pc817(光耦隔离)
PC817
电流传输比等级 L A B C D
注：CTR=IC60 130-260 200-400 300-600
测试条件
IF=5mA, VCE=5V, TA=25℃
VCEO VECO
IC PC VISO( rms )
最小值 -55 -40
最大值 125 85 50 6 70 30 6 50 150 5000
单位 ℃ ℃ mA V mW V V mA mW V
电学参数 （TA=25℃）
参数 正向电流 反向电流 集电极暗电流 集电极与发射极击穿电压 发射极与集电极击穿电压 集电极电流 电流传输比 饱和压降 上升时间 下降时间
绝缘电阻
符号 VF IR ICEO BVCEO BVECO IC CTR VCES tr tf
RISO
最小值 典型值 1.2
30 6 2.5 50
5×1010 1×1011
最大值 1.4 10 100
30 600 0.2 18 18
单位 V μA nA V V mA % V μs μs
Ω
测试条件
IF=20mA VR =4V VCE=20V IC =0.1mA IE=10μA IF=5mA, VCE=5V IF=20mA,IC=1mA VCE=2V, IC=2mA, RL =100Ω DC=500V, 湿度 40-60%
应用：信号隔离 开关电源 信号传输
概述：PC817 光电耦合器是由一个红外发光二极管和一个光敏三极管组成。
最大极限值（湿度= 40 - 60%）
参数 贮藏温度 工作温度 正向电流 反向电压 输入功耗 集电极与发射极电压 发射极与集电极电压 集电极电流 输出功耗 绝缘电压（交流测试时间1 min ）
PC817光耦
80 to 600
PC8 * 7
A, B, C, D或无标记
50 to 600
*：1或2或3或4
图1测试电路的频率响应 图2测试电路的响应时间
特性曲线图
正向电流比(常温) 集电极功耗比(常温)
峰值正向电流与占空比电流传输比比正向电流
正向电流与正向电压 集电极电流比集电极发射极电压
相对比率与电流传输比常温集电极发射极饱和电压与常温
Ω
Floating capacitance浮动电容
Cf
V = 0, f = 1MHz
-
0.6
1.0
pF
Cut-off frequency截止频率
fc
VCE = 5V, I C = 2mA, R L = 100 W, -3dB
-
80
-
kHz
Response time响应时间
Rise time上升时间
tr
-55 to + 125
℃
*3Soldering temperature焊接温度
T sol
260
℃
* 1脉冲宽度<=100ms，占空比:0.001
* 2 40至60％相对湿度，交流1分钟
* 3 10秒
Electro-optical Characteristics光电特性
Parameter参数
Symbol符号
Ct
V = 0, f = 1kHz
-
30
250
pF
输出侧
Collector dark current集电极暗电流
ICEO
VCE = 20V
-
-
10-7
A
光电耦合器pc中文资料
光电耦合器p c中文资料 The Standardization Office was revised on the afternoon of December 13, 2020光电耦合器pc817中文资料PC817光电耦合器广泛用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
特点：电流传输比(CTR: MIN. 50% at IF=5mA ,VCE=5V)高隔离电压:5000V有效值公认的UL认证，档案编号E64380* 2 40至60％相对湿度，交流1分钟* 3 10秒Response time 响应时间Rise time 上升时间tr VCE = 2V, I C =2mA, R L = 100 W- 4 18 μs Fall time下降时间tf - 3 18 μsModel No. 型号Rank mark 等级标志电流传输比CTR ( % )PC817A A 80 to 160PC817B B 130 to 260PC817C C 200 to 400PC817D D 300 to 600PC8 * 7AB A 或 B 80 to 260PC8 * 7BC B 或C 130 to 400PC8 * 7CD C 或 D 200 to 600PC8 * 7AC A, B 或 C 80 to 400PC8 * 7BD B, C 或 D 130 to 600PC8 * 7AD A, B, C 或 D 80 to 600PC8 * 7 A, B, C, D 或无标记50 to 600图1测试电路的频率响应图2测试电路的响应时间特性曲线图正向电流比(常温) 集电极功耗比(常温)峰值正向电流与占空比电流传输比比正向电流正向电流与正向电压集电极电流比集电极发射极电压相对比率与电流传输比常温集电极发射极饱和电压与常温集电极暗电流比常温响应时间与负载电阻频率响应集电极发射极饱和电压与正向电流应用电路：图4 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图图5 与TL431配合的电源反馈电路封装尺寸及功能图：译自sharp公司。
