2005年华南理工专业课试卷电子技术基础(含数字与模拟电路)
华南理工 模拟电子技术基础试卷14
模拟电子技术基础试卷试卷号：B140022校名___________ 系名___________ 专业___________ 姓名___________ 学号___________ 日期___________（请考生注意：本试卷共 页）一、选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D ( 本 大 题9分 )放大电路如图所示，设电容器对交流信号均可视为短路。
试比较它们的输入电阻和电压放大倍数的大小，并填空。
1．输入电阻最小的为图________电路； 2．输入电阻最大的为图________电路；3．电压放大倍数i ou u A u =最小的为图________电路； 4．电压放大倍数i ou u A u =最大的为图________电路。
( a )( b )( c )二、填空：将正确答案填写在横线上。
( 本 大 题10分 )为了测量某音频放大电路的通频带，使用实验室现有的正弦信号发生器、数字万用表交流档20Hz ～1kHz 和示波器DC ～20MHz 组成图示的测量电路。
正弦信号发生器用来产生不同频率的正弦输入信号；数字万用表用来测量不同频率下的输入电压和输出电压；示波器用来监视输出电压的波形，确保测量在不失真情况下进行。
试问，这样的测量方法是否存在问题？若存在问题。
则说明在不增加现有仪器、设备的条件下应如何测量。
三、解答下列各题 ( 本 大 题6分 )设图示电路中的二极管为理想二极管，（正向导通电阻等于零，反向电流等于零），电阻R 为30Ω。
当用R ×1档指针式万用表测量A 、B间的电阻时，若红表笔（带负电压）接A 端，黑表笔（带正电压）接B 端，则万用表的读数是多少？RRA四、解答下列各题 ( 本 大 题9分 )试分别说明有源低通和带通滤波电路在0→f 和∞→f 时的增益特点；定性画出它们的理想幅频特性()f A u，注明通带截止频率p f 和通带增益p u A 。
五、解答下列各题 ( 本 大 题10分 )电容三点式LC 正弦波振荡电路如图所示。
华南理工大学考研真题—微机原理及应用2005
华南理工大学考研真题微机原理及应用2005一填空题 (15分，每空 1 分)1.80C51复位后 PC的内容为⑴，SP的内容为⑵2.PSW 是⑶,其中标志位OV 是⑷，用于表示⑸，INC 指令对CY ⑹影响3.程序运行中通过改变⑺，来实现转移。
4.RETI 与 RET 指令的差别是⑻5.80C51通过⑼来允许或禁止中断。
当⑽ 80C51会发生定时器中断请求。
6.51单片机串行通信用__⑾__两个引脚接收和发送信号，波特率表示⑿。
7.51单片机程序存储器的寻址范围由⒀的位数决定，数据存储器的寻址范围由⒁的位数决定，ROM 和RAM 空间分别为⒂二分析下列程序，分别填写每段程序执行完的结果。
（20分）1.MOV A, #58H2. CLR AMOV R0, # 39H MOV DPTR, #0ADD A, R0 L: MOV 50H, AMOV @R0, A INC DPTRDA A ADD A, #1MOV 20H, A JNZ L(39H)= AC= (50H)= （A）=(20H)= CY= (DPTR)= CY=3.CLR C4. MOV A, # 0C9HMOV A, #1DH MOV B, # 12hMOV R0, #5AH MOV SP, # 6FHSUBB A, R0 PUSH BMOV @R0 , A PUSH ACCSUBB A, #4FH CPL APOP B(5AH)= AC= (A)= (B)=(A)= CY= (70H)= (SP)=5. MOV R1,#3BHXRL A, ACCORL A, R1 (R1)=MOV R1, A (3BH)=ANL A, #0F2H (A)=MOV @R1, A CY=SETB CRRC A三程序填空: 根据题目要求,在空缺部分填入所需的操作数或指令(15分) 1. 一个按键接在P3.0 引脚上，当键按下时输入为0 ；8个 LED 接在P1口,当向P1口某个引脚输出 0 时,该引脚上的 LED 点亮。
华南理工大学大二电类专业模拟电子技术考试试卷及答案4
华南理工大学期末考试模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（25分）1．二极管最主要的特性是 。
2．三极管是 控制型器件，而场效应管是 控制型器件。
3．射极输出器具有______________恒小于1、接近于1，______________ 和__________同相，并具有_____________高和_______________低的特点。
