电磁学_电磁介质_4.5 各种磁介质-磁介质的分类

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电磁学第5章磁介质

电磁学第5章磁介质

0
m H
B 0 r H
令:
0 r
B H
称为磁导率
r
1 1
顺磁质 抗磁质
1 铁磁质
27
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(1)在真空中: M = 0
(2)在顺磁质中:
cm = 0
mr = 1
m 0
m 0
r 1
r 1
(3)在抗磁质中:
13
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磁介质表面出现宏观电流---磁化电流
2) 抗磁质的磁化
抗磁质的分子固有磁矩为 0。
B0
m0 = 0 ,
不显磁性
D mei 附加磁矩 D mei 与磁化 B0场方向相反 显示抗磁性
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14
抗磁质磁化的宏观效果
B0
B0
S B
28
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四、 磁介质存在时静磁场的基本规律
H dl I 0
B d s 0
s
----静磁场的安培环路定理
L
----静磁场的高斯定理
29
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环路定理应用:对于有磁介质的情形,若磁介质的 形状具有对称性,且置于具有相应对称性的外磁场 中,并使得磁介质内外的总磁场H或B具有相应的对 称性, 则可按下述步骤来处理有关问题:
S
3
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ˆn me = iSe
用现代观点看
分子电流:是由原子内电子绕核的轨道运 动、各电子的自旋运动以及原子核的自旋运 动构成的。 电子轨道磁矩 分子磁矩 me : 电子自旋磁矩
{
原子核的磁矩 i

磁介质及其分类

磁介质及其分类

4
第15章 物质的磁性
3) 原子核的磁矩
整个原子核的自旋磁矩
r Pg
e
r I
2mp
r I
为核的自旋角动量, 因子g由原子核决定。
由上可知,核磁矩远小于电子磁矩。
4) 分子磁矩和分子电流
I分
电子轨道磁矩
电子自旋磁矩
分子磁矩
r P分
等效
S分 r P分
分子电流I分
原子核的磁矩
5
第15章 物质的磁性
2. 磁介质的磁化
rr
B r B0
μr ─相对磁导率
rr r B B0 B
B0 B
I0
长直密绕螺线管
▲ 弱磁质, r 1
•顺磁质
r 1
如:Mn ,Al,O2,N2 ,…
g,Cl2,H2, …
▲ 铁磁质 r 1 如:Fe,Co,Ni, …
2
第15章 物质的磁性
二、 磁介质的磁化
第 i 个电子受的磁力矩 rr r Mi Pm,i B0
电子轨道磁矩受磁力矩方向垂直纸面向内
r
Mi
r
电子轨道角动量增量
rr
r
Li
d Li Mi dt Li
轨道角动量绕磁场旋进
∴ 电子旋进,它引起的感应
r
r
r
磁矩 Δ Pm,i 反平行于 B0
Pm,i
这种效应在顺磁质中也有,不过与分
子固有磁矩的转向效应相比弱得多。
电子轨道半径不变
当外场方向与原子磁矩反方向时
f Pm (Pm )
7
第15章 物质的磁性
B0
Pm
o
r
e
f
Pm
v

