半导体制程工艺 萧宏 ch13
半导体制造工艺流程简介word精品文档38页
半导体制造工艺NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。
PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——铝下CVD——QC检查（tox、R□）——前处理——HCl氧化——前处理——氢气处理——三次光刻——QC检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC检查（ts）——五次光刻——QC检查——大片测试——中测——中测检查（——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查）——综合检查——入中间库。
GR平面品种（小功率三极管）工艺流程为：编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化——QC检查（tox）——一GR光刻（不腐蚀）——GR硼注入——湿法去胶——前处理——GR基区扩散——QC检查（Xj、R□）——硼注入——前处理——基区扩散与氧化——QC检查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——发射区干氧氧化——QC检查（tox）——磷注入——前处理——发射区氧化和再扩散——前处理——POCl3预淀积（R□）——后处理——前处理——铝下CVD——QC检查（tox）——前处理——氮气退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——正向测试——五次光刻——QC检查——大片测试——中测编批——中测——中测检查——入中间库。
半导体工艺知识点总结
半导体工艺知识点总结半导体工艺这事儿啊，就像一场超级精细的魔术表演。
咱先说说半导体材料这一块吧。
硅，那可是半导体世界里的大明星，就像一场演唱会里的主唱一样重要。
它的特性特别适合用来做半导体器件。
不过你可别以为硅就是唯一的主角啦，还有像锗啊之类的材料也在这个大舞台上有自己的戏份呢。
这半导体材料啊，就像是盖房子的砖头，没有好砖头，房子肯定盖不结实，同理，没有合适的半导体材料，后面那些神奇的半导体器件就无从谈起啦。
光刻技术呢，这可是半导体工艺里的一把神奇画笔。
光刻就像是在微观世界里搞艺术创作。
光刻机能把设计好的电路图案精确地印到硅片上，这个精度啊，那是超级高的。
你要是把硅片想象成一块超级小的画布，光刻技术就是那个能在上面画出超级精细图案的神来之笔。
这就好比刺绣，普通的刺绣可能针法粗糙一点没关系，可这半导体光刻啊，就像是苏绣里最精细的那种，一针一线都不能差，稍微有点偏差，整个电路可能就废了。
蚀刻工艺也很关键呢。
蚀刻就像是一个超级精准的雕刻师，把不需要的部分一点一点地去除掉，只留下我们想要的电路结构。
这就像做木雕一样，木雕师傅拿着刻刀，一点点地把多余的木头削掉，最后呈现出精美的木雕作品。
半导体蚀刻也是这个道理，只不过它是在微观层面上进行的，那难度可比木雕大多了。
再说说掺杂工艺吧。
掺杂就像是给半导体材料注入灵魂。
往纯净的半导体材料里加入一些杂质原子，就好像给一杯白开水加点糖或者盐一样，一下子就改变了它的性质。
这一改变可不得了，能让半导体具备我们想要的电学特性，像是导电性之类的。
这就好比一个人原本很内向，突然给他注入了一些开朗的元素，整个人的性格就变得不一样了，在半导体这里，就是电学性能发生了变化。
封装工艺呢，这就是给做好的半导体芯片穿上保护的外衣。
芯片就像一个娇弱的小宝宝，需要好好保护起来。
封装就像是给小宝宝做一个坚固又舒适的小房子。
这个小房子不仅要保护芯片不受外界环境的影响，像温度、湿度之类的，还要能方便芯片和外界进行连接，就像房子要有门和窗户一样，芯片封装也要有引脚之类的东西来实现电气连接。
半导体制程工艺设备流程
半导体制程工艺设备流程
半导体制程就像做小饼干一样。
做小饼干得先有材料呀，半导体制程一开始也是要准备好硅片，硅片就像是做小饼干的面粉团。
接着呢，要把硅片洗得干干净净的。
就像咱们洗手一样，把脏东西都去掉，这样做出来的半导体才好呢。
比如说，硅片上可能有一些灰尘或者小颗粒，要是不洗干净，就像小饼干里混进了沙子，那可不好啦。
然后要在硅片上进行光刻啦。
这光刻就像是给小饼干印图案。
光刻机能把设计好的图案印在硅片上，就像小印章在小饼干上印出漂亮的小花纹一样。
再之后就是蚀刻啦。
蚀刻就像是把小饼干上多余的部分去掉。
按照光刻出来的图案，把不需要的地方去掉，这样就慢慢做出半导体需要的形状了。
做完这些，还要进行掺杂呢。
这就好比给小饼干加一些特别的调料，像巧克力豆或者水果干。
掺杂就是往硅片里加入一些特殊的东西，让硅片有不同的电学性质。
最后就是封装啦。
这就像把做好的小饼干装进漂亮的盒子里。
封装就是把做好的半导体保护起来，这样它就可以用到我们的手机、电脑这些东西里面啦。
半导体制造工艺流程简介 (2)
半导体NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。
PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻—□□—QC检查——单结测试——磷注入——前处理——发射区氧化——前处理——发射区再扩散——前处理——POCl3预淀积（R□）——后处理——前处理——HCl退火、N2退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮氢合金——氮气烘焙——正向测试（ts）——外协作（ts）——前处理——五次光刻——QC检查——大片测试——测试ts——中测编批——中测——中测检查——入中间库。
变容管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查——N+光刻——QC检查——前处理——干氧氧化——QC检查——P+注入——前处理——N+扩散——P+光刻——QC检查——硼注入1——前处理——CVD（LTO）——QC检查——硼注入2——前处理——LPCVD ——QC检查——前处理——P+扩散——特性光刻——电容测试——是否再加扩——电容测试——......（直到达到电容测试要求）——三次光刻——QC检查——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——铝反刻——QC检查——前处理——氢气合金——氮气烘焙——大片测试——中测——电容测试——粘片——减薄——QC检查——前处理——背面蒸发——综合检查——入中间库。
半导体制程工艺发展史
半导体制程工艺发展史嘿，朋友们！今天咱们来唠唠半导体制程工艺那超级有趣的发展史。
这就像是一场科技界的超级变变变魔术秀。
很久很久以前啊，半导体的制程工艺就像个蹒跚学步的小娃娃。
那时候的制程，简单又粗糙，就像用石头和树枝搭建小房子一样，晶体管大得像巨人的脚趾头。
早期的半导体制造就像在黑暗中摸索的探险家，到处乱撞，不过这也是一切伟大开始的模样嘛。
然后呢，制程工艺就像个努力减肥的人，开始慢慢变瘦变小。
晶体管的尺寸不断缩小，就像从大象变成了小老鼠。
这个过程就像是一场微观世界的缩骨功表演，那些技术人员就像是微观世界的魔法师，指挥着原子和分子乖乖听话。
到了后来，制程工艺进入了一个狂飙突进的时代。
这就像是赛车在高速赛道上飞奔，一刻也不停歇。
光刻技术闪亮登场，它就像一把超级精准的雕刻刀，在硅片这个大蛋糕上精心雕琢。
这时候的晶体管变得更小了，小到你感觉它们就像一群小精灵，在硅片的小天地里欢快地跳舞。
再往后啊，制程工艺的发展像是一场军备竞赛。
各个科技公司就像争强好胜的武林高手，都想把自己的制程工艺修炼到极致。
每一次制程的提升就像是学会了一招新的绝世武功，都想在半导体这个江湖里称霸一方。
随着时间的推移，半导体制程工艺越来越像一个神秘的黑科技乐园。
3D NAND闪存技术的出现，就像是在硅片上盖起了高楼大厦，原本平平无奇的硅片瞬间变成了繁华的微观都市。
这简直是把微观世界变成了一个充满奇迹的梦幻王国。
现在啊，半导体制程工艺已经像是一艘冲向宇宙深处的超级飞船。
量子技术也开始渗透进来，这就像是给飞船加上了超级燃料。
它朝着更小、更高效、更强大的方向一路狂奔，谁也不知道它最终会发展成什么样子，也许会像科幻电影里那样，创造出拥有自我意识的超级芯片呢。
总之，半导体制程工艺的发展史就像是一部充满惊喜和奇迹的长篇小说，每一页都写满了人类智慧的光辉。
从最初的粗陋到现在的高精尖，就像一只毛毛虫变成了绚丽的蝴蝶。
而我们就像坐在观众席上的吃瓜群众，眼睁睁地看着这场精彩的科技大秀不断上演新的节目。
半导体制造实用工艺流程简介
word半导体制造工艺NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。
PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查〔tox〕——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查〔R□〕——前处理——基区氧化扩散——QC检查〔tox、R□〕——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理〔P液〕——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查〔tox〕——前处理——发射区再扩散〔R□〕——前处理——铝下CVD——QC检查〔tox、R□〕——前处理——HCl氧化——前处理——氢气处理——三次光刻——QC检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查〔t Al〕——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC检查〔ts〕——五次光刻——QC检查——大片测试——中测——中测检查〔——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查〕——综合检查——入中间库。
