超材料(metamaterials)在电子元件中的应用

超材料(metamaterials)在电子元件中的应用
超材料(metamaterials)在电子元件中的应用

第 27 卷 第 9 期 2008 年 9 月
电 子 元 件 与 材 料 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
Vol.27 No.9 Sep. 2008
新一代片式元件
超材料(metamaterials)在电子元件中的应用
周 济
(清华大学 材料科学与工程系, 北京 100084) 摘要: 超材料(metamaterials)指的是一些呈现出天然材料所不具备的超常物理性质的人工复合材料。它们的超 常特征来源于其中人工制备的、特殊的非均匀插入结构所导致的物理响应。介绍了近年来发展出的超材料包括左手材 料、 “隐身斗篷”和光子晶体等,对其在电子元件领域中的应用进行了评述和展望。 关键词: 电子技术;超材料;综述;电子元件;左手材料 中图分类号: TB39 文献标识码:A 文章编号:1001-2028(2008)09-0001-04
Applications of metamaterials in electronic components
ZHOU Ji
(Department of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084,China) Abstract: A new class of artificial composites that exhibit exceptional properties not readily observed in nature called metamaterials. These properties arise from qualitatively new response functions that are not observed in the constituent materials and result from the inclusion of artificially fabricated, extrinsic inhomogeneities. A few metamaterials being developed in recent years, including left-handed materials, invisible cloak and photonic crystals were summarized. Review and prospect on applications of metamaterials in the area of electronic components were presented. Key words: electron technology; metamaterials; review; electronic components; left-handed materials
metamaterial(超材料)是 21 世纪物理学领域出 现的一个新的学术词汇,近年来经常出现在各类科学 文献中。拉丁语“meta-”,可以表达“超出、亚、另类” 等含义。对于 metamaterial 一词,目前尚未有一个严 格的、权威的定义,不同的文献上给出的定义也各不 相同,但一般都认为 metamaterial 是“具有天然材料所 不具备的超常物理性质的人工复合结构或复合材料”。 在互联网上颇有影响的维基百科(Wikipedia)上,对 metamaterial 一词是这样解释的:“In electromagnetism (covering areas like optics and photonics), a meta material (or metamaterial) is an object that gains its (electromagnetic) material properties from its structure rather than inheriting them directly from the materials it is composed of. This term is particularly used when the resulting material has properties not found in naturally-formed substances”。这一解释可能是迄今对 metamaterial 一词给出的最科学规范的定义, 尽管这一 定义从目前的观点看过于狭隘(该定义似乎只针对电 磁领域的材料,而实际上,最新的研究表明 metamaterial 已经包括一些声学材料) 。 从这一定义中, 我们可以看到 metamaterial 的三个重要特征:
(1)metamaterial 通常是具有新奇人工设计结构 的复合材料; (2)metamaterial 具有超常的物理性质(往往是 自然界的材料所不具备的) ; (3)metamaterial 的性质往往不主要取决于构成 材料的本征性质, 而主要取决于其中的人工设计结构。 目前,人们已经发展出的这类超材料系统包括光 子晶体、左手材料、“隐身斗篷(invisible cloak)”和 全吸收超材料等。 近年来,各种超材料系统的出现引起了科学界的 广泛关注。1998 年和 1999 年,与光子晶体有关的研 究新突破先后两度被 Science 杂志列为世界上的“十大 科学进展”,2006 年底,该杂志又再次将光子晶体列 为未来自然科学的热点领域。而另一类超材料——左 手材料则是在 2003 年被 Science 杂志列为当年的“ 十 大科学进展”。2006 年底,由于英美两国科学家利用 与左手材料相类似的设计方法获得的梯度超材料成功 实现了“隐身斗篷”的功能, Science 杂志又一次将其列 为当年的“ 十大科学进展”。笔者将着重对近年来超材 料在电子元件领域的应用及发展动向做一简要介绍。
收稿日期:2008-07-31 作者简介 : 周济 (1962-) , 男, 吉林九台人, 长江特聘教授, 博士后, 主要从事信息功能材料研究。 Tel:(010) 62772975; E-mail: zhouji@https://www.360docs.net/doc/164244468.html, 。

2
周济:超材料(metamaterials)在电子元件中的应用
Vol.27 No.9 Sep. 2008
1
超材料与电子元件
基于超材料概念的材料设计方法是多种多样的。 事实上,早在 metamaterial 的概念出现以前,电子元 件的设计者已经有过非常类似的尝试,一个典型的例 子是多层陶瓷电容器(MLCC) 。MLCC 是 20 世纪 70 年代发明的一种电子元件,其结构如图 1 所示。它是 由陶瓷介质层和内电极交叠而成,相当于多个电容并 联在一起,使电容器的电极面积增加了若干倍。众所 周知,对于平板电容器,其电容量与其中的电介质材 料的介电常数、电极面积成正比,而与电容器厚度成 反比。因此,如果我们不把 MLCC 看成是一个多层器 件,而仅仅看成是由具有某一介电常数的陶瓷介质构 成的单层平板电容器,即把其中的多层结构看成是一 种“ 材料”(事实上是超材料) ,则该“材料”的表观介电 2 常数可高达陶瓷介质的 n 倍。这种结构的设计中,事 实上也包含了超材料的设计思想,只是没有把多层结 构看成是一种“ 材料”,而是将其视为“ 器件”。随着材 料技术的发展,“ 材料”的观念也在变化——以往人们 对“ 材料”的认识往往是“ 原材料”,而今天人们所研究 的先进材料, 很多都是具有在一定尺度上的结构调控。 因此,从广义上讲,可以把 MLCC 中的多层结构本身 看成是一种“ 材料”,而这种“ 材料”的性能将是普通材 料所无法比拟的。
端电极
内电极
现了材料对磁场的响应。在普通介质中,介电常数和 磁导率皆为正值,电磁波可以正常传输。电场强度、 磁场强度和坡印廷矢量遵从右手定则, 波矢的方向 (相 速度的方向)和坡印廷矢量的方向相同。介电陶瓷材 料可能有很高的介电常数,但其磁导率仅为 1;而铁 磁材料的磁导率可以很高,但介电常数却很低。铁氧 体是一类具有铁磁性的介质材料,其介电常数可以高 于普通铁磁体,而磁导率可以高于普通介质,但遗憾 的是其介电常数和磁导率都不可能特别高。而按照超 材料的设计思想,可以通过设计一些有序的介电–铁 磁复合材料,使磁导率和介电常数都相当高,这对一 些电子元器件的设计是非常有意义的。 当介电常数或磁导率两者之一可取负值。根据电 磁场理论, 电磁波在介质中无法传输, 表现为倏失波, 其振幅快速衰减。其中第二象限的材料(负磁导率材 料)一般认为在自然界中不存在,而金属在一定频段 下属于第四象限,即可能有负的磁导率。而通过超材 料的设计,这两个象限的材料都是可以实现的。 当介电常数和磁导率两者同时取负值。这种材料 在自然界中肯定是不存在的。但可以通过超材料的设 计来实现,这就是下文要介绍的“ 左手材料”。 目前实现左手材料的方案较多,但其核心思路主 要是 LC 结构的电磁谐振[1]。因此实现微波左手材料 的方法之一是采用无源电子元件(电容和电感)构成 的反传输线电路 [2] 。图 2(a) 是作者课题组首次利用 LTCC 技术制备的集成化左手材料的反传输线模块, 实验已观察到了其对 X 波段的左手传输特性, 如图 2(b) [3] 所示 。
介电材料 Fig.1 图 1 LTCC 结构图 Structure diagram of LTCC
超材料的一个较重要理念是巧妙利用材料中的关 键物理尺度。材料中所呈现的一些物理性质往往和材 料结构中的关键物理尺度有关。对于材料与各种波的 相互作用,波长尺度往往是材料的关键物理尺度。光 子(电磁波)晶体是利用关键物理尺度的控制来实现 材料超常物理性质的典型例子,它是通过在波长尺度 上材料的介电周期结构来实现电磁波在其中运动状态 的调控。而在调控电磁波方面,一些半经验的天线结 构设计也早在光子带隙理论提出之前就得到了应用。 这些尝试其实都有超材料思想的影子。 电磁介质是电子元件的关键材料。其电磁性质体 现在两个重要参数(复数)上,一个是材料的介电常 数,体现了材料对电场的影响;另一个是磁导率,体
(a) 5.8 5.0 4.2 y / mm 3.4 2.6 1.8 1.0 0.2 0.2 1.0 1.8 3.0 3.8 k 4.6 –1.570 00 –0.753 60 0.062 80 0.878 20 1.570 00
x / mm (b) 图 2 基于 LTCC 的集成化左手材料的反传输线模块(a)及其负折射性质(b) Fig.2 Integrated inverse transmission lime module fabricated by LTCC (a) and its negative refraction character

