C37,磷酸蚀刻液

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碳钢蚀刻液配方

碳钢蚀刻液配方

碳钢蚀刻液配方
碳钢蚀刻液通常由以下原料配制而成:
1. 氢氟酸(HF):作为主要的蚀刻剂,能够有效地腐蚀碳钢表面,使其产生凹凸不平的表面。

2. 硝酸(HNO3):作为辅助蚀刻剂,起到加速蚀刻的作用。

3. 硫酸(H2SO4):作为调节剂,能够调节蚀刻液的酸度,控制蚀刻速率。

4. 水(H2O):作为稀释剂,控制蚀刻液的浓度。

配制方法:
1. 将硝酸和硫酸按照2:1的比例混合,然后逐渐加入氢氟酸,搅拌均匀。

2. 将蚀刻液与适量的水混合,使其浓度达到所需的程度。

3. 配置好的蚀刻液可以使用前,应做好充分的保护措施,避免对人体和环境造成危害。

在使用时,应注意穿戴好安全防护装备,保持通风良好。

金属手工快速蚀刻液配方

金属手工快速蚀刻液配方

金属手工快速蚀刻液配方
在日常的生活生产中,我们几乎每天都会跟各类金属打交道,比如不锈钢、黄铜、铝材等。

由于生产和工艺的需要我们往往要对金属进行蚀刻。

蚀刻工艺主要应用在标牌生产行业、工艺品刻花行业、模具蚀刻行业、广告刻字行业等。

手工蚀刻,也叫做手工腐蚀,就是不借助任何的蚀刻设备进行的一种纯手工蚀刻工艺。

在各类蚀刻设备充斥市场的今天,掌握手工蚀刻工艺依然非常的重要。

我们常常遇到一些超大尺寸的标牌或者其他需要蚀刻的异形工件,一般的蚀刻设备根本无法容纳进去,所以手工蚀刻就可以发挥出奇制胜的效果了。

还有一些特殊情况,比如特殊材质,或是极小批量的蚀刻产品,犯不上专门上机蚀刻,而采用手工蚀刻的方式就是最佳选择了。

笔者从事蚀刻近20年,多年的一线生产经历积累了很多跟蚀刻相关的配方,现发表出来与各位同仁分享。

具体的蚀刻液配方。

酸性蚀刻液的特性、蚀刻原理

酸性蚀刻液的特性、蚀刻原理

酸性蚀刻液的特性、蚀刻原理1.三氯化铁蚀刻液①特性:三氯化铁蚀刻液用来蚀刻铜、铜合金及铁、锌、铝和铝合金等;适用于网印抗蚀印料、液体感光胶、干膜和金镀层等抗蚀层的印制电路板蚀刻,但不适用于镍、锡及锡铅合金等抗蚀层。

工艺稳定、操作方便、成本低。

但污染严重,废液处理困难。

②化学组成三氯化铁蚀刻液化学组成体三氯化铁按配方要求的百分重量比放入含少量盐酸的水溶液中,在不断搅拌下完全溶解成茶红色液体。

测量其比重或波美度。

然后静止24小时后过滤使用。

特别注意事项:由于固体三氯化铁)沉淀。

易于水解成深黄色氢氧化铁(Fe(0H)3反应式:FeC1+3H2 0→Fe(0H)3+3HCl3所以在配制时先要在水中加适量的盐酸,使反应向左进行,从而抑制水解发生。

由于配制中产生盐酸气体有刺激性,需要在抽风的工作条件下进行。

配制好的溶液以PH≥5为宜。

一般控制溶液浓度在波美度38-42Be0。

(1)蚀刻原理:三氯化铁蚀刻液对铜箔的蚀刻是一个氧化—还原反应过程。

在铜表面三价铁使铜氧化成氯化亚铜。

同时三价铁被还原成二价铁,其反应如下:FeC13+Cu→FeC12+CuC1氯化亚铜具有还原性,可以和三氯化铁进一步发生反应生成氯化铜。

其反应式如下:FeC13+CuC1→FeC12+CuC12二价铜具有氧化性,与铜发生氧化反应:CuC12+Cu→2CuC1所以,三氯化铁蚀刻液对铜的蚀刻是靠Fe3+和Gu2+共同完成的。

