EC信号解释.
Ec-Io, Ec-Nt, SNR, C-I等解释
根据TD-SCDMA大规模外场的测试经验，在郊区P-CCPCH>-105dBm可以达到覆盖的要求，在市区P-CCPCH>-100dBm可以达到覆盖的要求。
C/I=Eb/Nt-PG（WCDMA和CDMA表达为EC/IO）SIR：信干比: SIR=RSCP/ISCPC/I：载干比:载频信号强度与干扰强度之比SIR：信干比: SIR=RSCP/ISCPRSCP：接受信号码功率是CPICH信道解扩后收到的功率ISCP：解扩后接收信号上的干扰Eb/No：每比特能量与噪声功率密度(噪声比)之比Eb/Nt：Eb/Nt是表示手机准确接收和解调正向链路信号能力的参数,其中Eb是通信信道每位的能量,Nt是接收带宽上的总噪声,这有点像模拟电路中的信噪比(S/N)。
其中b是指Bit,N是指Noise,t 是指total导频信道不包含比特信息，所以常用Ec/Io而不是Eb/Nt表示信道质量相当于GSM系统里的C/I即载干比-Eb/Nt:指解调门限,在没有干扰时与Eb/No相同,否则比Eb/No要小-- 95与1x上与Ec的关系为Eb=Ec+W/R(dB)Eb/No是表示信号的载波与噪声的关系.其值越大,图像和声音的质量越好Ec/Io与Ec/No和Ec/Nt与前面提到的Eb/No非常相似，都是cdma中信号质量的关键指标。
不过Eb/No讲的是业务信道，而Ec/Io与Ec/No和Ec/Nt讲的是导频信道，因此用码片Chip 表示。
Ec/Io与Ec/No和Ec/Nt从使用上说是一回事，看各个厂商的喜好。
比如有的爱用Ec/Io，有的就爱用Ec/No。
No比较好理解，就是Noise的前两个；Nt可以理解为Noise＋inTerference；Io就麻烦了（Ec/Io 中的o是other Cell的意思Io指临小区干扰）设备灵敏度的计算公式是这样的：= N t + N f + N r– N s+ E b/N osens＝N t + N f +10·log(W band )-10·log(W band /R user) + E b/N o＝ N t + N f +10·log(R user) + E b/N oN t是热噪声功率密度，当温度为290K（16.85℃）时，等于－174dB/HzN f是噪声系数，一般基站在4dB左右，而终端7dB左右解调门限：C/I=Eb/Nt-PGPS384业务质量要求：步行：UL Eb/Nt (dB) 4.94 ；UL PG 11.11DL Eb/Nt (dB) 8.91 ；DL PG 1.6650 km/h：UL Eb/Nt (dB) 5.64 ；UL PG 11.11DL Eb/Nt (dB) 10.81 ；DL PG 1.66SIR 信干比: SIR=RSCP/ISCPC/I 载干比:载频信号强度与干扰强度之比SIR 信干比: SIR=RSCP/ISCPRSCP:接受信号码功率是CPICH信道解扩后收到的功率ISCP:解扩后接收信号上的干扰Eb/No 每比特能量与噪声功率密度(噪声比)之比SIR是信干比，符号级的概念，SIR=RSCP/ISCP*扩频因子C/I是载干比，单位码道功率和干扰的比值。
Eb和Ec
Eb/No：单位比特所含的能量与单边信号功率谱密度之比EB/NO被定义成了“信噪比”这个专用名词，它是指解成数字信号后的信号与噪声的比值，每比特能量比噪声电平EC/IO也被定义了专用名词，称为“载干比”，它是指空中模拟电波中的信号与噪声的比值，每码片能量比干扰电平在C1中移动通讯基础知识的最后几页讲了这个问题。
对于CDMA系统, EC/IO小于“0”,即隐蔽性很好，因此CDMA最早被用在军事上；EB/NO在所有通讯系统中都大于“0”。
理解记忆是最简单的：EC中的C是指CARRIER,它是模拟信号。
EB中的B是指BIT，对于CDMA系统实际上它是指的symbol，但它们都是数字信号。
记住,Ec/Io是导频信号的信噪比,怎么记呢,C=CHIP,码片的意思,进行快速前向功率控制的时候,MS的导频里插入个功率控制子信道来要求BS升降发射功率,但由于是快速功率控制,所以,这里的MS的导频不经过编码和调制,怕由于编码和调制成帧要花费时间,造成时延,怕产生ERROR,所以,就不做这项工作了,就直接是码片序列,所以是Echip/Io而,Eb/No指的是Ebite,所说的是业务信道的信噪比,而业务信道当然有bit了,而且成帧了的,所以就叫Eb/No总结上面的废话,Ec就是导频专用,Eb就是业务信道专用1 各种符号1.1 信号符号1. C ：载波功率2. Ec：码片的能量3. Eb：业务信道上的比特能量，在95与1x上与Ec的关系为Eb=Ec＋W/R(dB)4. Ior：DO中的概念，指有用信号的功率谱密度。