第 27 卷 第 9 期
周济:超材料(metamaterials)在电子元件中的应用
3
2
基于左手材料的新型微波器件
4
光子晶体光纤与光子晶体天线
左手材料是近年来新发现的某些物理特性完全不 同于常规材料的新材料,在电磁波某些频段能产生负 介电常数和负磁导率,导致电磁波的传播方向与能量 的传播方向相反,产生逆多普勒效应、逆 Snell 折射 效应、 逆 Cerenkov 辐射效应以及“ 完美透镜”等奇特的 电磁特性。这些特性可望在信息技术、军事技术等领 域获得重要应用。 左手材料的这些特性使其在微波领域具有广阔的 应用前景。例如:通过正负折射率周期交替的结构可 以获得具有优异微波特性的波导器件[4];在一定的工 作带宽内人工材料会同时具有右手、左手特性即所谓 的“ 左右手混合材料(CRLH)”, 它可以大大缩小微带天 [5] 线的尺寸 ;利用异向介质在某个频段内折射率接近 于 0 的特性制造的天线, 波束透射到真空中时发生折 射的折射角接近于 0,基本上沿着近轴方向辐射,具 有很强的定向辐射能力[6];左手材料还可以替代微带 天线的传统介质基板,利用其对表面波的抑制来减少 边缘散射,提高天线的辐射效率[7];利用左手材料和 普通材料的双层结构构成的谐振器,可以使谐振腔的 尺度远远小于一个波长长度,只要满足 dr / dl =|nl| / |nr| 关系,即可在某个频率下实现谐振[8]。
3
“隐身斗篷”与新型抗 EMI 器件
2002 年,麻省理工学院 Pacheco 和孔金瓯教授[9]等 从理论上证明了左手材料存在的合理性,并称这种人工 介质可用于电磁波隐身等。2006 年初,Pendry 等[10]预 言了超材料薄层能够让光线绕过物体,从而使物体隐 形。同年,Schurig 和 Smith 等[11]展示了这种“ 隐身斗 篷”的雏形。 “ 隐身斗篷”的基本原理是:通过在物体表面包覆 一层具有特殊设计的,具有一定介电常数和磁导率分 布的材料,这样入射光或电磁波将被弯曲,并且绕过 包覆层,从而出现隐身人的结果。通俗地讲,身穿“隐 身斗篷”的人就好像在空间中挖开了一个洞, 任何光和 电磁波将直接穿透这个洞,从而不会看到斗篷中隐藏 的物质。“ 隐身斗篷”将不仅仅被应用于“ 隐身”,凭借 它的帮助,任何电磁信号都可以更为有效地绕开干扰 和阻隔,从而保持信号的完整性。因此,“ 隐身斗篷” 在抗 EMI 器件中也将有广阔的应用前景。 最近,Landy 和 Padilla 等[12]提出了一种新的超材 料设计思想,这种新的超材料可以完全吸收辐射到其 表面的电磁波的电分量和磁分量。 这种“完美超材料吸 收器” 也可能为新一代抗电磁干扰器件提供一种全新 的思路。
光子晶体是由具有不同反射率的材料在空间交替 构成的一种周期结构。由于光(电磁波)在与其波长相 匹配的周期结构中运动时,受到周期的散射和衍射,于 是便产生了光的频率禁阻。在该系统中,某些频段的电 磁波强度因破坏性干涉呈指数衰减,无论横向还是纵向 的振动,都无法在介质中传播,形成电磁波能隙。 光子晶体为各类无源光电器件的制备提供了理想 的材料。已实现产业化的光子晶体光纤是目前应用最 广的光子晶体产品。一般来说,光纤是依赖于其内部 的反射来传播光的,这就要求其芯部的反射率要远大 于表面包覆层的反射率。但是通过“ 光子晶体”概念的 引入,Knight 等[13]提出了一个与传统光波传导完全不 同的结构,即利用二维光子带隙晶体把光限制在低反 射率区域附近。这种光纤的一个突出特点是,它可以 把光限制在低介电常数区域,从而实现光在空气中的 传播,因此光的传播损失是很小的,还可以传输较高 能量的光,除此之外还产生了其它的一些特性。另一 个典型例子是微波带隙天线。传统的微波带隙天线制 备方法是将天线直接制备在介质基底上,这样就导致 大量能量被基底所吸收,因而效率很低。例如,对一 般用 GaAs 介质作基底的天线反射器,98%的能量完 全损耗在基底中,仅 2%能量被发射出去,同时造成 基底发热。利用光子晶体作为天线的基底,此微波波 段处在光子晶体的禁带中,因此基底不会吸收微波, 这就实现了无损耗全反射,把能量全部发射到空中。
5
负介电常数材料与无绕线电感
自 19 世纪法拉弟发现电磁感应现象一百多年来, 感性元件被广泛应用于各类电路中,成为电子和电力 系统中必不可少的组成部分。然而,一直以来人们所 使用的感性元件都是较为复杂的绕线式结构。 2006 年, 笔者课题组在对共振型陶瓷介质研究的 基础上,提出了基于负介电常数介质的无绕线电感器 元件的设计思想,改变电感类元件必须通过绕线结构 来实现的传统观念。研究结果发现,通过介电共振至 少能够产生“ 表观”的负介电常数,在这种材料的基础 上,提出一种全新的无绕线结构的感性元件设计思想 ——利用具有“ 表观”负介电常数的陶瓷介质构成的电 容结构产生的负电容,在相对简单的结构中实现感抗 功能[14]。由于这类感抗元件不需要复杂的绕线结构, 可为感性元件尺寸的进一步减小开辟一个广阔空间。
6
结束语
尽管目前超材料在科学领域是一个全新的概念,