电磁学-磁介质

电磁学-磁介质
• 磁介质(magnetic medium):
–对磁场有一定响应,并能反过来影响磁场的物质 –一般物质在较强磁场的作用下都显示出一定程度的磁性,
即都能对磁场的作用有所响应,所以都是磁介质
• 磁化(magnetization)
–在外磁场的作用下,原来没有磁性的物质,变得具有磁 性,简称磁化。磁介质被磁化后,会产生附加磁场,从 而改变原来空间磁场的分布
• 顺磁质的磁化
– 分子在外磁场作用下趋向于外磁场排列 –热运动与磁场作用相抵抗
抗磁质
有外场
m分子0 m分子0
抗磁质
• 抗磁质分子的固有磁矩m分子= ml+ ms=0 • 不存在由非零的分子固有磁矩规则取向引
起的顺磁效应。磁性来源?
• 抗磁质磁性起源于电子轨道运动在外磁场 下的变化
• 电子轨道运动为什么会变化?原因:在外 磁场下受洛伦兹力
D (1 e )0E
r (1 e )
v
vv
D r0E E
r称为相对电容率
或相对介电常量
例1 一环形螺线管,管内充满磁导率为μ,相对磁导 率为μr的顺磁质。环的横截面半径远小于环的半径。
单位长度上的导线匝数为n。
求:环内的磁场强度和磁感应强度
解:
H dl
L
H 2r
NI
NI
r
H
nI
• 解决的办法——需要补充或附加有关磁介 质磁化性质的已知条件
• 有介质时,第四章中给出的安培环路定理
可理解为
I' M dl
总场
两边同
除以0 ,
再移项
定义: 磁场强度
B dl 0 I 0I0 I'
L
L内
B dl 0 I0 0 M dl

磁介质(Magnetic materials)

磁介质(Magnetic materials)



1/ 2
于顺外场的增加。 在(i)、(ii)两种情形,电子都获得一个逆外场方向的诱导磁矩(induced 101
5.1 磁化(Magnetization) moment), 用到式(5.2),有 e e minduced = L= ⋅m r 2 。 2 me 2 me e L 将 L 的表达式代入,得到诱导磁矩的矢量式为 e2 r2 m induced =− B (5.6) 4 me 原子序数为 Z 的原子有 Z 个电子,其轨道半径各不相同,相对于外场 的倾角也各不相同。取平均值,得到每个原子的有效(effective)诱导磁 矩为 e2 m =− Zr 2 B (5.7) 6 me 0 物质的磁化强度(magnetization)为 Ne2 2 M =− Zr B (5.8) 6 me 0



磁化强度(magnetization): 设物质中的原子在外磁场中磁化后的磁矩为 m。对大量原子的磁矩取平均, 其平均值记为 m 。 定义:磁化强度为单位体积中的原子磁矩的矢量和。 M = N m 。 (5.1) 其中,N 为单位体积中的原子数。磁化强度是描述物质磁化性质的量。
5.1.5 抗磁性(Diamagnetism)

原子在外场中的诱导磁矩(induced magnetic moments):

电子的固有角速度(angular velocity): 设电子在半径 r 的圆轨道以角速度 0 运动。向心加速度为 2 0r , 2 2 向心力为 Ze / 4 0 r ,故有 2 2 2 m e 0 r = Ze / 4 0 r 从而有 Ze2 0= 4 0 me r 3
104
第五章 磁介质(Magnetic materials) 向减少,合成效果为向下的净磁化电流(net magnetic current)。如 Figure 5.8 所示。 如 Figure 5.9, 在磁化体中取一个体积元 = x y z , 其中心点的坐标为 (x, y, z)。类似于螺线管中介质的 M 与 I 的关系 I M = M ,磁化强度矢量 M 的 x, y, z 分量,分别对应于环绕电流 I1, I2, I3。即,将积元 中磁偶极矩 矢量 M , 分解为 x, y, z 分量,与环绕电流 I1, I2, I3 的对应关系分别为 I 1 y z =M x 即 I 1= M x x . (5.16a) 同理,有 I 2= M y y , (5.16b) I 3= M z z . (5.16c) 合成的磁化电流密度 jM,其 z 分量由 I1,I2 贡献而得。如果 I2 沿 x 轴方向变

§4-5 磁介质的磁化规律和机理 铁电体

§4-5 磁介质的磁化规律和机理  铁电体

若分子中所有电子磁矩(分子固有磁矩)不为零,顺磁质
若分子中所有电子磁矩(分子固有磁矩)为零,抗磁质
顺磁质的磁化规律
顺磁效应:顺磁物质中,分子具有固有磁矩,在外 磁场作用下,分子磁矩在一定程度上沿外场排列起 来。温度越高,顺磁效应越弱。
抗磁质的磁化规律
外磁场对电子轨道运动的影响
外磁场作用在一个抗磁原子上,考虑电子的轨 道运动(先假设电子角速度平行于外磁场)
M-H曲线上任何一点联到原点O的直线的斜率
代表该磁化状态下的磁化率
m