1.2 噪声干扰符号1. I ：干扰总功率，包括热噪声，不包括有用信号功率。
2. Io ：干扰功率谱密度，包括热噪声，主要在导频信道上与Ec配合组成Ec/Io使用。
3. No Eb/No can be interpreted as ：热噪声功率谱密度，计算公式为：10lg(KT)+Nf。
（cdma系统工程手册p652）Such ratio of the total.the energy(including pilot, DRC and ACK) received per antenna from that mobile during an information bit to thermal noise psd.（80-H0447-1, X4 P10）4. Nt ：噪声功率谱密度，包含热噪声和干扰。
各厂家信号解释整理
各厂家信号解释纬创AD+ 适配器转换出来的第一个电压ACIN 充电芯片的适配器检测输入ACAV_IN 充电芯片的适配器检测输出AD_IN# AC_IN# 送个EC的适配器检测信号，低电平适配器插入CLK_EN# CPU供电正常后，发出的低电平，可用于开启时钟CK_PWRGD 南桥收到vrmpwrgd,发出的高电平，用于开启时钟DCBATOUT 公共点电压DCIN 充电芯片的供电输入G792_RST# 温控芯片检测温度正常时发出的高电平KBC_PWR_BTIN# 按下开关产生送给EC的触发信号LID_CLOSE# 合盖开关PWR_S5_EN 用于开启南桥的待机电压的控制信号+3VL 3.3V线性供电，用于给EC供电+5VALW.+3VALW 南桥待机供电广达ACIN.ACOK 适配器检测BL/C# 高电平表示电池电量低，仅用于电池模式CK_PWRGD 南桥收到vrmpwrgd，发出的时钟开启信号CPUPWRGD 南桥内部收到vrmpwrgd和pwrok经过与逻辑产生cpupwrgdCPURST# 北桥收到pltrst#发出给CPU的复位信号DNBSWON EC发出的高低杠触发信号到南桥的pwrbtn#D/C# 与ACIN成相反的关系（适用于仅有d/c#，没有BL/C#DE板）DELAY_VR_PWG CPU核心电压电源好信号NBSWON# 电源开机触发信号按下电源开关键产生高低高的信号到ECHWPG 除CPU核心供电以外的所有供电的PG逻辑相与而来PWROK_EC EC收到高电平HWPG信号后，延时产生pwrok_EC信号PLT_RST# 平台复位南桥在发出cuppwrgd信号后,经过延时缓冲发出PCI_RST# PCI复位,用于上电时复位PCI总线上的设备,从初始化开始工作MAINON EC收到南桥发出的slp_s3#后产生的S0开启信号SLP_S4# SLP_S3# 南桥发出的ACPI控制信号,开启时用于电压开启,关闭时用于电压关闭S5_ON EC发出的南桥待机电压开启信号,作用是将PCU转换S5电压SUS_ON EC接收到南桥发出来的slp_s5#后产生的S3电压开启信号VIN 公共点电压VR_PWRGD_CK410# CPU核心电压电源管理芯片发出的时钟开启信号,低电平3V_AL,5V_AL,AL 3V,5V线性电压3V_S5 S5状态下的电压,南桥待机供电,触发开关后,由EC开启+3VPCU,+5VPCU EC的待机供电+3VSUS,+5VSUS S3状态下的电压,内存供电,由EC发出SUSON开启华硕AC_BAT_SYS 公共点电压ACIN 适配器检测+5VAO 5V线性电压+3VAO 3V线性电压+5VA +4VAO过跳线后更名为+5VA+3VA +3VAO过跳线JP8101后更名为+3VA+3VA_EC +3VA过电感后更名为+3VA_EC，作为EC待机时的供电+5VO S5休眠状态下的5V待机电压+3VO S5休眠状态下的3V待机电压+5VSUS +5VO过跳线后更名为+5VSUS+3VSUS +3VO过跳后更名为+3VSUSVSUS_ON