4
周济:超材料(metamaterials)在电子元件中的应用
Vol.27 No.9 Sep. 2008
但其中的某些设计思想与电子元件的一些思路不谋而 合。一些超材料可以看成是“ 元器件化”的“ 材料”。然 而,超材料似乎走得更远,不仅超越了天然材料的自 然极限, 也突破了人们常规思维的极限。 这些新的“材 料” 系统和设计思路为新型电子元件的创新与发展提 供了广阔的空间。
参考文献:
[1] Pendry J B. Negative refraction makes a perfect lens [J]. Phys Rev Lett, 2000, 85 (18): 3966-3969. [2] Eleftheriades G V, Iyer A K, Kremer P C. Planar negative refractive index media using periodically L-C loaded transmission lines [J]. IEEE Transm Microwave Theory, 2002, 50(12): 2702-2712. [3] Hao L F, Zhou J, Li B, et al. Fabricating metal patterned ceramic substance by tape-casting [J]. Key Eng Mater, 2005, 280-283: 757-758. [4] Wang Q, Tang K, You K, et al. Characteristics of the guided modes in a channel waveguide with negative refractive index medium [C]. SPIE, 2003, 5644: 591-597.
[5] Sanada A, Caloz C, Itoh T. Zeroth order resonance in composite right/left-handed transmission line resonators [A]. Proc Asia-Pacific Microwave Conf [C]. Seoul: IEEE, 2003, 1588-1592. [6] Enoch S, Tayeb G, Sabouroux P, et al. A metamaterial for directive emission [J]. Phys Rev Lett, 2002, 89(21): 213902. [7] Baccarelli P, Burghignoli P, Lovat G, et al. Surfacewave suppression in a double-negative metamaterial grounded slab [J]. IEEE Antenna Wirel Propag Lett, 2003, 2(1): 269-272. [8] Pendry J B, Smith D R. Comment on “wave refraction in negative index media: always positive and very inhomogeneous” [J]. Phys Rev Lett, 2003, 90: 029303. [9] Pacheco J, Grzegorczyk T M, Wu B I, et al .Power propagation in homogeneous isotropic frequency-dispersive left-handed media [J]. Phys Rev Lett, 2002, 89(25): 257401. [10] Pendry J B, Schurig D, Smith D R. Controlling electromagnetic fields [J]. Science, 2006, 312(5781): 1780. [11] Schurig D, Mock J J, Justice B J, et al. Metamaterial electromagnetic cloak at microwave frequencies [J]. Science, 2006, 314 (5801): 977-980. [12] Landy N I, Sajuyigbe S, Mock J J, et al. Perfect metamaterial absorber [J]. Phys Rev Lett, 2008, 100, 207402. [13] Knight J C, Broeng J, Birks T A, et al. Photonic band gap guidance in optical fibers [J]. Science, 1998, 282(5393): 1476–1478. [14] 周济, 白洋, 张药西, 等. 基于负介电常数介质的无绕线感抗元件: 中 国, 200610112858.2 [P]. 2007-03-21. (编辑:陈丰)
电子制造:在环保与成本之间寻找平衡点
电子制造产业链上下游之间在环保理念上存在较 大差异,如何在环保和成本之间寻找一个平衡点,需 要企业认真思考。 在电子制造这条产业链条中,上下游企业之间在环 保方面的推进和环保理念的形成上存在较大的差异,有 专家认为,企业之间在整体上和在更长远的时间内共同 利益要大于彼此之间的利益冲突。但是,在短时间内和 共识没有形成之前还是存在很多的利益冲突。有效的沟 通和良好的合作是执行的前提,环境保护问题是企业必 须认真对待并加以解决的。如何在环境保护和成本之间 找到一个平衡点是企业需要认真思考的。 EMS( 电子制造服务)企业是受国家产业政策影响 较大的行业。EMS 企业的环保节能问题解决不好,其 发展将会从得到政策的鼓励转为被政策限制发展。 中国的 EMS 企业与全球同行业相比较,价格优 势是明显的。北京柏瑞安科技公司市场部经理钱强在 接受《中国电子报》记者采访时认为,我们必须走在 全世界同行的前面来重视环保和节能问题,并解决好 它,才能保持住我们现在所获得的优势。 也就是说作为 EMS 企业要利用已经形成的规模 优势, 快速地利用现在已经出现的新技术和新材料(环 保型的和资源节约型的), 最大可能应用到现在的产品 中去,快速形成新的规模优势,使其产生经济效益, 如果没有企业具备这样的能力,那么这样的环保技术 就太超前了,环保也就推行不下去。所以,最后还是 归结为环保给企业带来的成本压力有多大。 目前,环保意识人人都有,而且环保意识提升的 速度要比我们想象的快得多。供应链中每一个环节都 在寻找环保为自己环节带来的机会,这种机会在很大 程度上就是商机。张海程认为环保与成本并不矛盾, 但关键是要找到好的切入点和切入的时间,如果切入 的时间过早,时间过长,企业看不到环保带来的现实 性, 企业就不会有积极性去从事环保工作。 “环保要一 步一步走,环保带来的效果是需要时间来证明的,如 果每次的改进付出的成本不高,又可以看到未来的回 报,我相信很多企业会愿意去做。”张海程表示。 总的来说,电子制造企业作为采用新技术最多、 产品涉及的人群最广的领域,在环保方面应该承当责 无旁贷的义务。钱强认为,在减少铅的使用和其它节 能减排措施的采用上企业应投入最大的财力来保证其 实施, 同时政府也应考虑大部分企业的实际承受能力, 保证大部分企业能够健康发展。
(摘自中国电子报,2008-08-19)

电力电子器件应用指南

目录 电力电子器件应用指南 (1) 晶闸管、二极管主要参数及其含义 (8) 晶闸管、二极管简易测试方法 (11) 中频感应加热电源常见故障与维修 (13) 水冷散热器的安装与使用 (20) 晶闸管水冷散热器重复使用中应注意的问题 (23) 电焊机用晶闸管模块的选择与应用 (25) 电力半导体器件用散热器选择及使用原则 (32) 风冷散热器的选配 (34) 高频晶闸管新特性 (36) 改进的晶闸管高di/dt性能 (39) 门极触发强度对晶闸管开通特性的影响 (42) 晶闸管串、并联配对选择及使用要求 (47) 晶闸管在低温条件下的使用 (52) 功率器件技术与电源技术的现状和发展 (53) 晶闸管保护电路 (60)

