电子线路第四版线性部分复习资料
电子课件 电子电路基础(第四版)第四章
积分运算电路
第四章 集成运算放大器的应用
设电容C上初始电压为零，当输入阶跃信号时输出电压波形如图 a所示，当输入方波信号时输出电压波形如b所示。
积分运算电路输入、输出波形
a)输入阶跃信号 b)输入方波信号 c)输入、输出信号实测波形
4. 共模抑制比KCMR 开环差模电压放大倍数与闭环共模电压放大倍数之比的绝对值。 因为集成运放的共模抑制比数值很大，故通常用分贝表示。即
5. 最大输出电压UOPP 集成运放在空载情况下，最大不失真输出电压的峰—峰值。 6. 最大差模输入电压UIDM 集成运放两个输入端之间所能承受的最大差模输入电压。
又因为理想集成运放输入电阻ri→∞,所以两个输入端输入电流也 均为零,即iP = iN = 0，这一特性称为“虚断”。
第四章 集成运算放大器的应用
四、集成运放组成的两种基本放大器
1. 反相放大器 (反相比例运算放大器)
反相放大器
第四章 集成运算放大器的应用
放大器的电压放大倍数为 式中，负号表示uo与ui反相，故称为反相放大器。又由于uo与ui 成 比例关系，故又称反相比例运算放大器。若取Rf = R1 = R，则比例系 数为–1，电路便成为反相器。
取决于电阻R和电容C乘积的大小(τ=RC称为时间常数)。
第四章 集成运算放大器的应用
电容两端的电压uC流过电容的电流iC之间存在积分的关系， 即 它反映了uC在输入脉冲宽度时间内的累积变化情况。
第四章 集成运算放大器的应用
积分电路及其波形
a)原理电路 b)输入、输出信号波形
第四章 集成运算放大器的应用
图中，同相输入端所接电阻R′ 必须满足平衡要求，取R′ =R1 ∥R2 ∥R3 ∥Rf。
电子线路第四版线性部分-谢嘉奎-复习资料全
电子线路第四版线性部分-谢嘉奎-复习资料全申明：本复习资料仅作为考试参考，不代表百分百会考本资料上的容。
一、选择填空题1、本征半导体：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。
2、本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。
3、N型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。
4、P型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。
5、PN结的基本特性：单向导电性（即正向导通，反向截止）。
除了单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。
6、PN结的伏安特性方程式：正偏时：反偏时：其中：热电压倍。
7、硅PN结：VD（on）=0.7V锗PN结：VD（on）=0.3V8、PN结的击穿特性：热击穿（二极管损坏，不可恢复），齐纳击穿（可恢复）。
9、PN结的电容特性：势垒电容、扩散电容。
10、三极管部结构特点：发射区掺杂浓度大；基区薄；集电结面积大。
11、三极管的工作状态及其外部工作条件：放大模式：发射结正偏，集电结反偏；饱和形式：发射结正偏，集电结正偏；≈26mV（室温）；温度每升高10℃，Is约增加一截止模式：发射结反偏，集电结反偏。
12、三极管工作在放大模式下：对NPN管各极电位间要求：Ve<Vb<Vc对PNP管各极电位间要求：Ve>Vb>Vc解：电压值都为正，可判断为NPN管；假设三极管工作在放大状态，根据电位间要求：Ve<Vb<Vc，可判断U1=10V 为C极电压，U2-U3=0.7V，可判断U2=3V为B极电压；U3=2.3V为E极电压；且UCE=10-2.3=7.7V>0.3V,由此可判断此三极管为NPN型三极管，且工作在放大状态，假设成立。
13、三极管静态工作点：IBQ、TCQ、VCEQ14、公式：15、三极管的三种组态：16、混合Π型小号电路模型：vB Er b ei BQiEvB EiBiEQ26(1)re(1)ICQrce三极管输出电阻，数值较大。
电子线路(线性部分)试题及解答5
一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2解：（a）不能。
因为输入信号被V B B短路。
（b）可能。
（c）不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。
因为输入信号被C2短路。
（f）不能。
因为输出信号被V C C短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。
因为G-S间电压将大于零。
