HSJ08电机驱动芯片数据手册_V1.2
1.8A7..2V的低压H桥驱动芯片
单通道内置功率MOS 全桥驱动驱动前进、后退、停止及刹车功能内置迟滞热效应过热保护功能低导通电阻(0.5Ω/1000mA )最大连续输出电流可达 1.8A,峰值 2.5A 无需外围大滤波电容，只需小贴片电容采用DIP-8、SOP-8封装形式玩具马达驱动电子锁电动牙刷电动茶具OUTAPGNDAGNDOUTBSOP-8X118AH注：最大连续输出电流视散热条件而定。
7.211234876512348765DIP-8X118DOUTAPGNDAGNDOUTBNCINAINBVDDNCINAINBVDD(Ta=25℃)电源电压VCC 2.0~7.2V 控制输入电压VIN 0~VCC V 正、反转输出电流Iout-1500~1500A(Ta=25℃，VCC=3V，RL=15Ω，特殊说明除外。
)电路待机电流I CCST INA=INB=GND/VDD=6V —010A 工作电流I CCINA=H,INB=Lor INA=L,INB=H or INA=H,INB=H/VDD=6V—0.31A高电平输入电压V INH 2.0——V 低电平输入电压V INL ——0.8V 高电平输入电流I INH VIN=3V —520A 低电平输入电流I INL VIN=0V-10—A 下拉电阻R IN—15—KΩPWM 频率—3040KHz输出导通阻抗R ONIo=±1000mA/5V—10.5ΩINA 、INB 内置下拉电阻121520ΩPWM 频率—3040KHz热关断温度点TSD --150--℃热关断温度迟滞TSDH--20--/INA INB OUTA OUTB L L Hi-Z Hi-Z 待命状态H L H L 前进L H L H 后退HHLL刹车m u m u u kPCBINAINB VDDOUTA GND2GND1OUTBC1220uF C4104pF注：在不同的应用中，C1、C2可考虑只装一个：在3V 应用中建议用一个1uF 或以上；在 4.5V 应用中建议用一个 4.7uF 或以上,均为使用贴片电容；在6V 应用中建议用一个大电容220uF+100nF 贴片电容；C2均靠近IC 之VDD 管脚放置且电容的负极和IC 的GND 端之间的连线也需尽量短。
双全桥步进电机专用驱动芯片L298中文资料
双全桥步进电机专用驱动芯片L298中文资料
双全桥步进电机专用驱动芯片( Dual Full-Bridge Driver )L298中文资料
L298N 为SGS-THOMSON Microelectronics 所出产的双全桥步进电机专用驱动芯片( Dual Full-Bridge Driver ) ，内部包含4信道逻辑驱动电路，是一种二相
和四相步进电机的专用驱动器，可同时驱动2个二相或1个四相步进电机，内含二个H-Bridge 的高电压、大电流双全桥式驱动器，接收标准
TTL逻辑准位信号，可驱动46V、2A以下的步进电机，且可以直接透过电源来调节输出电压；此芯片可直接由单片机的IO端口来提供模拟时序信号，
但在本驱动电路中用L297 来提供时序信号，节省了单片机IO 端口的使用。
L298N 之接脚如图9 所示，Pin1 和Pin15 可与电流侦测用电阻连接来控制负载的电路； OUTl、OUT2 和OUT3、OUT4 之间分别接2 个步进电机；input1~input4 输入控制电位来控制电机的正反转；Enable 则控制电机停转。
图9 L298引脚图
图10 L298 内部逻辑图
L298 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 绝对最大额定值：
L298 PIN FUNCTIONS (refer to the block diagram) 引脚功能（请参阅框图）：
L298 ELECTRICAL CHARACTERISTICS(VS=42V;VSS=5V,Tj=25℃; unless otherwise specified)电气特性：
图11 L298 外形图。
08D励磁系统说明书
08D型励磁系统用户手册版本号：Ver1.1武汉洪山电工科技有限公司 Wuhan Hongshan Electrical Science & Technology Co.， Ltd更改记录名称版本号编写审核日期08D用户手册Ver 1.1 陈秋林2011年8月25日目 录第一章 概 述 (1)第二章 安装指导 (13)第三章 励磁调节柜说明 (31)第四章 整流柜说明 (85)第五章 灭磁及过电压保护柜说明 (119)第六章 励磁系统操作说明 (133)第七章 励磁系统维护及故障处理 (157)第一章 概 述版本号：Ver1.1武汉洪山电工科技有限公司Wuhan Hongshan Electrical Science & Technology Co.， Ltd1武汉洪山电工科技有限公司2武汉洪山电工科技有限公司目 录第一章 概 述 (5)1.1、公司介绍 (5)1.2、手册使用 (7)1.3、重要提示 (8)1.4、安全规定 (8)1.5、对运行人员的要求 (8)1.6、对维护人员的要求 (8)1.7、紧急情况处理 (9)1.8、火灾处理 (9)1.9、适用范围 (9)1.10、典型系统说明 (9)1.11、采用的标准和规范 (11)1.12、制造商联系方式 (12)武汉洪山电工科技有限公司34武汉洪山电工科技有限公司第一章 概 述1.1、公司介绍武汉洪山电工科技有限公司成立于1988年，是专业从事励磁产品的研究、开发、生产、销售的行业优秀企业，也是国内励磁市场的主要供应商之一，企业规模居国内同行业前列，全系列的励磁产品覆盖各种励磁方式和国内外大中小型发电机组。
创立伊始，洪山电工就已树立“高可靠性是励磁产品的生命线”的发展理念，并贯彻至产品研发、设计、生产、调试、服务等各项环节。
经二十年不懈努力，我公司励磁产品已覆盖自并激励磁方式、自复激励磁方式、三机励磁方式、两机励磁方式、无刷励磁方式、高起始励磁方式、直流励磁机励磁方式、抽水蓄能机组励磁方式、电动机励磁方式等各种励磁方式，机组容量从100千瓦到100万千瓦，是国内唯一投入实际运行过所有励磁方式的专业厂家。
ERJ-S08F2432V中文资料(panasonic)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
× Resistance Values, or Limiting Element Voltage × Power Rating or max. Overload Voltage listed above
Type
（英制）
ERJS6S (0805) ERJS6Q (0805)
PowerRating电阻
在70℃下 公差
Ambient Temperature (°C)
Type: ERJ S02,S03,S06,S08,S14中 S12中,S1D,S1T（Au类内电极型）
Type: ERJ S6S,S6Q（银钯基内电极型）
Type: ERJ U01, U02, U03, U06, U08, U14, U12,U1D,U1T（银钯基内电极型）
■ 特征
● 高抗硫化通过采用金基内电极来实现（ERJS0 / S1型）
ERJS1T ERJU1T (2512)
额定功率
在70℃下 (W) 0.05 0.1
0.1
0.125
0.25
0.5
0.75
0.75
1.0
限制 因素 电压
(V) 25 50
75
150
200
200
200
200
200
极大 超载 电压
(V) 50 100
150
200
400
400
500
500
500
抵抗性 公差
Example: 222 2.2 k, 1002 10 k
Packaging Methods
Code Packaging C 2 mPrmesspeitdchC,a1r5ri,e0r0T0appcins.g
ERJ-S080R00V;ERJ-S08J512V;ERJ-S08J471V;ERJ-S08J432V;ERJ-S08J433V;中文规格书,Datasheet资料
&132+34456'7891011712Thick Film Chip Resistors Product CodeSize, Power Rating Type: inchU01 : 0201S02: 0402U02S03: 0603U03S06: 0805U06S08: 1206U080.05 W 0.1 W 0.1 W 0.125 W0.25 WPower R.Resistance Tolerance Code F J 0Tolerance ± 1 %± 5 %JumperThe first two or three digits are significant figures ofresistance and the third or 4th one denotes number of zeros following. Jumper is expressed by R00.Three digit type (±5%), four digit type (±1%) Example: 222 2.2 k ?, 1002 10 k ?Resistance ValueType: inchS14: 1210U14S12: 1812U12S1D: 2010U1D S1T:2512U1T 0.5 W 0.75 W 0.75 W1 WPower R.Packaging MethodsCode Packaging TypePressed Carrier Taping2 mm pitch, 15,000 pcs.ERJU01Embossed Carrier Taping4 mm pitch, 4,000 pcs.Embossed Carrier Taping 4 mm pitch, 5,000 pcs.ERJS1T, ERJU1TERJS03, ERJU03ERJS06, ERJU06ERJS08, ERJU08ERJS14, ERJU14ERJS12, ERJU12ERJS1D, ERJU1D ERJS02, ERJU02C Punched Carrier Taping2 mm pitch, 10,000 pcs.X Punched Carrier Taping 4 mm pitch, 5,000 pcs.V U4+3 7&132+344567891011Type: inch S6: 08050.25 W Power R.Code S Q Resistance Value 0.1? to 0.2?0.22? to 1?Resistance ToleranceCode FGJTolerance±1 %±2 %±5 %Packaging Methods Code TypePackagingShown by 3 digits orletters.