其中三价铁的蚀刻速率快,蚀刻质量好;而二价铜的蚀刻速率慢,蚀刻质量差。

新配制的蚀刻液中只有三价铁,蚀刻速率较快。

但随着蚀刻反应的进行,三价铁不断消耗,而二价铜不断增加。

当三价铁消耗掉35%时,二价铜已增加到相当大的浓度,这时三价铁和二价铜对铜的蚀刻量几乎相等;当三价铁消耗掉50%时,二价铜的蚀刻作用由次要地位而转变成主要地位,此时的蚀刻速率慢,这时要考虑蚀刻液的更新问题。

在印制电路板的实际生产中,表示蚀刻液的活度不是采用三价铁的消耗量来度量,而是用蚀刻液中的含铜量(克/升)来度量。

蚀刻液主要成分

蚀刻液主要成分

蚀刻液主要成分
1蚀刻液
蚀刻液又称刻蚀液,是一种用做薄膜蚀刻处理的物质溶液,它一般由硝酸、氢氟酸、溴酸、磷酸、氯化钠等多种化学物质的混合溶液来制成。

2硝酸
硝酸是一种有机小分子,具有很强的氧化性,是制备蚀刻液的基本原料之一。

它具有强烈腐蚀性,可以氧化许多物质。

在制备蚀刻液中,硝酸的作用是将物体的表面氧化成硝酸盐,以达到刻蚀的目的。

3氢氟酸
氢氟酸是氟和氢的混合物,主要用于清洗镀层物体或光刻网。

它具有强烈腐蚀性,温度越高越容易进行氧化,利用这种特性,氢氟酸可以药剂洗涤,这在LED封装行业中应用比较广泛。

在制备蚀刻液时,氢氟酸可以与硝酸发生反应,以达到蚀刻液的完善目的。

4溴酸
溴酸是一种有机小分子,具有强烈的氧化性,是构成蚀刻液的基本原料之一。

它具有较高的溴含量,在蚀刻液中主要起清洁表面的作用,也可以能较好的净化表面,使表面更加平整光滑。

5磷酸
磷酸是一种有机物,具有很强的氧化及卤化作用,是一种重要的化学物质。

它可以有效促进蚀刻液的表面清洁作用,并且可以改变蚀刻液的电离酸度,使它更有效的进行蚀刻,提高蚀刻效果。

6氯化钠
氯化钠在蚀刻液中主要起作用是调节蚀刻液的离子强度,增加蚀刻液的沉淀度,增加蚀刻的速度,以及可以调节蚀刻液的pH值,使它保持一定的刻蚀效果。

总结起来,蚀刻液是一种由氢氟酸、硝酸、溴酸、磷酸、氯化钠等化学物质混合而成的混合液,通过氧化、卤化及表面清洁,它可以有效净化表面,提高刻蚀效果。

半导体磷酸刻蚀

半导体磷酸刻蚀

半导体磷酸刻蚀
半导体磷酸刻蚀是一种常用的微纳加工技术,用于制备半导体器件和集成电路。

磷酸刻蚀是一种湿法刻蚀方法,通过在磷酸溶液中进行蚀刻,可以改变半导体表面的形貌和结构。

磷酸溶液中的磷酸可以与半导体材料表面的氧化物发生反应,生成溶解性的磷酸盐物质。

这个过程被称为磷酸蚀刻反应。

磷酸溶液中的温度、浓度和蚀刻时间等参数都会影响刻蚀速率和表面质量。

