三安 LED芯片规格
照明级led芯片技术及其应用简介(大功率)
照明级LED芯片技术及其应用简介潘群峰三安光电股份有限公司内容概要•大功率LED的发展和现状•芯片关键参数的评估•大功率LED芯片的合理应用•LED芯片前沿技术展望（一）大功率LED的发展和现状氮化镓(GaN)基LED芯片Cree, 1997碳化硅衬底，垂直(非薄膜)结构P 面出光(p-side up)Nichia, 1997蓝宝石衬底，水平(正装)结构Ni/Au 半透明电极大功率LED芯片的发展演变(sapphire)正装Ni/Au (Lumileds, 1999年)倒装芯片结构(Lumileds, 2001年)垂直薄膜结构(Osram, 2004年)正装ITO (Elite, 2005年)大功率LED芯片的发展演变(SiC)MegaBright (Cree)XBright(Cree)EZBright(Cree)(OSRAM)倒装芯片(Flip-chip)Philips LumiledsLuxeon K2倒装芯片关键技术sapphirep-Si submountn-GaN MQW p-GaNn+n+NP9p 型反射电极系统9倒装焊基板设计倒装芯片关键技术植球机倒装键合机待倒装芯片硅基板倒装芯片(Flip-chip)Optotech(2006年)UEC(2004年)Genesis(2005年)FD(2004年)Sanan(2005年)APT(2010年)正装芯片OVAMKONLX-5NLX-5S-50ABMUPS-50BBMUP正装芯片关键技术—外延技术平坦面(常规) P面粗化(bump式) P面粗化(pit式) PSS (湿法) PSS (干法) PSS + P面粗化LED业界外延技术发展历程正装芯片关键技术—外延技术p粗化PSSp粗化+PSS正装芯片关键技术—侧壁蚀刻(sidewall etching)正装芯片关键技术—背镀反射镜P-pad ITO GaN N-padsapphireMirror Al SiO2/Al DBR ODR Improvement -+3% +7% +10~15％ SiO2 TiO2/SiO2 DBR Al or Ag正装芯片关键技术—电流阻挡层(CBL)P Pad SiO2 ITO Blocking layer(SiO2) N Pad垂直结构芯片Osram Thin-GaN Ge衬底Cree EZBright Thin-film Si衬底Semileds I-core MVPLED Cu合金衬底垂直结构芯片关键技术—衬底转移激光剥离蓝宝石(LLO)垂直结构芯片关键技术—表面粗化功率型GaN-LED技术现状统计截止2011年4月厂商Nichia Cree Lumileds Osram Semileds Epistar 三安 正装、PSS产品特点SiC生长衬底、垂直、Si衬底 薄膜倒装结构（TFFC） 垂直、Ge衬底 垂直、金属衬底 正装、p粗化、PSS 正装、PSS量产100~120lm/W 100~130lm/W 100~120lm/W 100~120lm/W 100~110lm/W 90~120lm/W 100~120lm/W研发183 lm/W 208 lm/W 140 lm/W 136 lm/W 130 lm/W 162lm/W 130 lm/W注：1W功率型LED、冷白光、工作电流350mA功率型GaN-LED技术现状Nichia VSx219A R&D 183lm/W (350mA, 4700K) 图形化衬底，水平结构Epistar V45, HV-LED R&D 162lm/W(47V, 20mA, 5000K) 粗化外延，水平结构，ITOCree EZBright, XLamp R&D 208lm/W(350mA, 4579K) SiC衬底外延，垂直薄膜结构2011-4-28Philips Lumileds Rebel Mass>125lm/W(350mA, 4000K) 薄膜倒装(Thin-film Flip-chip, TFFC)23AlGaInP系芯片发展历程各种AlGaInP芯片结构AS-typeRS-typeTS-typeAlGaInP系大功率产品Lumileds TSOsram RSTaiwan MSAlGaInP系大功率芯片技术Truncated Inverted Pyramid(TIP) Lumileds Buried MircoReflector(BMR) Osram（二）芯片关键参数的评估2011-4-2828芯片评估流程选选尺寸定定规格检检外观测测参数试试品质验验老化输入功率 产品定位 性价比电压 波长 亮度 分档 ……缺陷 沾污 排列 ……规格 公差 K值 ……PR识别 可焊性 推拉力 特性 一致性 ……常规寿测 加速老化 温湿循环 冷热冲击 ……2011-4-2829芯片尺寸S-38 ABMUPChip size: 965 x 965 µm Chip thickness: 150 µm Pad size : 100 µmS-23 CBMUPChip size: 432 x 585 µm Chip thickness: 100 µm Pad size : 85 µmS-45 ABMUPChip size: 