(Example)R20 : 0.20 ?=200 m ? 1R0 : 1.00 ?=1000 m ?Resistance Value ERJS6Res. Value Punched Carrier Taping4 mm pitch, 5,000 pcs.VThick Film Chip ResistorsProduct CodeSize, Power Rating Anti-Sulfurated Thick Film Chip Resistors ERJ S : 0402, 0603, 0805, 1206, 1210,1812, 2010, 2512ERJ S6 : 0805ERJ U : 0201, 0402, 0603, 0805, 1206,1210, 1812, 2010, 2512Type: E RJ S02, S03, S06, S08, S14S12, S1D, S1T (Au-based inner electrode type)Type: E RJ S6S, S6Q (Ag-Pd-based inner electrode type)Type: E RJ U01, U02, U03, U06, U08, U14,U12, U1D, U1T (Ag-Pd-based inner electrode type)■ Features● High resistance to sulfurization achieved by adopting an Au-based inner electrode (ERJS0/S1 type) and Ag-Pd-based inner electrode (ERJS6, ERJU type)● High reliabilityMetal glaze thick fi lm resistive element and three layers of electrodes ● Suitable for both refl ow and fl ow soldering● Low Resistance type …ERJS6S, S6Q : 0.1 Ω to 1.0 Ω● Reference Standard …IEC 60115-8, JIS C 5201-8, EIAJ RC-2134B ● RoHS compliant■ Explanation of Part Numbers● ERJS0, S1, U 0, U1 Series● ERJS6S, S6Q SeriesPackaging Methods, Land Pattern, Soldering Conditions and Safety PrecautionsPlease see Data Files分销商库存信息:PANASONICERJ-S080R00V ERJ-S08J512V ERJ-S08J471V ERJ-S08J432V ERJ-S08J433V ERJ-S08J434V ERJ-S08J470V ERJ-S08J472V ERJ-S08J430V ERJ-S08J473V ERJ-S08J474V ERJ-S08J510V ERJ-S08J511V ERJ-S08J431V ERJ-S08J332V ERJ-S08J394V ERJ-S08J393V ERJ-S08J360V ERJ-S08J331V ERJ-S08J514V ERJ-S08J333V ERJ-S08J334V ERJ-S08J362V ERJ-S08J361V ERJ-S08J392V ERJ-S08J363V ERJ-S08J364V ERJ-S08J390V ERJ-S08J391V ERJ-S08J513V ERJ-S08J100V ERJ-S08J560V ERJ-S08J822V ERJ-S08J753V ERJ-S08J754V ERJ-S08J820V ERJ-S08J821V ERJ-S08J824V ERJ-S08J823V ERJ-S08J751V ERJ-S08J910V ERJ-S08J911V ERJ-S08J912V ERJ-S08J913V ERJ-S08J752V ERJ-S08J684V ERJ-S08J750V ERJ-S08J561V ERJ-S08J621V ERJ-S08J562V ERJ-S08J563V ERJ-S08J564V ERJ-S08J620V ERJ-S08J623V ERJ-S08J622V ERJ-S08J683V ERJ-S08J624V ERJ-S08J680V ERJ-S08J681V ERJ-S08J682V ERJ-S08J330V ERJ-S08J102V ERJ-S08J304V ERJ-S08J150V ERJ-S08J131V ERJ-S08J132V ERJ-S08J133V ERJ-S08J134V ERJ-S08J152V ERJ-S08J151V ERJ-S08J124V ERJ-S08J153V ERJ-S08J154V ERJ-S08J160V ERJ-S08J161V ERJ-S08J130V ERJ-S08J123V ERJ-S08J163V ERJ-S08J110V ERJ-S08J103V ERJ-S08J104V ERJ-S08J105V ERJ-S08J112V ERJ-S08J111V ERJ-S08J122V ERJ-S08J113V ERJ-S08J114V ERJ-S08J120V ERJ-S08J121V ERJ-S08J162V ERJ-S08J180V ERJ-S08J164V ERJ-S08J303V ERJ-S08J271V ERJ-S08J242V ERJ-S08J243V ERJ-S08J244V ERJ-S08J270V ERJ-S08J273V ERJ-S08J272V ERJ-S08J240V ERJ-S08J274V ERJ-S08J300V ERJ-S08J301V ERJ-S08J302V ERJ-S08J241V ERJ-S08J224V ERJ-S08J181V ERJ-S08J201V ERJ-S08J182V ERJ-S08J183V ERJ-S08J184V ERJ-S08J200V ERJ-S08J203V ERJ-S08J202V ERJ-S08J223V ERJ-S08J204V ERJ-S08J220V ERJ-S08J221V ERJ-S08J222V ERJ-S08J914V ERJ-S08J101V ERJ-S08F1000V ERJ-S08F1001V ERJ-S08F1002V ERJ-S08F1003V ERJ-S08F1004V ERJ-S08F1020V ERJ-S08F1021V。
L298N大功率电机驱动模块使用手册
第四步 1 1 1 0 0 1 1 1
返回第一步 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回
4.3 控制换相顺序
两相四线步进电机的四拍工作方式，其各相通电顺序为(A+,B+,A-,B-,)依次循环。(通电 控制脉冲必须严格按照这一顺序分别控制 A,B 相的通断。)
4.4 控制步进电机的转向
如果给定工作方式正序换相通电，步进电机正转，如果按反序通电换相，则电机就反转。 如：正转通电顺序是：（A+,B+,A-,B-, 依次循环。）则反转的通电顺序是：（依 B-,A-,B+,A+ 次循环。）
特别适合要求运行平稳、低噪音、响应快、使用寿命长、高输出扭矩的应用场合。
三、电机驱动问题
1)为什么要采用光电隔离的设计方案？
答：不用光电隔离的驱动模块坏了，可能会烧坏控制部分的电路(如 CPU 等)。用了光电 隔离电路,输入与输出没有直接相连，不但可以保护控制部分电路的安全，而且还可以防止 了电机的感应电压不能干扰控制电路，这样从而抗干扰能力强。
日期：2010-09-10
6/7
新动力电子
L298N 电机驱动模块使用手册
/
// PWM 输出低电平有效(占空比 xxx%) ========================================================*/ #include<reg52.h> //===========输入按键======================== sbit KEY_M1_SW = P1^0; //M1:启动或停止 sbit KEY_M1_DR = P1^1; //M1:正转或反转 sbit KEY_M1_ADD = P1^2; //M1:PWM 加一 sbit KEY_M1_SUB = P1^3; //M1:PWM 减一