M H
B-H曲线
在铁磁质中,M的数值比
H大得多 (102-106)倍
B

0
(H

M
)

0
M
B-H曲线的外貌与M-H曲线差不多
B-H曲线上任何一点联到原点O的直线的斜率代
表该磁化状态下的磁导率
0

B H
求无外磁场时的角速度ω0(电子只受库仑力)
Ze 2
4 r 2

m
2 0
r
0
0

Ze 2 (
4 mr 3
)1/ 2
0
加不太大的外磁场B<< m0 ,电子受库仑力、
e
洛伦兹力(指向中心),假设轨道的半径不变
(相当于定态假设),且此时洛伦兹力远小于
库仑力(见P257解释)
0 0
在外磁场撤消后,铁磁质内掺杂和内应力或因为介 质存在缺陷阻碍磁畴恢复到原来的状态
铁磁质的磁化
磁畴
影响铁磁质磁性的因素
温度对磁性有影响——温度高过居里点铁磁性就 消失,变为顺磁质。如纯铁的居里点为1043K,镝 影响磁畴结构性——介观尺度下有新现象 介观尺度:即介于宏观尺度与微观尺度之间,一 般为0.1—100nm

大学物理电磁学知识点总结

大学物理电磁学知识点总结

大学物理电磁学总结一、三大定律库仑定律:在真空中,两个静止的点电荷q1 和q2 之间的静电相互作用力与这两个点电荷所带电荷量的乘积成正比,与它们之间距离的平方成反比,作用力的方向沿着两个点电荷的连线,同号电荷相斥,异号电荷相吸。

uuu r q q ur F21 = k 1 2 2 er rur u r 高斯定理:a) 静电场:Φ e = E d S = ∫s∑qiiε0(真空中)b) 稳恒磁场:Φ m =u u r r Bd S = 0 ∫s环路定理:a) 静电场的环路定理:b) 安培环路定理:二、对比总结电与磁∫Lur r L E dl = 0 ∫ ur r B dl = 0 ∑ I i (真空中)L电磁学静电场稳恒磁场稳恒磁场电场强度:E磁感应强度:B 定义:B =ur ur F 定义:E = (N/C) q0基本计算方法:1、点电荷电场强度:E =ur r u r dF (d F = Idl × B )(T) Idl sin θ方向:沿该点处静止小磁针的N 极指向。