pc817光耦工作原理(一)
pc817光耦工作原理(一)PC817光耦工作原理初探什么是PC817光耦？PC817光耦是一种常见的电子元件，通常用于隔离控制电路和负载电路。
它由一个发射器和一个接收器组成，通过光线传输信号，从而实现隔离控制。
PC817光耦的工作原理是什么？PC817光耦的工作原理基于光电效应，它通过将输入端（发射器）和输出端（接收器）隔离开来，从而防止高电压和高电流影响到控制电路。
具体来说，当输入端（发射器）电流通入时，它会产生一个光线信号，该光线会通过PC817光耦内部的隔离区域，到达输出端（接收器）。
一旦该信号到达输出端（接收器），它会引发一定的电信号，从而触发输出电路。
这样就实现了输入端和输出端之间的隔离控制。
如何使用PC817光耦？使用PC817光耦需要注意以下几点：1.确保输入端（发射器）和输出端（接收器）之间没有电线连接2.确保输入端（发射器）和输出端（接收器）之间的距离足够接近，以便光线传输3.确保输入端（发射器）和输出端（接收器）之间的电间隔符合安全标准总结PC817光耦是一种常见的电子元件，它能够隔离控制电路和负载电路，从而使电路更加安全可靠。
它的工作原理基于光电效应，需要注意输入端和输出端之间的距离和电间隔。
PC817光耦工作原理深入剖析光电效应是什么？光电效应是指材料受到光线照射时，会将光线吸收并转化为电荷的现象。
这种效应有着广泛的应用，如太阳能电池、摄像头等。
光耦的内部结构PC817光耦具有以下内部结构：1.发光二极管2.光敏二极管3.隔离区域其中，发光二极管是用于产生光线的元件，而光敏二极管则是用于接收光线并产生电信号的元件。
隔离区域则是用于隔离输入端和输出端的电气信号的区域。
光耦的工作原理详解当输入端（发射器）电流通入时，发光二极管会产生一定的光线信号。
随后，这个信号会经过隔离区域，并到达输出端（接收器）。
当光线到达输出端（接收器）时，光敏二极管会感知到光线的存在，并产生一定的电信号。
pc817
PC817简介PC817是一种光耦合器件，也被称为光耦隔离器。
它由发光二极管和光敏三极管组成，用于将电气信号从一个电路隔离到另一个电路，以保护电路免受干扰和噪声。
PC817被广泛应用于各种电子设备中，如计算机、通信设备、工业控制系统等。
它能够提供电气隔离，并实现信号的传输和调节，同时具有高隔离电压、低耦合容量和快速响应时间等特点。
结构PC817由两个部分组成：发光二极管和光敏三极管。
发光二极管（LED）是一个用于发射的光源，而光敏三极管（Phototransistor）是一个光敏探测器，用于接收光信号。
发光二极管通常采用红外LED，可以向外发射红外光。
光敏三极管结构类似于普通的三极管，但其基极区域被替换为光敏区域，可以感受到光信号并转换为电信号。
这两个部分通过一个透明的隔离垫（Isolation Barrier）分离，以实现电气隔离。
工作原理PC817的工作原理基于光电效应，其过程如下：1.当外部信号加到PC817的输入端时，输入电流通过LED流过，LED发出红外光。
2.红外光穿过隔离垫，并照射在光敏三极管的光敏区域上。
3.光敏三极管内部的光敏区域吸收红外光，并产生电流。
4.光敏电流通过光敏三极管的集电极输出到PC817的输出端，输出电流与输入电流呈线性关系。
由于发光二极管和光敏三极管之间通过隔离垫隔离，电路之间达到了电气的隔离，从而保护了接收端免受输入端的干扰和噪声。
主要特点PC817具有以下主要特点：1.高隔离电压：PC817能够提供高达2500Vrms的隔离电压，确保电路之间的安全隔离。
2.低耦合容量：PC817具有低耦合容量，减少了信号传输的时间延迟和失真。
3.快速响应时间：PC817具有快速的响应时间，适用于高速数据传输和控制应用。
4.小型封装：PC817具有小型的DIP封装，便于集成到各种电路板中。
5.高可靠性：PC817具有稳定的性能和高可靠性，适用于工业环境下的长期运行。
应用领域PC817在以下领域中得到广泛应用：1.计算机和通信设备：PC817常用于计算机主板、交换机、路由器等设备中，用于隔离和传输信号。
PC817光耦
PC817光电耦合器/光耦封装：DIP4质量：全新进口尺寸参数（单位mm）：PC817光电耦合器广泛用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