GR平面品种〔小功率三极管〕工艺流程为：编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查〔tox〕——一次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化——QC检查〔tox〕——一GR光刻〔不腐蚀〕——GR硼注入——湿法去胶——前处理——GR基区扩散——QC检查〔Xj、R□〕——硼注入——前处理——基区扩散与氧化——QC检查〔Xj、tox、R□〕——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——发射区干氧氧化——QC检查〔tox〕——磷注入——前处理——发射区氧化和再扩散——前处理——POCl3预淀积〔R□〕——后处理——前处理——铝下CVD——QC检查〔tox〕——前处理——氮气退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查〔t Al〕——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——正向测试——五次光刻——QC检查——大片测试——中测编批——中测——中测检查——入中间库。
半导体制造工艺流程课件
04
半导体制造的后处理
金属化
01
02
03
金属化
在半导体制造的后处理中 ，金属化是一个关键步骤 ，用于在芯片上形成导电 电路。
金属材料
通常使用铜、铝、金等金 属作为导电材料，通过物 理或化学沉积方法将金属 薄膜沉积在芯片表面。
连接电路
金属化过程将芯片上的不 同元件连接成完整的电路 ，实现电子信号的传输和 处理。
高纯度材料
半导体制造需要使用高纯度材料，以确保芯片的性能和可 靠性。然而，高纯度材料的制备和加工难度较大，需要克 服许多技术难题。
制程控制
半导体制造过程中，制程控制是至关重要的。制程控制涉 及温度、压力、流量、电流、电压等众多参数，需要精确 控制这些参数以确保芯片的性能和可靠性。
环境影响
能源消耗
半导体制造是一个高能耗的过程 ，需要大量的电力和能源。随着 半导体产业的发展，能源消耗也 在不断增加，对环境造成了很大 的压力。
废弃物处理
半导体制造过程中会产生大量的 废弃物，如化学废液、废气等。 这些废弃物如果处理不当，会对 环境造成很大的污染和危害。
碳排放
半导体制造过程中的碳排放也是 一个重要的问题。减少碳排放是 半导体产业可持续发展的关键之 一。
未来发展趋势
先进封装技术
随着摩尔定律的逐渐失效，先进封装技术成为半导体制造的重要发展方向。通过将多个 芯片集成在一个封装内，可以实现更小、更快、更低功耗的芯片系统。
沉积薄膜质量
影响沉积薄膜质量的因素包括反应温度、气体流量、压强等，需通 过实验优化获得最佳工艺参数。
外延生长
外延生长目的
在半导体材料表面外延生长一层单晶层，用 于扩展器件尺寸、改善材料性能和提高集成 度。
第三代 半导体 器件制造 工艺流程
第三代半导体器件制造工艺流程下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by the editor. I hope that after you download them, they can help yousolve practical problems. The document can be customized and modified after downloading, please adjust and use it according to actual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types of practical materials, such as educational essays, diary appreciation, sentence excerpts, ancient poems, classic articles, topic composition, work summary, word parsing, copy excerpts,other materials and so on, want to know different data formats and writing methods, please pay attention!第三代半导体器件制造工艺流程是当今半导体产业中备受关注的一个重要领域。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
20
雙井區
• 兩個光罩步驟 • 平坦表面 • 常見在先進的CMOS IC晶片製造 • 高能量低電流的佈植機 • 高溫爐執行井區的退火和驅入製程
Hong Xiao, Ph. D. /HongXiao/Boo k.htm 21
二氧化矽
N型井區 矽 二氧化矽 氮化矽
(c)
N型井區 矽
硼離子佈植
•退火及 驅入
•剝除氧化層 (e)
Hong பைடு நூலகம்iao, Ph. D.