电力电子器件应用指南 一、参数说明 1本手册参数表中所给出的数据,I TSM、I2t、dv/dt、di/dt指的是元件所能满足的最小值,Q r、V TM、V TO、r T指元件可满足(不超过)的最大值。 2通态平均电流额定值I TAV(I FAV) I TAV(I FAV)指在双面冷却条件下,在规定的散热器温度时,允许元件流过的最大正弦半波电流平均值。I TAV(I FAV)对应元件额定有效值I RMS=1.57 I TAV。实际使用中,若不能保证散热器温度低于规定值,或散热器与元件接触热阻远大于规定值,则元件应降额使用。 3晶闸管通态电流上升率di/dt 参数表中所给的为元件通态电流上升率的临界重复值。其对应不重复测试值为重复值的2倍以上,在使用过程中,必须保证元件导通期任何时候的电流上升率都不能超过其重复值。 4晶闸管使用频率 晶闸管可工作的最大频率由其工作时的电流脉冲宽度t p,关断时间t q以及从关断后承受正压开始至其再次开通的时间t V决定。f max=1/(t q+t p+t V)。根据工作频率选取元件时必须保证元件从正向电流过零至开始承受正压的时间间隔t H>t q,并留有一定的裕量。随着工作频率的升高,元件正向损耗E pf和反向恢复损耗E pr随之升高,元件通态电流须降额使用。 二、元件的选择 正确地选择晶闸管、整流管等电力电子器件对保证整机设备的可靠性及降低设备成本具有重要意义。元件的选择要综合考虑其使用环境、冷却方式、线路型式、负载性质等因素,在保证所选元件各参数具有裕量的条件下兼顾经济性。由于电力电子器件的应用领域十分广泛,具体应用形式多种多样,下面仅就晶闸管元件在整流电路和单项中频逆变电路中的选择加以说明。

超材料(metamaterials)在电子元件中的应用

第 27 卷 第 9 期 2008 年 9 月
电 子 元 件 与 材 料 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
Vol.27 No.9 Sep. 2008
新一代片式元件
超材料(metamaterials)在电子元件中的应用
周 济
(清华大学 材料科学与工程系, 北京 100084) 摘要: 超材料(metamaterials)指的是一些呈现出天然材料所不具备的超常物理性质的人工复合材料。它们的超 常特征来源于其中人工制备的、特殊的非均匀插入结构所导致的物理响应。介绍了近年来发展出的超材料包括左手材 料、 “隐身斗篷”和光子晶体等,对其在电子元件领域中的应用进行了评述和展望。 关键词: 电子技术;超材料;综述;电子元件;左手材料 中图分类号: TB39 文献标识码:A 文章编号:1001-2028(2008)09-0001-04
Applications of metamaterials in electronic components
ZHOU Ji
(Department of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084,China) Abstract: A new class of artificial composites that exhibit exceptional properties not readily observed in nature called metamaterials. These properties arise from qualitatively new response functions that are not observed in the constituent materials and result from the inclusion of artificially fabricated, extrinsic inhomogeneities. A few metamaterials being developed in recent years, including left-handed materials, invisible cloak and photonic crystals were summarized. Review and prospect on applications of metamaterials in the area of electronic components were presented. Key words: electron technology; metamaterials; review; electronic components; left-handed materials
metamaterial(超材料)是 21 世纪物理学领域出 现的一个新的学术词汇,近年来经常出现在各类科学 文献中。拉丁语“meta-”,可以表达“超出、亚、另类” 等含义。对于 metamaterial 一词,目前尚未有一个严 格的、权威的定义,不同的文献上给出的定义也各不 相同,但一般都认为 metamaterial 是“具有天然材料所 不具备的超常物理性质的人工复合结构或复合材料”。 在互联网上颇有影响的维基百科(Wikipedia)上,对 metamaterial 一词是这样解释的:“In electromagnetism (covering areas like optics and photonics), a meta material (or metamaterial) is an object that gains its (electromagnetic) material properties from its structure rather than inheriting them directly from the materials it is composed of. This term is particularly used when the resulting material has properties not found in naturally-formed substances”。这一解释可能是迄今对 metamaterial 一词给出的最科学规范的定义, 尽管这一 定义从目前的观点看过于狭隘(该定义似乎只针对电 磁领域的材料,而实际上,最新的研究表明 metamaterial 已经包括一些声学材料) 。 从这一定义中, 我们可以看到 metamaterial 的三个重要特征:
(1)metamaterial 通常是具有新奇人工设计结构 的复合材料; (2)metamaterial 具有超常的物理性质(往往是 自然界的材料所不具备的) ; (3)metamaterial 的性质往往不主要取决于构成 材料的本征性质, 而主要取决于其中的人工设计结构。 目前,人们已经发展出的这类超材料系统包括光 子晶体、左手材料、“隐身斗篷(invisible cloak)”和 全吸收超材料等。 近年来,各种超材料系统的出现引起了科学界的 广泛关注。1998 年和 1999 年,与光子晶体有关的研 究新突破先后两度被 Science 杂志列为世界上的“十大 科学进展”,2006 年底,该杂志又再次将光子晶体列 为未来自然科学的热点领域。而另一类超材料——左 手材料则是在 2003 年被 Science 杂志列为当年的“ 十 大科学进展”。2006 年底,由于英美两国科学家利用 与左手材料相类似的设计方法获得的梯度超材料成功 实现了“隐身斗篷”的功能, Science 杂志又一次将其列 为当年的“ 十大科学进展”。笔者将着重对近年来超材 料在电子元件领域的应用及发展动向做一简要介绍。
收稿日期:2008-07-31 作者简介 : 周济 (1962-) , 男, 吉林九台人, 长江特聘教授, 博士后, 主要从事信息功能材料研究。 Tel:(010) 62772975; E-mail: zhouji@https://www.360docs.net/doc/164244468.html, 。