磷酸刻蚀具有高选择性和高均匀性的优点,可以实现微米级和纳米级的精确刻蚀。

在半导体器件制造中,磷酸刻蚀可用于去除掩膜材料、开窗、形成孔洞和通孔,以及调整器件的形状和尺寸。

然而,磷酸刻蚀也存在一些问题。

磷酸溶液具有强腐蚀性,对操作人员和环境有一定的安全风险。

此外,磷酸刻蚀过程中会产生大量废液和废气,对环境造成污染。

因此,在进行半导体磷酸刻蚀时,需要严格遵守相关的安全规范和环保要求。

使用适当的防护措施,如穿戴防护服、戴口罩和手套,并在专门的设施中进行操作。

此外,废液和废气的处理也需要进行合理规划,以确保环境的保护和资源的回收利用。

总之,半导体磷酸刻蚀是一种重要的微纳加工技术,具有广泛的应用前景。

在正确使用和管理的前提下,磷酸刻蚀可以提供高质量的加工效果,为半导体器件制造和研究提供良好的支持。

附部分蚀刻液配方1

附部分蚀刻液配方1
附部分蚀刻液配方:
(一) 化学腐蚀 主要用强酸、混合酸、酸+盐或碱+盐的混合
物。
黄铜蚀刻液配方:
1 三氯化铁(25-45)°Be 80-85 %
浓盐酸
15-20%
蚀刻温度:30-40度 缺点:腐蚀液无法再生,有污染。用于铝箔
蚀刻时,铝箔上常有少量黄色残留物,难以清洗。
2 氯化铜
5%
浓盐酸
10%
双氧水
盐酸20ml/水20ml/硫酸铜5g,腐蚀时间3—10秒,腐蚀时对着光线
A101 大多数钢种 1:1(容积比工业盐酸水溶液 60-80℃热蚀 时间: 易切削钢5-10min 碳素钢等5-20min 合金钢等15-20min
酸蚀后防锈方法: a. 中和法:用10%氨水溶液浸泡后再以热水冲洗。 b. 钝化法:浸入浓硝酸5秒再用热水冲洗。 c. 涂层保护法:涂清漆和塑料膜。 A102 奥氏体不锈钢.耐热钢 盐酸 10份 硝酸 1份 水 10份 (容积比) 60-70℃热蚀 时间: 5-25min A103 碳素钢 合金钢 高速工具钢 盐酸 38份 硫酸 12份 水 50份 (容积比) 60-80℃热蚀 时间: 15-25min
A107 碳素钢 合金钢 10%-40%硝酸水溶液 (容积比 室温浸蚀 25%硝酸水溶液为通用浸蚀剂 a.可用于球墨铸铁的低倍组织显示。 b.高浓度适用于不便作加热的钢锭截面等大试样。 A108 碳素钢 合金钢 显示技晶及粗晶组织 10%-20%过硫酸铵水溶液 室温浸蚀或擦拭
A109 碳素钢 合金钢 三氯化铁饱和水溶液 500ml 硝酸 10ml 室温浸蚀
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钛金板蚀刻液配方: 在腐蚀之前,先用氢氟酸或用氟化钠水溶液