基本计算方法:urq ur er 4πε 0 r 2 1r ur u Idl × e r 0 r 1、毕奥-萨伐尔定律:d B = 2 4π r2、连续分布的电流元的磁场强度:2、电场强度叠加原理:ur n ur 1 E = ∑ Ei = 4πε 0 i =1r qi uu eri ∑ r2 i =1 inr ur u r u r 0 Idl × er B = ∫dB = ∫ 4π r 23、安培环路定理(后面介绍)4、通过磁通量解得(后面介绍)3、连续分布电荷的电场强度:ur ρ dV ur E=∫ e v 4πε r 2 r 0 ur σ dS ur ur λ dl ur E=∫ er , E = ∫ e s 4πε r 2 l 4πε r 2 r 0 04、高斯定理(后面介绍)5、通过电势解得(后面介绍)几种常见的带电体的电场强度公式:几种常见的磁感应强度公式:1、无限长直载流导线外:B = 2、圆电流圆心处:B = 3、圆电流轴线上:B =ur 1、点电荷:E =q ur er 4πε 0 r 2 10 I2R0 I 2π r2、均匀带电圆环轴线上一点:ur E=r qx i 2 2 32 4πε 0 ( R + x )R 2 IN 2 ( x 2 + R 2 )3 21 0α 23、均匀带电无限大平面:E =σ 2ε 0(N 为线圈匝数)4、无限大均匀载流平面:B =4、均匀带电球壳:E = 0( r < R )(α 是流过单位宽度的电流)ur E=q ur er (r > R ) 4πε 0 r 25、无限长密绕直螺线管内部:B = 0 nI (n 是单位长度上的线圈匝数)6、一段载流圆弧线在圆心处:B = (是弧度角,以弧度为单位)7、圆盘圆心处:B =r ur qr (r < R) 5、均匀带电球体:E = 4πε 0 R 3 ur E= q 4πε 0 r ur er (r > R ) 20 I 4π R0σω R2(σ 是圆盘电荷面密度,ω 圆盘转动的角速度)6、无限长直导线:E =λ 2πε 0 x λ 0(r > R ) 2πε 0 r7、无限长直圆柱体:E =E=λr (r < R) 4πε 0 R 2电场强度通量:N·m2·c-1)(磁通量:wb)(sΦ e = ∫ d Φ e = ∫ E cos θ dS = ∫s sur u r E d S通量u u r r Φ m = ∫ d Φ m = ∫ Bd S = ∫ B cos θ dS s s s若为闭合曲面:Φ e =∫sur u r E d S若为闭合曲面:u u r r Φ m = Bd S = B cos θ dS ∫ ∫s s均匀电场通过闭合曲面的通量为零。

9-磁介质 大学物理

9-磁介质 大学物理

当线圈中通入电流后,在磁化场的力矩作用下, 当线圈中通入电流后,在磁化场的力矩作用下,各分子环 流的磁矩在一定程度上沿着场的方向排列起来,此时, 流的磁矩在一定程度上沿着场的方向排列起来,此时,软 铁棒被磁化了。 铁棒被磁化了。
对于各向同性的均匀介质,介质内部各分子电流相互抵消, 对于各向同性的均匀介质,介质内部各分子电流相互抵消, 而在介质表面,各分子电流相互叠加, 而在介质表面,各分子电流相互叠加,在磁化圆柱的表面出 磁化面电流( 现一层电流,好象一个载流螺线管,称为磁化面电流 现一层电流,好象一个载流螺线管,称为磁化面电流(或安 培表面电流) 培表面电流)。
(2)电子自旋磁矩 (2)电子自旋磁矩 实验证明: 实验证明:电子有自旋磁矩
ps = 0.927×10-23 A⋅m2 0.927×
(3)分子磁矩 (3)分子磁矩 分子磁矩是分子中所有电子的轨道磁矩和自旋磁矩 与所有核磁矩的矢量和。 与所有核磁矩的矢量和。 三.顺磁质与抗磁质的磁化 顺磁质与抗磁质的磁化 1、顺磁质及其磁化(如铝、 1、顺磁质及其磁化(如铝、铂、氧) 分 子 磁 矩 分子的固有磁矩不为零 pm ≠ 0 无外磁场作用时, 无外磁场作用时,由 于分子的热运动, 于分子的热运动,分 子磁矩取向各不相同, 子磁矩取向各不相同 整个介质不显磁性。 整个介质不显磁性。
B0
I0 Is
Is——磁化电流 磁化电流 js——沿轴线单位长度上的磁 沿轴线单位长度上的磁 化电流(磁化面电流密度) 化电流(磁化面电流密度)
3、磁化强度和磁化电流密度之间的关系: 磁化强度和磁化电流密度之间的关系:
以长直螺线管中的圆柱形磁介质来说明它们的关系。 以长直螺线管中的圆柱形磁介质来说明它们的关系。
磁场中的磁介质

