源的参 数,重复步骤3和步骤4,获取 多组数据。
数据记录与处理
01
金属电子逸出功的性质
与金属种类有关,不同金属的逸出功 不同。
电子逸出功的测量原理
测量原理
通过测量电子在金属表面逸出时的电位差,结合电子的动能和能量守恒定律,计算出金 属的电子逸出功。
电位差测量
通过测量施加在金属样品上的正负电压,得到金属表面的电位差。

金属电子逸出功的测定实验报告

课程名称:大学物理实验(二)实验名称:金属电子逸出功的测定二、实验原理2.1金属电子逸出功逸出功:指要使电子从固体表面逸出,所必须提供的最小能量,用∆∅表示。

费米-狄拉克分布规律:在金属内部,电子按由低能态到高能态的次序占据,服从f(E,T)=1(1)1+exp⁡[(E−E F)/kT]如图1所示,在绝对零度时电子的最大动能是EF。

当温度升高时,有少部分电子的能量大于EF,能量的变化在~0.1eV 量级图1 费米-狄拉克分布规律测量时,逸出功等于费米能与真空能级之间的能量差。

∆∅=E Vacuum−E Fermi=eU(2)图2 金属钨表面电子的势能曲线2.2电子逸出功的测量方法1、里查逊—杜西曼公式(Richardson-Dushman formulaI=AST2exp(−eUkT)(3)式中:I是热电子发射的电流强度(单位:A)S是阴极金属的有效发射面积(单位:cm2)T是热阴极的绝对温度(单位:K)A是与阴极化学纯度有关的系数(单位:A⋅cm2⋅K−2)k是玻尔兹曼常数(k=1.38×10−23J⋅K−1)2、里查逊直线法I=AST2exp(−eUkT)(4)转化为I T2=ASexp(−eUkT)(5)取对数得:lg IT2=lg(AS)−eUklg⁡(e)1T(6)其中e和k是常数,U是逸出电势带入常数得:lg IT2=lg(AS)−5.04×103U1T(7)得:lg IT2和1T的线性关系,其斜率为5.04×103U里查逊直线法优点:可以不必测出A、S 的具体数值,只要测出I,T 的关系,由斜率可以得到逸出电势U。

温度T 可由通过灯丝的电流对照给出:表1 灯丝电流与温度的对应关系I f(A)0.580.600.620.640.660.680.70T(103K) 2.06 2.10 2.14 2.18 2.22 2.26 2.303、用外延法求零场电流测金属丝做成的阴极K,通过电流加热,在阳极加正向电压,则在连接这两个电极的外围电路中将有电流Ia通过。

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