单晶多晶硅片生产工艺流程详解word版本
多晶硅主要合成工艺流程
多晶硅主要合成工艺流程
一、原料准备阶段
1.采购硅矿石和还原剂
2.准备熔炉和炉料
二、熔炼反应
1.将硅矿石和还原剂放入熔炉中
2.进行高温还原熔炼反应
三、提纯
1.对熔炼后的硅进行提纯处理
2.利用化学方法或物理方法提高纯度
四、晶体生长
1.将提纯后的硅溶液导入晶体生长设备
2.控制温度和压力促进晶体生长
五、晶体切割
1.将生长出的硅晶体进行切割
2.切割成合适尺寸的硅片
六、表面处理
1.对硅片进行化学和机械处理
2.去除表面缺陷和氧化层
七、测量和测试
1.对切割好的硅片进行测量和测试
2.确保硅片质量符合要求
八、包装与存储
1.将硅片包装并标明相关信息
2.存储在干燥和无尘环境中。
多晶硅到硅片的制备流程和工艺流程
多晶硅到硅片的制备流程和工艺流程下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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多晶硅片生产工艺流程
多晶硅片生产工艺流程引言多晶硅片是太阳能电池等光电子器件的重要材料之一，其制备工艺具有关键性的影响。
本文将介绍多晶硅片的生产工艺流程，包括原料准备、硅熔炼、晶体生长、切割和清洗等环节。
一、原料准备多晶硅片的原料主要是硅石，经过粉碎、磁选等工艺，得到符合要求的硅石粉末。
硅石粉末中的杂质含量需要经过化学分析确定，以保证最终硅片的质量。
在原料准备阶段，还需要准备其他辅助材料，如硅片生长所需的石墨坩埚、保护板等。
二、硅熔炼硅熔炼是多晶硅片生产中的关键工艺环节。
首先，将准备好的硅石粉末放入炉中，加入适量的还原剂和助熔剂。
然后，将炉温逐渐升高到适宜的熔点。
在熔融过程中，还需要对炉膛中的气氛进行控制，以防止氧化和杂质的混入。
熔融后的硅液通过特定的铸锭装置冷却凝固，形成硅锭。
三、晶体生长晶体生长是将硅锭中的硅液形成单晶体的过程。
首先，将硅锭放入晶体生长炉中，在适宜的温度下进行升温。
随着温度升高，硅液从硅锭顶部逐渐下降，形成固态的硅单晶体。
在晶体生长过程中，需要控制炉温、拉速等参数，以获得理想的晶体结构和形状。
四、切割切割是将生长好的硅单晶体切成薄片的过程。
首先，在硅单晶体的表面进行纹理化处理，以提高光的吸收效率。
然后，将硅单晶体切割成薄片，通常采用金刚石线锯或者刀片进行切割。
切割后的硅片需要经过多次精密的平整和清洗工艺，以保证其表面的光洁度和纯净度。
五、清洗多晶硅片在生产过程中容易受到各种污染，因此清洗是不可或缺的环节。
首先，将切割好的硅片浸泡在溶剂中去除表面的油污和杂质。
接着，采用酸洗和碱洗的方法，去除硅片表面的氧化物和有机物。
最后，通过纯水冲洗，彻底去除残留的杂质和化学物质。
清洗后的硅片需要进行干燥处理，以保证表面的干净和光洁。
六、总结多晶硅片的生产工艺流程包括原料准备、硅熔炼、晶体生长、切割和清洗等环节。
每一个环节的控制都对最终的多晶硅片的质量和性能起着重要的影响。
通过不断优化和改进工艺流程，可以提高多晶硅片的生产效率和质量，推动光电子器件产业的发展。
多晶硅工艺流程范文
多晶硅工艺流程范文多晶硅是一种具有高纯度的硅材料，广泛应用于太阳能电池、半导体和光纤等领域。
多晶硅的制备过程包括硅熔炼、多晶硅生长、切割和抛光等步骤。
以下是多晶硅的工艺流程详解。
第一步是硅熔炼。
硅熔炼是多晶硅制备的关键步骤，通常采用短弧熔炼法。
首先，将高纯度的二氧化硅经过还原反应，用碳源将其还原为硅金属。
然后，将硅金属放入一个石英坩埚中，在高温下使用直流电弧加热，使硅金属熔化。
加热过程中，石英坩埚起到了保护硅金属不受污染的作用。
最终，石英坩埚中的硅熔体冷却凝固，形成硅锭。
第二步是多晶硅生长。
硅锭经过切割机切割成合适大小的硅块（也称为硅棒）。
然后，通过多晶硅炉进行多晶硅生长。
多晶硅炉是一个具有高温和高真空环境的炉子。
在多晶硅炉中，硅块被放置在石英坩埚中，加热至高温，并通过剥离外部应力的方法，使硅块在坩埚中缓慢旋转。
