Se75射线源的曝光时间计算和透照工艺分析
基于RCC-M规范的核电厂薄壁管道焊缝的Se75射线源检测
基于RCC-M规范的核电厂薄壁管道焊缝的Se75射线源检测李学军;吴伟帮;陈航;张进【摘要】通过射线透照对比试验,验证了采用Se75射线源对核电厂薄壁管道焊缝进行射线检测的像质计灵敏度,比较了Se75和Ir192射线源照相的特性,以及不同射线源在满足RCC-M?压水堆核岛机械设备设计和建造规则?规范时射线透照工艺参数下的照相灵敏度;提出了Se75射线照相适用的厚度范围,验证了Se75射线源在满足RCC-M规范的射线透照工艺参数下与不同种类胶片和增感屏组合系统的照相灵敏度,推荐了Se75射线源检测适用的胶片种类.【期刊名称】《无损检测》【年(卷),期】2018(040)007【总页数】6页(P22-26,30)【关键词】Se75;核电厂;射线检测;RCC-M【作者】李学军;吴伟帮;陈航;张进【作者单位】中广核工程有限公司,深圳 518124;中广核工程有限公司,深圳518124;中广核工程有限公司,深圳 518124;中广核工程有限公司,深圳 518124【正文语种】中文【中图分类】TG115.28在核电厂核级设备及管道部件的预制、安装过程中，有大量薄壁管道焊缝需要进行射线检测，但实际检测过程中由于种种原因往往不能或很难采用X射线作为射线源进行检测；而采用常规的γ射线源Ir192检测时，因能量相对较高，透照薄壁工件后灵敏度通常达不到规范要求，同时底片的影像质量较差。
Se75射线源作为一种能量相对较低的γ射线源，被广泛用在石油、化工以及压力容器等行业薄壁工件的射线检测中，尤其该源适用的透照厚度范围正好能弥补用Ir192射线源进行薄壁工件检测的不足。
当前国内CPR1000核电机组核级部件的设计建造规范并未将Se75射线源列为规范允许的射线源。
为此，在核级管道的实际预制安装阶段采用Ir192源对薄壁管道焊缝进行射线检测时，若底片灵敏度无法满足规范要求，往往存在无合适γ射线源可用的问题。
为此，需要分析研究使用核电规范以外γ射线源的关键技术，必要时进行对比验证试验，探讨使用Se75射线源检测薄壁核级管道焊缝时的透照灵敏度能否满足规范要求，以及进一步优化在RCC-M《压水堆核岛机械设备设计和建造规则》规范框架要求下使用该射线源进行射线检测的合理工艺参数。
射线透照工艺
不同像质等级允许的透照距离L1 和 Ug值
像质等级
透照距离L1
L1≥ 7.5d· L2 2/3
Ug值
Ug ≤ 7.5d· L2 2/3
A 级射线检测技术：
AB级射线检测技术： B 级射线检测技术：
L1≥ 10d· L2 2/3 L1≥ 15d· L2 2/3
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透照某工件，采用铅增感，当焦距为600mm，管电流5mA，曝 光5min时，底片黑度为1.2；若焦距改为1200mm，管电流 10mA，底片黑度达到2.0，所需要的曝光时间为多少？（假定 底片黑度由1.2提高到2.0时，曝光量增加50%） 解：已知F1=600mm，F2=1200mm，I1=5mA，I2=10mA， t1=5min，η=50%，求t2。 设E2为焦距改为1200mm且黑度仍为1.2的曝光量， 则E2=I1t1（F2/F1）2=5x5x(1200/600)2=100mA· min， 设E2’为黑度由1.2提高到2.0时的曝光量， 则有： E2’=E2（1+η）=150mA· min，t2=E2'/I2=150/10=15min
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确定源至工件表面的最小距离L1的诺模图
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当采用源在内中心透照方式周向曝光时，而且 底片质量符合JB/T4730-2005标准的要求， f 值可以减小，但减小值不应超过规定值的 50%。 当采用源在内单壁透照方式时，而且底片质量 符合JB/T4730-2005标准的要求f 值可以减小, 但减小值不应超过规定值的20%。
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利用曝光因子进行曝光量计算
利用曝光因子进行曝光量计算的依据 互易律 互易律是光化反应的一条基本定律，它指出： 决定光化反应产物质量的条件，只与总的曝光量相关， 即取决于辐射强度和时间的乘积，而与这两个因素的 单独作用无关。 互易律可引伸为底片黑度只与总的曝光量相关，而 与辐射强度和时间分别作用无关。
曝光时间计算
厚度 46mm