5．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为_______V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_________V ，经过电容滤波后为________V 二极管所承受的最大反向电压为 V 。
6、在门电路中，最基本的三种门电路是 门 门和 门。
7．时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为 时序电路和 时序电路。
二、单项选择题 （每小题 2分，总共20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为，则这只三极管是（ ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( )。
A ．不用输出变压器B ．不用输出端大电容C ．效率高D ．无交越失真 5．稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区 6. 图示逻辑电路的逻辑式为( )。
(a) F =A B +A B(b) F =AB AB +(c) F =AB +A B8. 逻辑代数又称为 代数。
最基本的逻辑关系有 、 、 三种。
华南理工大学 电路 05年试卷B
一、填空题：（每空1分，1x20=20分）1．线性电路线性性质的最重要体现就是性和性，它们反映了电路中激励与响应的内在关系。
2．理想电流源的是恒定的，其是由与其相连的外电路决定的。
3．KVL是关于电路中受到的约束；KCL则是关于电路中受到的约束。
4．某一正弦交流电压的解析式为u=102cos（200πt＋45°）V，则该正弦电流的有效值U= V，频率为f= H Z，初相φ= 。
当t=1s 时，该电压的瞬时值为V。
5．一个含有6条支路、4个节点的电路，其独立的KCL方程有_____ _个，独立的KVL 方程有个；若用2b方程法分析，则应有_ _ ___个独立方程。
6．有一L=0.1H的电感元件，已知其两端电压u=1002cos（100t－40°）V，则该电感元件的阻抗为____________Ω，导纳为___________S，流过电感的电流(参考方向与u关联)i= A。
7．已知交流电流的表达式：i1= 10cos（100πt－70°）A ，i2=3cos（100πt＋130°）A，则i1超前（导前）i2_________ 。
8．功率因数反映了供电设备的率，为了提高功率因数通常采用补偿的方法。
9．在正弦激励下，含有L和C的二端网络的端口电压与电流同相时，称电路发生了。
二、简单计算填空题：（每空2分，2x14=28分）1．如图1所示电路中，电流i= A。
2．如图2所示电路中，电压U ab= V。
3．如图3所示二端网络的入端电阻R ab= Ω。
4．如图4所示电路中，电流I= A。
5．如图5所示为一有源二端网络N，在其端口a、b接入电压表时，读数为10V，接入电流表时读数为5A，则其戴维南等效电路参数U OC= V，R O= Ω。
6．如图6所示为一无源二端网络P，其端口电压u与电流i取关联参考方向，已知u=10cos(5t ＋30°)V, i=2sin(5t＋60°)A,则该二端网络的等效阻抗Z ab=Ω，吸收的平均功率P= W，无功功率Q=Var。
华南理工大学 华南理工2005年自控基础综合(控制理论与控制工程专业) 考研真题及答案解析
5.(15 分) 已知某离散(时间)系统的脉冲传递函数为:
C(z) = 1.368z − 0.368
R(z)
z2
试分别用部分分式法和留数计算法(反演积分法)求系统在单位阶跃输人信号
[ r(t) = 1(t), R(z) = z ]作用下的输出响应时间函数 c(n) 。 z −1
6.(16 分). 已知系统的输人输出微分方程为:
G(s)
=
(T1s
K + 1)(T2 s + 1)(T3s
+ 1)
(T1＞0, T2＞0, T3＞0)
当取 K=5 时,系统的 G(jω)曲线与实轴交于 –0.5 点, ⑴. 绘制 G(jω)曲线(大致图形); ⑵. 判定此时系统的稳定性; ⑶. 确定使系统稳定 K 的取值范围.
3.(20 分). 已知最小相位系统开环对数频率特性(渐近线)如图 2 所示， ⑴. 写出开环传递函数 G(s)； ⑵．根据相角裕度判别系统的稳定性; ⑷. 求系统的无差度阶数和静态位置误差系数、静态速度误差系数、静态加速度误差
形);
⑵. 在 e − e' 相平面上绘出加入局部速度负反馈时(设β=1)系统的相平面图(大致图
形);
⑶.