在高温的作用下，硅块逐渐融化，并通过晶核生长的方式，在坩埚中形成多晶硅晶体。
多晶硅晶体的形成速度和晶体质量的均匀性，取决于生长过程中温度和旋转速度的控制。
第三步是硅棒切割。
多晶硅晶体经过冷却后，形成一根硅棒。
然后，使用机械切割机将硅棒切割成多个合适的硅片。
硅片的厚度取决于具体应用的要求，通常在几百微米到几毫米之间。
硅棒切割的精度和效率对多晶硅的成本和质量有着重要影响。
最后一步是硅片抛光。
切割好的硅片表面往往有一些粗糙度和污染物。
因此，需要对硅片进行抛光处理，以获得光滑和干净的表面。
抛光一般采用机械抛光工艺，通过悬浮液和抛光头在硅片表面进行机械磨削，以去除表面瑕疵。
抛光后的硅片还需要经过清洗和检测等工序，以确保质量达到要求。
综上所述，多晶硅的工艺流程包括硅熔炼、多晶硅生长、硅棒切割和硅片抛光等步骤。
这些工艺步骤的精度和效率对多晶硅的成本和质量有着重要影响。
随着技术的进步，多晶硅的制备过程也在不断改进，以提高产量和纯度，降低成本，进一步推动多晶硅在各个领域的应用。
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点
单击添加标题
未来发展前景：随着光伏、半导体等领域的快速发展，单晶硅和多晶硅的市场前景广阔，未来将有更多的技术创新和应用场景出现。
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技术创新方向：单晶硅和多晶硅的生产工艺不断改进，未来将更加注重提高生产效率、降低成本、提高产品质量等方面。
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市场需求：随着环保意识的提高和能源结构的调整，光伏、半导体等领域的市场需求将持续增长，单晶硅和多晶硅的市场前景将更加广阔。
优点：可以制造出高质量、高性能的单晶硅外延材料，广泛应用于微电子、光电子等领域
Part Four
多晶硅的生产工艺
浇铸法
定义：浇铸法是一种通过将熔融的多晶硅倒入铸模中，待其冷却凝固后取出，形成多晶硅锭的方法。
工艺流程：熔化→浇注→凝固→取出→切片→多晶硅片
特点：生产效率高，成本低，适用于大规模生产。
Part Seven
单晶硅和多晶硅的市场前景和发展趋势
市场现状和发展趋势
市场现状： a. 全球单晶硅和多晶硅市场规模及增长趋势 b. 主要生产国家和地区及市场份额 c. 市场需求及消费者行为特点 a. 全球单晶硅和多晶硅市场规模及增长趋势b. 主要生产国家和地区及市场份额c. 市场需求及消费者行为特点发展趋势： a. 技术创新与升级：提高生产效率、降低成本、提高产品质量等方面的发展趋势 b. 绿色环保：可持续发展和环保要求对单晶硅和多晶硅产业的影响及应对策略 c. 市场需求变化：未来市场需求的变化趋势及预测 d. 行业竞争格局：主要生产商的竞争地位、市场份额及竞争策略a. 技术创新与升级：提高生产效率、降低成本、提高产品质量等方面的发展趋势b. 绿色环保：可持续发展和环保要求对单晶硅和多晶硅产业的影响及应对策略c. 市场需求变化：未来市场需求的变化趋势及预测d. 行业竞争格局：主要生产商的竞争地位、市场份额及竞争策略
多晶硅生产工艺流程(3篇)
第1篇一、引言多晶硅是光伏产业和半导体产业的重要原材料，广泛应用于太阳能电池、太阳能热利用、半导体器件等领域。
随着新能源产业的快速发展，对多晶硅的需求量日益增加。
本文将详细介绍多晶硅的生产工艺流程，旨在为相关企业和研究人员提供参考。
二、多晶硅生产工艺流程概述多晶硅的生产工艺流程主要包括以下几个阶段：原料处理、还原反应、熔融提纯、铸造、切割、清洗、包装等。
三、多晶硅生产工艺流程详解1. 原料处理多晶硅的生产原料主要是冶金级硅（Si），其含量在98%以上。
首先，将冶金级硅进行破碎、研磨等处理，使其达到一定的粒度要求。
2. 还原反应还原反应是多晶硅生产的关键环节，其主要目的是将冶金级硅中的杂质去除，得到高纯度的多晶硅。
