赛普拉斯所有触控芯片型号重要参数对比
赛普拉斯命名
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6/12 MHz 内Int部er主na振l M荡a器in Oscillator
模A拟NA系L统OG SYSTEM
CapSense B模lo块ck
模An拟al基og 准R电ef压.
1I22CC从S设la备v/eS/PSI PI M主as-te从r-设Sla备ve
精密的可编程时钟 内部± 5.0% 6/12 MHz 主振荡器 32 kHz 内部低速振荡器，用于监视定时器和休眠功能
可编程引脚配置 所有的通用 IO （GPIO）端口可配置成上拉、高阻抗、漏极开 路、 CMOS 驱动模式 最多 28 路模拟输入 所有 GPIO 端口输入均可配置 端口 1 作为数字 IO 口时的驱动模式可选 z 3.0V 工作时，端口 1 总的源电流可达 20mA z 在强驱动模式下，端口 1 的驱动电流可达 5mA. 通用内部模拟总线 IO 组合同步连接 比较器具备抗噪声干扰能力 模拟阵列采用低压差稳压器
CY8C20534, CY8C20434 CY8C20334, CY8C20234
PSoC 功能综述
PSoC 产品系列由许多配备片上控制器的混合信号阵列器件 构成。这些器件产品可用单一芯片替代基于传统的 MCU 的应用 系统的多个器件。 PSoC 器件内包括了可配置的模拟和数字模块 以及可编程的互连线路。这种体系架构允许用户创建定制化的外 设配置以满足每一种具体应用的要求。另外， PSoC 器件还包含 CPU、闪存、 SRAM，以及应用方便的可配置输入输出 （IO）端 口。
其它系统资源 可配置通讯速率 z I2C: 可选择 50 kHz、 100 kHz 或 400 kHz。 z SPI: 可选择 46.9 kHz 和 3 MHz I2C™ 从设备 SPI 主设备和 SPI 从设备 监视定时器和休眠定时器 内部基准电压 集成监控电路
赛普拉斯公司全速USB可编程系统芯片
【doc】赛普拉斯公司全速USB可编程系统芯片赛普拉斯公司全速USB可编程系统芯片啊?I温度范围内完全达到规定的技术指标.AD8675干片订量报价为1.17美元,片.ADI公司超小封装高性能运算放大器美国模拟器件公司(&nalogDevices,Inc.,简称ADI)推出一款新的运算放大器AD8677,其尺寸为同类器件的1/4,而其性能比ADI公司的工业标准OP07这样的高性能,超低失调电压运算放大器更高.为了满足工业可编程逻辑控制器(PLC),自动测量设备(ATE)平台和机械监测系统等应用的需求,采用ADI公司新的Polar沟道隔离制造工艺生产的AD8677将功耗减小40%,同时保持了75V(最大值)的失调电压和1.3V/?(最大值)温度漂移.性能的提高包括提高的130dB共模抑制比(CMRR),增强的110dB电源抑制比(PSRR)和增宽的?14V输出摆幅.AD8677具有1.2mA的功耗电流,降低了散热量.这款新放大器?2nA的输入偏置电流和高开环增益进一步降低了系统误差.高开环增益能在13V的宽输入信号范围内甚至高闭环增益的情况下保证线性度和增益精度.AD8677还具有很高的相位裕量(80.). 它对由PCB布线和外部容性负载和电容引起的寄生电容以及滤波电容的允许裕量很大,从而使其极为容易使用.AD8677现在可提供产品样片并将于2005年9月提供大批量产品. AD8675采用5引脚TSOT一23封装和8引脚窄体SOIC封装, 在一40~C,+125~C扩展工业温度范围内完全达到规定技术指标.AD8677干片订量报价为0.75美元/片.AMI半导体公司单芯片CAN转发器AMI半导体公司(AMIS)宣布推出符合ISO11898—2标准的AMIS-42700CAN收发器芯片.该产品具有两条物理CAN总线间接口,提供了单芯片CAN转发器解决方案,可在高速控制器局域网(CANH)内,作为最多两条物理总线和协议控制器间的接口.AMIS-42700可用于12伏和24伏系统中, 满足车内网络(IVN)CANH总线需求.器件采用先进的I2T混合信号半导体工艺,包含两个差分收发器和拥有转发器及反馈抑制功能的逻辑块,具有过热关闭电路,静电放电(ESD)保护,最大可达?8干伏.AMIS-42700为紧凑型设计,采用’绿色’SOIC30020一脚封装,输出信号匹配性好,电磁发射(EME)极低,不需要共模扼流圈.同时,收发器较大的输入共模电压范围可让AMIS-42700具有极低的电磁敏感度(EMS).与现有的分立元件解决方案相比,AMIS-42700拥有许多重要的优越之处,如功耗低,更耐用,也更可靠.集成的单芯片设计令尺寸大大缩小,可方便地安装在设备中.AMIS-42700十分适合提供CANH总线的诊断接入点,而无需另外安装微处理器.它可直接使用诊断工具,速度达1兆比特/秒.使用转发器可让CAN总线的阻抗不论处于连接还是断开状态都保持恒定.AMIS-42700也可用于低成本延长CAN总线的物理长度.AMIS-42700的订购价格在5000片批量时为1.36欧元,片(或1.61美元,片). Broadcom公司立体声耳机蓝牙EDR芯片Broadcom公司推出适用于无线立体声耳机的优化单芯片蓝牙解决方案BCM2037.这款新型芯片具有先进的数码音频处理和增强的数据率(EDR),为改善终端用户体验提供了优良的音频保真度和更长的电池寿命.新芯片是为Broadcom提供的立体声耳机专门设计的第一款蓝牙芯片,也是公司收购无线音频专家Zeevo公司后,利用m~-*vo公司的技术生产的第一个产品.芯片包括一个蓝牙基带和无线电接收器,以及一个旨在为无线立体声耳机用户提供最好音频体验的优化架构.特别是,据称BCM2037是第,款包括EDR技术的耳机专用芯片,EDR技术能把数据率提高到非EDR蓝牙芯片的3倍(从1Mb/s到3Mb/s).为了补充该款芯片,Broadcom已经为主产品如移动电话,笔记本电脑和其他移动设备推出了一个配合使用的EDR芯片(BCM2045).赛普拉斯公司全速USB可绾程系统芯片赛普拉斯半导体公司(CypressSemiconductor)推出其可编程系统芯片(PS0C)混合信号阵列系列最新成员CY8C24794.24LFXI.