SUS电压开启信号SUS_PWRGD SUS电压电源好信号，发给EC的PM_RSMRST# 南桥的ACPI控制器的复位信号，可以理解为南桥待机电压正常PWRSW_EC# 开机触发信号PM_PWRSTN# EC接收到PWRSW_EC#后发出PM_PWRBTN#有效触发至南桥的PWRBTN#脚位SUSC_ON,SUSC#_PWR S3电压开启信号SUSB_ON,SUSB#PWR SO电压开户信号ALL_SYSTEM_PWRGD 由内存供电，桥供电，总线供电，显卡供电等PG信号逻辑相与产生CPU_VRON EC发出SUSB_ON后产生CLK_PWRGD至时钟IC,用于开启时钟信号EC_CLK_EN EC发出给至南桥的VRMPWRGD脚位，告知南桥CPU核心电压已正常CLK_PWRDG 南桥收到VRMPWRGD后产生CLK_PWRGD至时钟IC,用于开户时钟信号H_CPURST# 北桥收到PLTRST#信号后发出H_CPURST#至CPU苹果=PP3V42_G3H_REG G3状态下的3.42V供电，相当于其他机器的线性供电=PP3V3_S5_REG S5状态下的3.3供电，给南桥等提供待机电压PP3V3_G3_SB_RTC 南桥的RTC电路的3.3V供电=PPBUSA_G3H 公共点电压PM_BATLOW_L 电池电压低指示信号，低电平有效1V8S3_RUNSS 1.8V的S3状态电压（内存供电）开户信号ALL_SYS_PWRGD 除CPU供电以外的所有供电好信号相与而来VR_PWRGOOD_DELAY CPU供电芯片正常产生CPU电压后，延时发出的电源好VR_PWRGD_CK505L CPU供电芯片正常产生CPU电压后，发出开启时钟的低电平信号SMC_BC_ACOK 适配器检测信号，高电平有效SMC_BATT_CHG_EN SMC收到适配品检测信号后，输出的高电平信号SMC_BATT_TRICKLE_EN_L SMC发出的涓流充电信号，低电平有效ACPRN 充电芯片检测到适配器后发出的低电平ACPRN ONEWIRE_EN ONEWIRE使能信号，用于适配器识别电脑（电源头亮绿灯）DELLRTC_CELL 主板钮扣电池电压+DC_IN 电源适配器电压输入+PWR_SRC 公共点电压ALWOW EC向系统供电芯片发出一个ALLOWN信号，找开系统供电THERM_STP# 过热保护信号，低电平有效ACAV_IN 适配器检测信号POWER_SW# 电源开关或键盘产生的一个低电压信号，EC芯片接收此开机信号SUS_ON EC收到触发信号后，发出SUS_ON用于开启南桥待机供电和内存主供电RUN_ON EC发出开启SO状态电压GFX_ON 开启独立显卡供电+VCC_GFX_CORE 独立显卡核心供电+0.9V_DDR_VTTP 内存VTT供电RUNPWROK 所有RUN电源的PGD信号汇聚成此信号SUSPWROK 所有SUS电源的复位信号汇聚到一起产生SUSPWROK信号+VCCP_1905VP 前端总线供电,1.05VPGD_IN CPU供电芯片发出CLK_EN#\PGOOD等的条件之一CLK_ENABLE# 时钟芯片的开启信号，低电平有效H_PWRGOOD 南桥向CPU发生的PGD复位信号H_RESET# 北桥发出CPU复位信号+VCHGR 充电输出电压+SBATT 副电池供电端+PBATT 主电池供电端SBAT_PRES# 副电池插入检测PBAT_PRES# 主电池插入检测IMVP_VR_ON 开启CPU供电IMVP_PWRGD CPU供电芯片发出的供电好信号英业达+VADP 适配器接口电压ADP_EN# 适配器使能,低电平有效ADP_PRES 适配器检测输出,可用于直接开启系统供电+VBATR 公共点电压+3VAL +5VAL 线性供电PWR_SWIN_3# 触发开关送个EC的信号KPC_PW_ON CE收到开关触发后发出的开机信号,电池模式下用于开启系统待机供电VCC1_POR#_3 EC的最初复位信号+3VA +5VA 系统待机供电LIMIT_SIGNAL 适配器中间针,功率识别信号OCP 过流保护仁宝B+ 公共点电压PACIN 适配器插入检测信号，高电平表示适配器插入VL 5V线性供电+3VALW +5VALW 插入适配器即开启的电压ON/OFFBTN# 电源开机键信号ON/OFF# 开机触发电路转发给EC的触发信号PBTNOUT# EC发给南桥的开机触发信号SYSON S3电压开启信号SUSP# S0电压开启信号+VCCP CPU前端总线，分布于CPU，北桥，南桥+CPU_CORE CPU核心供电VGATE CPU核心电压电源好信号ICH_POK 给南桥的pwrok，告知南桥系统电压电源好BCLK 前端总线时钟信号SUS_STAT# 由南桥发出，低电平表明系统将要进入省电状态。