（i）不能。
因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中， 已知V C C ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
（1）当iU ＝0V 时，测得U B E Q ＝0.7V ，若要基极电流I B Q ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和R b＝ ≈ k Ω；而若测得U C E Q ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数uA ＝ ≈ 。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载图T2.3 后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。
线性电子线路(谢嘉奎)第四版第一章课件
ni pi AT e 2kT
3 2
Eg 0
ni pi AT e 2kT
式中，浓度单位为cm ， A——常量 （硅：3.88×1016 cm-3K-3/2，锗：1.76×1016cm-3K-3/2） T——热力学温度
-3
3 2
Eg 0
k——是玻尔兹曼常数（8.63×10-5 eV/K），
Eg0 ——T=0 K（即-273℃）时的禁带宽度，导带与价 带间的距离（硅为1.21 eV， 锗为0.785 eV） 该公式的核心是什么？ 载流子浓度是温度的函数
ni pi AT e 2kT
公式表明，本征半导体的载流子浓度和温度、材料有关。 将相关参数带入公式中，可以得到300K时硅的 ni=1.43×1010cm-3 (教材给出1.5×1010cm-3,不准确）。 由此可以看到，尽管本征半导体在室温情况下具有一 定的导电能力，但是，本征半导体中载流子的数目远小于 原子数目（硅：4.96×1022cm-3），因此本征半导体的导 电能力很低。 结论：室温下本征半导体的导电能力非常弱 说明：本征半导体的导电能力随温度升高，增加很快 硅，500K时：ni=3.53×1014cm-3， 600K时 ： ni=4.81×1015cm-3
3.本征激发和复合 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现 的，称为电子-空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合
本征激发
+4 +4 +4
+4
+4 +4
+4 +4 +4
复合
本征激发数目越多，复合量 越大，使得本征激发数目减 少；这又使得复合减少。 最终，在一定温度下达到动态平衡
电子线路第四版线性部分教学大纲
电子线路第四版线性部分教学大纲一、课程简介电子线路是现代电子技术中的基础课程之一，是掌握电子技术的必修课程。
本课程为电子线路第四版，主要围绕电路中的线性部分展开教学。
通过本课程的学习，学生将会掌握电路的基本理论和方法，包括电子元器件、线性电路基础、放大器、滤波器等知识点。
二、课程内容1.电子元器件•电子元器件的种类及其特点•半导体材料和二极管•三极管的基本原理及应用•MOS场效应管的基本原理及应用2.线性电路基础•电路基本理论及基本电路变换•节能器、电阻、电容、电感等电子元器件的应用•戴维南定理和环路定理在电路分析中的应用3.放大器•放大器的原理及分类•功率放大器的特点和应用•反馈的基本理论和应用4.滤波器•滤波器的基本原理及分类•有源RC滤波器和有源滤波器的应用•操作放大器和滤波器的结合三、教学目标通过本课程的学习，学生应该能够： - 深入了解电子元器件的种类及其特点，掌握半导体材料和二极管的原理及应用 - 熟悉三极管和MOS场效应管的基本原理及应用，并能在电路中灵活运用 - 掌握电路基本理论，重点掌握戴维南定理和环路定理在电路分析中的应用，能够运用节能器、电阻、电容、电感等电子元器件进行电路设计 - 熟悉放大器的原理及分类，了解功率放大器的特点和应用，了解反馈的基本理论和应用场景 - 掌握滤波器的基本原理及分类，熟悉有源RC滤波器和有源滤波器的应用场景，掌握操作放大器和滤波器的结合应用四、教学方法本课程采用理论教学与实践教学相结合的方式进行教学。
理论教学的主要内容包括： - 课前预习：让学生在课前对所要学习的知识点进行了解，为后续的理论讲解打下基础。
- 讲解理论：通过对电路基本理论、电子元器件、放大器、滤波器等内容进行详细的讲解，使学生逐步掌握这些知识点的核心要点。
- 练习：通过课堂练习、作业等方式，巩固学生的理论基础，同时培养学生的分析和解决问题的能力。