47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60
n 18.149 19.329 20.586 21.925 23.351 24.869 26.0487 28.209 30.044
32 34.081 36.298 38.658 41.172 43.0849
n 2.741 2.918 3.108 3.311 3.526 3.7544
4 4.257 4.537 4.832 5.416 5.481 5.837 6.217 6.621
厚度 31mm
32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
n 7.052 7.51
8 8.52 9.074 9.605 10.293 10.962 11.675 12.434 13.243 14.014 15.021
3、γ 源Ir192、Se75曝光时间计算
曝光时间 胶片类型 （分） 天III胶片 436 天V胶片 0.39
K 0.026 0.038
γ 源Ir192曝光时间计算
焦距
（厘米）
Q
透照厚度（mm）
620
8.37835298
46
22
2.09458825
16
源强（Ci） 192 100
曝光时间 胶片类型 （分） 天III胶片 2 天V胶片 5
A：源强 Ci
厚度 1mm
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
n 1.06 1.034 1.208 1.287 1.37 1.459 1.559 1.655 1.763 1.877
2 2.13 2.268 2.416 2.573
X射线和Se75检测的对比与分析
X射线和Se75检测的对比与分析摘要：Se75＋AGFA-D4型胶片和X射线源＋AGFA-C7型胶片采用相同的透照条件，拍摄同样的试件所得到底片，灵敏度和清晰度的区别关键词：Se7 、AGFA-D4、AGFA-C7、X射线源在发电机组的建设过程中，有大量的高中低压管道要进行安装，为了保证质量，对这些管道的金属监督和检验也越来越显得重要。
金属监督和检验主要包括无损检验和理化检验。
再具体划分，无损检验又包括射线、超声波、渗透、涡流、磁粉等五大常规检验方法。
理化则分为化学分析、光谱分析，硬度检验和金相分析等几种。
无损检验能够保证安装焊口没有危害的超标缺陷，使得管道能够承受长期运行的高温高压，而理化检验能够保证安装管道的材质不被错用，免除电厂在以后运行过程的后顾之忧。
这些检验和分析方法对于保证发电厂的安全运行都起到相当重要的作用。
下面主要介绍电力管道施工射线检测工作使用X射线和Se75的对比。
一、电力管道施工无损检测工作目前现状由于国家经济发展的需求大力兴建电站，进而产生巨大的经济效益和社会效益。
目前为了保证发电厂的安全运行，对安装质量要求十分严格。
然而在管道的施工中，尤其是重要管道的无损检测工作，面临着工艺技术和施工难度相对较大的问题。
1、检测技术、工艺目前在电力管道施工中，射线检测一般要求使用定向X射线探伤机进行依次曝光。
采取的工艺为：低能射线(250Kv)配以中颗粒胶片，定向X射线探伤机+AGFA-C7型胶片。
此工艺在目前的施工过程中，实施的相对成熟稳定，能确保实现规范要求的检测灵敏度，从而能真实反映管道焊接质量。
2、实际施工当中存在的问题（特殊位置）在过热器和再热器管子在炉上与联箱焊接等安装时，焊缝要求100%射线检测，而且要求高效、高质量的及时完成检测任务，确保安装施工的连续性，要采用定向X射线探伤机单张透照。
实施难度较大，降低了工作效率，增加了检测成本，有的位置根本不能定向X 射线探伤机透照，不能实现焊缝100%射线检测的要求。
关于Se75射线照相综述
表2: se75透照厚度范围
底片像质指数 规格 (MM) 射线源 胶片 片号 增感屏 较 清 晰 16 12 13 13 11 12 11 11 11 10 9 10 14 12 13 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 裂 纹 裂 纹 ○ ○ ○ 横 裂 ○ 较 清 晰 ○ 横 裂 特定缺陷影响 特 定 缺 陷 清 晰 模 糊 清 晰 模 糊 可 见 X 5 Ir192 Se75 X 10 Ir192 Se75 X 20 Ir192 Se75 X 40 Ir192 Se75 天津Ⅲ型 天津Ⅲ型 天津Ⅲ型 天津Ⅲ型 天津Ⅲ型 天津Ⅲ型 天津Ⅲ型 天津Ⅲ型 天津Ⅲ型 天津Ⅲ型 天津Ⅲ型 天津Ⅲ型 x-9 13-9 S3-03-9 x-10 13-10 S03-10 X12 13-12 S3-01-12 X14 13-14 S3-03-14 0.03 0.1-0.2 0.03-0.1 0.03 0.1-0.2 0.03-0.1 0.03 0.1-0.2 0.03-0.1 0.03 0.1-0.2 0.03-0.1