常用电子元器件大全

第一章电子元器件 第一节、电阻器 1.1 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻. 1.2 电阻器的英文缩写:R(Resistor)及排阻RN 1.3 电阻器在电路符号:R 或WWW 1.4 电阻器的常见单位:千欧姆(KΩ), 兆欧姆(MΩ) 1.5 电阻器的单位换算: 1兆欧=103千欧=106欧 1.6 电阻器的特性:电阻为线性原件,即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比,通过 这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律:I=U/R。 表 1.7 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波(与电容器组合使用)和阻抗匹配等。 1.8 电阻器在电路中用“R”加数字表示,如:R15表示编号为15的电阻器。 1.9 电阻器的在电路中的参数标注方法有3种,即直标法、色标法和数标法。 a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百 分数表示,未标偏差值的即为±20%. b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路,在三为数码中,从左至右第一,二位数表示 有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表示(R表示0.)如:472 表示47×102Ω(即4.7K Ω);104则表示100KΩ、;R22表示0.22Ω、 122=1200Ω=1.2KΩ、 1402=14000Ω=14KΩ、R22=0.22Ω、 50C=324*100=32.4KΩ、17R8=17.8Ω、000=0Ω、 0=0Ω. c、色环标注法使用最多,普通的色环电阻器用4环表示,精密电阻器用5环表示,紧靠电阻体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色较多的另一端头为末环.现举例如下:如果色环电阻器用四环表示,前面两位数字是有效数字,第三位是10的倍幂, 第四环是 色环电阻器的误差范围(见图一) 四色环电阻器(普通电阻) 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数(10的倍幂) 允许误差 颜色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差黑0 0 0 10 棕 1 1 1 10±1% 红 2 2 2 10±2% 橙 3 3 3 10 黄 4 4 4 10

最常用的电子元器件及使用常识.

最常用的电子元器件及使用常识 电阻 电阻在电路中用“R” 加数字表示,如:R1表示编号为 1的电阻。电阻在电路中的主要作用为 分流、限流、分压、偏置等。 1、参数识别:电阻的单位为欧姆(Ω ,倍率单位有:千欧(KΩ ,兆欧(MΩ等。换算 方法是:1兆欧 =1000千欧 =1000000欧 电阻的参数标注方法有 3种,即直标法、色标法和数标法。 a 、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如: 472表示47×100Ω(即 4.7K ; 104则表示 100K b 、色环标注法使用最多,现举例如下: 四色环电阻五色环电阻(精密电阻 2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示: 颜色有效数字倍率允许偏差(% 银色 /x0.01±10 金色 /x0.1±5 黑色 0+0/ 棕色 1x10±1 红色 2x100±2

橙色 3x1000/ 黄色 4x10000/ 绿色 5x100000±0.5 蓝色 6x1000000±0.2 紫色 7x10000000±0.1 灰色 8x100000000/ 白色 9x1000000000/ 电容 1、电容在电路中一般用“C” 加数字表示(如 C13表示编号为 13的电容。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小, 电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πfc (f表示交流信号的频率, C 表示电容容量电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法 3种。电容的基本单位用法拉(F 表示,其它单位还有:毫法 (mF 、微法(uF 、纳法(nF 、皮法(pF 。其中:1法拉 =103毫法 =106微法 =109纳法 =1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明, 如 10uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法:1m=1000uF 1P2=1.2PF1n=1000PF数字表示法:一般用三位数字表示容量大小, 前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。如:102表示 10×102PF=1000PF224表示 22×104PF=0.22uF 3、电容容量误差

宁波电子元器件项目申报材料

宁波电子元器件项目 申报材料 仅供参考

承诺书 申请人郑重承诺如下: “宁波电子元器件项目”已按国家法律和政策的要求办理相关手续,报告内容及附件资料准确、真实、有效,不存在虚假申请、分拆、重复申请获得其他财政资金支持的情况。如有弄虚作假、隐瞒真实情况的行为,将愿意承担相关法律法规的处罚以及由此导致的所有后果。 公司法人代表签字: xxx集团(盖章) xxx年xx月xx日

项目概要 电容器在电子线路中的作用一般概括为:通交流、阻直流,具有滤波、旁路、耦合和快速充放电的功能,并具有体积小、储存电量大、成本低的 特性,随着现代科技的进步与电容器性能的不断提高,产品已广泛应用于 消费类电子产品、通信产品、电脑及周边产品、仪器仪表、自动化控制、 汽车工业、光电产品、高速铁路与航空及军事装备等。 电容器是三大电子被动元器件之一,是电子线路中不可缺少的基础元件,约占全部电子电子元件用量的40%。铝电解电容器依赖于其优异的性能、低廉的价格,占据了电容器30%以上的市场。目前来看铝电解电容器短期内尚不存在被完全替代的可能性,未来将继续成为汽车电子、消费电子及光 伏发电等领域的重要原器件。 该电容项目计划总投资15492.72万元,其中:固定资产投资12539.52万元,占项目总投资的80.94%;流动资金2953.20万元,占 项目总投资的19.06%。 达产年营业收入24523.00万元,总成本费用18779.14万元,税 金及附加277.08万元,利润总额5743.86万元,利税总额6813.20万元,税后净利润4307.89万元,达产年纳税总额2505.30万元;达产 年投资利润率37.07%,投资利税率43.98%,投资回报率27.81%,全部投资回收期5.10年,提供就业职位418个。

电力电子器件大全及使用方法详解(DOC 42页)

第1章电力电子器件 主要内容:各种二极管、半控型器件-晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数,器件的选取原则,典型全控型器件:GTO、电力MOSFET、IGBT,功率集成电路和智能功率模块,电力电子器件的串并联、电力电子器件的保护,电力电子器件的驱动电路。 重点:晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数,器件的选取原则,典型全控型器件。 难点:晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数。 基本要求:掌握半控型器件-晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数,熟练掌握器件的选取原则,掌握典型全控型器件,了解电力电子器件的串并联,了解电力电子器件的保护。 1 电力电子器件概述 (1)电力电子器件的概念和特征 主电路(main power circuit)--电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路; 电力电子器件(power electronic device)--可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件; 广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类。 两类中,自20世纪50年代以来,真空管仅在频率很高(如微波)的大功率高频电源中还在使用,而电力半导体器件已取代了汞弧整流器(Mercury Arc Rectifier)、闸流管(Thyratron)等电真空器件,成为绝对主力。因此,电力电子器件目前也往往专指电力半导体器件。 电力半导体器件所采用的主要材料仍然是硅。 同处理信息的电子器件相比,电力电子器件的一般特征: a. 能处理电功率的大小,即承受电压和电流的能力,是最重要的参数;

电子基础材料和关键元器件十二五规划

子规划1: 电子基础材料和关键元器件“十二五”规划

目录 前言 (1) 一、“十一五”产业发展回顾 (1) (一)产业规模稳步增长 (1) (二)企业实力进一步增强 (2) (三)生产技术水平持续提升 (3) (四)清洁生产稳步推进,循环经济初步发展 (4) (五)产业发展仍存在突出问题 (4) 二、“十二五”期间产业发展面临的形势 (5) (一)产业面临良好发展机遇 (5) (二)技术创新孕育新的突破 (5) (三)外部环境变化对产业的挑战日趋严峻 (6) (四)产业面临转型升级的迫切需要 (6) 三、产业发展的指导思想和目标 (7) (一)指导思想 (7) (二)发展目标 (7) 1、经济指标 (7) 2、结构指标 (7) 3、创新指标 (8) 4、节能环保指标 (8) 四、主要任务和发展重点 (8) (一)主要任务 (8) 1、推动产业升级 (8) 2、加强科技创新 (9) 3、统筹规划产业布局 (9) 4、加强自主品牌建设 (9) 5、促进产业协同发展 (10)