国产工业级处理器GSC3280数据手册
北京神州龙芯集成电路设计有限公司 版权所有
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GSC3280 数据手册
图Байду номын сангаас录
图 1-1 GSC3280 结构框图........................................................................................................5 图 2-1 GSC3280 LFBGA256 封装顶视图与底视图...................................................................6 图 2-2 GSC3280 LFBGA256 封装侧视图与剖面图...................................................................7 图 2-3 GSC3280 LFBGA256 封装效果图（底视图）...............................................................8 图 3-1 仅使用内部上电复位电路的复位时序.....................................................................27 图 3-2 复位引脚 sys_rstn 外接上电复位电路的复位时序..................................................28 图 3-3 复位引脚 sys_rstn 连接手动复位的复位时序...........................................................28 图 3-4 GSC3280 不同电源域上电顺序 ..................................................................................28 图 4-1 JTAG 工作时序.............................................................................................................29 图 4-2 DDR2 SDRAM 读操作时序 ..........................................................................................30 图 4-3 DDR2 SDRAM 写操作时序 ..........................................................................................31 图 4-4 NAND Flash 控制器写命令时序 .................................................................................31 图 4-5 NAND Flash 控制器写地址时序 .................................................................................32 图 4-6 NAND Flash 控制器写数据时序 .................................................................................32 图 4-7 NAND Flash 控制器读数据时序 .................................................................................32 图 4-8 EMI 读时序参数 ..........................................................................................................33 图 4-9 EMI 读时序图 ..............................................................................................................33 图 4-10 EMI 写时序图 ............................................................................................................34 图 4-11 EMI burst 读时序图...................................................................................................34 图 4-12 EMI burst 写时序图...................................................................................................35 图 4-13 MDIO 接口时序图 .....................................................................................................35 图 4-14 MII 模式发送接口时序图 .........................................................................................36 图 4-15 MII 模式接收接口时序图 .........................................................................................36 图 4-16 RMII 模式接口时序图 ...............................................................................................37 图 4-17 SD/SDIO 接口时序图.................................................................................................38 图 4-18 LCD 接口时序图 ........................................................................................................38 图 4-19 SPI 接口时序图（CPHA=0）.....................................................................................39 图 4-20 SPI 接口时序图（CPHA=1）.....................................................................................40 图 4-21 I2C 接口时序图 .........................................................................................................42 图 4-22 I2S 接口信号时序图..................................................................................................42
HSJ08电机驱动芯片数据手册-V1.2
VDD
VDD
VDD
VDD
OFF
OFF
ON
OFF
PD
1
结到环境热阻
SOP8 封装
θJAS
123
工作温度范围
Topr
-20~+85
结温
TJ
150
储存温度
Tstg
-55~+150
焊接温度
TLED
260℃，10 秒
ESD(注 3) 注：(1)、不同环境温度下的最大功耗计算公式为: PD=(150℃-TA)/θJA
3000
TA 表示电路工作的环境温度，θJA 为封装的热阻。150℃表示电路的最高工作结温。 (2)、电路功耗的计算方法:P =I *R 2 其中 P 为电路功耗，I 为持续输出电流，R 为电路的导通内阻。电路功耗 P 必须小于最大功耗 PD
4.7uF/16V~100uF/16V
1 VCC
OUTA 8
HSJ08 2 INA
PGND 7
3 INB
AGND 6
4 VDD
OUTB 5
200 转向电机驱动
M
0.1uF
M
0.1uF
2-6节电池
图 2 2-6 节电池供电玩具遥控车马达驱动应用线路图 如图 2 所示的马达驱动应用线路图，其中转向轮驱动电流较小，可选择 HSJ08 作为驱动电路。后轮马达驱 动电流较大，可根据具体要求选择我公司其他产品，如 HSJ12、 HSJ18。 图 2 中的 VDD 对地去耦电容应根据实际使用情况选择容值。VDD 电压越高，马达电流越大，电容容值越大。