X Ir192
天津 III 天津Ⅴ 天津 III
X2 15-2 13-2 S5-03-2
¢42×3 Se75 450
天津Ⅴ
S5-01-2 S5-02-2 S3-03-2
天津 III
S3-01-2 S3-02-2
X Ir192
450 450
天津 III 天津Ⅴ 天津 III
X3 15-3 13-3 S5-03-3
¢60×4 Se75 450
天津Ⅴ
S5-01-3 S5-02-3 S3-03-3
天津 III
S3-01-3 S3-02-3
表3:透照试验数据（2）
底片像质指数 规格 射线源 焦 距 450 450 胶片 片号 增感屏 mm 0.03/0.1 0.1/0.2 0.1/0.2 0.03/0.1 0.1/0.2 0.2/0.2 0.03/0.1 0.1/0.2 0.2/0.2 0.03/0.1 0.1/0.2 0.1/0.2 0.03/0.1 0.1/0.2 0.2/0.2 0.03/0.1 0.1/0.2 0.2/0.2 12 12 O 12 12 11 12 12 12 12 12 O O O O O 裂 纹 清 晰 较 清 晰 14 13 12 13 13 13 12 12 12 O O O O O O O O O 夹 钨 条 孔 模 糊 清 晰 O O O 气 孔 特定缺陷影像 较 清 晰 模 糊 可 见 特 定 缺 陷
Se75射线源的主要参数及曝光公式
Se75射线源的主要参数及曝光公式Se75射线源的主要参数及曝光公式摘要：通过对Se75特性的分析和试验，得出了Se75的主要参数平均能量、透照厚度、半值层及透照曝光量经验公式。
主题词：能量、透照厚度、半值层、曝光量⽬前⼯业射线照相中常⽤的射线源有X射线、γ射线，由于各⾃的缺点⽽存在⼀定的局限性，如X射线能量低、穿透⼒弱、透照宽容度⼩、现场条件制约性⼤，Ir192、Co60等γ射线线质硬、透照灵敏度低、透照厚度下限值较⼤等。
九⼗年代末，⼀种名叫Se75（硒）的γ射线源在⼯业射线照相中得到应⽤，它可以较好地解决上述局限性。
但查阅⼤量⽂献及有关资料均未发现⼀些实⽤性的参数及曝光量公式，使得实际使⽤时很不⽅便。
本⽂通过对该射线的特性分析及⼤量的试验，得出了平均能量、半值层、透照厚度等重要参数及曝光量的经验公式。
⼀．Se75射线特性：Se75（质量数为75，其中质⼦数为34，中⼦数为41）是⼀种⼈⼯放射性同位素，由中⼦俘获反应所得（说明：这种反应是反应堆中放射性同位素最普遍常⽤的反应，将封装在适当容器中的元素或其化合物，在反应堆中受中⼦照射，取出后即可直接应⽤或经过化学处理后使⽤）。
半衰期120.4天，⽐活度1.45*104Ci/g，衰变⽅式为轨道电⼦俘获，衰变常数Kr为2.04R.cm2/h.mCi，γ当量为0.24毫克镭/毫居⾥，主要能线谱9根，相应能量为（MeV）：0. 066、0.097、0.121、0.136、0.199、 0.265、0.280、 0.304、0.401。
Se75反应过程如下：n,γ EC74Se 75Se 75Asσ=30b 120.4d(式中：n：中⼦，γ：γ射线，σ：核反应的中⼦俘获截⾯，b：截⾯单位（靶），EC：轨道电⼦俘获，d：天)Se75在不同活度下可制成的射源尺⼨见表⼀。
表⼀：不同活度下射源尺⼨⼆．Se75能线的平均能量我们平时在选择射线源时的⼀个重要依据是该射线的穿透能⼒如何，⽽决定穿透能⼒的就是该射线的能量。
薄壁小型球形储罐Se75双源γ射线全景曝光检测论文
薄壁小型球形储罐Se75双源γ射线全景曝光检测的研究摘要：我国已经将se75γ射线探伤技术引进到了设备安装质量检测当中，一般的薄壁小型球形储罐质量检测要进行100%rt的探伤。
目前的x射线探伤技术，不但需要的探伤时间长，效率低，而且工作量非常大。
ir192进行全景曝光，其底片的灵敏度不够高，而se75灵敏度高于ir192，并且se75的适用厚度范围正好弥补ir192。
所以对se75γ射线探伤技术在薄壁小型球形储罐质量检测方面的研究具有非常重要的价值。
本文结合中海壳牌南海石化惠州乙烯环氧乙烷/乙二醇项目的两个360m3球形储罐se75双源γ射线全景曝光检测经验，针对薄壁小型球形储罐射线检测的特点，进行了试验对比及其研究，分析总结了应考虑的技术问题。
以便以后具有借鉴之意义。