矽 /HongXiao/Boo k.htm
(e)
N型井區
P型井區
18
自我對準式的雙井區
• 優點: 減少一個光罩步驟
– 降低成本 – 改善IC晶片良率.
Hong Xiao, Ph. D. /HongXiao/Boo k.htm 5
NMOS
鋁矽合金
氮化矽
場區氧 化層
PSG n+ P型矽
PSG 多晶矽 n+ 匣極氧化層
PSG
場區氧 化層
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
• • • • • • • 列出三種絕緣形成的方法 描述側壁空間層製程和應用 解釋臨界電壓 VT 調整佈植的目的 列出三種用在MOSFET匣極的導體 列出用來作為局部連線製程的三種金屬 列出銅金屬化製成的基本步驟 辨識在一個積體電路晶片中最常被用來 當做最後鈍化層的材料
/HongXiao/Boo k.htm 2
/HongXiao/Boo k.htm
24
矽局部氧化絕緣的形成
襯墊氧化層 氮化矽
晶圓清洗 成長襯墊氧化層 LPCVD 氮化矽 (a)
(a)
P型基片
氮化矽
光罩 1, LOCOS
蝕刻氮化矽
(b)
p+ P型基片
p+
氮化矽
剝除光阻
絕緣佈植(硼)(b) 濕式氧化, 形成矽局部氧化LOCOS (c) 剝除氮化矽及襯墊氧化層 (d)
26
襯墊氧化層
襯墊氧化層
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
27
LPCVD 氮化矽
襯墊氧化層
氮化矽
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
矽磊晶層
• 使用查克洛斯基(CZ)法製造的晶圓由於使用 石英坩鍋通常都會帶有一些氧 • 氧會減少載體的生命週期並且降低元件的速 度 • 磊晶矽層可以製造出一個無氧的基片而達到 很高的元件速度
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
/HongXiao/Boo k.htm 10
Hong Xiao, Ph. D.
IC製造使用的晶圓
• 先進的CMOS IC晶片通常使用帶有p型磊晶 層的 p型 <100>單晶矽晶圓 • 雙載子 IC晶片通常使用 <111> 晶圓
Hong Xiao, Ph. D.
15
帶有N型井區的CMOS
多晶矽匣極
p+ n+ n+ SiO2 p+ p+ N型井區 p+ LOCOS
P型基片
匣極氧化層 絕緣佈植
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
16
自我對準式的雙井區
• • • • • • 設計者有更多的彈性 自我對準製程可以節省一道光罩步驟 LPCVD氮化矽( Si3N4 )是非常緻密的薄膜 阻絕離子佈植穿透p型井區 防止在p型井區產生氧化反應 在n型井區上的厚氧化層可以阻擋形成P 型井區的離子佈植
Hong Xiao, Ph. D.
簡介
• 完成一個積體電路晶片的製造需要三十個 光罩以及幾百個製程步驟. • 每一個步驟都和其他的步驟有關. • CMOS 製程
– 前段
• 井區形成、絕緣以及電晶體製造
– 後段
• 局部連線和鈍化製程
Hong Xiao, Ph. D. /HongXiao/Boo k.htm 3
/HongXiao/Boo k.htm 17
Hong Xiao, Ph. D.