实践教学的主要内容包括：- 实验：通过设计与实验相结合的方式，让学生亲手操作电路，加深对理论知识的理解和掌握。
《线性电子线路》课程知识点
《线性电子线路》课程知识点第一章晶体二极管半导体部分的概念：1.半导体、本征半导体、杂质半导体的定义2.什么是P型、N型半导体，其多数载流子和少数载流子分别是什么？3.什么是PN结，PN结形成的三个过程是？4.什么是PN结的单向导电性？5.PN结的反向电流大小如何，与什么有关？（材料，温度）6.PN结具有电容效应（PN结相当于存在一个容量很小的电容）器件：（一）二极管1.什么是二极管？二极管的符号，主要特性是单向导电性（与PN结一样）2.二极管端电压与流过它的电流的关系曲线（伏安特性曲线p24），曲线中几个不同段的理解3.二极管在路分析时采用的模型（理想模型、折线模型、恒压模型）。
（表示对包含二极管的电路进行分析时候，对复杂的二极管曲线可以进行简化替代（等效））（二）稳压二极管1.稳压二极管的符号，特性曲线（p19），为什么说稳压二极管具有稳压特性？2.要使稳压管能够具备稳压功能其正确的连接是？对流过其电流的要求是？（三）发光二极管1.什么是发光二极管？2.发光二极管正常点亮的时候参数为？（正向压降约1.5v 还与颜色和大小有光；正向电流5—8mA电流数值越大越亮，根据实际情况可调整）3.什么是数码管？和发光二极管有何关系？应用电路：1.二极管整流电路(P30)2.稳压管稳压电路（P31）3.二极管或稳压二极管限幅电路（P34）4.发光二极管作为指示灯的连接电路及限流电阻的估算。
分析方法：1.包含二极管电路的分析方法（先选定二极管模型，在电路中把二极管断开，分别计算其阳极和阴极的电位，判断二极管的导通与截止并套入相应模型对电路进行变更，根据节点电流和回路电压法计算电压或电流值）2.计算稳压二极管电路中的限流电阻在电路连接正确且外加电压大于稳压管反向击穿电压的情况下：先假定稳压二极管反向击穿导通，取稳压管的稳压值作为已知条件，根据电路原理中的学到的电压电流计算方法计算所要求的各个电量，根据计算结果验证是否满足稳压管稳压，（是：结果正确，否：变更稳压管等效重新计算）第二章晶体三极管概念：1.晶体三极管的导电类型的分类，结构和符号2.三极管各区各极的名称，各区在制造工艺上的特点3.三极管的工作状态有哪三个？4.三极管工作在放大，饱和，截止时对发射结和集电结偏置的要求（文字描述）5.针对NPN, PNP 两种不同类型的三极管在3个工作状态下所对应的各极电位的大小关系。
《线性电子线路》课程知识点
《线性电子线路》课程知识点第一章晶体二极管半导体部分的概念:1.半导体、本征半导体、杂质半导体的定义2.什么是P型、N型半导体,其多数载流子和少数载流子分别是什么?3.什么是PN结,PN结形成的三个过程是?4.什么是PN结的单向导电性?5.PN结的反向电流大小如何,与什么有关?(材料,温度)6.PN结具有电容效应(PN结相当于存在一个容量很小的电容)器件:(一)二极管1.什么是二极管?二极管的符号,主要特性是单向导电性(与PN结一样)2.二极管端电压与流过它的电流的关系曲线(伏安特性曲线p24),曲线中几个不同段的理解3.二极管在路分析时采用的模型(理想模型、折线模型、恒压模型)。
(表示对包含二极管的电路进行分析时候,对复杂的二极管曲线可以进行简化替代(等效))(二)稳压二极管1.稳压二极管的符号,特性曲线(p19),为什么说稳压二极管具有稳压特性?2.要使稳压管能够具备稳压功能其正确的连接是?对流过其电流的要求是?(三)发光二极管1.什么是发光二极管?2.发光二极管正常点亮的时候参数为?(正向压降约1.5v 还与颜色和大小有光;正向电流5—8mA电流数值越大越亮,根据实际情况可调整)3.什么是数码管?和发光二极管有何关系?应用电路:1.二极管整流电路(P30)2.稳压管稳压电路(P31)3.二极管或稳压二极管限幅电路(P34)4.发光二极管作为指示灯的连接电路及限流电阻的估算。
分析方法:1.包含二极管电路的分析方法(先选定二极管模型,在电路中把二极管断开,分别计算其阳极和阴极的电位,判断二极管的导通与截止并套入相应模型对电路进行变更,根据节点电流和回路电压法计算电压或电流值)2.计算稳压二极管电路中的限流电阻在电路连接正确且外加电压大于稳压管反向击穿电压的情况下:先假定稳压二极管反向击穿导通,取稳压管的稳压值作为已知条件,根据电路原理中的学到1的电压电流计算方法计算所要求的各个电量,根据计算结果验证是否满足稳压管稳压,(是:结果正确,否:变更稳压管等效重新计算)第二章晶体三极管概念:1.晶体三极管的导电类型的分类,结构和符号2.三极管各区各极的名称,各区在制造工艺上的特点3.三极管的工作状态有哪三个?4.三极管工作在放大,饱和,截止时对发射结和集电结偏置的要求(文字描述)5.针对NPN, PNP 两种不同类型的三极管在3个工作状态下所对应的各极电位的大小关系。