关键词：薄壁小型球形储罐；se75；全景曝光；检测abstract: china has se75 gamma rays detection technology import to equipment installation quality testing of the thin small spherical tank general quality testing to be 100% rt detection. the x-ray detection technology, not only need testing time is long, low efficiency, and the workload is very big. to view ir192 exposure, the sensitivity of the film is not good enough and the se75 sensitivity is higher than ir192, and the applicable scope se75 just make up for ir192 thickness. so for se75 gamma rays testing technique in the thin wall smallspherical tanks in the inspection of the quality of the research has important value. combining with the cspc epoxy ethane/ethylene glycol huizhou ethylene project two 360 m3 spherical tanks se75 dual-source gamma rays panoramic exposure test experience, according to small spherical tanks thin-walled x-ray testing of the characteristics of experimental comparison and research, this paper analyzes the technical problems should be considered. with the meaning of the reference for later.keywords: thin small spherical tanks; se75; panorama exposure; detection中图分类号：v448.15+1文献标识码：a 文章编号：引言本世纪se75γ射线探伤已经被引进到了我国,首先已被我国电建施工单位进行适用性分析、研究及其试用,已取得了非常不错的效果。
照射量的计算
6.60
4.532.5
5.16
8.26
5.963.0
6.19
9.91
7.594.0
7.74
12.28
11.05透照厚度—n,T对照表
黑度
30
0.94
9.8640
1.21
10.0650
1.41
10.3060
1.64
10.32三、安全距离计算公式：
Akr1
Rx= (——·————)δP2
式中：
Rx——安全距离，m；
一、照射量的计算
（一）照射量和里的关系式：
P=Akrt/R2
式中：
P——照射量，R；
A——放射性活度，Ci；
Kr——γ常数（照射量率常数），R·m/(h·Ci)；
R——到点源的距离，m；
t——受照时间，h。
(二)照射率和居里的关系式：
P=Akr/R2
（R/h）
γ源名称
Co60
Ir192
Se75常见γ源的Kr常数
A——放射源活度，Bq；
Kr——γ常数，R·m/(h·Ci)；
n——散射比。
胶片受照射剂量和底片黑度对应表
单位：
C/（㎏×10-4）胶片种类
Agfa D7
Agfa D5
xxV型
Ir
透照厚度㎜n
T,㎜10
0.61
8.1820
0.73
9.1922黑度
1.0
2.06
3.30
1.891.5
3.10
4.95
3.162.0
P——安全剂量限值，放射工作人员P=
5.42×10-7C/(㎏·h)(
2.1MR/H)；公众P=
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Se75γ射线源的曝光时间计算和透照工艺分析冯华平(广州市锅炉压力容器监察检验所, 广州 510050)摘要：通过对Se75γ射线源的特性分析，参考曝光时间计算的表格法和公式法，研发出Se75源曝光时间的快速计算仪器；通过拍片工艺试验，提出获取优化的透照工艺参数的途径。