自我對準式的雙井區
•晶圓清洗 •成長襯墊氧層 •沉積氮化矽 (a) •N型井區光罩 •蝕刻氮化矽 (b)
矽 磷離子 氮化矽 氮化矽
(a)
矽
•剝除光阻
•N型井區佈植 (b) •退火/ 驅入及氧化 (c) •剝除氮化矽 •P型井區佈植 (d) (d)
/HongXiao/Boo k.htm
37
剝除氮化矽、多晶矽及襯墊氧化層
p+
SiO2 p+ P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
38
矽局部氧化的問題
• 鳥嘴
– 二氧化矽內部的等向性擴散所引起 – 在氮化矽層下成長 – 浪費許多矽表面區域
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
13
N型井區的形成步驟
晶圓清洗 屏蔽氧化層成長 (a)
磷離子佈植
光阻
N型井區 P型矽
井區光罩
離子佈植 (a) 光阻剝除 退火及驅入 (b) (c)
N型井區 P型矽
(b)
N型井區 P型矽
屏蔽氧化層 (c)
雙井區
磷離子佈植 光阻 N型井區 P 型磊晶層 P型晶圓
硼離子 光阻 P型井區 N型井區 P 型磊晶層 P型晶圓
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
22
絕緣技術
• 整面全區覆蓋式氧化層 • 矽的局部氧化 (LOCOS) • 淺溝槽絕緣 (STI)
• 不平坦的表面
– 氧化層在矽表面上成長 – 影響微影製程和薄膜沉積
Hong Xiao, Ph. D. /HongXiao/Boo k.htm 39
Hong Xiao, Ph. D. /HongXiao/Boo k.htm 14
帶有P型井區的CMOS
多晶矽
n+ P型井區 n+
場區氧化層
p+
匣極氧化層
p+
N型矽
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
光阻 氮化矽
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
31
矽局部氧化光罩曝光
光阻 氮化矽
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
32
顯影
光阻 氮化矽
6
1980年代早期的CMOS
氮化矽 USG 多晶矽匣極 Al· Cu· Si BPSG SiO2 p+ 氮化矽
p+ 匣極氧 化層
n+
n+
p+
N型井區
p+
LOCOS
P型基片
絕緣佈植
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
7
矽磊晶層
/HongXiao/Boo k.htm
35
絕緣佈植
氮化矽 p+ P型基片 p+
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
36
加熱氧化
氮化矽 p+
SiO2 p+ P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
• 缺點: 晶圓表面不再平坦
– N型井區總是比P型井區要低 – 影響微影製程的解析度 – 影響薄膜的沉積
Hong Xiao, Ph. D. /HongXiao/Boo k.htm 19
自我對準式的雙井區
• 先形成N型井區 • 磷在單晶矽擴散速率要比硼低 • 如果p型井區先佈植，在n型井區的退火 及摻雜物驅入期間，硼的擴散會失去控 制
Hong Xiao, Ph. D.
(c)
SiO 2 p+ P型基片
p+
SiO 2
(d)
p+
p+ P型基片
/HongXiao/Boo k.htm
25
晶圓清洗
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo k.htm
• 雙載子電晶體和BiCMOS晶片需要矽磊晶層 來形成一個深埋層
– 有一些功率元件甚至需要用懸浮帶區長晶法 (floating zone method)製造的晶圓
• 當CMOS晶片速度不是非常高時，就不需要 磊晶層 • 高速CMOS晶片需要磊晶層
Hong Xiao, Ph. D. /HongXiao/Boo k.htm 8
Hong Xiao, Ph. D. /HongXiao/Boo k.htm 4
NMOS 和 CMOS 製程
• 最簡單的NMOS IC積體電路製程有五道光罩 步驟：活化、匣極、接觸窗、金屬以及連接 墊區 • 早期的CMOS IC製程多增加三道光罩步驟 : n 型井區(對p型基片), 活化, 匣極, n型源極/汲極 , p型源極/汲極, 接觸窗, 金屬和連接墊區 • 兩種製程都使用p型晶圓
Chapter 13製程整合
Hong Xiao, Ph. D.
hxiao89@
/HongXiao/Book.htm
Hong Xiao, Ph. D. /HongXiao/Boo k.htm 1