1143 x 1143 µm Chip thickness: 150 µm Pad size : 100 µmS-24 ABMUPChip size: 600 x 600 µm Chip thickness: 100 µm Pad size : 100 µmS-50 ABMUPChip size: 1270 x 1270 µm Chip thickness: 150 µm Pad size : 100 µmS-38 BBMUPChip size: 500 x 950 µm Chip thickness: 100 µm Pad size : 100 µm2011-4-2830芯片规格2011-4-2831芯片外观外观OK外观NG 表面划伤外观NG之PSS缺陷 ¾瞬态光电参数良好 ¾老化后漏电严重 ¾老化后VF升高2011-4-2832芯片外观—图形衬底外延缺陷样品 1 2 3 42011-4-28老化前 VF 3.321 3.390 3.401 3.433 IR 0.16 0.16 0.16 0.16 Φv 14.56 17.48 17.75 17.01 Φe 444.2 461.6 462.2 440.6 VF168hrs,700mA老化后 IR 36.33 47.08 45.17 72.06 Φv 14.76 17.12 17.7 16.73 Φe 453.2 456.1 464.5 435.4333.577 3.519 3.601 3.632芯片参数—光强(亮度)发光强度 IV(mcd) 光功率 Φe(mW)wafer probechip probe2011-4-2834芯片品质(可焊性、推拉力)Pad peeling (拔电极)ITO ring peeling (ITO环掉)P电极脱焊(虚焊)9金属黏附性差 9镀膜前污染 9界面层氧化9焊偏or功率过高 9ITO膜层质量差 9外延表面沾污9电极表面沾污 9外延表面过粗糙 9电极受过高温芯片标签光功率与白光光通量芯片厂商 S公司 E公司 B公司芯片种类 正装 正装 正装芯片标签 封装白光 光功率(mW) 光通量(lm) 390 300 308 120 105 117白光K (lm/mW) 0.31 0.35 0.38注：上述芯片均由同一封装厂采用完全相同之材料、形式封装并在同一机台进行测试。
LED显示屏配件与参数
LED显示屏配件与参数显示屏控制卡注意：异步模式需要自备SD卡注意：异步模式需要自备SD卡注意：异步模式需要自备SD卡1、一卡多用：既可实时同步显示控制，也可进行异步脱机显示控制，是国内首个彻底解决同步与异步显示无缝切换的LED控制系统。
2、基于TCP/IP网络协议传输，支持最新WiFi无线传输视频技术，实现无线同步实时显示或远程数据上传和创新的脱机点播。
3、多兼容性接口，广泛支持主流接口。
4、具有智搜功能，能快速查找和设置网络中的LED显示屏。
全软件设置，包括连接线的排序都可通过软件进行设置。
使用快速设置IP功能可以减少IP管理的烦琐。
5、不需专用视频控制电脑和视频发送卡，任何一台具备TCP/IP网络接口的电脑都可以进行实时显示或远程数据上传，并支持断点续传。
6、实现真正的后台播放功能，前台的任何操作都不会影响LED显示屏的正常显示，并具有全屏监视功能。
7、独具一格的“快捷配”。
快速设置屏幕参数，通过系统的搜索，再配合简单的数字输入即可将多样化的屏幕走线配置完成。
8、同一个软件和硬件便可实现显示屏、灯光模式或条屏模式的自由选择。
单价：560元双色控制卡：LED显示屏BX-4M 4代网口控制卡花样跑边效果丰富产品状态四代最新主流产品，2010年8月投放市场，批量现货供应产品优势超高性价比, 支持较大面积LED显示屏支持网口连接板载100M网络接口，MAC绑定机制，无需IP设置，自动识别，自动连接网络通讯支持单机直连/以太网连接/跨Internet连接支持PC软件和底层软件在线升级，大大节省系统开发和维护升级费用应用领域基本满足各种复杂应用需求适用于GPRS无线通讯的集群信息发布系统控制点数单色96K点：3200*16 2400*32 2048*48 1536*641280*80 1024*96 896*112 768*128704*144 640*160 576*176 512*192480*208 448*224 416*240 384*256双色64K点：2560*16 2048*32 1344*48 1024*64896*80 768*96 640*112 512*128存储容量 2MByte适配范围各种规格的1/16、1/8、1/4、1/2扫描和静态的单色/双基色LED显示屏软件功能系统集群管理/多节目编辑/多区域显示/多种语言版本节目类型普通节目/全局节目/实时节目/共享节目/自适应节目节目数量支持128个节目，每个节目划分为32个区域区域类型图文/字幕/动画/字库/时间/农历/计时/模拟表盘/温度/温湿度/噪声边框显示最先进的炫彩魔幻图形边框时钟显示模拟表盘/中英文时钟/正负计时 (均支持多组显示)通讯方式 100M网口/USB接口/RS232/RS485/GPRS/RF无线通讯显示接口 50PIN标准接口传感器支持温度/湿度/噪声亮度调节 