比较由初态
⎧ e(0+ )
⎨ ⎩e
'
(0
+
)
= =
3 0
出发的β=0
和β=1
时两条相轨迹,说明加入局部速度负
反馈对系统阶跃响应动态过程的影响。
图3
第2页
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ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
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华南理工大学 华南理工2005年电子电路(包括模拟电子技术基础和数字电子技术基础) 考研真题及答案解析
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五. 用几片如下图的存储器构成存储容量为 8 4 的 RAM。（8 分）
六、试用 JK 触发器设计一个同步时序电路, 其状态转换如表 3-1. 要求画
出卡诺图,求状态方程、驱动方程,画出逻辑电路图.(13 分)
表 3-1
7．某十位 DAC 在输入 0001100010 时的输出电压为 0.16V, 求当输入
0110001000 时的输出电压。
8．求容量为 16K×8 随机存储的地址输入线数。
9. 某 8 位双积分 ADC 的时钟频率 100KHZ，求其最大的转换时间。
二．化简 F (a,b, c, d ) (acd bd ad) (abd bd bcd ) 为最简与-或式。 （8 分）
4.对称差分放大电路，两管射极静态电流 IE1= IE2=0.5mA，则公共射极电流 IEE= （ ）。
A.0.5mA
B.1mA
C.1.5mA
D.2mA
5.消除互补对称乙类推挽功率放大电路产生的交越失真的有效方法是（ ）。
A.换功放管
B.使用复合对称管
C.给功放管加小偏流
D.采用同类型输出管
6.双电源供电互补对称乙类推挽功率放大电路，电源电压 VCC=VEE=6V，负载 RL=4
二、 选择题（在每小题的备选答案中选出一个正确答案，将其号码填在题
干的括号内。每小题 1 分，共 10 分）
1.晶体三极管基极电流 IB=0.02mA，发射极电流 IE=1.02mA，其电流放大系数β 、 α 分别为（ ）。
A.51、0.98
B.50、0.98
C.49、0.98
D.48、0.98
华南理工 模拟电子技术基础试卷10
模拟电子技术基础试卷试卷号：B140018校名___________ 系名___________ 专业___________ 姓名___________ 学号___________ 日期___________（请考生注意：本试卷共 页）一、选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D ( 本 大 题14分 )在图示方波发生器中，已知A 为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为 12V。
设某一电路参数变化时，其余参数均不变。
u OC二、判断下列说法是否正确，凡对者打“”，错者打“” (本大题分2小题, 每小题5分, 共10分)1、判断下列说法的正误。
在括号中画“√”表示正确，画“×”表示错误。
设H f 、L f 分别是图示放大电路)/(s o s U U A u的上限和下限截止频率。
1．当C 1增大时，L f 随之增大，（ ）H f 基本不变。
（ ） 2．当s R 增大时，H f 随之减小，（ ）L f 基本不变。
（ ）u2、电压oU＝0V。
判断下面列举的理由哪些可能成立（画√）？哪些不可能成立（画×）？1．C1 开路；（）2．g1R短路；（）3．C2 短路；（）4．d R开路；（）5．R L 短路；（）6．S R开路。
（）L( 本大题9分)两级直接耦合放大电路如图所示，某学生在静态（I u＝0V）测试时，测得O u较小，为了使静态时，Ou较大，该学生将Rc2阻值减小，你认为他这样调节合适吗？为什么？四、改错：改正图中连线错误，使电路能够正常工作(本大题分2小题, 每小题7分, 共14分)1、某反相放大电路的对数幅频特性如图所示。
当信号频率f＝10kHz时，u A的相位角φ约为________________；当f＝10Hz时，φ约为________________；当f＝1MHz时，φ约为________________。
f / Hz342、如图所示直流稳压电源中，已知U O1＝－U O2，W7812为三端稳压器，A 可视为理想运放。
华南理工05-07年电路原理试题
L1
*
L2
L3 a M23 b + Zi U OC a
US -
.+
M12 *
.