特点：电流传输比(CTR: MIN. 50% at IF=5mA ,VCE=5V)高隔离电压:5000V有效值Absolute Maximum Ratings PC817光耦绝对最大额定值Parameter 参数Symbol符号Rating 数值Unit 单位输入侧Forward current 正向电流IF50mA *1Peak forward current 峰值正向电流IFM1A Reverse voltage 反向电压VR6V Power dissipation 功耗P70mW输出侧Collector-emitter voltage 集电极发射极电压V CEO35V Emitter-collector voltage 发射极集电极电压V ECO6V Collector current 集电极电流IC50mA Collector power dissipation 集电极功耗PC150mWTotal power dissipation 总功耗P tot200mW *2Isolation voltage 隔离电压V iso 5 000Vrms Operating temperature 操作温度T opr-30 to + 100℃Storage temperature 存储温度T stg-55 to + 125℃*3Soldering temperature 焊接温度T sol260℃* 1 脉冲宽度<=100ms，占空比:0.001* 2 40至60％相对湿度，交流1分钟* 3 10秒Electro-optical Characteristics光电特性Parameter 参数Symbol 符号Conditions 测试条件数值最小典型最大典型输入侧Forward voltage正向电压V F IF = 20mA- 1.2 1.4V Peak forward voltage正向峰值电压V FM IFM = 0.5A-- 3.0V Reverse current 反向电流IR VR =4V--10μA Terminal capacitance 终端电容Ct V = 0, f = 1kHz-30250pF输出侧Collector dark current 集电极暗电流ICEO VCE = 20V--10-7ATra nsf er ch ara c-t eri sti cs 传输特点*4Current transfer ratio 电流传输比CTRIF = 5mA, V CE= 5V50-600% Collector-emitter saturationvoltage 集电极发射极饱和电压V CE(sat)IF = 20mA, I C =1mA-0.10.2VIsolation resistance 隔离电阻R ISODC500V, 40 to60% RH5x10101011-ΩFloating capacitance 浮动电容Cf V = 0, f = 1MHz-0.6 1.0pF Cut-off frequency截止频率fcVCE = 5V, I C =2mA, R L = 100W, -3dB-80-kHzResponsetime 响应时间Rise time 上升时间tr VCE = 2V, I C =2mA, R L = 100W-418μs Fall time下降时间tf-318μs* 4分类表电流传输比如下所示Model No. 型号Rank mark 等级标志电流传输比CTR ( % ) PC817A A80 to 160PC817B B130 to 260PC817C C200 to 400PC817D D300 to 600PC8 * 7AB A 或B80 to 260PC8 * 7BC B 或C130 to 400PC8 * 7CD C 或D200 to 600 PC8 * 7AC A, B 或C80 to 400 PC8 * 7BD B, C 或D130 to 600 PC8 * 7AD A, B, C 或D80 to 600PC8 * 7A, B, C, D 或无标记50 to 600*：1或2或3或4图1测试电路的频率响应图2测试电路的响应时间特性曲线图正向电流比(常温) 集电极功耗比(常温)峰值正向电流与占空比电流传输比比正向电流正向电流与正向电压集电极电流比集电极发射极电压相对比率与电流传输比常温集电极发射极饱和电压与常温集电极暗电流比常温响应时间与负载电阻频率响应集电极发射极饱和电压与正向电流。
为什么要使用PC817光耦
为什么要使用PC817光耦PC817光耦以及其参数，为其自身产品品质和品牌的建树奠定了坚实基础：1．输入参数光电耦合器的输入参数就是发光二极管的参数。
2．输出参数与所用的光电管基本相同，仅对光电流和饱和压降加以说明。
（1）光电流指光电耦合器输入一定的电流（一般为10mA）、输出端接有一定负载（约500Ω）、并按规定极性加一定电压（通常为10V）时，在输出端所产生的电流。
对于由光电三极管构成的耦合器，光电流为几毫安以上；由光电二极管构成的耦合器，则约为几十到几百微安。