电磁学_5.讲义

电磁学_5.讲义


L
B' dl

L
B dl 0 I 0 0 I' 0 I 0 0 M dl
L
§5.2 有磁介质时磁场的基本规律 移项整理后得

L
(
B
0
M ) dl I 0
电介质

S
( 0 E P) dS q0
定义磁场强度
H
则有
B
0
M
电介质 D 0 E P
I
r
v
L 一个分子的各种磁矩的矢量和,称为分子的固有磁矩,简称分
§5.1 磁介质的磁化
无矩分子
在无外磁场时,分子固有磁矩矢量和为零(抗磁质) 有矩分子
在无外磁场时,分子固有磁矩不为零(顺磁质)
无外磁场时,宏观上仍然不显示磁性!
§5.1 磁介质的磁化 磁化强度 为了定性描述介质的宏观磁性或磁化的程度,定义介质的磁化强
v v v M sin , M en
§5.1 磁介质的磁化
介质外为真空时,介质表面磁化电流线密度等于该处磁化强度与介质表
面外法线单位矢量的叉乘。 对于两种磁介质的分界面
en (M 2 M1 )
en 为 由介质 1 指向介质 2 的单位矢量。 可与电介质情形对比记忆

S
B dS 0
§5.2 有磁介质时磁场的基本规律
三、线性磁介质
各向同性磁介质 M m H 各向同性电介质 P 0 E
H
B
0
M B 0 (1 m ) H
D 0 (1 ) E
0 r E
E
0 r H H
在磁介质表面处各点:分子环流未被抵消,形成沿表面的面电流
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分子在外磁场作用下趋向于外磁场排列 热运动与磁场作用相抵抗
抗磁质
抗磁质分子的固有磁矩m分子= ml+ ms=0 不存在由非零的分子固有磁矩规则取向引 起的顺磁效应。磁性来源? 抗磁质磁性起源于电子轨道运动在外磁场 下的变化 电子轨道运动为什么会变化?原因:在外 磁场下受洛伦兹力

a
磁滞回线
da HdB 磁滞回线所包围的“面积”
磁滞回线
铁磁质 磁化机制

自发磁化区
近代科学实验证明,铁磁质的磁性主要来源于电子 自旋磁矩。在没有外磁场的条件下铁磁质中电子自 旋磁矩可以在小范围内“自发地”排列起来,形成 一个个小的“自发磁化区”——磁畴 自发磁化的原因是由于相邻原子中电子之间存在着 一种交换作用(一种量子效应),使电子的原子磁 矩平行排列起来而达到自发磁化的饱和状态 单晶和多晶磁畴结构的示意

证明以有闭合铁芯的螺绕环为例

设t时刻介质处于某一磁化状态P, 此处H>0,B>0 dt内, P——P’ ,铁心中磁通改变 量为d 电源抵抗感应电动势做功 NSB
周长
d N dA I 0dt I 0 dt I 0 d H nI 0 , n l dt H dA dA I 0 d NSdB SlHdB VHdB da HdB V N l

此时磁性材料不再是具有畴壁的多磁畴结构, 而是没有畴壁的单畴结构,单畴的临界尺度大 约在纳米级范围,例如铁(Fe)的球形颗粒产 生单畴的临界直径为 28nm ,钴 (Co) 为 240nm 。 由于热扰动的影响,使这些磁有序物质系统表 现出特别的磁性质,如类似顺磁性的超顺磁性 与同类常规块状磁体相比,纳米量级材料的居 里温度低,矫顽力高。

磁性液体:用表面活性剂处理过的超细磁性微粒 高度分散在载液中形成一种磁性胶体溶液,呈现 出超顺磁性
分子磁矩的由来



在原子或分子内,一般不止有一个电 子 分子磁矩:所有电子的轨道磁矩和自 旋磁矩的矢量和m分子= ml+ ms=0 e ev e i 电子轨道磁矩 m iSn
l
T
2r
2
e 与角动量方向相反 ml LeL 2m e 电子自旋磁矩 mS S m 若所有电子的总角动量(含轨道和自旋)为零,抗磁 所有电子的总角动量(含轨道和自旋)不为零 ,顺磁