b
图 6(a) 图 6(b) 7、图 7 所示电路中，ωL1 =7.5Ω，R1 =3Ω，R2 =5Ω，ωL2 =12.5Ω，ωM =6Ω，f=50Hz,当电路 发生谐振时，C= μF。
M +
A
u
-
R1
L1
R2
20．单位冲击函数是一种奇异函数，它被定义为（
二、已知题图 2 所示电路中 I 1 A ，试求：①电阻 R 的值；②各元件功率，并指出各元件 是发出功率还是吸收功率。③校验电路功率平衡关系。 （11 分）
2
2V
2
2V
R 8
2I
U1
I
3U1
题图 2 三、电路如题图 3 所示，已知电阻 R1 R2 R3 R4 R5 1 ，试求电路中各支路电流。 （11 分）
） 、 （
） 、
8 ． 正 弦 交 流 电 压 为 u 311sin 314t 45 （ ）V。
o
V ，其对应的有效值相量表达式为 U
9． 频率为 f 的正弦交流电流 i =（
=2 ）A 对应的有效值相量 I
∠30°A。
10 ． 一 个 简 单 的 正 弦 交 流 电 路 由 电 压 源 us 311sin100t V 及 其 内 阻 R0 和 负 载 电 阻 求得 R0 （ RL 22 构成， ） 时， 电压源供给负载的最大功率为 Pmax ( )W。
电机与电器电力系统及其自动化高电压与绝缘技术电力电子与电力传动共7页一填空题本题共60分每小题5分1电路如图1所示若开关k分别在位置1和位置2时流过3r的电流分别为4a和2a则开关k在位置3时流过3r的电流为
华南理工大学电信学院电子技术基础(含数字与模拟电路)考试大纲
862电子技术基础(含数字与模拟电路)考试大纲一、考试目的：《电子技术基础》主要考察学生全面系统地掌握电子技术的基本概念和基本电路，并且能灵活应用的能力。
重点考察考生对电子技术的基本概念、基本原理和基本分析方法的掌握程度和利用其解决电子技术领域相关问题的能力，要求具有较强的分析和设计电路的能力。
二、考试性质与范围：本考试是一种测试应试者电子线路基本原理与应用的能力的尺度参照性水平考试。
评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有较好的电子技术理论基础和技能。
考试范围包括模拟电子技术和数字电子技术(详见考试内容)。
三、考试基本要求1.掌握基本半导体器件的特性；2.熟悉模拟电子技术的基本理论、基本方法和基本技能；3.掌握模拟电子电路的分析、设计方法；4.掌握门电路的结构、接口连接；熟练掌握数制与码制、逻辑代数基础；5.掌握组合逻辑及时序逻辑电路的分析与设计；6.掌握存储器的原理与使用；熟练掌握波形产生和整形电路ADC、DAC的分析。
四、考试形式闭卷考试，满分150分，考试时间180分钟五、考试内容：考试内容包括模拟电子技术和数字电子技术。
(一)、模拟电子技术1.晶体管（包括二极管、双极晶体管、MOS晶体管）的基本结构和放大、开关的工作原理、特性曲线、参数、处于三个工作区的条件和特点、小信号等效电路；2.基本放大电路的三种电路组态及其特点（共发、共基、共集），基本放大电路的基本分析方法（静态工作点、负载线、电路增益、输入电阻和输出电阻），微变参数等效电路分析方法；3.多级放大电路的耦合方式，直接耦合放大电路的零点漂移现象及其抑制措施，差分放大电路的分析与计算(静态工作点、差模电压放大倍数、差模输入电阻、输出电阻)；4.集成运算放大器的结构特点、组成、电压传输特性，电流源电路的分析及计算；5.放大电路的频率响应的基本概念、隔直电容、旁路电容对低频响应的影响，结电容、杂散电容对高频响应的影响，单级放大电路fl、f h的计算及波特图的画法，频率失真、增益带宽积和多级放大电路的频率响应；6.放大器中反馈的概念、反馈类型及其性质、反馈的判别，反馈对放大电路性能的影响，反馈电路的计算，特别是深度负反馈电路的判别和计算，负反馈电路的自激条件；7.运算放大器的电路分析、运放的开环运用和闭环运用的特点，虚短（地）和虚断、运放的性能参数、负反馈接法的运放的直流计算；8.运放电路组成的运算电路（加、减、积分、微分、对数的工作原理及分析计算，有源滤波电路的分析方法和设计方法；9.正弦波振荡器的起振条件及其判别，RC、LC正弦振荡电路的工作原理和振荡频率的计算，非正弦波产生电路的组成及工作原理；10.功率放大电路的特殊问题及设计原则，典型功率放大单元电路(包括甲类、乙类、OCL 电路)的工作原理和指标计算；11.直流稳压电源的组成及各部分的作用，直流电源中整流电路、滤波电路、稳压电路的组成、工作原理和相关计算。
(完整版)华南理工大学数字电子技术试卷(含答案)
诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《数字电子技术》试卷A注意事项：1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)；3．考试形式: 闭卷；4. 本试卷共四大题，满分100分，考试时间120分钟。