还原反应分为以下几个步骤：（1）将处理后的冶金级硅加入还原炉中。
（2）在还原炉中通入还原剂，如碳、氢气等，与冶金级硅发生还原反应。
（3）在还原过程中，炉内温度保持在约1100℃左右，反应时间为几小时至几十小时。
（4）反应结束后，将还原炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
3. 熔融提纯还原反应得到的粗多晶硅中仍含有一定的杂质，需要通过熔融提纯的方法进一步去除。
熔融提纯主要包括以下几个步骤：（1）将粗多晶硅加入熔融炉中。
（2）在熔融炉中通入提纯剂，如氢气、氯气等，与粗多晶硅发生反应，生成挥发性杂质。
（3）将挥发性杂质通过炉顶排气系统排出，实现提纯。
（4）提纯结束后，将熔融炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
4. 铸造将提纯后的多晶硅熔体倒入铸造炉中，进行铸造。
铸造过程主要包括以下几个步骤：（1）将熔融的多晶硅倒入铸锭模具中。
（2）在铸锭模具中通入冷却水，使多晶硅迅速凝固。
（3）待多晶硅凝固后，将铸锭模具从熔融炉中取出，得到多晶硅铸锭。
5. 切割将多晶硅铸锭切割成所需尺寸的硅片。
切割过程主要包括以下几个步骤：（1）将多晶硅铸锭放置在切割机上。
（2）在切割机上安装切割刀片，将多晶硅铸锭切割成硅片。
单晶硅和多晶硅的制作工艺
单晶硅和多晶硅的制作工艺
单晶硅和多晶硅的制作工艺主要包括以下步骤：
单晶硅的制作工艺：
提纯：从石英砂中提炼出冶金级硅，并将其提纯和精炼，以去除杂质。
拉晶：使用单晶硅生长炉，通过直拉法生产单晶棒。
滚磨：采用外圆磨床滚磨外径，以获得精确的硅片直径。
切片：使用切割机将晶棒切割成一定厚度的薄晶片。
倒角：采用倒角机增加硅片边缘机械强度，减少颗粒沾污。
研磨：使用双面研磨机，去除硅片表面损伤层并达到微米级别的平整度。
抛光：使用抛光机将硅片表面达到纳米级别的平整度。
最终检测：使用检测设备来检测成品的尺寸和电学性能等是否达到预期。
多晶硅的制作工艺：
铸锭：由石英砂加工的冶金级硅精炼而来，先被铸成硅锭。
切片：将硅锭切割成片，从而加工成多晶硅硅片。
请注意，多晶硅也可作为生产单晶硅的原料。
(完整word版)单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺
单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺单晶硅原子以三维空间模式周期形成的长程有序的晶体。
多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。
多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。
加工工艺：加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长（１）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的Ｎ或Ｐ型而定。
杂质种类有硼，磷，锑，砷。
（２）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（１４２０℃）以上，将多晶硅原料熔化。
（３）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。
由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉。
缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（４－６ｍｍ）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
（４）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。