UI2008说明书
非经过本公司书面同意，用户不得打开仪器外壳，这将会影响到仪器的 保修。
仪器维修应由我公司授权的专业技术人员进行；维修时请不要擅自更换 仪器内部器件；仪器维修后，需重新计量校准，以免影响测试精度。由于用 户盲目维修，更换仪器部件而造成仪器损坏，不属保修范围，用户应承担维 修费用。
UI2008 智能电参数测量仪 使 用 手 册
___________________________________________
-2-
前言
感谢您购买ＵＩ２００８ ，在您使用本仪器之前，请首先确认下一页“装箱清 单”中所列的所有配件是否齐全，若发现配件不齐，或有错误，请尽快与我公 司或我们的代理商联系，以维护您的权益。
被测电流信号通过电流传感器后，信号转换为弱电压信号，同被测电压 一样，经过程控放大、采样保持、A/D 转换，在微型计算机里计算出电流真 有效值（IRMS）后并显示。
电压真有效值（URMS）、电流真有效值（IRMS）、有功功率（P）、功率因 数（PF）按如下公式计算：
U RM S =
Σ 1
N
N (U i)2
智 能 电 参 数 测 量 仪/D IG ITA L PO WER MET ER 电 压/V OLT AG E
电源 POW ER
OFF
功 率/P OWE R
电 流/CU RR EN T
V
A
功 率 因 数/P OW ER F AC TOR
W
88.2 104.2
48
356
28.5
图 2 外形尺寸图
-8-
在被测电压或电流有高频成分，或者测量大电流时，接线时应注意可能 会产生相互干扰和噪音，影响测量精度。
低压8位常电流LED接驱动器数据手册说明书
This is information on a product in full production.June 2018DocID13405 Rev 61/32STP08DP05Low voltage 8-bit constant current LED sink with full outputs errordetectionDatasheet - production dataFeatures∙Low voltage power supply down to 3 V ∙8 constant current output channels ∙Adjustable output current through external resistor ∙Short and open output error detection ∙Serial data IN/parallel data OUT ∙ 3.3 V micro driver-able ∙Output current: 5-100 mA ∙30 MHz clock frequency∙Available in high thermal efficiency TSSOP exposed pad ∙ESD protection 2.5 kV HBM, 200 V MMDescriptionThe STP08DP05 is a monolithic, low voltage, low current power 8-bit shift register designed for LED panel displays. The STP08DP05 contains a 8-bitserial-in, parallel-out shift register that feeds a 8-bitD-type storage register. In the output stage, eight regulated current sources were designed to provide 5-100 mA constant current to drive the LEDs.The STP08DP05 is backward compatible in the functionality and footprint with STP8C/L596 and extends its functionality with open and short detection on the outputs. The detection circuit checks 3 different conditions that can occur on the output line: short to GND, short to V O or open line. The data detection results are loaded in the shift register and shifted out via the serial line output.The detection functionality is implemented without increasing the pin number, through a secondary function of the output enable and latch pin (DM1 and DM2 respectively), a dedicated logicsequence allows the device to enter or leave from detection mode. Through an external resistor, users can adjust the STP08DP05 output current, controlling in this way the light intensity of LEDs, in addition, user can adjust LED’s brightness intensity from 0% to 100% via OE/DM2 pin.The STP08DP05 guarantees a 20 V outputdriving capability, allowing users to connect more LEDs in series. The high clock frequency,30MHz, also satisfies the system requirement of high volume data transmission. The 3.3 V of voltage supply is well useful for applications that interface any micro from 3.3 V. Compared with a standard TSSOP package, the TSSOP exposed pad increases heat dissipation capability by a 2.5 factor.Table 1. Device summaryOrder codes Package Packaging STP08DP05B1R DIP-1625 parts per tube STP08DP05MTR SO-16 (Tape and reel)2500 parts per reel STP08DP05TTR TSSOP16 (Tape and reel)2500 parts per reel STP08DP05XTTRTSSOP16 exposed-pad (Tape and reel)2500 parts per reelContents STP08DP05Contents1Summary description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31.1Pin connection and description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 2Block diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43Maximum rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53.1Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53.2Thermal data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53.3Recommended operating conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 4Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 5Switching characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 6Equivalent circuit and outputs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97Truth table and timing diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107.1Truth table . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107.2Timing diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 8Typical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 9Test circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1510Detection mode functionality . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1710.1Phase one: “entering in detection mode“ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1710.2Phase two: “error detection“ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1710.3Phase three: “resuming to normal mode” . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1910.4Error detection conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 11Package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 12Packaging mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 13Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31 2/32DocID13405 Rev 6DocID13405 Rev 63/32STP08DP05Summary description1 Summary description1.1 Pin connection and descriptionNote:The exposed pad should be electrically connected to a metal land electrically isolated orconnected to ground.Table 2. Typical current accuracyOutput voltageCurrent accuracyOutput currentBetween bitsBetween ICs1.3 V±1.5%±5%20 to 100 mA Table 3. Pin descriptionPin n°Symbol Name and function1GND Ground terminal 2SDI Serial data input terminal 3CLK Clock input terminal 4LE/DM1Latch input terminal 5-12OUT 0-7Output terminal13OE/DM2Output enable input terminal (active low)14SDO Serial data out terminal 15R-EXT Constant current programming 16V DD5 V supply voltage terminalBlock diagram STP08DP054/32DocID13405 Rev 62 Block diagramSTP08DP05Maximum rating 3 MaximumratingStressing the device above the rating listed in the “absolute maximum ratings” table maycause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation of thedevice at these or any other conditions above those indicated in the operating sections ofthis specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions forextended periods may affect device reliability.3.1 Absolute maximum ratings3.2 Thermaldata Table 4. Absolute maximum ratingsSymbol Parameter ValueUnit V DD Supply voltage I GND0 to 7 VV O Output voltage -0.5 to 20 VI O Output current 100mAI GND GND terminal current 800mAf CLK Clock frequency 50MHzT OPR Operating temperature range -40 to +125 °CT STG Storage temperature range -55 to +150 °CTable 5. Thermal dataSymbol Parameter DIP-16SO-16TSSOP-16TSSOP-16 (1) (exposed pad)1.The exposed-pad should be soldered to the PBC to realize the thermal benefits UnitR thJA Thermal resistance junction-ambient90 12514037.5°C/WDocID13405 Rev 65/32Maximum rating STP08DP056/32DocID13405 Rev 63.3 Recommended operating conditionsTable 6. Recommended operating conditionsSymbol Parameter Test conditionsMin.Typ.Max.Unit V DD Supply voltage 3.0- 5.5V V O Output voltage -20V I O Output current OUTn 5-100mA I OH Output current SERIAL-OUT -+1mA I OL Output current SERIAL-OUT--1mA V IH Input voltage 0.7V DD -V DD +0.3V V IL Input voltage -0.3-0.3V DDV t wLAT LE/DM1 pulse width V DD = 3.0 to 5.0V 20-ns t wCLK CLK pulse width 20-ns t wENOE/DM2 pulse width200-ns t SETUP(D)Setup time for DATA 7-ns t HOLD(D)Hold time for DATA 4-ns t SETUP(L)Setup time for LATCH 15-ns f CLKClock frequencyCascade operation (1)1.If the device is connected in cascade, it may not be possible achieve the maximum data transfer. Pleaseconsider the timings carefully.-30MHzSTP08DP05Electrical characteristics 4 ElectricalcharacteristicsV DD = 3.3 V to 5 V, T = 25 °C, unless otherwise specified.Table 7. Electrical characteristicsSymbol Parameter Test conditions Min.Typ.Max.Unit V IH Input voltage high level0.7 V DD V DD V V IL Input voltage low level GND0.3 V DD VI OH Output leakage current V OH = 20 V0.510μAV OL Output voltage(Serial-OUT)I OL = 1 mA0.030.4VV OH Output voltage(Serial-OUT)I OH = -1 mA V OH - V DD =- 0.4V VI OL1Output current V O = 0.3 V, R ext = 3.9 kΩ 4.255 5.75mAI OL2V O = 0.3 V, R ext = 970 Ω192021 I OL3V O = 1.3 V, R ext = 190 Ω96100104∆I OL1Output current errorbetween bit(All Output ON)V O = 0.3 VR EXT = 3.9 kΩ± 5± 8%∆I OL2V O = 0.3 VR EXT = 970 Ω± 1.5± 3∆I OL3V O = 1.3 VR EXT =190 