6、积极参与国际合作 (10) (二)发展重点 (10) 1、电子材料 (10) 2、电子元件 (12) 3、电子器件 (13) 五、政策措施和建议 (14) (一)加强政府引导,完善产业政策 (14) (二)发挥财政资金作用,创造良好投融资环境 (14) (三)提升产业创新能力,推动产业升级 (15) (四)优化产业布局,统筹规划区域发展 (15) (五)加强行业管理,促进产业健康发展 (15) (六)重视人才培养,积极参与国际交流合作 (16)

前言 电子材料和元器件是电子信息产业的重要组成部分,处于电子信息产业链的前端,是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础,对于电子信息产业的技术创新和做大做强有着重要的支撑作用。 为全面科学地总结“十一五”的发展经验,明确“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业的发展方向,确保产业健康发展,根据《工业转型升级“十二五”规划》、《信息产业“十二五”发展规划》和《电子信息制造业“十二五”发展规划》,制定本规划。 本规划涉及电子材料、电子元件、电子器件三大行业中的基础材料和关键元器件,是“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件,以及加强行业管理、组织实施重大工程的重要依据。 一、“十一五”产业发展回顾 (一)产业规模稳步增长 我国电子材料和元器件产业在“十一五”期间产量、销售额、进出口总额都有较大幅度提升,增强了我国作为基础电子生产大国的地位。虽然期间受金融危机冲击,产业经历小幅调整,但总体发展稳定。2010年,在国内行业整体增长特别是新兴产业快速发展的带动下,行业恢复发展到历

《电子元件与材料》版权声明

22 席国喜等:废旧电池溶胶-凝胶-水热耦合法制备Mn 0.6Zn 0.4Cr 0.4Fe 1.6 O 4 V ol.33 No.7 Jul. 2014 这说明溶胶-凝胶-水热耦合法能够制备出粒径分布 较为均匀的产物。 2.5 产物的结构表征 图5是在柠檬酸与金属离子的摩尔比为0.6:1,溶液pH=7,水热温度为240 ℃的条件下制备的产物的IR 谱。由图5可以看出在500~600 cm –1和400~450 cm –1各有一个吸收峰,其分别是四面体和八面体中Fe 3+—O 2–振动形成的[12]。这两个峰是Mn-Zn 铁氧体的特征吸收峰,进一步证明了具有尖晶石结构的Mn 0.6Zn 0.4Cr 0.4Fe 1.6O 4的形成。 图5 产物的红外吸收光谱 Fig.5 IR spectrum of the product 2.6 产物磁性能的表征 图6是在柠檬酸与金属离子的摩尔比为0.6:1,溶液的pH=7,水热温度为240 ℃的条件下制备的Mn 0.6Zn 0.4Cr 0.4Fe 1.6O 4的磁滞回线。由图6可知Mn 0.6Zn 0.4Cr 0.4Fe 1.6O 4晶体的剩余磁化强度为4.010 4 A ·m 2/kg ,矫顽力为41.786 kA/m ,饱和磁化强度为60.586 A ·m 2/kg 。分析这些数据可知:溶胶-凝胶-水热耦合法制备产品的饱和磁化强度已经明显高于 图6 产物的磁滞回线 Fig.6 The magnetic hysteresis loop of the product 、 其他方法制备的平均值(40 A ·m 2/kg )[13]。另外,该产物具有较高的起始磁导率和剩余磁化强度,适合应用于漏电保护器、饱和电感、信号及脉冲变压器、电流互感器、绝缘变压器等电子设备[14]。 3 结论 在柠檬酸与金属离子的摩尔比为0.6:1,溶胶的pH 值为7,水热温度为240 ℃的条件下采用溶胶-凝胶-水热耦合法可以制备出磁性能较好的铬掺杂的锰锌铁氧体。在该条件下所制备的产品的磁性能参数为:饱和磁化强度为60.586 A ·m 2/kg ,剩余磁化强度为4.010 4 A ·m 2/kg ,矫顽力为41.786 kA/m 。铬的掺杂并未影响锰锌铁氧体的相结构,反而提高了产品的磁性能。 参考文献: [1] DOUGAL R A, JING Z, GAO L. Analysis of an automatic energy recovery system for partially spent batteries [J]. J Power Sources, 2005, 140: 400-408. [2] SOUZA C C B M E, TENORIO J A S. Simultaneous recovery of zinc and manganese dioxide from household alkaline batteries through hydrometallurgical processing [J]. J Power Sources, 2004, 136: 191-196. [3] JONGNAM P, KWANGJIN A, YOSUN H, et al. Ultra-large-scale syntheses of monodisperse nanocrystals [J]. Nature, 1999, 400: 312-313. [4] 大内弘道. 废旧电池再资源化研究 [J]. 资源和素材, 2005, 111(14): 15-17. [5] 苏永庆, 王宇飞, 江力. 废干电池湿法综合回收工艺 [J]. 有色金属 (冶炼分册), 2000, 1: 15-17. [6] 刘银, 丘泰, 沈春英, 等. 纳米晶Co 1–x Ni x Fe 2O 4铁氧体的制备及Ni 2+ 对其磁性能的影响 [J]. 硅酸盐学报, 2007, 35(2): 160-163. [7] 彭传云, 吴春来, 娄向东. NiO/SnO 2纳米复合粉体的制备及其气敏性 能的研究 [J]. 传感器与微系统, 2010, 29(7): 24-26. [8] 肖利, 王春雄. 纳米CoFe 2O 4的制备中前驱体热分解过程研究[J]. 湖 南工业大学学报, 2010, 24(4): 1-4. [9] JIANG K Q, LI K K, PENG C H, et al. Effect of multi-additives on the microstructure and magnetic properties of high permeability Mn-Zn ferrite [J]. J Alloys Compd, 2012, 541: 472-476. [10] 席国喜, 张存芳, 路迈西. 废旧碱性电池共沉淀法制备锰锌铁氧体的 研究 [J]. 人工晶体学报, 2006, 35(2): 373-377. [11] ANWAR H, MAQSOOD A. Enhancement of electrical and magnetic properties of Cd 2+ doped Mn-Zn soft nanoferrites prepared by the sol-gel autocombustion method [J]. J Magn Magn Mater, 2013, 333: 46-52. [12] ZHANG X Z, SUN W. Microwave absorbing properties of double-layer cementitious composites containing Mn-Zn ferrite [J]. Cem Concr Compos, 2010, 32: 726-730. [13] GIMENES R, BALDISSERA M R, SILV A M R A D, et al. Structural and magnetic characterization of Mn x Zn 1-x Fe 2O 4 (x =0.2; 0.35; 0.65; 0.8; 1.0) ferrites obtained by the citrate precursor method [J]. Ceram Int, 2012, 38: 741-746. [14] 张伯军, 华杰, 刘梅, 等. 纳米复合材料Co 0.5Ni 0.5Fe 2O 4-SiO 2的显微 结构和磁性 [J]. 硅酸盐学报, 2008, 36(3): 292-295. (编辑:邓学敏) T / %