该产品是首款集成了USB2.0串行接口呈套供应商为您提供各种标准和定制的,一一一j.\\..二一.,一BGA插座系统._嗣I引擎(SIE)的PSoC器件,能够以更短的设计周期,更低的元件和材料成本以及更少的板级空间和功耗提供精细的USB实现方案.这款最新推出的PSoC器件还采用了Cypress公司的CapSense技术,提供了一种由简单的触敏控制器来取代机械式开关和控制器的高效解决方案.CY8C24794—24LFXI 是人机接口设备(HID)的理想选择,包括鼠标,键盘,游戏键盘和操纵杆以及不间断电源(UPS)和其他PC外设应用.CY8C24794.24LFXI包含一个全速(12Mbps)USB2.0SIE (含有一个精度达0.25%的准确时钟和一个符合USB2.0时序规范的集成振荡器),且不需要外部晶体,因而减少了元件和引脚数目.该器件提供了4个单向端点和1个双向控制端点,以支持控制型,中断型,等时型和批量型传输以及灵活的同步处理.它提供了多达48个模拟输入.除了6个标准PSoC可配置模拟块和4个数字块之外,它还提供了16Kb快闪程序存储器,1KbSRAM数据存储器和一个至专用256b缓冲器的易用型8通道DMA(供USBSIE之用).CY8C24794—24LFXI采用56引脚(8mmX8ram)MLF封装.其工作电压范围为3.0V至5.25V,工作温度范围为-40~C至85~C.该产品已投产,批量购买时的单价不到2.00美元.公司为CY8C24794提供评估电路板CY3214一PSoCEvaluSB,其价格为为99美元.飞兆半导体高带宽三路三选一视频开关飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出据称业界首个高带宽三路三选一视频开关FSAV433,该器件可优化需要对三基色RGB或高清晰度YPbPr模拟视频信号进行开关的LCD显示器的高性能操作.FSAV433具有高带宽和低差分增益及相位特性,较小的信号失真,高视频图像完整性和”透明”开关操作.该超低功耗器件还具有卓越的关断隔离和抗串扰性能,能够消除显示中活跃的通道间噪声和重影效果.此外,这种开关的低导通阻抗还可最大程度地减小信号插入损耗,进一步提高信号品质.FSAV433的设计合现已生效的欧盟标准. 飞兆半导体Motion智能功率模块飞兆半导体公司(FairchildSemicondu~oO的智能功率模块(Motion—SPM)为小功率(100W以下)的直流无刷(BLDC)电机应用提供高度集成的解决方案.Motion—SPM器件在单一紧凑封装内集成多项功能,可简化电机驱动方案以加快工程设计,减小占用的线路板空间,实现高能效和高可靠的家用电器设计.Motion—SPM模块在高热效,超紧凑(29mmx12mm)的Tiny-DIP封装中集成了六支内置快速恢复二极管的MOSFET(FRFET)和三个半桥高电压驱动IC(HVIC),专为内置控制的BLDC电机而设计.每个Motion.SPM都使用先进的FRFET和HVIC器件,保证最终产品的性能和长期可靠性,并同时简化电机逆变器设计.Motion—SPM的FRFET通过减小低电流条件下的开关损耗和传导损耗来优化系统效率.在耐用性方面,其反向安全工作区曲线(RBSOA)比功率等级相当的IGBT更宽. Motion—SPM将MOSFET的体二极管作为飞轮(freewheeling) 二极管,因此毋需使用附加元件,即可提高效率与抗噪声能力.其栅极驱动器IC可通过高压绝缘特性测试,5VCMOS/1trL接口,具备欠压闩锁(UVLO)保护功能,这些特性提高了可靠性.Motion—SPM系列的附加特性还可简化设计过程.HVIC。
赛普拉斯True Touch Gen4触摸屏控制器增添新功能
赛普拉斯True Touch Gen4触摸屏控制器增添新功能
佚名
【期刊名称】《单片机与嵌入式系统应用》
【年(卷),期】2013(13)7
【摘要】赛普拉斯半导体公司宣布，其True Touch Gen4系列触摸屏控制器现已具有多种高级功能，其中包括在电容式触摸屏上实现极佳的戴手套手指的追踪能力。
即使戴着很厚的手套，Gen4也能实现精确的触摸屏导航功能，从而方便了使用智能手机和其他便携式电子产品的用户。
【总页数】2页(P86-87)
【关键词】触摸屏控制器;Touch;赛普拉斯半导体公司;便携式电子产品;电容式触摸屏;高级功能;追踪能力;导航功能
【正文语种】中文
【中图分类】TP273
【相关文献】
1.Gen4 True Touch控制器树立触摸屏性能测量新标杆 [J], 丛秋波;EDN CHina
副主编
2.赛普拉斯借助Gen4系列刷新触摸屏性能 [J], 孙俊杰
3.HTC7 Surround和HTC7 Mozar机采用赛普拉斯的True Touch解决方案驱动触摸屏 [J],
4.赛普拉斯半导体推出新型全集成True Touoh触摸屏控制器 [J],
5.赛普拉斯Gen5 True Touch控制器减少误操作 [J],
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智能触摸芯片 CPT2610 数据手册说明书
CHIPHOMER TECHNOLOGY (SHANGHAI) LIMITEDCPT2610 数据手册单/双通道电容性触摸检测芯片September 2019目录CPT2610 数据手册 (1)目录 (2)图目录 (3)1概述 (4)2引脚 (5)2.1引脚排列 (5)2.2引脚说明 (6)3典型应用 (7)3.1双通道典型应用图 (7)3.2单通道典型应用图 (7)4功能描述 (8)4.1按键状态 (8)4.1.1按键输出有效电平选择 (8)4.1.2CPT2610SP8、CPT2610DN8 按键状态获取 (8)4.1.3CPT2610ST6、CPT2610DN6 按键状态获取 (8)4.2按键扫描模式 (8)4.3长时按键触发解除功能 (8)5电气特性 (9)6封装 (10)6.1SOP8L (10)6.2DFN2X2-8L (11)6.3SOT23-6L (12)6.4DFN1.6X1.6-6L (13)7订货信息 (14)8版本信息 (15)图目录图1CPT2610 SOP8L 引脚排列图 (5)图2CPT2610 SOT23-6L引脚排列图 (5)图3CPT2610 DFN1.6X1.6-6L引脚排列图 (5)图4CPT2610 DFN2X2-8L引脚排列图 (5)图5双通道触摸典型应用图 (7)图6单通道触摸典型应用图 (7)图7SOP8L封装尺寸图 (10)图8DFN2X2-8L封装尺寸图 (11)图9SOT23-6L封装尺寸图 (12)图10DFN1.6X1.6-6L封装尺寸图 (13)1 概述CPT2610是一款低功耗双通道/单通道电容检测芯片，具有高效的RF噪音抑制功能，能够准确识别手指触摸引起的微小电容变化，适用于用触摸按键替代机械按键等应用场合；具有实时的自校准和基线跟踪算法，能有效避免因环境因素变化而引起按键误触等情况；支持输出有效电平选择，以满足不同系统平台及应用的要求。