Ω± 1.2± 3R SIN(up)Pull-up resistor150300600kΩR SIN(down)Pull-down resistor100200400kΩI DD(OFF1)Supply current (OFF)R EXT = 980OUT 0 to 7 = OFF45mAI DD(OFF2)R EXT = 250OUT 0 to 7 = OFF11.213.5I DD(ON1)Supply current (ON)R EXT = 980OUT 0 to 7 = ON4.55I DD(ON2)R EXT = 250OUT 0 to 7 = ON11.713.5Thermal Thermal protection (1)170°C 1.Guaranteed by design (not tested)The thermal protection switches OFF only the outputs currentDocID13405 Rev 67/32Switching characteristics STP08DP058/32DocID13405 Rev 65 Switching characteristicsV DD = 5 V, T = 25 °C, unless otherwise specified.Table 8. Switching characteristicsSymbol ParameterTest conditionsMin.Typ.Max.Unitt PLH1Propagation delay time,CLK-OUTn, LE\DM1 = H, OE\DM2 = LV DD = 3.3 V V IH = V DD V IL = GND C L = 10pFI O = 20 mAV L = 3.0 V R EXT = 1 K ΩR L = 60 ΩV DD = 3.3 V 3646.8ns V DD = 5 V 1924.7t PLH2Propagation delay time,LE\DM1 -OUTn,OE\DM2 = LV DD = 3.3 V 3849.4ns V DD = 5 V 2127.3t PLH3Propagation delay time,OE\DM2-OUTn,LE\DM1 = HV DD = 3.3 V 4254ns V DD = 5 V 2330t PLHPropagation delay time, CLK-SDOV DD = 3.3 V 2228.6nsV DD = 5 V 1823.4t PHL1Propagation delay time, CLK-OUTn, LE\DM1 = H, OE\DM2 = LV DD = 3.3 V 911.7ns V DD = 5 V 5 6.5t PHL2Propagation delay time,LE\DM1 -OUTn, OE\DM2 = LV DD = 3.3 V 4 5.2ns V DD = 5 V 3 3.9t PHL3Propagation delay time,OE\DM2-OUTn, LE\DM1 = HV DD = 3.3 V 67.8ns V DD = 5 V 3 3.9t PHLPropagation delay time, CLK-SDOV DD = 3.3 V 2532.5nsV DD = 5 V 2026t ONOutput rise time 10~90% of voltage waveformV DD = 3.3 V 3039ns V DD = 5 V 1519.5t OFF Output fall time 90~10% of voltage waveform V DD = 3.3 V 79.1ns V DD = 5 V67.8t r CLK rise time (1)5000ns t fCLK fall time (1)5000ns 1.In order to achieve high cascade data transfer, please consider tr/tf timings carefully.STP08DP05Equivalent circuit and outputs 6 Equivalent circuit and outputsDocID13405 Rev 69/32Truth table and timing diagram STP08DP0510/32DocID13405 Rev 67 Truth table and timing diagram7.1 Truth tableNote:OUT0 to OUT7 = ON when Dn = H; OUT0 to OUT7 = OFF when Dn = L.7.2 Timing diagramTable 9. Truth tableClock LE/DM1OE/DM2SDI OUT0 ........ OUT0 ........ OUT7SDO H L Dn Dn ..... Dn -5 ..... Dn -7Dn -7 L L Dn + 1 No changeDn -7 H L Dn + 2 Dn +2 ..... Dn -3 ..... Dn -5Dn -5X L Dn + 3 Dn +2 ..... Dn -3 ..... Dn -5 Dn -5XHDn + 3OFFDn -5DocID13405 Rev 611/32Figure 10. OutputsDocID13405 Rev 613/32STP08DP05Typical characteristics8 Typical characteristicsFigure 11. Output current-R EXT resistorNote:Maximum output current capabilities setting was 130 mA applying a Rext = 124 ΩTable 10. Output current-R EXT resistorOutput current (mA)3510205080130Rext (Ω)674039301913963386241124T A = 25 °C, Vdrop = 0.3 V; 1.2 V, Iset = 3 mA; 5 mA; 10 mA; 20 mA; 50 mA; 80 mA, MaxTypical characteristics STP08DP05Note:The exposed-pad should be soldered to the PBC to realize the thermal benefits.Table 11. I SET vs. drop out voltage (V DROP )Vdd (V)I set (mA)Rext ( )Vdrop min (mV)Vdrop max (mV)Vdrop AVG(mV)33647030.631.230.935393046.552.948.6310191080.910082.262096315016115750386392396394.380241636646640.310019284685084853647025.62926.965393040.841.741.1610191080.110589.2209631531541545038637938638280241618626621100192825830827STP08DP05Test circuit circuit9 TestDocID13405 Rev 615/32Test circuit STP08DP05STP08DP05Detection mode functionality 10 Detection mode functionality10.1 Phase one: “entering in detection mode“From the “normal mode” condition the device can switch to the “error mode” by a logicsequence on the OE/DM2 and LE/DM1 pins as showed in the following table and diagram:Table 12. Entering in detection truth tableCLK1°2°3°4°5°OE/DM2H L H H HLE/DM1L L L H LAfter these five CLK cycles the device goes into the “error detection mode” and at the 6thrise front of CLK the SDI data are ready for the sampling.10.2 Phase two: “error detection“The eight data bits must be set “1” in order to set ON all the outputs during the detection.The data are latched by LE/DM1 and after that the outputs are ready for the detectionprocess. When the micro controller switches the OE/DM2 to LOW, the device drives theLEDs in order to analyze if an OPEN or SHORT condition has occurred.DocID13405 