《电子元件与材料》投稿须知

《电子元件与材料》投稿须知刊名:电子元件与材料 Electronic Components and Materials 主办:中国电子学会;中国电子元件行业协会周期:月刊 出版地:四川省成都市 语种:中文; 开本:大16开 ISSN:1001-2028 CN:51-1241/TN 邮发代号:62-36 历史沿革: 现用刊名:电子元件与材料 创刊时间:1982 该刊被以下数据库收录: CA 化学文摘(美)(2009) SA 科学文摘(英)(2009)

投稿须知: 1 稿件要求 ﹡论点明确、论证严谨、数据可靠、层次分明、重点突出、文字简练。研究论文:含图表在内一般6000字左右;技术简报一般2000字左右;专题综述一般8000字左右(综述文的撰写者一般应是正在从事该领域研究工作的专家,内容需包括作者对本人或本课题组研究工作的评述)。 ﹡文章格式必须用word格式(本刊使用Word 2003);文字用宋体五号,行距 1.0,除中、英文摘要外,文章主体部分分为两栏。按“中文标题、作者、单位、摘要、关键词,英文标题、作者、单位、摘要、关键词,正文(致谢)、参考文献”的顺序撰写。图、表置于文中适当位置。首页下方按“收稿日期、基金项目、作者简介”顺序列出。详见“模版/样版”。 ﹡标题要简单明了,突出主题和创新亮点。中文标题一般不超出20字。中英文标题相符合。 ﹡中英文摘要研究成果论文应按三要素(研究的问题,过程和方法,结论)写出200字左右的信息性摘要。综述文章可写指示性或信息/指示性摘要,150字左右。关键词(中英文)要求直扣主题,3~8个。给出中图分类号。详见《中英文摘要书写要求》。 ﹡图表给出简明的中、英文图题和表题,图表应有自明性,

常用电子元器件培训资料

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号

二.半导体管 三.其它电气图形符号

第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一.电阻器和电位器 1.电阻器和电位器的型号命名方法 示例: (1)精密金属膜电阻器 R J7 3 第四部分:序号 第三部分:类别(精密) 第二部分:材料(金属膜) 第一部分:主称(电阻器) (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分:序号 第三部分:类别(多圈) 第二部分:材料(线绕) 第一部分:主称(电位器)

2.电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏,或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率,而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率,如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一,不同类型的电阻,阻值范围不同,不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准,常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3.电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值,其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω,2K7表示2.7kΩ, 表5

例如: RJ71-0.125-5k1-II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知,它是精密金属膜电阻器,额定功率为1/8W,标称阻值为5.1kΩ,允许误差为±10%。 (2)色标法:色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值(允许误差均为±20%)。例如,色环为棕黑红,表示10?102=1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值(二位有效数字)及精度。例如,色环为棕绿橙金表示15?103=15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值(三位有效数字)及精度。例如,色环为红紫绿黄棕表示275?104=2.75MΩ±1%的电阻器。

电力电子器件的发展及应用

电力电子器件的发展及应用 研1506 苏智清 摘要:本文简单介绍了电力技术的分类, 回顾了电力电子技术及其器件的发展过程, 说明了现在主流的电力电子器件的工作原理、应用范围及其优缺点, 探讨了在本世纪中新型电力电子器件的应用。 关键词:复合型电力电子器件;新型材料的电力电子器件;电力电子器件的应用 1引言 电力电子学是电工学的一个分支,是由电力系统、控制理论与电子学等学科共同发展起来的一个新型边缘性学科。电力电子学的主要特点是具有很强的应用性,同时与其他学科有着很好的交叉融合性,这也是电力电子学的基础理论与应用技术能够在短短几十年间飞速发展的一个相当重要的因素。目前,电力电子技术的应用已经从机械、石化、纺织、冶金、电力、铁路、航空、航海等一系列领域,进一步扩展到汽车、现代通信、家用电器、医疗设备、灯光照明等各个领域。进入 21 世纪,伴随着新理论、新器件、新技术的不断涌现,尤其是与微电子技术的日益融合,电力电子技术作为信息产业和传统产业之间的桥梁,在国民经济中必将占有越来越重要的地位,在各领域中的应用也必将不断得到拓展。 2电力电子器件的发展 2.1半控型器件 上世纪50年代,美国通用电气公司发明世界上第个晶闸管,标志电力电子技术的诞生。此后,晶闸管得到了迅速发展,器件容量越来越大,性能得到不断提高,并产生大量派生器件,如快速晶闸管逆导晶闸管等等。

但是,晶闸管作为半控型器件,只能通过门极导通,不能控制关断。要关断必须通过强迫换相电路,从而装置体积增大,复杂程度提高,效率降低。另外,晶闸管为双极型器件,有少子效应,所以工作频率低,由于这些原因,使得晶闸管的应用受到限制。 虽然晶闸管有以上缺点,但由于它的大电压大电流特性,使在高压直流输电静止无功补偿,大功率和高压变频调速等方面仍占有重要位置。2.2全控型器件 2.2.1门极可关断晶闸管(GTO) GTO有对称,非对称和逆导三种类型。对称GTO通态压降小,抗浪涌能力强,易于提高耐压能力。逆导型GTO是在同一芯片上将GTO与整流二极管反并联制成的集成器件,不能承受反向电压,主要用于中等容量的牵引驱动中。 在当前各种自关断器件中,GTO容量做大,工作最低。GTO是电流控制型器件,因而关断需要很大的反向驱动电流。目前,GTO在低于2000V某些领域被GTR和IGBTDE所替代,但在大功率电力牵引有明显优势。 2.2.2大功率晶体管(GTR) GTR是一种电流控制的双极双结电力电子器件,它既具备晶体管的固有特性,又增加功率容量,因此,由它组成的电路灵活,成熟,开关损耗小,开关时间短,在电源电机控制,通用逆变器等中等容量,中等频率的电路中广泛应用。GTR的缺点驱动电流较大,耐浪涌电流能力差,易受二次击穿损坏。在开关电源GTR渐渐被功率MOSFET和IGBT代替。 2.2.3功率MOSFET