赛普拉斯半导体 CY7C1021B-15VXC 数据表说明书
1-Mbit (64K x 16) Static RAMCY7C1021BFeatures•Temperature Ranges —Commercial: 0°C to 70°C —Industrial: –40°C to 85°C —Automotive: –40°C to 125°C •High speed—t AA = 12 ns (Commercial & Industrial)—t AA = 15 ns (Automotive)•CMOS for optimum speed/power •Low active power —770 mW (max.)•Automatic power-down when deselected •Independent control of upper and lower bits•Available in Pb-free and non Pb-free 44-pin TSOP II and 44-pin 400-mil-wide SOJFunctional Description [1]The CY7C1021B is a high-performance CMOS static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. This device has anautomatic power-down feature that significantly reduces power consumption when deselected.Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable (CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. If Byte Low Enable (BLE) is LOW, then data from I/O pins (I/O 1 through I/O 8), is written into the location specified on the address pins (A 0through A 15). If Byte High Enable (BHE) is LOW, then data from I/O pins (I/O 9 through I/O 16) is written into the location specified on the address pins (A 0 through A 15).Reading from the device is accomplished by taking Chip Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing the Write Enable (WE) HIGH. If Byte Low Enable (BLE) is LOW,then data from the memory location specified by the address pins will appear on I/O 1 to I/O 8. If Byte High Enable (BHE) is LOW, then data from memory will appear on I/O 9 to I/O 16. See the truth table at the back of this data sheet for a complete description of read and write modes.The input/output pins (I/O 1 through I/O 16) are placed in a high-impedance state when the device is deselected (CE HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), the BHE and BLE are disabled (BHE, BLE HIGH), or during a write operation (CE LOW, and WE LOW).The CY7C1021B is available in standard 44-pin TSOP Type II and 44-pin 400-mil-wide SOJ packages.Note:1.For best-practice recommendations, please refer to the Cypress application note “System Design Guidelines” on .Logic Block Diagram64K x 16RAM Array I/O 1–I/O 8R O W D E C O D E RA 7A 6A 5A 4A 3A 0COLUMN DECODERA 9A 10A 11A 12A 13A 14A 15512 X 2048S E N S E A M P SDATA IN