题号一二三四总分得分评卷人一. 单项选择题：（在每小题的备选答案中选出一个正确的答案，并将正确答案的字母填入下表中对应的格子里。
每小题2分，共20分。
）题号10123456789答案1．十进制数128的8421BCD码是（）。
A.10000000B. 000100101000C.100000000D.1001010002.已知函数F的卡诺图如图1-1, 试求其最简与或表达式3. 已知函数的反演式为，其原函数为（）。
A． B ．C． D．4．对于TTL数字集成电路来说，下列说法那个是错误的：（A）电源电压极性不得接反，其额定值为5V；（B）不使用的输入端接1；（C）输入端可串接电阻，但电阻值不应太大；（D）OC门输出端可以并接。
5．欲将正弦信号转换成与之频率相同的脉冲信号，应用A.T，触发器B.施密特触发器C.A/D转换器D.移位寄存器6．下列A/D转换器中转换速度最快的是（）。
A.并联比较型B.双积分型C.计数型D.逐次渐近型7. 一个含有32768个存储单元的ROM，有8个数据输出端，其地址输入端有（）个。
A. 10B. 11C. 12D. 88.如图1-2，在TTL门组成的电路中，与非门的输入电流为I iL≤–1mA‚I iH≤20μA。
G1输出低电平时输出电流的最大值为I OL(max)=10mA，输出高电平时最大输出电流为I OH(max)=–0.4mA 。
门G1的扇出系数是（）。
A. 1B. 4C. 5D. 109.十数制数2006.375转换为二进制数是：A. 11111010110.011B. 1101011111.11C. 11111010110.11D. 1101011111.01110. TTL或非门多余输入端的处理是:A. 悬空B. 接高电平C. 接低电平D.接”1”二.填空题(每小题2分，共20分)1.CMOS传输门的静态功耗非常小，当输入信号的频率增加时，其功耗将______________。
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（a）
（b）
2． 分） （10 一恒流源电路及参数如图所示。 图中的运放的开环电压增益 AV0 和
输入电阻 ri 均为∞，输出电阻 r0 为 0，T1 和 T2 的 VBE =0.7V，管子的β很大。试 计算电路中的 I0 及 V0 值，并从反馈角度说明电路为什么恒流？
3． （13 分）在下图（a）所示的单极放大电路中，场效应管 T 的转移特性如下 图（b）所示。已知＋VDD＝＋15V，RD＝15kΩ，RS＝8 kΩ，RG＝100 kΩ，RL＝ 75 kΩ；要求: （1）用近似方法计算电路的静态工作点； （提示：T 的伏安特性方程可近似为：
Y = f ( A, B, C , D) = ∑ m(5,67,8,9) m10 + m11 + m12 + m13 + m14 + m15 = 0
六、 下图是用 TTL 电路驱动 CMOS 电路的实例，试计算上拉电阻 RL 的取值范围。TTL 与非门在 VOL ≤ 0.3V 时的最大输出电流为 8mA，输出端的管 T5 截止时有 50 µ A 的漏电 流。CMOS 或非门的输入电流可以忽略。要求加到 CMOS 或非门输入端的电压满足 VIH ≥ 4V，VIL ≤ 0.3V。给定电源电压 VDD=5V。(10 分)
U 。 I D＝ I DSS 1 － GS ，UGS＝－ID×RS，UP 为夹断电压） UP （2）计算放大器的输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro ； （3）计算场效应晶体管的跨导 gm ； （4）计算放大器的电压放大倍数 Au ；
2
（a） 完成下列各小题（ 四、完成下列各小题（20 分） ：
VDD=5V RL VI ≥ 1 ≥1 CMOS
& TTL
七、 试用两片双 4 选 1 数据选择器 74LS153 集成电路和必要的门电路，接成一个 16 选 1 的数据选择器。74LS153 的逻辑框图及功能表如图及表（11 分）
s
1 0 0 0 0
A1 × 0 0 1 1
A0 × 0 1 0 1
二、填空题 （每小题 3 分）
1、放大器中的噪声是 是放大器中 所造成的。放大 器的噪声系数 NF 的定义是： 。 2、在研究单级共射放大电路的高频响应时，密勒效应是一个重要的物理现象。已 知 IC＝ 1mA，Cb’C ＝ 0.5pF，RC＝5KΩ，那么密勒电容 CM＝ pF。 3、 运放有一个参数指标叫转换速率 SR， 是指运放在闭环状态下， 输入为大信号 （如 阶跃信号）时，放大器 ，通常要求运放 的 SR 大于 。 4、由集成运放构成的非正弦波信号（三角波、矩形波、锯齿波）发生电路，通常 由 和 电路两部分组成。