（５）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负２ｍｍ之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。
单晶硅片取自于等径部分。
（６）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。
于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。
这一过程称之为尾部生长。
长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。
单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片加工流程：单晶生长—→切断—→外径滚磨—→平边或Ｖ型槽处理—→切片倒角—→研磨腐蚀—→抛光—→清洗—→包装切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。
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在【技术应用】单晶、多晶硅片生产工艺流程详解（上）中，笔者介绍了单晶和多晶硅片工艺流程的前半部分，概述了一些工艺流程和概念，以及术语的相关知识。
而本文则是从切片工艺开始了解，到磨片和吸杂，看硅片如何蜕变。
切片切片综述当单晶硅棒送至硅片生产区域时，晶棒已经过了头尾切除、滚磨、参考面磨制的过程，直接粘上碳板，再与切块粘接就能进行切片加工了。
为了能切割下单个的硅片，晶棒必须以某种方式进行切割。
切片过程有一些要求：能按晶体的一特定的方向进行切割；切割面尽可能平整；引入硅片的损伤尽可能的少；材料的损失尽量少。
碳板当硅片从晶棒上切割下来时，需要有某样东西能防止硅片松散地掉落下来。
有代表性的是用碳板与晶棒通过环氧粘合在一起从而使硅片从晶棒上切割下来后，仍粘在碳板上。
碳板不是粘接板的唯一选择，任何种类的粘接板和环氧结合剂都必须有以下几个特性：能支持硅片，防止其在切片过程中掉落并能容易地从粘板和环氧上剥离；还能保护硅片不受污染。
其它粘板材料还有陶瓷和环氧。
石墨是一种用来支撑硅片的坚硬材料，它被做成与晶棒粘接部位一致的形状。
大多数情况下，碳板应严格地沿着晶棒的参考面粘接，这样碳板就能加工成矩形长条。
当然，碳板也可以和晶棒的其它部位粘接，但同样应与该部位形状一致。
碳板的形状很重要，因为它要求能在碳板和晶棒间使用尽可能少的环氧和尽量短的距离。
这个距离要求尽量短，因为环氧是一种相当软的材料而碳板和晶棒是很硬的材料。
当刀片从硬的材料切到软的材料再到硬的材料，可能会引起硅片碎裂。
这里有一些选择环氧类型参考：强度、移动性和污染程度。
粘接碳板与晶棒的环氧应有足够强的粘度，才能支持硅片直到整根晶棒切割完成，因此，它必须能很容易地从硅片上移走，只有最小量的污染。
刀片当从晶棒上切割下硅片时，期望切面平整、损伤小、沿特定方向切割并且损失的材料尽量小。
有一个速度快、安全可靠、经济的切割方法是很值得的。
在半导体企业，两种通常被应用的方法是环型切割和线切割。
环型切割通常是指内圆切割，是将晶棒切割为硅片的最广泛采用的方法。
内圆切割内圆切割，切割的位置在刀片的表面。
刀片是由不锈钢制成的大而薄的圆环。
刀片的内侧边缘镀有带钻石颗粒的镍层。
这一钻石-镍的镀层提供了用来切割晶棒的表面，对于150mm 的硅片，每刀用时3 分钟。
内圆刀片的构成和厚度对一典型的内圆刀片，其中心部位由约0.005 英寸的不锈钢制成，镍-钻石涂层是不锈钢刀片边缘两侧约0.003 英寸。
内圆刀片的内侧边缘总厚度约为0.0125 英寸。
这样，材料损失厚度略大于刀片的最厚度，大概在0.013 英寸左右。
镍-钻石涂层的厚度是内圆刀片的一个重要参数。
很明显，这一厚度越小，刀片损失也就越少。