DRIVERSOE A 2A 1I/O 9–I/O 16CE WE BLEBHE A 8Pin ConfigurationsSelection Guide-12-15Maximum Access Time (ns)1215Maximum Operating Current (mA)Com’l/Ind’l 140130Automotive 130Maximum CMOS Standby Current (mA)Com’l/Ind’l 1010Automotive 15L Version0.50.5WE 12345678910111431323635343337403938Top View SOJ/TSOP II 12134144434216152930V CC A 15A 14A 13A 12NCA 4A 3OE V SS A 5I/O 16A 2CE I/O 3I/O 1I/O 2BHE NC A 1A 018172019I/O 42728252622212324NCV SS I/O 7I/O 5I/O 6I/O 8A 6A 7BLE V CC I/O 15I/O 14I/O 13I/O 12I/O 11I/O 10I/O 9A 8A 9A 10A 11Pin DefinitionsPin Name SOJ, TSOP–Pin Number I/O Type DescriptionA 0–A 151–5,18–21, 24–27, 42–44InputAddress Inputs used to select one of the address locations.I/O 1–I/O 167–10, 13–16, 29–32,35–38Input/Output Bidirectional Data I/O lines . Used as input or output lines dependingon operation.NC 22, 23, 28No ConnectNo Connect s. Not connected to the die.WE 17Input/Control Write Enable Input, active LOW . When selected LOW, a Write isconducted. When deselected HIGH, a Read is conducted.CE 6Input/Control Chip Enable Input, active LOW . When LOW, selects the chip. WhenHIGH, deselects the chip.BHE, BLE40, 39Input/Control Byte Write Select Inputs, active LOW . BHE controls I/O 16–I/O 9,BLE controls I/O 8–I/O 1.OE41Input/Control Output Enable, active LOW . Controls the direction of the I/O pins.When LOW, the I/O pins are allowed to behave as outputs. When deasserted HIGH, I/O pins are tri-stated, and act as input data pins.V SS 12, 34GroundGround for the device . Should be connected to ground of the system.V CC11, 33Power Supply Power Supply inputs to the device.Maximum Ratings(Above which the useful life may be impaired. For user guide-lines, not tested.)Storage Temperature .................................–65°C to +150°C Ambient Temperature withPower Applied.............................................–55°C to +125°C Supply Voltage on V CC Relative to GND[2]....–0.5V to +7.0V DC Voltage Applied to Outputsin High Z State[2]......................................–0.5V to V CC+0.5V DC Input Voltage[2]...................................–0.5V to V CC+0.5V Current into Outputs (LOW).........................................20 mA Static Discharge Voltage............................................>2001V (per MIL-STD-883, Method 3015)Latch-Up Current.....................................................