（b）
1. 列表写出（＋30）10 和（-65）10 的原码、反码和补码（含符号位取 8 位） 。 2. 某系统的内存储器设置有 32 位地址线，16 位并行数据输入/输出端，计算它的最
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大存储量是多少？ 3. 用 2114（1024×4 位的 RAM）扩充成 8K×8 位的 RAM，问需要几片 2114？ 4. 根据下面真值表写出对应的逻辑函数式。 A 0 0 0 0 1 1 1 1 B 0 0 1 1 0 0 1 1 C 0 1 0 1 0 1 0 1 Y 0 1 1 0 1 0 0 0
EP ET
Q3
Q2
Q1
Q0
C LD
CP D3 D2
D1
D0
RD
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三、简要回答以下问题
1．早期的模拟集成电路（如集成运放）都是双极性 IC，根据你的了解，谈谈为什 麽现在地模拟 IC 采用 CMOS 技术来制造？ （4 分）
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2．试说明三极管穿透电流 ICE0 形成的原理。如果在 b 极、e 极间接上一个电阻 R， ICE0 变大还是变小？如果将 b 极、e 极短接，情形又会怎样？（6 分） 3．具有反馈的放大电路如图，试判断每一个电路施加反馈的类型。 分） （8
5. 根据下面逻辑图写出对应的逻辑函数式。
A B C & ≥1 1 Y1
=1
=1
Y2
6. 根据下面电路图写出对应的逻辑函数式。
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五、利用卡诺图化简法或卡诺图之间的运算将下列逻辑函数化为最简与或 式。(12 分)
（1） Y = AB + AC + BC ） （2） Y = ( AB + AC + BD )( A BC D + ACD + BCD + BC ) ） （3） Y = ( AC D + B D + BD ) ⊕ ( AB D + BD + BC D ) ） （4） ）
华南理工大学 2005 年攻读硕士学位研究生入学考试试卷
（试卷上做答无效，请在答题纸上做答，试后本卷必须与答题纸一同交回） 科目名称：电子技术基础(含数字与模拟电路) 适用专业：声学 光学 微电子学与固体电子学 共 页
一、
选择题 (每小题 2 分) 每小题
1、变容二极管是一种 随外加反向电压变化比较显著的二极管，和普通电容 相比，它是一种 。 ① pn 结扩散电容； ② pn 结势垒电容； ③ 衬底电容； ④ 线性电容； ⑤ 非线性电容； ⑥ 杂散电容 2、由两只 NPN 晶体管构成的两级共射放大器，输出为纯电阻负载，其中一只管子的 fT 比另一只高，其他参数均相同。为了提高放大器的上限频率，应该将 的管子放在第一级。 ① fT 高； ② fT 低 。 。 3、共模抑制比 KCMR 越大，表明电路 ① 放大倍数越稳定； ② 交流放大倍数越大； ③ 抑制温漂能力越强； ④ 输入信号中的差模成分越大。 4、使用负反馈放大电路，在多个输入情况下，要求各输入信号互不影响，应采用 输入方式。 ① 反相输入； ② 同相输入； ③ 差动输入。
4、设下图中的运放 A 均为理想运放，试计算各电路的输出电压值。 分） （8
三、计算题 （6 1． 分）下图 a）的源跟随器电路的输入－输出特性可表示为：
1 W (Vin－VTH－VOUT )2 RS V OUT＝ µ n C OX 2 L
现用一 NMOS 晶体管构成电流源， 代替 RS ， 如图 b） 所示。 已知： (W/L)1=20/0.5, = 200μA， VTH1 ＝0.6V，μnCOX = 50μA/V2 。 计算 Vin ＝ 1.2V 时的 VOUT 。 ID2
CP D CP 1D C1 Q Q D
t
t
九、 试用 4 位同步二进制计数器 74LS161 接成十二进制计数器，写出设计过程。可 以附加必要的门电路。 （12 分）
CP × ↑ × × ↑
RD
0 1 1 1 1
LD
× 0 1 1 1
EP × × 0 × 1
ET × × 1 0 1
工作状态 置零 预置数 保持 保持(但 保持 但 C=0) 计数
Y 0 D0 D1 D2 D3
A1
Y1 A0 1S D10 D11 D12 D13
Y2 D23 D22 D21 D20 2S
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八、 已知 CMOS 边沿触发器输入端 D 和时钟信号 CP 的电压波形图如下图所示，试 画出 Q 和 Q 端对应的电压波形，假定触发器的初始状态为 Q＝0。 （10 分）