Rev 617/32Detection mode functionality STP08DP05The LEDs status will be detected at least in 1 microsecond and after this time themicrocontroller sets OE\DM2 in HIGH state and the output data detection result will go to themicroprocessor via SDO.Detection mode and normal mode use both the same format data. As soon as all thedetection data bits are available on the serial line, the device may go back to normal modeof operation. To re-detect the status the device must go back in normal mode and re-entering in error detection mode.DocID13405 Rev 619/32STP08DP05Detection mode functionality10.3 Phase three: “resuming to normal mode”The sequence for re-entering in normal mode is showed in the following table and diagram:Note:For proper device operation the “entering in detection” sequence must be follow by a“resume mode” sequence, isn’t possible to insert consecutive equal sequence.10.4 Error detection conditionsV DD = 3.3 to 5 V temperature range 25 °C.Note:Where: I O = the output current programmed by the R EXT ,I ODEC = the detected output current in detection mode.Table 13. Resuming to normal mode timing diagramCLK 1°2°3°4°5°OE/DM2H L H H H LE/DM1LLLLLTable 14. Detection conditionSW-1 or SW-3b Open line or output short to GND detected ==> I ODEC ≤ 0.5 x I ONo errordetected ==> I ODEC ≥ 0.5 x I O SW-2 or SW-3aShort on LED or shortto V-LED detected==> V O ≥ 2.5VNo error detected==> V O ≤ 2.2 VDetection mode functionality STP08DP0511 Package mechanical dataIn order to meet environmental requirements, ST offers these devices in different grades ofECOPACK® packages, depending on their level of environmental compliance. ECOPACK®specifications, grade definitions and product status are available at: .ECOPACK® is an ST trademark.DocID13405 Rev 621/32Table 15. DIP16 mechanical dataDim.mmMin.Typ.Max.a10.51B0.77 1.65 b0.5b10.25D20 E8.5e 2.54e317.78F7.1 I 5.1 L 3.3Z 1.27Table 16. HTSSOP16 exposed pad mechanical datammDim.Min.Typ.Max.A 1.20A10.15A20.80 1.00 1.05b0.190.30c0.090.20D 4.90 5.00 5.10D1 3.00E 6.20 6.40 6.60E1 4.30 4.40 4.50E2 3.00e0.65L0.450.600.75L1 1.00k0.008.00aaa0.10DocID13405 Rev 623/32Table 17. TSSOP16 mechanical datammDim.Min.Typ.Max.A 1.20A10.050.15A20.80 1.00 1.05b0.190.30c0.090.20D 4.90 5.00 5.10E 6.20 6.40 6.60E1 4.30 4.40 4.50e0.65L0.450.600.75L1 1.00k08aaa0.10DocID13405 Rev 625/32Table 18. SO16 dimensionsmmDim.Min.Typ.Max.A 1.75A10.100.25A2 1.25b0.310.51c0.170.25D9.809.9010.00E 5.80 6.00 6.20E1 3.80 3.90 4.00e 1.27h0.250.50L0.40 1.27k08°ccc0.10DocID13405 Rev 627/32DocID13405 Rev 629/3212 Packaging mechanical dataTable 19. HTSSOP16 EP and TSSOP16 tape and reel mechanical data(mm)Dim.Min.Typ.Max.A 330C 12.813.2D 20.2N 60T 22.4Ao 6.7 6.9Bo 5.3 5.5Ko 1.6 1.8Po 3.9 4.1P7.98.1STP08DP05Revision history 13 RevisionhistoryTable 20. Document revision historyDate Revision Changes3-Apr-20071First release21-May-20072Updated Table 7 on page 808-Aug-20083Updated Section 8: Typical characteristics on page 14 added Figure 13 and Figure 11 on page 15 updated Figure 14 on page 16.22-Oct-20094Updated Note: on page 3.29-Jul-20135Updated Section 11: Package mechanical data, Figure 4: OE/DM2 terminal and Figure 5: LE/DM1 terminal.Added Section 12: Packaging mechanical data.28-Jun-20186Updated Table16: HTSSOP16 exposed pad mechanicaldata and Figure22: HTSSOP16 exposed pad drawing.DocID13405 Rev 631/32STP08DP05IMPORTANT NOTICE – PLEASE READ CAREFULLYSTMicroelectronics NV and its subsidiaries (“ST”) reserve the right to make changes, corrections, enhancements, modifications, and improvements to ST products and/or to this document at any time without notice. Purchasers should obtain the latest relevant information on ST products before placing orders. ST products are sold pursuant to ST’s terms and conditions of sale in place at the time of order acknowledgement.Purchasers are solely responsible for the choice, selection, and use of ST products and ST assumes no liability for application assistance or the design of Purchasers’ products.No license, express or implied, to any intellectual property right is granted by ST herein.Resale of ST products with provisions different from the information set forth herein shall void any warranty granted by ST for such product. ST and the ST logo are trademarks of ST. All other product or service names are the property of their respective owners.Information in this document supersedes and replaces information previously supplied in any prior versions of this document.© 2018 STMicroelectronics – All rights reserved32/32DocID13405 Rev 6。