但是，如果涂层太薄的话，刀片切下的路径太窄，刀片可能会有更大潜在可能冲击边缘，如果刀片发生任何偏差而撞击到边缘，硅片就会受到损伤，在接下来的步骤中就需要去除更多的材料。
因此，有一个最适宜的镍-钻石涂层能得到最低的材料损失。
不锈钢有高的延展性能允许刀片有很大的张力，这种强的张力能使刀片绷的很紧很直，从而在切割时能保持刀片平直。
另一个有利之处就是它很耐用，能额外使用同一刀片而不需更换，从而使硅片的生产成本降低。
这是很重要的因为更换一把刀片需耗时1.5 小时左右。
对于相同尺寸的晶棒，有一个办法能减小刀片的尺寸，就是在切割前将晶棒滚圆。
这个安排有利之处在于内圆切片时，只要通过晶棒一半的路程，因此，不需要如此大的直径。
但它会导致碎裂并使硅片中心产生缺陷。
随着晶棒直径的增大，内圆切片变得越来越不实用。
切片损伤当切片机在切割晶棒时，会引起很多损伤。
这一过程会造成硅片产生许多细微破裂和裂纹，这种损伤层的平均厚度约为25-30卩m。
这样的损伤存在于刀片与晶棒接触的任何地方。
因为切片接触的是硅片的表面，所以硅片表面存在着许多这样的损伤，这就意味着在接下来的过程中必须清除掉这些损伤，硅片才会有用。
刀片偏转硅片弯曲和厚度偏差的主要根源在切片过程。
影响硅片形状的最主要因素是切片过程中的刀片偏转。
如果刀片在切片时发生振动，那么很有可能在刀片所在一侧的损伤层会比另一侧更深。
不同的是，因刀片振动引起的损伤称为切片微分损伤。
碎片（刀片退出时）无论任何方式，当刀片切割某种材料即将完成时，刀片在材料底部时，可能会引起材料碎裂，这种现象称为exitchip。
碎片的发生是由于在切割的最后阶段，在材料的小区域中存在高的局部应力。
当持续施加相同大小的压力在越来越薄的材料上，材料就无法再承受这样的压力。
这片材料就开始断裂，材料的碎片就会松散。
最小限度（碎片）有两种方法防止碎片的发生，一种方法是在最后阶段，减小刀片施加在硅片上的压力。
在最后，可以通过降低刀片进给速率来减小压力。
另一个方法是在晶棒外侧位置贴上几片材料，使切割完成。
外表面额外材料的增加提供载体有利于切片的完成。
这样就减少了硅片较薄边缘的压力，硅片也不会碎裂了。
有一防止碎片的系统可供选择，可以消除任何碎片的发生。
就是使晶棒直径生长的稍大一点，那么在切片时，即使发生碎片，滚磨去碎裂处，仍有足够的材料。
这种方法的应用使晶棒直径大1.3mm 左右。
切片之后，多余的材料就会被磨去。
除了内圆切割外，还有线切割。
线切割使用研磨砂浆来切割晶棒，砂浆贴附在接触并进入晶棒的钢线上，钢线会产生压力压迫研磨剂与晶棒接触，这样在砂浆和晶棒间的压力接触使材料被磨去。
线切割基本结构很简单，一根小直径的钢线绕在几个导轮上使钢线形成梯形的形状。
导轮上有凹槽能确保钢线以一定距离分隔开。
一根连续的钢线集中绕导轮的一个个凹槽上，形成许多相同间隔的切割表面。
线之间的空间决定了想要的硅片厚度。
钢线的移动由线轴控制，整个系统只有一根钢线。
线的两端分别绕在线轴上，晶棒慢慢向上（下）移动，穿过钢线，钢线能从晶棒上同时切割下许多硅片。
如150mm 硅片，整根晶棒的切割完成只需约5-8 小时。
典型的线切割机使用的钢线直径约在0.006 英寸。
这么小的尺寸所造成的切片损失只有0.008 英寸。
单根线通常有100km 长，绕在两个线轴上。
如此长的钢线的应用使线的单个区域每次都不会与砂浆及晶棒接触很长时间。
这种与砂浆接触时间的减少有利于延长钢线的寿命。
典型的钢线进给速度在10m/s（22mph ），即一根100km 长的钢线经过一个方向需10，000 秒或约2.75 小时。
其中一个线导轮由马达驱动，控制整个钢线系统。
钢线必须保持一定的张力能压迫砂浆中的磨砂研磨晶棒，并防止导轮上的钢线进给错误。
线切割机的钢线与晶棒接触，而砂浆沉积在钢线上。
砂浆由碳化硅与油混合而成，或其他一些类似的坚硬材料与液体的混合物。
通过钢线的带动，砂浆会对晶棒缓慢研磨，带走晶棒表面少许材料，形成凹槽。
钢线的不断移动将凹槽中的材料不断带走，在钢线完全通过晶棒后，砂浆仍随钢线移动。