关于EcNo、EbNt和EbNo的解释
关于Ec/No、Eb/Nt和Eb/No的解释E是Energy（能量）的简称，c是Chip（码片）指的是1.2288Mcps中的Chip，Ec是指一个chip的平均能量，注意是能量，其单位是焦耳。
I是Interfece（干扰）的简称，o是Other Cell的简称，Io是来自于其他小区的干扰的意思，当然为了相除它也是指能量。
Eb/Nt，其中b是指Bit，N是指Noise，t是指total。
Eb中文是平均比特能量（一般来说，一个Bit是有很多个chip组成的，所以它的能量＝N×Ec），Nt 指的是总的噪声，包括白噪声、来自其他小区的干扰，本小区其他用户的干扰，来自用户自身多径的干扰。
Eb/No，这个No是指白噪声的功率谱密度，其单位是W/Hz，No是Noise的简称。
C/N：Carrier-to-noise ratio 载波功率(Carrier)与噪声功率之(Noise)比。
也通常称为信号功率与信道噪声之比。
在CDMA和TDMA中C/N也指信号功率(Carrier)与干扰(Interference)之比C/I。
这里写英文的目的是为了区分噪声和干扰的区别。
实际上最正确的表达式应该是C/(I+N),但通常我们根据实际情况的不同（是噪声noise起主导还是干扰interferce起主导）近似地表代为 C/N 或者 C/I。
Eb/No：Energy per bit to noise power density 每bit能量与噪声功率密度之比（不是噪声功率），这个值正如大家说的是解扩之后的signal-to-(noise + interference)ratio。
这个值直接反映了误码率的大小。
比如说，反向链路要求Eb/No大致为7dB 左右，如果处理增益大致为20dB, 则C/(I+N)可以低到-13dB.C/N 与 Eb/No的关系：从系统的性能来讲，我们所最感兴趣的是Eb/No，而不是C/N 。
五个参数
CDMA路测中有5个比较重要的参数。
这5个参数是Ec/Io、TXPOWER、RXPOWER、TXADJ、FER。
在这里对这些参数做一些说明。
1、Ec/Io导频信号强度，该值越小质量越差，单位dB,通常我们认为在－12dB以上信号质量还可以，如果低于－12那么质量就较差了。
Ec/Io反映了手机在当前接收到的导频信号的水平。
这是一个综合的导频信号情况。
为什么这么说呢，因为手机经常处在一个多路软切换的状态，也就是说，手机经常处在多个导频重叠覆盖区域，手机的Ec/Io水平，反映了手机在这一点上多路导频信号的整体覆盖水平。
我们知道Ec是手机可用导频的信号强度，而Io是手机接收到的所有信号的强度。
所以Ec/Io 反映了可用信号的强度在所有信号中占据的比例。
这个值越大，说明有用信号的比例越大，反之亦反。
在某一点上Ec/Io大，有两种可能性。
一是Ec很大，在这里占据主导水平，另一种是Ec不大，但是Io很小，也就是说这里来自其他基站的杂乱导频信号很少，所以Ec/Io 也可以较大。
后一种情况属于弱覆盖区域，因为Ec小，Io也小，所以RSSI也小，所以也可能出现掉话的情况。
在某一点上Ec/Io小，也有两种可能，一是Ec小，RSSI也小，这也是弱覆盖区域。
另一种是Ec小，RSSI却不小，这说明了Io也就是总强度信号并不差。
这种情况经常是BSC切换数据配置出了问题，没有将附近较强的导频信号加入相邻小区表，所以手机不能识别附近的强导频信号，将其作为一种干扰信号处理。
在路测中，这种情况的典型现象是手机在移动中RSSI保持在一定的水平，但Ec/Io水平急剧下降，前向FER急剧升高，并最终掉话。
2、TXPOWER越小越好，单位dBm，城区的衡量标准是低于15dBm,郊区的标准低于20dBm,通常TX 维持在0dBm以下。
TXPOWER是手机的发射功率。