>200 mA Operating RangeRangeAmbientTemperature (T A)[3]V CC Commercial0°C to +70°C 5V± 10% Industrial–40°C to +85°C5V ± 10% Automotive –40°C to +125°C5V ± 10%Electrical Characteristics Over the Operating RangeParameter DescriptionTestConditions-12-15UnitMin.Max.Min.Max.V OH Output HIGH Voltage V CC = Min., I OH = –4.0 mA 2.4 2.4V V OL Output LOW Voltage V CC = Min., I OL = 8.0 mA0.40.4V V IH Input HIGH Voltage 2.2 6.0 2.2 6.0V V IL Input LOW Voltage[2]–0.50.8–0.50.8V I IX Input Leakage Current GND < V I < V CC Com’l/Ind’l–1+1–1+1µAAuto–4+4µAI OZ Output Leakage Current GND < V I < V CC,Output Disabled Com’l/Ind’l–1+1–1+1µA Auto–4+4µAI CC V CC OperatingSupply Current V CC = Max.,I OUT = 0mA,f = f MAX = 1/t RCCom’l/Ind’l140130mAAuto130mAI SB1Automatic CEPower Down Current —TTLInputs Max. V CC, CE > V IHV IN > V IH or V IN < V IL, f =f MAXCom’l/Ind’l4040mAAuto50mAI SB2Automatic CEPower Down Current—CMOS Inputs Max. V CC, CE > V CC –0.3V, V IN > V CC – 0.3V,or V IN < 0.3V, f = 0Com’l/Ind’l1010mAAuto15mAL Version0.50.5mACapacitance[4]Parameter Description Test Conditions Max.UnitC IN Input Capacitance T A = 25°C, f = 1 MHz,V CC = 5.0V 8pFC OUT Output Capacitance8pF Thermal Resistance[4]Parameter Description Test Conditions44-pin SOJ44-pinTSOP-II UnitΘJA Thermal Resistance(Junction to Ambient)Test conditions follow standard test methods andprocedures for measuring thermal impedance,per EIA/JESD51.64.3276.89°C/WΘJC Thermal Resistance(Junction to Case)31.0314.28°C/WNotes:2.V IL (min.) = –2.0V and V IH(max) = V CC + 0.5V for pulse durations of less than 20 ns.3.T A is the “Instant On” case temperature.4.Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.AC Test Loads and WaveformsINCLUDING INCLUDING R 481ΩR2R2THÉVENINFall Time: 1 V/ns90%10%3.0VGND90%10%ALL INPUT PULSES5V OUTPUT30 pFJIG ANDSCOPE5VOUTPUT5 pFJIG ANDSCOPE(a)(b)OUTPUTR 481Ω255Ω255Ω167Equivalent to:EQUIVALENT1.73V30 pFRise Time: 1 V/nsSwitching Characteristics Over the Operating Range[5]Parameter Description7C1021B-127C1021B-15Unit Min.Max.Min.Max.Read Cyclet RC Read Cycle Time1215nst AA Address to Data Valid1215nst OHA Data Hold from Address Change33nst ACE CE LOW to Data Valid1215nst DOE OE LOW to Data Valid67nst LZOE OE LOW to Low Z[6]00nst HZOE OE HIGH to High Z[6, 7]67nst LZCE CE LOW to Low Z[6]33nst HZCE CE HIGH to High Z[6, 7]67nst PU CE LOW to Power-Up00nst PD CE HIGH to Power-Down1215nst DBE Byte Enable to Data Valid67nst LZBE Byte Enable to Low Z00nst HZBE Byte Disable to High Z67ns Write Cycle[8]t WC Write Cycle Time1215nst SCE CE LOW to Write End910nst AW Address Set-Up to Write End810nst HA Address Hold from Write End00nst SA Address Set-Up to Write Start00nst SD Data Set-Up to Write End68nst HD Data Hold from Write End00nst LZWE WE HIGH to Low Z[6]33nst HZWE WE LOW to High Z[6, 7]67nst BW Byte Enable to End of Write89ns Notes:5.Test conditions assume signal transition time of 3 ns or less, timing reference levels of 1.5V, input pulse levels of 0 to 3.0V, and output loading of the specifiedI OL/I OH and 30-pF load capacitance.6.At any given temperature and voltage condition, t HZCE is less than t LZCE, t HZOE is less than t LZOE, and t HZWE is less than t LZWE for any given device.7.t HZOE, t HZBE, t HZCE, and t HZWE are specified with a load capacitance of 5 pF as in part (b) of AC T est Loads. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage.8.The internal write time of the memory is defined by the overlap of CE LOW, WE LOW and BHE/BLE LOW. CE, WE and BHE/BLE must be LOW to initiate a write, andthe transition of these signals can terminate the write. The input data set-up and hold timing should be referenced to the leading edge of the signal that terminates the write.Switching WaveformsRead Cycle No. 1[9, 10]Read Cycle No. 2 (OE Controlled)[10, 11]Notes:9.Device is continuously selected. OE, CE, BHE and/or BHE = V IL .10.WE is HIGH for read cycle.11.Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.PREVIOUS DATA VALIDDATA VALIDt RCt AAt OHAADDRESSDATA OUT50%50%DATA VALIDt RCt ACEt DOE t LZOE t LZCE t PUHIGH IMPEDANCEt HZOEt HZBEt PDHIGHICC ISB IMPEDANCEDATA t DBE t LZBEt HZCE I CCI SBADDRESSOE CEBHE,BLEOUT V CC SUPPLY CURRENTWrite Cycle No. 1 (CE Controlled)[12, 13]Write Cycle No. 2 (BLE or BHE Controlled)Notes:12.Data I/O is high impedance if OE or BHE and/or BLE= V IH .13.If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.Switching Waveforms (continued)t HDt SDt SCEt SA t HAt AWt PWEt WCBWDATA ADDRESSBHE,t CEWEBLEI/Ot HDt SDt BWt SA t HAt AWt PWEt WCt SCEDATA I/OADDRESSBHE,BLEWECEWrite Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW)Switching Waveforms (continued)t HDt SDt SCEt HAt AWt PWEt WCt BWDATA I/OADDRESSCEWEBHE,BLEt SAt LZWEt HZWETruth TableCE OE WE BLE BHE I/O 1–I/O 8I/O 9–I/O 16ModePowerH X X X X High Z High Z Power-Down Standby (I SB )LLHL L Data Out Data Out Read - All bits Active (I CC )L H Data Out High Z Read - Lower bits only Active (I CC )HL High Z Data Out Read - Upper bits only Active (I CC )LXLL L Data In Data In Write - All bits Active (I CC )L H Data In High Z Write - Lower bits only Active (I CC )HL High Z Data In Write - Upper bits only Active (I CC )L H H X X High Z High Z Selected, Outputs Disabled Active (I CC )LXXHHHigh ZHigh ZSelected, Outputs DisabledActive (I CC )Ordering InformationSpeed (ns)Ordering Code Package Name Package TypeOperating Range 12CY7C1021B-12VC 51-8508244-pin (400-Mil) Molded SOJCommercialCY7C1021B-12VXC 44-pin (400-Mil) Molded SOJ (Pb-Free)CY7C1021B-12ZC 51-8508744-pin TSOP Type IICY7C1021B-12ZXC 44-pin TSOP Type II (Pb-Free)CY7C1021B-12VI 