（2）饱和压降UCE（sat）指在由光电三极管构成的光电耦合器中，输入一定电流（一般为20mA），输出回路按规定极性加一定电压（通常为10V），调节负载电阻，使输出电流为一定值（一般为2mA）时，光电耦合器输出的电压。
其值通常为0.3V。
3．传输参数（1）电流传输比CTR指在直流工作状态下，光电耦合器的输出电流IL与输入电流IF之比值即CTR=IL/IF，它的大小反映光电耦合器传输效率的高低。
不加复合管时，总是小于1。
（2）隔离电阻RISO指发光二极管与光电管之间的绝缘电阻，反映输入与输出之间的绝缘水平，一般为109~1013Ω。
（3）极间耐压UISO指发光二极管与光电管之间的绝缘耐压，一般都在500V以上。
不管是信号输入端还是输出端，都要注意电源电压及限流。
不要直接接电源而无负载电阻，这样要烧掉的。
6，在生活无处不在的电子行业的体现：PC817光耦自进入中国市场以来，很快成为中国顶级豪宅项目最钟爱的电源产品，是否使用品牌的电源适配器已成为衡量住宅档次和身份的象征，而PC817光耦则更是充分体现了其品位和优雅。
它的特点都有以下几点①隔离性能好，输入端与输出端完全实现了电隔离，其绝缘电阻RISO一般均能达到1010Ω以上，绝缘耐压VISO在低压时都可满足使用要求，高耐压一般能超过lkV,有的可达10kV以上。
②光信号单向传输，输出信号对输入端无反馈，可有效阻断电路或系统之间的电联系，但并不切断他们之间的信号传递。
光电耦合器pc817
光电耦合器pc817中文资料
pc817是常用的线性光藕，广泛用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，常常在各种要求比较精密的功能电路中被当作耦合器件，具有上下级电路完全隔离的作用，相互不产生影响。
使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减
化电路设计。
特点：电流传输比
(CTR:MIN.50%atIF=5mA,VCE=5V)高隔离电压:5000V有效值紧凑型双列直插封装
公认的UL认证，档案编号E64380
AbsoluteMaximumRatingsPC817光耦绝对最大额定值
当输入端加电信号时，发光器发出光线，照射在受光器上，受光器接受光线后导通，产生光电流从输出端输出，从而实现了"电-光-电"的转换。
普通光电耦合器只能传输数字信号（开关信号），不适合传输模拟信号。
线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件，能够传输连续变化的模拟电压或电流信号，这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号，从而使光敏晶体管的导通程度也不同，输出的电压或电流也
随之不同。
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FOD814 Series, FOD617 Series, FOD817 Series 4-Pin Phototransistor Optocouplers
1
FOD814 Series, FOD617 Series, FOD817 Series Rev. 1.0.2
FOD814 Series, FOD617 Series, FOD817 Series 4-Pin Phototransistor Optocouplers
15
*Typical values at TA = 25°C
Typ* —
Max Unit 300 % 150 80 125 200 320
— 600 — 160 — 260 — 400 — 600 0.1 0.2 V — 0.4 0.1 0.2 80 — KHz
3 FOD814 Series, FOD617 Series, FOD817 Series Rev. 1.0.2
TSTG TOPR TSOL P TOT
-55 to +150
-55 to +105
-55 to +110
260 for 10 sec
200
Continuous Forward Current Reverse Voltage Power Dissipation
Derate above 100°C
IF
FOD617A: 40–80%
FOD817: 50–600%
FOD617B: 63–125%
FOD817A:80–160%
FOD617C: 100–200% FOD817B: 130–260%
FOD617D: 160–320% FOD817C:200–400%
FOD814: 20–300%
FOD817D:300–600%
Electrical/Characteristics (TA = 25°C Unless otherwise specified.)