我们知道，功率控制是保证CDMA通话质量和解决小区干扰容限的一个关键手段，手机在离基站近、上行链路质量好的地方，手机的发射功率就小，因为这时候基站能够保证接收到手机发射的信号并且误帧率也小，而且手机的发射功率小，对本小区内其他手机的干扰也小。
ec电机中的信号
ec电机中的信号EC电机中的信号是指在电机工作过程中所产生的各种电信号。
这些信号可以用于监测和控制电机的运行状态，包括电流信号、电压信号、速度信号、位置信号等。
EC电机的信号对于提高电机的控制精度、保护电机以及优化系统性能起到了至关重要的作用。
电流信号是EC电机中最常见的信号之一。
通过测量电机绕组的电流，可以得到电机的负载情况、工作状态以及功率消耗等信息。
电流信号还可以用于实时监测电机的磁化状况，通过磁感应定律可以推导出电机的磁场强度和转矩等参数。
电流信号的测量可以通过电阻法、电流互感法等方式实现。
电压信号也是EC电机中常见的信号之一。
电压信号用于供给电机工作所需的电能，同时也可以用于监测电机的供电质量和输入功率。
通过测量电压的大小和稳定性可以判断电机的运行是否正常，如电压过高或过低可能导致电机无法正常工作或损坏。
电压信号的测量可以通过电压互感器等设备实现。
速度信号也是EC电机中重要的信号之一。
通过测量电机转子的旋转速度，可以了解电机的运行情况和负载情况。
速度信号可以用于电机的速度闭环控制，使电机能够在特定的速度范围内稳定运行。
速度信号的测量可以通过编码器、霍尔元件等方式实现。
另外，位置信号也是EC电机中需要监测的信号之一。
通过测量电机转子的位置，可以确定电机的角度及相关位置参数。
位置信号在EC电机的位置闭环控制中起到了至关重要的作用。
位置信号的测量可以通过霍尔元件、光电编码器等设备实现。
除了以上主要的信号之外，EC电机还可能涉及到温度信号、故障信号等。
温度信号可以用于监测电机的温度，防止电机过热造成损坏。
故障信号可以用于监测电机的故障情况，及时采取相应的措施进行维修或更换。
综上所述，EC电机中的信号在电机的控制和监测中起着至关重要的作用。
通过对电流信号、电压信号、速度信号、位置信号等的测量和分析，可以实现对电机的精确控制和运行监测，从而提高电机的性能和可靠性。
ec编码器原理
ec编码器原理EC11编码器是一种常见的旋转编码器，常用于测量转动角度或位置。
其核心原理是利用内部的光电传感器和编码碟来检测旋转的位置和方向。
下面将介绍EC11编码器的原理及其相关细节。
EC11编码器通常由一个旋转编码碟和一个内部固定的光电传感器组成。
编码碟通常由导轨和刻痕组成，每个刻痕代表一个位置。
光电传感器可以测量光电刻痕的变化情况，并将其转换为电压信号。
当编码器旋转时，光电传感器会感知到刻痕之间的变化，从而生成相应的电压信号。
这些电压信号可以经过放大和滤波，然后转换为数字信号，用于测量角度或位置。
EC11编码器常见的输出方式有两种，一种是增量式输出，另一种是绝对式输出。
增量式输出(EC11B)：增量式输出的EC11编码器通常通过A、B两个通道输出两个相互位移90度的正交信号。
它们之间会存在相位差，用于判断旋转的方向。
当旋转编码器转动时，A、B信号的高低电平会在不同的位置间变化，通过检测这些变化可以计算出旋转的速度和方向。
绝对式输出(EC11A)：绝对式输出的EC11编码器通常通过多个通道同时输出。
每个通道上的电压信号表征了旋转编码器特定位置的二进制码。
通过解码这些二进制码，可以直接得到旋转编码器的绝对位置。
绝对式输出的EC11编码器可以在断电后保持位置信息，无需重新归零。
EC11编码器在应用中有广泛的用途，例如在数码相机中用于调整镜头的焦距和光圈，或者在电子设备中用于调整音量和屏幕亮度等。
它具有体积小、精度高、抗干扰性强等优点。
然而，EC11编码器也有一些限制。
首先，由于光电传感器只能感知到刻痕的变化，因此在较高的转速下可能会导致测量误差。
其次，EC11编码器在电磁干扰环境下可能会受到影响，从而导致测量的准确性下降。
总体来说，EC11编码器是一种常见的旋转编码器，通过光电传感器和编码碟实现对旋转角度和位置的测量。
它在许多应用中被广泛使用，并且具有小巧、精度高和抗干扰性强的特点。
EcIo,EcNo,RSSI,RSCP等常见参数详解
Ec/Io：是码片的能量与接收总频谱密度（信号加噪声）的比值，体现了所接收信号的强度和邻小区干扰水平的比值，Ec就是码片能量chip energy，Io是手机收到的总功率即手机当前所接收到的所有信号（有用信号+干扰信号）强度。