51-8508244-pin (400-Mil) Molded SOJIndustrialCY7C1021B-12VXI44-pin (400-Mil) Molded SOJ (Pb-Free)15CY7C1021B-15VC 51-8508244-pin (400-Mil) Molded SOJCommercialCY7C1021B-15VXC 44-pin (400-Mil) Molded SOJ (Pb-Free)CY7C1021B-15ZC 51-8508744-pin TSOP Type IICY7C1021B-15ZXC 44-pin TSOP Type II (Pb-Free)CY7C1021B-15VI 51-8508244-pin (400-Mil) Molded SOJIndustrialCY7C1021B-15VXI 44-pin (400-Mil) Molded SOJ (Pb-Free)CY7C1021B-15ZI 51-8508744-pin TSOP Type II CY7C1021BL-15ZI 44-pin TSOP Type IICY7C1021B-15ZXI 44-pin TSOP Type II (Pb-Free)CY7C1021BL-15ZXI 44-pin TSOP Type II (Pb-Free)CY7C1021B-15VE 51-8508244-pin (400-Mil) Molded SOJAutomotiveCY7C1021B-15VXE 44-pin (400-Mil) Molded SOJ (Pb-Free)CY7C1021B-15ZE 51-8508744-pin TSOP Type IICY7C1021B-15ZSXE44-pin TSOP Type II (Pb-Free)Ordering Information (continued)Speed (ns)Ordering Code Package Name Package TypeOperating Range Package DiagramsDocument #: 38-05145 Rev. *C Page 9 of 10All products and company names mentioned in this document may be the trademarks of their respective holders.Package Diagrams (continued)44-Pin TSOP II (51-85087)51-85087-*ADocument History PageDocument Title: CY7C1021B 1-Mbit (64K x 16) Static RAM Document Number: 38-05145REV.ECN NO.Issue Date Orig. ofChange Description of Change**10988909/22/01SZV Change from Spec number: 38-00951 to 38-05145*A238454See ECN RKF1) Added Automotive Specs to Data Sheet2) Added Pb-Free device offering in the Ordering Information*B361795See ECN SYT Added Pb-Free offerings in the Ordering Information*C505726See ECN NXR Removed CY7C10211B from Product offeringChanged the description of I IX from Input Load Current toInput Leakage Current in DC Electrical Characteristics tableChanged teh I CC Max value from 150 mA to 130 mARemoved I OS parameter from DC Electrical Characteristics tableUpdated Ordering Information Table。
斯普锐SE3102N系列二维码识读引擎集成手册说明书
SE3102N Embedded 2D Barcode Scan Engine Intergration guideSE3102N 系列二维码识读引擎集成手册苏州斯普锐智能系统有限公司Email:*******************Tel: 400-850-8151目录目录Disclaimer免责声明 (3)Revision History版本记录 (4)Chapter 1 Introduction介绍 (5)1.1Product Overview 产品概述 (5)1.2Illumination 照明指示 (5)Chapter 2 Installation安装 (6)2.1General Requirements 一般要求 (6)2.1.1 ESD 静电保护 (6)2.1.2 Dust and Dirt 防尘防污 (6)2.1.3 Ambient Environment 环境 (6)2.1.4Thermal Considerations 散热考虑 (6)2.1.5 Installation Orientation安装朝向 (7)2.2Optics 光学相关 (7)2.2.1 Window Placement 窗口放置 (7)2.2.2Window Material and Color 窗口材质与颜色 (8)2.2.3Scratch Resistance and Coating 窗口防刮与涂层 (8)2.2.4Window Size窗口尺寸 (8)2.2.5Ambient Light 环境光 (10)2.2.6 Eye Safety 人眼安全 (10)2.2.7Mounting 装嵌 (10)Chapter 3 Electrical Specifications电气特性 (12)3.1Power