关键词： Se75γ射线源曝光时间计算优化透照工艺EXPOSURE TIME CALCULATION AND TECHNICAL ANALYSISOF γ SOURCE Se75Feng Huaping(Guangzhou Institute of Boiler and Pressure Vessel Supervision andInspection,Guangzhou 510050)Keywords:γsource Se75 , Exposure time calculation , Excellent exposure technical 近年来研制成功的第二代Se75γ射线源,从原来的单质硒改进成为热稳定性高、强度高的金属硒化物；射源形状从原来的圆柱形改进成为准球形，焦点尺寸比原来小23.5%，从而在几何不清晰度相同的情况下能使射源更接近被照工件，提高照射量率50%；它的半衰期是118天，是Ir192的1.6倍；它的发射平均能量为206Kev，接近X射线的能量水平，适宜透照5─40mm厚度的钢铁工件特别是锅炉受热面的小口径钢管工件，得到灵敏度和宽容度较高的透照影像。
因为有这些优点，新一代Se75源推出市场以后就受到探伤工作者的重视和欢迎。
[1]，[2]，[3]，[4]由于Se75源在我国使用时间还不长，探伤人员对它还有一个认识过程。
特别是目前未见到关于它的曝光时间的快速计算工具；另外，由于它的射线能量和辐射水平都较低，因此曝光时间比Ir192源要长（经试验，相同条件下，Se75曝光时间约为Ir192的1.8－3.0倍），有时还比X射线曝光时间要长。
如何根据它的性能特点选择优化的透照工艺参数，以求得透照质量和工作效率的统一，是值得探讨的问题。
本文就这方面的内容作分析探讨。
一．Se75源对钢铁工件的曝光时间计算根据文献［3］介绍，Se75源的透照厚度与曝光量的关系见表一所示。
Se75透照厚度与曝光量的对应关系表一透照厚度Se75曝光系数Ci·Sec/M2黑度D=2.0 黑度D=2.5mm 胶片D4 胶片D7 胶片D4 胶片D78 44320.28 18463.01 70242.91 29261.909 47500.97 19783.47 75283.97 31354.6910 50909.93 21198.37 80686.80 33597.1611 54563.54 22714.46 86477.38 36000.0012 58479.35 24338.99 92683.52 38574.7013 62676.18 26079.70 99335.05 41333.5314 67174.20 27944.90 106463.93 44289.6815 71995.03 29943.50 114104.43 47457.2416 77161.83 32085.03 122293.25 50851.3517 82699.43 34379.73 131069.76 54488.2118 88634.44 36838.55 140476.12 58385.1619 94995.38 39473.22 150557.54 62560.8320 101812.83 42296.31 161362.46 67035.1421 109119.53 45321.32 172942.81 71829.4422 116950.61 48562.66 185354.23 76966.6423 125343.70 52035.83 198656.37 82471.2424 134339.12 55757.40 212913.16 88369.5225 143980.11 59745.13 228193.10 94689.6526 154313.00 64018.06 244569.62 101461.7927 165387.43 68596.59 262121.41 108718.2628 177256.64 73502.57 280932.83 116493.7229 189977.65 78759.42 301094.28 124825.2730 203611.59 84392.24 322702.63 133752.6831 218223.99 90427.91 345861.72 143318.5832 233885.07 96895.25 370682.86 153568.6333 250670.08 103825.13 397285.30 164551.7534 268659.69 111250.64 425796.91 176320.3835 287940.33 119207.20 456354.67 188930.6936 308604.68 127732.82 489105.45 202442.8837 330752.02 136868.18 524206.62 216921.4538 354488.79 146656.90 561826.86 232435.5239 379929.05 157145.70 602146.96 249059.15由表一的数据,经数学整理,得到计算曝光时间的经验公式(1)、（2）、（3）、（4）D=2.0：D7胶片： A·t=0.018·F2·2TA/10 (1)D4胶片： A·t=0.042·F2·2TA/10 (2) D=2.5： D7胶片： A·t=0.028·F2·2TA/10 (3)D4胶片： A·t=0.067·F2·2TA/10 (4) 公式中, A：射源强度（ Ci ）t：曝光时间（ min ）F：射源至胶片距离（ cm ）TA：工件实际透照厚度（ mm ）通过公式(1)—(4)，解决了Se75源的曝光时间计算问题。