Ec/Io值大，有两种可能性：一、Ec很大，占主导水平；二、Ec不大，但Io很小，即来自其他基站的杂乱干扰性导频信号很少。
前者，属强覆盖，也许对自身小区覆盖很好，但是Ec过大，又有可能造成对其他小区的干扰；后者，属弱覆盖，因为Ec小，Io也小，所以Rx也小，又有可能出现掉话的情况。
Ec/Io值小，也有两种可能性：一、Ec小，Rx也小，属弱覆盖；二、Ec小，Rx却不小，即Io总信号强度并不差。
后者情况，经常是BSC切换数据配置出现问题，没有将附近较强的导频信号加入相邻小区表，致使MS不能识别附近的强导频信号，将其误作为干扰信号处理。
路测中，此情况的典型现象是，MS在移动中Rx始终保持一定的水平，但Ec/Io水平急剧下降，前向FER急剧升高，并最终掉话。
RSSI：（Received Signal Strength Indicator）：指特定频带内的功率包括了干扰，是接收信号的强度指示，它的实现是在反向通道基带接收滤波器之后进行的。
Rx：是手机当前接收到的所有信号的强度，RSSI与Rx的区别：两者是同一概念，具体指（前向或者反向）接收机接收到信道带宽上的宽带接收功率。
实际上中，前向链路接收机（指手机）接收到的通常用Rx表示，反向链路接收机（指基站侧）通常用反向RSSI表示。
前向Rx通常用作覆盖的判断依据（当然还需结合Ec/Io），反向RSSI通常作为判断系统干扰的依据。
RSCP：（Received Signal Code Power）：接收信号码功率，是CPICH一个码字功率。
如果PCPICH采用发射分集，手机对每个小区的发射天线分别进行接收码功率测量，并加权和为总的接收码功率值。
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FA[21:16] Flash Address Alternate GPIO 被用作GPIO PIN,取決于外部FLASH 尺寸
Pegatron Electrical Engineering Department
FD[7:0] Flash data bus
數據總線
FRD#
Flash read control
Pegatron Electrical Engineering Department
恒压充电 电池电压达到充电的终了电压时进入恒压充电 特点: 电池电压保持恒定。 充电电流逐渐较小。 充电电流小于1/10恒流充电电流时，可以认为充电结束。 电池容量将完全得到补充 涓流充电 充电电流小于1/10恒流充电值时，为涓流充电 特点: 电池电压恒定 充电电流逐渐接近0 目的是补充电池的自放电 锂电池的自放电速率一般在5%-10%每月
Pegatron Electrical Engineering Department
Flash Rom相關訊號
FA[15:0] Flash Address
作為外部FLASH地址專用PIN ,另外被用作FLASH地址輸出, FA[5:2] 保留作為與硬件溝通PIN
FA[21:16] Flash Address Alternate GPIO
VSUS_ON SUS_PWRGD
PM_RSMRST#
PM_PWRBTN# SUSC_EC# SUSB_EC#
ALL_SYSTEM_PWRGD
Pegatron Electrical Engineering Department
Pegatron Electrical Engineering Department
Pegatron Electrical Engineering Department
EXT_SMI#: System Management Interrupt 系統管理中斷 主要应用在BIOS处理事情时的中断 This is SMI# signal driven by SWUC module EXT_SCI#: System Control Interrupt 系統控制中斷 SCI只能在ACPI的OS下发出来,如果在DOS下觸發中斷 肯定不是SCI,可能是SMI. This is SCI# signal driven by PMC module
為什么LID_SW# 為LO時,按開機 鍵不開 機呢??? LID_SW# 有兩路 作用:一是拉背光, 二是通知EC,由 EC判斷是否可以 開機.