Supply 电源要求 (12)3.2Ripple Noise纹波噪声 (12)3.3 DC Characteristics 直流特性 (12)3.3.1Operating Voltage 工作电压 (12)3.3.2Current 电流 (13)Chapter 4Interfaces接口 (14)4.1Host Interface Connector主机接口连接器 (15)4.2Flat Flexible Cable扁平柔性电缆 (15)4.3Communication Interfaces通讯接口 (16)4.4Control Interfaces 控制接口 (16)4.4.1 Trigger 触发 (16)4.4.2Beeper 蜂鸣器信号 (17)4.4.3 Decode LED 解码 LED信号 (18)4.4.4 SE3102N engine datasheet 引擎数据表 (19)Disclaimer免责声明2014 Suzhou SuperMax Smart System Co., Ltd. All rights reserved.苏州斯普锐智能系统有限公司对本声明拥有最终解释权。
CY8CMBR3xxx Family_datasheet_Chinese
CY8CMBR3002, CY8CMBR3102CY8CMBR3106S, CY8CMBR3108CY8CMBR3110, CY8CMBR3116具有SmartSense™自动调试16按键、2个滑条和接近传感器的CapSense®Express™控制器概述CY8CMBR3xxx CapSense®Express™控制器使先进但易于实现的电容触摸用户接口方案成为可能。
该系列寄存器配置型的控制器可支持多达16个电容式感应输入，并消除了设计周期的费时固件开发。
因此，当实现电容按键、滑条和接近感应解决方案时，这些控制需要最小的开发周期时间。
CY8CMBR3xxx系列提供了一个高级模拟检测通道和Capacitive Sigma Delta PLUS (CSD PLUS)感应算法。
该算法会发出高于100:1的信噪比，以确保正确触摸（即使在极端噪声环境中） 通过赛普拉斯SmartSense™自动调试算法来使能这些控制器，能够补偿生产变化造成的影响，并在所有环境条件下动态监控和维持最佳的传感器性能。
另外，通过SmartSense自动调试，在开发和生产过程中，由于可以缩短手动调试工作时间，所以可以加快产品的上市进程。
由于高级性能（如LED亮度控制、接近检测和系统诊断）的优点，可以节省开发时间。
这些控制器通过消除由薄雾、湿气、水滴、液体或流水导致的假触摸使能具有强大耐水性的设计。
CY8CMBR3xxx可包含在小尺寸工业标准封装中。
CY8CMBR3xxx系列系统包括多个开发工具（软件和硬件），能够快速启用用户界面设计。
例如，EZ-Click定制器工具是一个具有简单的图形用户界面的软件，用于通过I2C借口配置器件功能。
该工具还支持CapSense数据阅览，以操控系统性能和支持验证和调试。
另一个工具，Design Toolbox，通过提供设置指南和布局建议简化电路板布局，从而能够优化传感器大小、走线长度和寄生电容。
Intel移动处理器各项参数速查
800MHz
65nm
35W
Merom
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Santa Rosa平台低电压与超低电压处理器：
Core 2 Duo L7700
1000～1800MHz
4M
800MHz
65nm
17W
Merom
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Core 2 Duo L7500
1000～1600MHz
4M
800MHz
65nm
17W
Merom
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Core 2 Duo L7300
型号
主频
L2
FSB
制程
TDP
核心
双核
64位
虚拟化
Santa Rosa Refresh平台处理器:
Core 2 Extreme X9000
1000～2800MHz
6M
800MHz
45nm
44W
Penryn
√
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Core 2 Duo T9500
1000～2600MHz
6M
800MHz
45nm
35W
Penryn
Intel移动处理器各项参数速查
眼下Intel移动处理器型号命名比较混乱，许多新手因此摸不着头脑。因此放出Intel移动处理器性能参数速查表，为大家的笔记本选购提供便利。
我们按照处理器发布时间顺序，将这些移动处理器排序，因此可能出现不同核心的处理器处在一个表中。
Santa Rosa Refresh平台处理器
√
Santa Rosa平台赛扬M处理器：
Celeron M 540
1866MHz
1M
533MHz
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Cypress所有触控芯片型号重要参数对比触控领袖
赛普拉斯拥有业界最宽、应用最广泛的触摸感应产品线，包括TrueTouch、CapSense®和 TrackPad解决方案。
赛普拉斯公司拥有无与伦比的IP集，包括能大幅降低触摸屏成本的真正单层传感器解决方案，以及在同一芯片上进行自电容和互电容感应的技术，该技术可以用于实现高级功能，如防水、接近感应、支持2毫米触笔，以及悬停等。
关于TrueTouch
赛普拉斯的TrueTouch解决方案可提供业界最佳抗噪声性能、最高信噪比（SNR）、最快刷新率、最低功耗，以及全球最佳精度和线性度。
灵活的TrueTouch 解决方案能使用户快速开发出前沿解决方案而无需购买交钥匙模块。
客户可以自由选择触控传感器（玻璃或薄膜）及液晶显示器的供应商，也可以采用包括平面和曲面的创新性机械设计。
此外，TrueTouch器件还传承了赛普拉斯已获专利的电容式感应技术，具有传奇的抗噪性能，可在嘈杂的射频和LCD环境中无差错地工作。