电子线路线性部分复习资料
- 1 - 南昌大学模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a，b。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a,b。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE 的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE 减小C．β和uBE减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导3．双端输出的茶分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大 B. 变小C. 不变 D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
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≤ ≈ = E c E cn I I I I α E C I Iα ≈ ααβ-=1
ββ
α+=1 B CEO B CBO B C I I I I I I ββββ≈+=++=）（1 B E I I )1(β+= 15、三极管的三种组态： 16、混合Π型小信号电路模型： CQ Q E E B B E Q B E B 26)1()1(I r i v i i i v r e e b β β+=+=∂∂⋅ ∂∂=∂∂=''' rce 三极管输出电阻，数值较大。RL<< rce 时，常忽略。
30、集成运放性能特点： Av 很大：(104 ~ 107 或 80 ~ 140 dB) Ri 很大：(几 kΩ~ 105 MΩ) Ro 很小：(几十Ω) 静态输入、输出电位均为零。
31、三种组态电路中，共基电路频率特性最好、共发最差。 32、反馈放大器：将放大器输出信号的一部分或全部，通过反馈 网络回送到电路输入端，并对输入信号进行调整，所形成的闭合 回路即反馈放大器。 33、（重点）反馈放大器组成框图：
22、放大器性能的主要指标有：输入电阻 Ri 、输出电阻 Ro 、 增益 A 。 23、小信号放大器四种电路模型：
（1）电压放大器： 电压增益：i o v v A v 开路电压增益：)1(L o o ot i o i ot t R R A v v v v v v A v v +=⋅ == Ro 越小，RL 对 Av 影响越小。 源电压增益：i s i s i i o s os R R R A v v v v v v A v v +=⋅ == Ri 越大，RS 对 Avs 影响 越小。 （2）电流放大器： 电流增益：i o i i A i = 短路电流增益： )1(o L o on i o i on n R R A i i i i i i A i i +=⋅ == Ro 越大，RL 对 Ai 影响越小。 源电流增益：i S S s i i o s o s R R R A i i i i i i A i i +=⋅ == Ri 越小，RS 对 Ais 影响越小。 （3）互导放大器：互导增益：i o v i A g = （4）互阻放大器：互阻增益：
40、虚短虚断：虚短路不能理解为两输入端短接，只是(v–- v+) 的值小到了可以忽略不计的程度。实际上，运放正是利用这个极 其微小的差值进行电压放大的。同样，虚断路不能理解为输入端 开路，只是
36、负反馈对放大器性能影响主要表现为： （1）降低增益 （2）减小增益灵敏度(或提高增益稳定性) （3）改变电路输入、输出电阻 （4）减小频率失真(或扩展通频带) （5）减小非线性失真 （6）噪声性能不变（信噪比不变） 37、基本放大器引入负反馈的原则： （1）在电路输出端： 若要求电路 vo 稳定或 Ro 小，应引入电压负反馈。 若要求电路 io 稳定或 Ro 大，应引入电流负反馈。 （2）在电路输入端： 若要求 Ri 大或从信号源索取的电流小，引入串联负反馈。