Pegatron Electrical Engineering Department
LPC相關信號
LPC (Low Pin Count)低脚位计算
LPC_AD[0:3] 数据地址 这四讯号线用来传输LPC Bus地址和数据 2. LPC_FRAME# LPC的周期框架 当这个讯号有效时，指示开始或结束一个LPC周期 LPCCLK LPC CLOCK 為LPC功能提供33MHZ頻率 LPCRST# BUF_PLT_RST#_2 是Reset LPC 的信號 5. WRST# WARM Reset 是Reset EC 的信號 6. RCIN#: KBCRST 是Reset CPU的信號
讀控制
FWR#
Flash write control
寫控制
FCS#
Flash chip select
片選信號
Pegatron Electrical Engineering Department
休眠相關訊號
S0模式 电脑正常工作，所有硬件设备全部处于打开或正常工作的状态 S1模式
也称为POS（Power on Suspend），这时除了通过CPU时钟控制器 将CPU关闭之外，其他的部 件仍正常工作，这时的功耗一般在30W 以下（ 其实有些CPU降温软件就是利用这种工作原理)
Pegatron Electrical Engineering Department
X博士:那么什么是PMC 與SWUC呢?
PMC --- power management channel的縮寫 電源管理通道(被定義為ACPI的規范說明,被用 作主處理機與內嵌控制器通信通道) SWUC --- system wake-up control 的縮寫 系統喚醒控制
EC信號講解
部门:FAE 技术研发组 V1.0
開機相關信號
5
3VA_EC EC_RST# 32.768KH PM_SUSB# PM_SUSC# CPU_VRON VRM_PWRGD EC_CLK_EN PM_PWROK 1 8 7 12 13 14 15 2 3 4 6 9 10 11
PWR_SW#
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
Pegatron Electrical Engineering Department
LCD相關信號
LID_SW# 背光控制開關 LCD_BACKOFF 背光控制訊號 當我們使用 “Fn+F7” BIOS 激活此PIN 把背光關掉 LCD_BL_PWM 明暗度控制訊號 當我們使用“Fn+F5/F6” BIOS激活此PIN 調節明暗度
Pegatron Electrical Engineering Department
S2模式 CPU处于停止运作状态，总线时钟也被关闭，但其余的设备仍然运转
RI[2:1]# Ring Indicator Input used for system wake up WUI[7:0] EC Wake up Input used for EC wake up
电池充电过程
Pegatron Electrical Engineering Department
预充电 条件判断－如果电池电压<0.9V,将判断为电池已经损坏，不会再对电池 进行充电，因为对已经损坏的电池进行充电可能会造成安全问题爆炸或 燃烧）。 电池电压低于放电终了电压（3V）并且大于0.9V时，以恒流充电电流的 1/10的电流进行小电流充电，时间较短，一般为几分钟 如果用大电流对完全放电的电池进行充电，会对电池造成损害 恒流充电 电池电压大于一定阈值后，将进入恒流充电 特点: 恒流 电池的大部分能量（80%）在这一阶段储存 时间较长 充电电流一般在0.5C，过大影响充电效率，充满后的容量会减少。