线切割的问题有两种主要的失效模式：钢线张力的错误改变和钢线断裂。
如果钢线的张力错误，线切割机就不能有效进行切割了。
钢线有任何一点的松动，都会使其在对晶棒进行切割时发生摇摆，引起切割损失，并对硅片造成损伤。
低的张力还会发生另一问题，会使钢线导轮发生错误进给。
这一错误可能造成对晶棒的错误切割或者使钢线断裂。
在切割过程中，钢线可能会从一个凹槽跳到另一个凹槽中，使硅片切割进行到一半。
钢线也可能因张力太大，达到它所能承受的极限，导致钢线断裂。
如果钢线断裂，可能对硅片造成损伤，并使切割过程停止。
断裂的钢线还可能造成众多硅片的断裂。
晶向当进行切片时，必须按客户要求沿一个方向切割。
所有的客户都希望硅片有一特定的晶向，无论是在一单晶平面还是如果特定的，与平面有特定数值的方向。
就要尽可能使硅片的切割接近这一方向。
一些制作过程要依靠晶向蚀刻，其它则需要基层的晶向准确。
硅片晶向发生任何问题都会引起器件制造问题。
因此，必须在切片开始时就检查硅片晶向的正确性。
当晶棒粘在切片机上时，以参考面为基础，将晶棒排好。
然而，也不能保证切出来的硅片晶向正确，除非先切两片硅片，用X-ray 机检查晶向是否正确。
如果硅片的晶向错误，那么就要调整切片机上晶棒的位置。
切片机有调整晶向的功能。
碳板清除切片完成之后，粘在硅片上的碳板需要清除。
使硅片与碳板粘合在一起的环氧剂能被轻易地清除。
操作时应小心，使硅片边缘不会碎裂，并且保持硅片仍在同一顺序。
硅片的原始顺序必须被保持直至激光刻字。
激光刻字经切片及清洗之后，硅片需用激光刻上标识。
激光标识一般刻在硅片正面的边缘处，用激光蒸发硅而形成标识。
标识可以是希腊字母或条形码。
条形码有一好处，因为机器能快速而方便地读取它，但是，人们很难读出。
因为激光标识在硅片的正面，它们可能会在硅片生产过程中被擦去，除非刻的足够深。
但如果刻的太深，很可能在后面的过程中受到沾污。
一般激光刻字的深度在175卩m左右。
通常在激光刻字区域做的是另一任务是根据硅片的物理性能进行分类，通常以厚度进行分类。
不符合标准的原因通常有崩边、破损、翘曲度太大或厚度超差太大。
边缘倒角倒角使硅片边缘有圆滑的轮廓。
这样操作的主要目的是消除切片过程中在硅片边缘尖利处的应力。
边缘倒角另外的好处是能清除切片过程中一些浅小的碎片。
边缘倒角形态硅片边缘的形状由磨轮形状决定。
倒角磨轮有一个子弹头式的研磨凹槽。
硅片边缘的轮廓首先是由真空吸头将硅片吸住后旋转而完成的。
硅片缓慢旋转，磨轮则以高速旋转并以一定力量压在硅片边缘。
通过倒角磨轮沿着硅片边缘形状移动这样的系统来保持磨轮与硅片边缘的接触。
这使得参考面也能通过磨轮进行倒角。
在硅片旋转几次之后，硅片边缘就能得到磨轮凹槽的形状了。
既然硅片的参考面也同时倒角，就有一些问题发生。
一个问题是当参考面进行倒角时，可能会被磨去一点。
因为参考面是在某些过程中用来进行硅片对齐，这个参考需要被保持。
倒角磨轮倒角磨轮是用来进行边缘倒角的一个金属圆盘，直径约为2-4 英寸左右。
磨轮约0.25 英寸厚，有一子弹头式凹槽在圆盘边缘。
磨轮的研磨表面是一层镍-钻涂层。
倒角原因倒角一个普遍的因素是，这样的边缘能使硅片生产和器件制造阶段都有更高的产率。
崩边和断裂当进行硅片边缘倒角时，硅片边缘高应力点被清除。
硅片边缘应力的下降使硅片有更高的机械强度。
这有利于在处理硅片时对崩边有更强的抵抗力。
外延边缘皇冠顶当在硅片上生长外延时，外延层会在有微粒突出和高应力区域生长的更快些。
因为在未进行倒角之前，这两种情况存在于硅片边缘，外延层就会趋向于在边缘生长的更快。
这就导致在硅片边缘有小的隆起。
这个隆起称为外延边缘皇冠顶并且会在以后的器件制作过程引起一些问题。
如果硅片的边缘已经倒角，就不会再有高应力点或微粒突起在边缘使外延层得以生长，这就有利于防止外延边缘皇冠顶的形成。
边缘光刻胶小珠子光刻胶应用到硅片时，是应用在旋转的硅片上，在硅片上的涂抗蚀剂后，旋转速度会上升，这样使得在硅片上的抗蚀剂甩出，形成均匀一致的薄膜。