若要求 Ri 小或从信号源索取的电流大，引入并联负反馈。 （3）反馈效果与信号源内阻 RS 的关系： 若电路采用 RS 较小的电压源激励，应引入串联负反馈。 若电路采用 RS 较大的电流源激励，应引入并联负反馈。 38、深度负反馈条件：将 T >> 1 或 F >> 1 称为深度负反馈条 件。 39、深度负反馈条件下 Avf 的估算： （1）根据反馈类型确定 kf 含义，并计算 kf 若串联反馈：将输入端交流开路 若并联反馈：将输入端交流短路 （2）确定 Afs(= xo / xs) 含义，并计算 Afs = 1 / kf （3）将 Afs 转换成 Avfs = vo / vs
V A 为厄尔利电压。题目中若给出 V A，需计算 rce，若没有给 出，忽略 rce。 17、相关例题见第二章 PPT 34 36 37 38 41 43 页。 18、结型场效应管的特性小结：
19、金属-氧化物-半导体场效应来自：20、增强型 MOS 管特性小结：
21、MOSFET 的特性曲线：
开环增益： i o /x x A '= 反馈系数： o f f /x x k = 闭环增益： i o f /x x A =f i o x x x +'=i f i o /1/x x x x '+'=F A Ak A =+=f 1 反馈深度： f 1Ak F +=T +=1 环路增益：f i f /Ak x x T ='= 反馈深度 F(或环路增益 T )是衡量反馈强弱的一项重要指标。 其值直接影响电路性能。 34、判断反馈类型 — 采用短路法： 判断电压与电流反馈：假设输出端交流短路，若反馈信号消失， 则为电压反馈；反之为电流反馈。 电压反馈使得输出电阻减小，电流反馈使得输出电阻增大。 判断串联与并联反馈：假设输入端交流短路，若反馈作用消失， 则为并联反馈；反之为串联反馈。 串联反馈使得输入电阻增大，并联反馈使得输入电阻减小。 35、几个例题：
电子线路第四版线性部分复习资料
申明：本复习资料仅作为考试参考，不代表百分百会考本资料上 的内容。 一、选择填空题 1、本征半导体：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 2、本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。 3、N 型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。 4、P 型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。 5、PN 结的基本特性：单向导电性（即正向导通，反向截止）。 除了单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。 6、PN 结的伏安特性方程式： )1(T S -=V V e I I 正偏时： T S V V e I I ≈ 反偏时：S I I -≈ 其中：热电压 q kT V =T ≈26mV （室温）；温度每升高 10℃， Is 约增加一倍。 7、硅 PN 结：VD （on ）=0.7V 锗 PN 结：VD （on ）=0.3V 8、PN 结的击穿特性：热击穿（二 极管损坏，不可恢复），齐纳击穿（可恢复）。 9、PN 结的电容特性：势垒电容、扩散电容。 10、三极管内部结构特点：发射区掺杂浓度大；基区薄；集电结
i o i v A r = 24、理想放大器性能特点：
考试有可能会告诉你 Ri R0 的大小，让我们选择放大器的类型。 25、放大器的失真： 26、差分放大器的特点：抑制共模信号，放大差模信号。 27、差放性能指标归纳总结：
28、理想差放特点：输入电阻 Ri 无穷大，输出电阻 R0 无穷小， 共模抑制比无穷大。 29、（了解）镜像电流源电路：
面积大。 11、三极管的工作状态及其外部工作条件： 放大模式：发射结正偏，集电结反偏； 饱和模式：发射结正偏，集电结正偏； 截止模式：发射结反偏，集电结反偏。 12、三极管工作在放大模式下： 对 NPN 管 各 极 电 位 间 要 求 ： Ve<vb<vc< p="" data-filtered="filtered"> 对 PNP 管各极电位间要求：Ve>Vb>Vc 例：测得某三极管的三个极的电压分别为 U1=10V，U2=3V， U3=2.3V，请判断此三极管的类型、工作状态、并指出其 B C E 极。 解：电压值都为正，可判断为 NPN 管；假设三极管工作在放大状 态，根据电位间要求：Ve<vb<vc，可判断 u1=10v 为 c 极电压，< p="" data-filtered="filtered"> U2-U3=0.7V，可判断 U2=3V 为 B 极电压；U3=2.3V 为 E 极电压； 且 UCE=10-2.3=7.7V>0.3V,由此可判断此三极管为 NPN 型三极 管，且工作在放大状态，假设成立。 13、三极管静态工作点：IBQ、TCQ、VCEQ