磷酸蚀刻液行业_研究报告_概述及范文模板

磷酸蚀刻液行业研究报告概述及范文模板1. 引言1.1 概述磷酸蚀刻液是一种在电子制造和材料加工行业中广泛应用的化学物质。

它具有强蚀刻能力,可以在导电材料表面进行精确而可控的蚀刻过程,被广泛用于半导体制造、光伏产业以及微电子领域等。

随着电子设备的迅速发展和需求的不断增长,磷酸蚀刻液行业也呈现出快速发展的趋势。

1.2 文章结构本报告将对磷酸蚀刻液行业进行详细的研究和分析,全面探讨其定义、背景、市场规模和趋势、行业发展历程、组成与特性分析以及应用与市场前景展望。

通过系统性的数据收集与分析,旨在提供给读者对该行业的全面了解。

报告内容按如下顺序组织:引言部分为本章节,概述了整篇文章的主要内容和结构。

第二章将对磷酸蚀刻液行业进行概述,包括定义和背景、市场规模和趋势以及行业发展历程等内容。

第三章将详细介绍研究方法与数据收集的原理和过程,包括研究方法介绍、数据来源与收集方式以及数据分析与处理等方面。

第四章将对磷酸蚀刻液的组成与特性进行分析,包括成分及其功能介绍、蚀刻过程理论解析以及液体性质评估指标及测试方法介绍等方面。

第五章将重点探讨磷酸蚀刻液行业的应用领域和市场前景展望,包括主要应用领域介绍、市场需求现状及发展趋势预测以及技术创新驱动的发展机遇与挑战等方面。

最后,第六章为结论部分,总结了本文的主要研究内容,并提供了结论和建议。

1.3 目的本报告旨在全面了解磷酸蚀刻液行业,并深入探讨其组成、特性、应用领域以及市场前景。

通过对该行业进行概述和分析,可以帮助相关从业人员更好地了解行业发展趋势,把握市场机遇,制定合理的发展策略和决策。

同时,本报告也为行业研究提供了一个范文模板,可供其他行业的研究者参考。

通过本报告的撰写和阅读,希望能够提高对磷酸蚀刻液行业的认识和理解。

2. 磷酸蚀刻液行业概述2.1 定义和背景磷酸蚀刻液是一种常用的化学处理液,用于将金属表面的氧化物去除,以便在制造过程中进行清洁、腐蚀或改变物体外观。

磷酸蚀刻液通常由磷酸、硝酸和水混合而成,具有强酸性质以及强烈的氧化性。

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NOTICE: Only the Purpose and Scope sections of SEMI C37 are included in this document. If you need access to the full standard in order to vote, please contact SEMI Standards staff. 1 Purpose 1.1 The purpose of this document is to standardize requirements for phosphoric etchants used in the semiconductor industry and testing procedures to support those standards. Test methods have been shown to give statistically valid results. This document also provides guidelines for grades of phosphoric etchants for which a need has been identified. In the case of the guidelines, the test methods may not have been statistically validated yet. 2 Scope 2.1 The scope of this document is all grades of phosphoric etchants used in the semiconductor industry. NOTICE: This standard does not purport to address safety issues, if any, associated with its use. It is the responsibility of the users of this standard to establish appropriate safety and health practices and determine the applicability of regulatory or other limitations prior to use. NOTICE: SEMI makes no warranties or representations as to the suitability of the standard(s) set forth herein for any particular application. The determination of the suitability of the standard(s) is solely the responsibility of the user. Users are cautioned to refer to manufacturer’s instructions, product labels, product data sheets, and other relevant literature respecting any materials or equipment mentioned herein. These standards are subject to change without notice. By publication of this standard, Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI) takes no position respecting the validity of any patent rights or copyrights asserted in connection with any item mentioned in this standard. Users of this standard are expressly advised that determination of any such patent rights or copyrights, and the risk of infringement of such rights are entirely their own responsibility.
Page 1Biblioteka Doc. 5137 SEMI
LETTER BALLOT
SEMI Draft Document 5137 Reapproval of SEMI C37-0706, SPECIFICATION FOR PHOSPHORIC ETCHANTS
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i
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DRAFT
Document Number: 5137 Date: 2011/02/16
This meeting’s details are subject to change, and additional review sessions may be scheduled if necessary. Contact the task force leaders or Standards staff for confirmation. Telephone and web information will be distributed to interested parties as the meeting date approaches. If you will not be able to attend these meetings in person but would like to participate by telephone/web, please contact Standards staff.
Background Statement for SEMI Draft Document 5137 Reapproval of SEMI C37-0706, SPECIFICATION FOR PHOSPHORIC ETCHANTS
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