常用电子元件的功能

常用电子元件的功能 电子元件(1)<电阻> 电阻在电路中用“R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为:分流、限流、分压、偏置等。#1、参数识别:电阻的单位为欧姆(Ω),倍率单位有:千欧(KΩ),兆欧(MΩ)等。换算方法是:1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种,即直标法、色标法和数标法。a、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如:472 表示47×100Ω(即4.7K);104则表示100K b、色环标注法使用最多,现举例如下:四色环电阻五色环电阻(精密电阻)#2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示:颜色有效数字倍率允许偏差(%)银色/ x0.01 ±10 金色/ x0.1 ±5 黑色0 +0 / 棕色 1 x10 ±1 红色 2 x100 ±2 橙色 3 x1000 / 黄色4 x10000 / 绿色5 x100000 ±0.5 蓝色6 x1000000 ±0.2 紫色7 x10000000 ±0.1 灰色8 x100000000 / 白色9 x1000000000 / 电子元件(2)<电容> #1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能

贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。#2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。如:102表示10×102PF=1000PF 224表示 22×104PF=0.22 uF #3、电容容量误差表符号F G J K L M 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如:一瓷片电容为104J 表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。 电子元件(3)<晶体二极管> 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的二极管。#1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。

常用电子元件资料全

第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一.电阻器和电位器 1.电阻器和电位器的型号命名方法 (1)精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分:序号 第三部分:类别(精密) 第二部分:材料(金属膜) 第一部分:主称(电阻器) (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分:序号 第三部分:类别(多圈) 第二部分:材料(线绕) 第一部分:主称(电位器) 2 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏,或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率,而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功

(2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一,不同类型的电阻,阻值围不同,不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准,常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3.电阻器的标志容及方法 (1)文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值,其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5W,2K7表示2.7kW, RJ71-0.125-5k1-II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kW) 额定功率1/8W 型号 1/8W,标称阻值为5.1kW,允许误差为±10%。 (2)色标法:色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义

各种常用电子元件符号及其名称【全】资料

各种常用电子元件符号 二极管变容二极管 表示符号:D 表示符号:D 双向触发二极管稳压二极管 表示符号:D 表示符号:ZD,D 稳压二极管桥式整流二极管表示符号:ZD,D 表示符号:D

肖特基二极管隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管 发光二极管双色发光二极管 表示符号:LED 表示符号:LED 光敏三极管或光电接收三极管单结晶体管(双基极二极管)表示符号:Q,VT 表示符号:Q,VT

复合三极管NPN型三极管 表示符号:Q,VT 表示符号:Q,VT PNP型三极管PNP型三极管 表示符号:Q,VT 表示符号:Q,VT NPN型三极管带阻尼二极管NPN型三极管表示符号:Q,VT 表示符号:Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管 表示符号:Q,VT 表示符号:Q,VT

带阻尼二极管IGBT 场效应管 表示符号:Q,VT 电子元器件符号图形 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS

电阻电阻器或固定电阻表示符号:R 电阻电阻器或固定电阻表示符号:R 电位器可调电阻 表示符号:VR,RP,W 表示符号:VR,RP,W 电位器可调电阻 表示符号:VR,RP,W 表示符号:VR,RP,W 三脚消磁电阻二脚消磁电阻 表示符号:RT 表示符号:RT 压敏电阻表示符号:RZ,VAR 热敏电阻表示符号:RT

光敏电阻电容(有极性电容)CDS 表示符号: 电容(有极性电容)可调电容 表示符号:C 表示符号:C 电容(无极性电容)四端光电光电耦合器 表示符号:C 表示符号:IC,N 六端光电光电耦合器 表示符号:IC,N 电子元器件符号图形

各种电力电子器件技术特点的比较及应用

《电力牵引交流传动及其控制系统》报告——各种电力电子器件技术特点的比较及其应用

电力电子器件及其应用装置已日益广泛,这与近30 多年来电力电子器件与电力电子技术的飞速发展和电力电子的重要作用密切相关。20 世纪80 年代以后,电力电子技术等)的飞速发展,给世界科学技术、经济、文化、军事等各方面带来了革命性的影响。电子技术包含两大部分:信息电子技术(包括:微电子、计算机、通信等)是实施信息传输、处理、存储和产生控制指令;电力电子技术是实施电能的传输、处理、存储和控制,保障电能安全、可靠、高效和经济地运行,将能源与信息高度地集成在一起。 事实表明,无论是电力、机械、矿冶、交通、石油、能源、化工、轻纺等传统产业,还是通信、激光、机器人、环保、原子能、航天等高技术产业,都迫切需要高质量、高效率的电能。而电力电子正是将各种一次能源高效率地变为人们所需的电能,实现节能环保和提高人民生活质量的重要手段,它已经成为弱电控制与强电运行之间、信息技术与先进制造技术之间、传统产业实现自动化、智能化改造和兴建高科技产业之间不可缺少的重要桥梁。而新型电力电子器件的出现,总是带来一场电力电子技术的革命。电力电子器件就好像现代电力电子装置的心脏,它对装置的总价值,尺寸、重量、动态性能,过载能力,耐用性及可靠性等,起着十分重要的作用。因此,新型电力电子器件及其相关新型半导体材料的研究,一直是电力电子领域极为活跃的主要课题之一。 一个理想的功率半导体器件,应当具有下列理想的静态和动态特性:在阻断状态,能承受高电压;在导通状态,能导通高的电流密度并具有低的导通压降;在开关状态和转换时,具有短的开、关时间,能承受高的d i/d t 和d u/d t,具有低的开关损耗;运行时具有全控功能和良好的温度特性。自20 世纪50 年代硅晶闸管问世以后,功率半导体器件的研究工作者为达到上述理想目标做出了不懈努力,并已取得了世人瞩目的成就。早期的大功率变流器,如牵引变流器,几乎都是基于晶闸管的。到了20 世纪80 年代中期,4.5kV 的可关断晶闸管得到广泛应用,并成为在接下来的10 年内大功率变流器的首选器件,一直到绝缘栅双极型晶体管的阻断电压达到 3.3kV 之后,这个局面才得到改变。与此同时,对GTO 技术的进一步改进导致了集成门极换流晶闸管的问世,它显示出比传统GTO 更加显著的优点。目前的GTO 开关频率大概为500Hz,由于开关性能的提高,IGCT 和功率IGBT 的开通和关断损耗都相对较低,因此可以工作在1~3kHz 的开关频率下。至2005 年,以晶闸管为代表的半控型器件已达到70MW/9000V 的水平,全控器件也发展到了非常高的水平。当前,硅基电力电子器件的水平基本上稳定在109~1010WHz 左右,已逼近了由于寄生二极管制约而能达到的硅材料极限,不难理解,更高电压、更好开关性能的电力电子器件的出现,使在大功率应用场合不必要采用很复杂的电路拓扑,这样就有效地降低了装置的故障率和成本。 1电力电子器件 电力电子器件又称为功率半导体器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)。 电力电子器件目前的制约因素有耐压,电流容量,开关的速度。电力电子器件的分类多种多样。按照电力电子器件的开关控制能力,电力电子器件可分为三类:不可控器件、半控型器件、全控型器件。按照驱动电路加在电力电子器件控

相关文档
最新文档