影响铁磁质磁性的因素



温度对磁性有影响——居里点高过居里点铁磁性就消失,变 为顺磁质。如纯铁的居里点为1043K,镝的居里点为89K; 强烈震动会瓦解磁畴 尺寸影响磁畴结构性——介观尺度下有新现象 介观尺度:即介于宏观尺度与微观尺度之间,一般为0.1—— 100nm
宏观铁磁体的尺寸减小到介观尺度
外磁场对电子轨道运动的影响 p240

外磁场作用在一个抗磁原子上,考虑电子的轨 道运动(设电子角速度平行于外磁场)

求无外磁场时的角速度 0(电子只受库仑力)
Ze
2 2
4 0 r
2 m 0 r
1 Ze 2 2 0 ( ) 4 0 m r3
加外磁场B0,电子受库仑力、洛伦兹力(指向中
0与B成任何角度

当介质处于磁场中时,每个电子磁矩都受到 磁力矩的作用 M B m B0

特点
其中M的值相当大; M 与 H 不成正比关系,甚至也不是单值 关系。实验表明, M 和 H 间的函数关系 比较复杂,且与磁化的历史有关。 铁磁质的M与H、B的关系通常通过实验 测定 起始磁化曲线:Ms、Bs 分别为饱和磁化强度和 饱和磁感应强度 M~H、B~H之间的关 系是非线性和非单值的

磁化过程示意
等于每个磁畴中 原有的磁化强度




a:未磁化时状态 b:畴壁的可逆位移阶段—OA段 c:不可逆的磁化——AB段 d:磁畴磁矩的转动——BC段 e:趋于饱和的阶段——CS段
在外磁场撤消后,铁磁质内掺杂和内应力或因为
介质存在缺陷阻碍磁畴恢复到原来的状态
磁 畴
a 片形畴(L=8微米); b 蜂窝畴(L=75微米); c 楔形畴 图 几种铁磁材料的磁畴结构,其中a、b为Ba铁氧体单晶基面上的 磁畴结构,L为晶体厚度;c 为钴的两个晶粒上的磁畴结构
心),假设轨道的半径不变(相当于定态假设),设 洛伦兹力远小于库仑力 0 , 0
Ze 2 2 e rB m r 0 2 4 0 r
2 2 0 20
m0 erB0 m0 r eB0 e
2
洛伦兹力远小 于库仑力,高 阶无穷小,略
Ze2 2 e rB e rB m 0 0 0 0 r 2m 0 r 2 4 0 r
eB 0 2m
考虑电子角速度反平行于外磁场,有同
样结论,的方向总是与外磁场B0相同
总是与外 磁场方向 相反
电子角速度改变将引起电子磁矩改变
er 2 e2r 2 m ω B0 2 4m
各种磁介质 p286 4-28、37、38

磁介质分类
弱磁性:顺磁质、抗磁质 强磁性:铁磁质

抗磁质

一般有两类分子

顺磁质
ห้องสมุดไป่ตู้无外场
有外场
分子磁矩 m分子= ml+ ms=0 m分子=0 m分子0 分子磁矩 m分子= ml+ ms 0 m分子=0 m分子0

顺磁质的磁化

铁磁质
磁滞回线
MR:剩余磁化强度 BR: 剩余磁感应强度 HC:矫顽力。 在上述变化过程中,M和B 的变化总是落后于 H 的变 化,这一现象称为磁滞现 象;上述曲线叫磁滞回线。 P244

磁滞损耗
当铁磁质在交变磁场作用下,反复磁化是由 于磁滞效应,磁体要发热而散失热量,这种 能量损失称为磁滞损耗。 可以证明:B-H图中磁滞回线所包围的“面 积”代表在一个反复磁化的循环过程中单位 体积的铁芯内损耗的能量 磁滞回线越胖,曲线下面积越大,损耗越大; 磁滞回线越瘦,曲线下面积越小,损耗越小 证明 p245,算电源要抵抗感应电动势做功
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