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Rev1.2
2014-02-16 4
HSJ08
测试原理图
电流源
1 VCC
3V
4 VDD 7 PGND 6 AGND 3 INB 2 INA
I=400mA OUTB 5
OUTA 8
1 VCC 4 VDD
3V
7 PGND 6 AGND 3 INB 2 INA
3V
PMOS 体二极管导通电压测试原理图
特性
●低待机电流 (小于 0.1uA)； ●低静态工作电流； ●集成的 H 桥驱动电路； ●内置防共态导通电路； ●低导通内阻的功率 MOSFET 管； ●内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)； ●抗静电等级：3KV (HBM)。
典型应用
● 2-6 节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动； ● 2-6 节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动； ● 1-2 节锂电池供电的马达驱动
tf
信号;
trf
信号占空比为 50%,信号频率为 20KHz
tfr
负载电机内阻 1.3Ω,电机空转
最小值 典型值 最大值 单位
--
0
10
uA
--
0
10
--
182
--
uA
--
83
--
2
--
--
--
--
0.8
V
0.6
191
uA
12
KΩ
0.55 Ω
0.6
--
150
--
℃
--
20
--
0.79 V
0.77
280 6 ns 30
PMOS 体二极管 NMOS 体二极管 电机驱动时间参数
VPD I=400mA,VCC=3V,VDD=INA=INB=0V VND I=-400mA, VCC=VDD=3V,INA=INB=0V
输出上升时间 输出下降时间 输出延迟时间 输出延迟时间
tr
VCC=5V, VDD =5V,INB=H,INA 输入脉冲
OUTB 5
OUTA 8 电流源 I=400mA
NMOS 体二极管导通电压测试原理图
5V
100uF
20KHz
1 VCC 4 VDD 3 INB
2 INA 7 PGND 6 AGND
OUTB 5
INB
INA
0.1uF
M
OUTA 8
OUTB
tr
OUTA
时间参数测试原理图时间参数定义
trf
tfr
tf t
Rev1.2
逻辑电源 VCC 对地电容 C2 必须至少需要 4.7uF，实际应用时不需要靠近芯片单独添加一个电容，可以与其 它控制芯片(RX2、MCU)等共用。如果 VCC 对地没有任何电容，当电路因过载进入过热保护模式后，电路可 能会进入锁定状态。进入锁定状态后，必须重新改变一次输入信号的状态，电路才能恢复正常。只要 VCC 对地有超过 4.7uF 电容，电路就不会出现锁定状态。
(3)、人体模型，100pF 电容通过 1.5KΩ 电阻放电。
单位
V
A W ℃/W ℃ ℃ ℃
V
推荐工作条件(TA=25℃)
参数
符号
最小值
典型值(VDD=6.5V)
最大值
逻辑和控制电源电压
VCC
1.8
--
5
功率电源电压
VDD
2
--
9.6
持续输出电流
IOUT
0.8
注：(1)、逻辑控制电源 VCC 与功率电源 VDD 内部完全独立，可分别供电。当逻辑控制电源 VCC 掉电之后，
路
AGND
过热保护电路
6 AGND
VDD 4
VDD
栅
驱
动
OUTA 8
电
路
PGND VDD
栅
驱
动
OUTB 5
电
路
PGND
7 PGND
INB
OUTA
OUTB
L
Z
Z
L
H
L
H
L
H
H
L
L
输入信号
INA L INB
正转
H
L
反转
L
H
刹车
H
L
H
待机
功能 待机 正转 反转 刹车
马达两端电压 VDD
0(VOUTA-VOUTB )
Rev1.2
2014-02-16 7
HSJ08
电容容值取值根据实际使用电机的情况而定，建议电容 C1 的值在 4.7uF-100uF 之间。 图 2 中驱动电路 OUTA 与 OUTB 之间的 0.1uF 电容是表示接在马达两端的电容，不需要单独添加。
应用说明
1、基本工作模式 a)待机模式 在待机模式下，INA=INB=L。包括驱动功率管在内的所有内部电路都处于关断状态。电路消耗极低极低的电 流。此时马达输出端 OUTA 和 OUTB 都为高阻状态。
OFF
ON
OFF
OFF
M
M
M
M
OFF
OFF
OFF
ON
ON
OFF
ON
ON
a)待机模式
b)正转模式
c)反转模式
d)刹车模式
e)PWM 模式 A
当输入信号 INA 为 PWM 信号，INB=0 或者 INA=0，INB 为 PWM 信号时，马达的转动速度将受 PWM 信号占 空比的控制。在这个模式下，马达驱动电路是在导通和待机模式之间切换，在待机模式下，所有功率管都
4.7uF/16V~100uF/16V
1 VCC
OUTA 8
HSJ08 2 INA
PGND 7
3 INB
AGND 6
4 VDD
OUTB 5
200 转向电机驱动
M
0.1uF
M
0.1uF
2-6节电池
图 2 2-6 节电池供电玩具遥控车马达驱动应用线路图 如图 2 所示的马达驱动应用线路图，其中转向轮驱动电流较小，可选择 HSJ08 作为驱动电路。后轮马达驱 动电流较大，可根据具体要求选择我公司其他产品，如 HSJ12、 HSJ18。 图 2 中的 VDD 对地去耦电容应根据实际使用情况选择容值。VDD 电压越高，马达电流越大，电容容值越大。
PD
1
结到环境热阻
SOP8 封装
θJAS
123
工作温度范围
Topr
-20~+85
结温
TJ
150
储存温度
Tstg
-55~+150
焊接温度
TLED
260℃，10 秒
ESD(注 3) 注：(1)、不同环境温度下的最大功耗计算公式为: PD=(150℃-TA)/θJA
3000
TA 表示电路工作的环境温度，θJA 为封装的热阻。150℃表示电路的最高工作结温。 (2)、电路功耗的计算方法:P =I *R 2 其中 P 为电路功耗，I 为持续输出电流，R 为电路的导通内阻。电路功耗 P 必须小于最大功耗 PD
处于关断状态，马达内部储存的能量只能通过功率 MOSFET 的体二极管缓慢释放。 注意：由于工作状态中存在高阻状态，因此马达的转速不能通过 PWM 信号的占空比精确控制。如果 PWM 信号的频率过高，马达会出现无法启动的情况。
INA
INB
OUTA
OUTB
PWM 模式 A 信号波形示意图 f)PWM 模式 B 当输入信号 INA 为 PWM 信号，INB=1 或者 INA=1，INB 为 PWM 信号时，马达的转动速度将受到 PWM 信号 占空比的控制。在这个模式下，马达驱动电路输出在导通和刹车模式之间，在刹车模式下马达存储的能量 通过低边的 NMOS 管快速释放。 注意：由于工作状态中存在刹车状态，马达能量能快速释放，马达的转速能通过 PWM 信号的占空比精确控 制，但必须注意如果 PWM 信号频率过低会导致马达因进入刹车模式而出现无法连续平滑转动的现象。
图 1 中驱动电路 OUTA要单独添加。
RF Signal
RF Circuits (Discrete Parts)
FORWARBDACKWARD
TURBO
VI2 VO1 VI2 VDD
NC
16 15 14 13 12 11 10 9
电路将进入待机模式。
(2)、持续输出电流测试条件为：电路贴装在 PCB 上测试，SOP8 封装的测试 PCB 板尺寸为 22mm*18mm。
单位 V V A
Rev1.2 2014-02-16 3
HSJ08
电特性参数表
(TA=25℃, VCC=3V, VDD =6V 除非另有规定)
参数
符号
条件
电源参数
2014-02-16 5
电特性曲线
HSJ08
Rev1.2
2014-02-16 6
HSJ08
典型应用线路图
C1
2V-9.6V
4 VDD
1.8V-5V
1 VCC
INB 4.7uF INA
C2
3 INB 2 INA 7 PGND 6 AGND
OUTB 5
0.1uF
M
C3
OUTA 8
图 1 HSJ08 典型应用线路图 特别注意事项： 图 1 中电容 C1 为功率电源与地之间的去耦电容，应用时电容 C1 的容值大小根据应用条件的不同可以有不 同的选择，具体规定如下：
VCC 待机电流 VDD 待机电流 VCC 静态电源电流 VDD 静态电源电流 输入逻辑电平
IVCCST IVDDST IVCC IVDD
INA=INB= L;VCC=7V; VDD=10V;输出悬空 INA=H OR INB=H;输出悬空 INA=H OR INB=H;输出悬空