但是，要求探伤人员在生产现场用上述的公式法或表格法计算，也是不现实的。
很有必要研发出一种快速准确的计算工具，解决现场生产的曝光时间计算问题。
笔者利用可编程计算器（型号 CASIO fx-4500pA ），在对计算公式整理编程以后，把它内存于计算器之中。
仪器使用时，首先调出要求计算的数学程序，然后通过人机对话，根据仪器的提问，向仪器输入有关探伤数据，如：胶片达到一定黑度所需的射线剂量伦琴数E；透照焦距F；工件穿透厚度D；射源已出厂时间T（天）；射源出厂时的活度居里数A等，仪器就能根据公式准确迅速地计算出曝光时间（用时、分、秒显示）。
由于计算器有体积小、重量轻、携带容易、计算速度快、计算结果数字显示等优点，故特别适合生产现场的应用，成为探伤人员手中一件方便实用的计算工具。
二．Se75源对工件透照的工艺试验和结果分析：通过对Se75源的曝光时间计算，发现其曝光时间普遍比Ir192和X射线的曝光时间长，当射源的活度居里数越低，或工件透照厚度越大，曝光时间的增加就更明显。
例如，用40居里的Se75源透照10mm厚的工件，透照焦距600mm，使用的是天津Ⅲ型胶片和0.1mm铅箔增感屏，要求底片黑度为2.5，经计算曝光时间约为5分钟。
这与Ir192曝光时间2分40秒相比，曝光时间约增加83%；与X射线曝光时间3分钟相比，约增加67%。
这样，虽然Se75拍片质量比Ir192要好，也接近X射线的拍片效果，但是，由于曝光时间的明显增加，就使拍片效率显著降低，这样对工作是不利的，也大大影响了探伤人员使用Se75源的积极性，这是很值得关注和解决的问题。
为了尽可能缩短Se75的曝光时间，笔者从影响曝光时间的一些因素进行了拍片工艺试验和结果分析，以求得这些因素的影响效果。
1. 不同透照焦距对曝光时间的影响（表二）表二底片编号工件规格透照方式前屏厚度(mm) 透照焦距(mm) 底片黑度曝光时间1 Φ76×10双壁单影0.1 570 2.6～2.7 10＇2 Φ76×10 760 2.6～2.8 21＇3 Φ325×18335 2.4～2.7 7＇10”4 Φ426×18436 2.3～2.6 13＇从表二看出，随着透照焦距的增加，曝光时间也明显增加，这也验证了曝光量与距离的平方成反比的理论。
因此，要减小Se75的曝光时间，尽可能缩短透照焦距是一条重要的途径。
在制定透照工艺时，我们应优先选用单壁单影外照法或内照（偏心内照）法，以使射源能尽量靠近被照工件；此外，还应根据有关探伤参数，首先确定透照的L1min数值，透照时尽可能选择L1等于L1min或稍大于L1min，这样既满足标准中对几何不清晰度的要求，又确保选择的L1最小，从而大大缩短曝光时间。
2．不同底片黑度对曝光时间的影响（表三）表三底片编号工件规格透照方式前屏厚度(mm) 透照焦距(mm) 底片黑度曝光时间5 Φ114×6双壁单影0.1 124 2.5～2.6 17＇6 Φ114×6124 3.4～3.6 26＇7 Φ76×10570 2.6～2.7 10＇8 Φ76×10570 3.0～3.1 14＇从表三看出，底片黑度的增大，对曝光时间的增加也是相当明显的。
因此，除非验收标准有特别的规定，我们在根据底片黑度确定透照曝光量时，都应该尽量选取标准规定的黑度下限值。
如国标规定γ射线拍片底片黑度值为1.8～3.5，那么，我们制定工艺时就尽量在黑度1.8～2.0的范围内确定底片曝光量。
还有标准规定，用双片重迭观察评定时，单一底片的黑度可降到1.3,我们也可以采用这一方法，用较低的底片黑度值来确定曝光量，从而减小曝光时间。
3．不同厚度增感屏(前屏)对底片黑度的影响(表四) 表四底片编号工件规格透照方式前屏厚度(mm) 透照焦距(mm) 曝光时间底片黑度9 Φ51×5 双壁双影0.03 450 7＇33” 2.7～3.010 Φ51×5 双壁双影0.1 450 7＇33” 2.3～2.5从表四看出，在相同的曝光时间条件下，用0.03mm增感屏所拍的底片，比用0.1mm增感屏所拍的底片其黑度是增加了。
换言之，要拍黑度相同的底片，用0.03mm的增感屏比用0.1mm的增感屏其曝光时间就可以缩短，因此，采用较薄的铅薄增感屏也是减小曝光时间的途径之一。