Individual Component Characteristics
Parameter
Device Test Conditions Symbol Min Typ* Max Unit
EMITTER
Forward Voltage Reverse Leakage Current Terminal Capacitance
FOD814
(IF = ±20 mA)
VF
FOD617
(IF = 60 mA)
FOD817
(IF = 20 mA)
FOD617
(VR = 6.0 V)
IR
FOD817
FOD814 Series, FOD617 Series, FOD817 Series 4-Pin Phototransistor Optocouplers
November 2005
FOD814 Series, FOD617 Series, FOD817 Series 4-Pin Phototransistor Optocouplers
Features
■ AC input response (FOD814 only)
■ Applicable to Pb-free IR reflow soldering
■ Compact 4-pin package
■ Current transfer ratio in selected groups:
IF = ±20 mA, IC = 1 mA IF = 10 mA, IC = 2.5 mA
VCE (sat) — —
FOD817
IF = 20 mA, IC = 1 mA
—
Cut-Off Frequency FOD814 VCE = 5 V, IC = 2 mA, RL = 100 Ω, -3dB fC
Functional Block Diagram
ANODE, CATHODE 1
4 COLLECTOR
ANODE 1
4 COLLECTOR
CATHODE, ANODE 2
3 EMITTER
CATHODE 2
3 EMITTER
4
FOD814
FOD617/817
1
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation
AC Characteristic Response Time (Rise)
Device
FOD814 FOD617 FOD817
Test Conditions
Symbol Min
VCE = 2 V, IC = 2 mA, RL = 100 Ω2
tr
—
Response Time (Fall)
FOD814 FOD617 FOD817
—
—
100 nA
—
1
100
—
1
50
—
—
100
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Collector Breakdown Voltage
FOD814 (IC = 0.1 mA, IF = 0) BVCEO
70
—
—
V
FOD617 (IC = 100 µA, IF = 0)
70
—
—
FOD817 (IC = 0.1 mA, IF = 0)
70
—
—
FOD814 (IE = 10 µA, IF = 0) BVECO
6
—
—
V
FOD617 (IE = 10 µA, IF = 0)
7
—
—
FOD817 (IE = 10 µA, IF = 0)
6
—
—
Transfer Characteristics (TA = 25°C Unless otherwise specified.)
(VR = 4.0 V)
FOD814 (V = 0, f = 1 kHz)
Ct
FOD617 (V = 0, f = 1 kHz)
FOD817 (V = 0, f = 1 kHz)
—
1.2
1.4
V
— 1.35 1.65
—
1.2
1.4
— 0.001 10
µA
—
—
10
—
50
250 pF
—
30
250
—
30
250
±50
50
VR
—
6
PD
70
1.7
DETECTOR
Collector-Emitter Voltage Emitter-Collector Voltage
VCEO VECO
70
6
6 (FOD817)
7 (FOD617)
Continuous Collector Current
Collector Power Dissipation Derate above 90°C
FOD814 Series, FOD617 Series, FOD817 Series 4-Pin Phototransistor Optocouplers
Transfer Characteristics (continued) (TA = 25°C Unless otherwise specified.)
DC Characteristic Device
Test Conditions
Symbol Min
Current Transfer Ratio
FOD814 FOD814A
IF = ±1 mA, VCE = 5 V1
CTR
20
50
FOD617A
IF = 10 mA, VCE = 5 V1
40
FOD617B
FOD817
Isolation Capacitance
FOD814
FOD617
FOD817
Test Conditions Symbol f = 60Hz, t = 1 min VISO
Min 5000
VI-O = 500 VDC
RISO
5x1010
VI-O = 0, f = 1 MHz
CISO
Typ* 1x1011
63
FOD617C
100
FOD617D
160
FOD617A
IF = 1 mA, VCE = 5 V1
13
FOD617B
22
FOD617C
34
FOD617D
56
FOD817
IF = 5 mA, VCE = 5 V1
50
FOD817A
80
FOD817B
130
FOD817C
200
FOD817D
300
Collector-Emitter FOD814 Saturation Voltage FOD617
FOD814A: 50–150%
■ C-UL, UL and VDE approved
■ High input-output isolation voltage of 5000Vrms
■ Higher operating temperatures (versus FODXXX counterparts)
IC
50
PC
150
2.9
Units
°C °C °C mW
mA
mW mW/°C
V Vபைடு நூலகம்
mA mW mW/°C
2 FOD814 Series, FOD617 Series, FOD817 Series Rev. 1.0.2