16级亮度，支持手动调节和分时调节远程开关支持软件强制开关机和定时开关机工作电压 5V （范围4.5V～6V，注意：USB接口正常工作电压须≥5V）最大功率≤1.2W环境温度 -30℃～70℃二次开发提供完整功能的DLL动态库配套软件 LedshowTW2011图文编辑软件用户手册《四代多区域LED图文控制器用户手册》《LedshowTW2011图文编辑软件用户手册》显示适配卡 HUB256-T8 HUB128-T8 HUB256-T12 HUB128-T12HUB64-T12串口线连接方法：直通单价：155元单色控制卡：仰邦科技LED显示屏BX-4U0 4代U盘控制卡动画文字效果丰富产品状态四代最新主流产品，2011年6月投放市场，批量现货供应产品优势控制面积灵活，显示功能丰富，性价比超高纯U盘屏控制器，无需串口设置，操作更加简洁屏参设置/扫描配置/节目更新，您只需插上U盘，即可自动完成时间校正/亮度调整/定时开关，您只需插上U盘，即可轻松搞定支持底层软件U盘升级，大大节省系统开发和维护升级费用宽电压工作，纯正BX四代血统，工艺精良，品质稳定应用领域小面积LED显示屏，各种LED集群显示系统控制点数单色16K点：1024×16 512×32 320×48 256×64双色8K点： 512×16 256×32 160×48 128×64存储容量 2MByte适配范围各种小面积的1/16、1/8、1/4、1/2扫描和静态的单色/双基色LED屏软件功能系统集群管理/多节目编辑/多区域显示/多种语言版本节目类型普通节目/共享节目节目数量支持128个节目，每个节目划分为8个区域区域类型图文/字幕/动画/时间/农历/计时/温度边框显示最先进的炫彩魔幻图形边框时钟显示模拟表盘/中英文时钟/正负计时 (均支持多组显示)通讯方式 U盘下载显示接口 2组T8和4组T12接口传感器支持温度亮度调节 16级亮度，支持手动调节和分时调节远程开关支持定时开关机工作电压 5V （范围4.5V～6V）最大功率≤1W环境温度 -30℃～70℃二次开发提供完整功能的DLL动态库配套软件 LedshowTW2011图文编辑软件用户手册《四代多区域LED图文控制器用户手册》《LedshowTW2011图文编辑软件用户手册》单价：110元全彩单元板：户外：LED显示屏室内全彩表贴三合一P10全彩单元板高亮表贴3528封装技术指标参数1、模组PCB板：双层模组尺寸: 宽320mm×高160mm物理点间距：10mm物理密度：10000点/m2发光点颜色：RGB 3和1灯体：3528单像素亮度：R:773mcd, G:1607mcd, B:392mcd模组分辨率：宽32点×高16点模组最大功耗：16.5w模组重量：0.4kg工作电压：DC5V包装纸箱尺寸：605mm*365mm*553mm包装数量：30个纸箱重量：13kgs(含模组)2.箱体箱体尺寸：宽1280mm×高960mm×厚150mm单箱体模组数：24个单箱体供电方式：5V/60A×2只散热方式：强制对流风扇4只箱体总重量：60kgs箱体分辨率：宽128点×高96点最佳视距：10～40m视角：水平130度，垂直140度环境温度：存贮 -35℃ ～+85℃工作 -20℃ ～+65℃相对湿度：≤90～95%屏体厚度：17cm包装箱体尺寸：长1340mm×宽430mm ×高1120mm 包装数量：2个包装箱重量：150kg3、供电工作电压：220V±10％平均功耗： 450～600W/m2最大功耗：≤350W/m2电流: ≤13mA(单扫)4、控制系统控制主机：P4或以上操作系统：WIN 98/ 2000/ NT/XP控制方式：同步控制5、主要技术参数1）驱动器件：采用LED专用恒流驱动器件2）驱动方式：1/8扫驱动3）刷新频率：≥120帧/秒4）灰度/颜色：RGB各256级，可显示16.7M颜色4）白平衡亮度：≥2800cd/m25）亮度调节方式：软件调节255级可调6）视频信号：PAL/NTSC7）控制系统采用： DVI显卡＋全彩控制卡8）平均无故障时间：≥9000小时9）半衰期寿命：≥7万小时10）平整度：任意相邻像素间≤0.3mm；模块拼接间隙<1.5mm ；11）计算机显示模式：800×600;1024×76812）有效通讯距离：不低于100m（正品标准网线传输）6、软件灵星雨等同步系统 LED通用播放软件单价：265元室内：LED显示屏室内单元板全彩三基色表贴P10 8扫高亮3年保品名:室内P10全彩标贴8扫单元板颜色：三基色全部配件：单元板【一块】 4PIN电源线【一根】 16PIN数据排线【一根】多层玻纤板制作高亮度 8扫单板为16*32公分标准！后面芯片全贴片设计可配合各种控制卡使用灯珠：表贴功率：20瓦寿命：8万小时模组尺寸: 160*320mm物理点间距：10mm物理密度：10000点/m2发光点颜色： 1R1G1B灯体：（R G B）模组分辨率：宽32点×高16点模组最大功耗：16.5w模组重量：0.30kg包装纸箱尺寸：630mm*275mm*295mm包装数量：40个纸箱总重量：13kg箱体尺寸：宽mm×高mm×厚mm单箱体模组数：个单箱体供电方式：只散热方式：只箱体总重量：kg箱体分辨率：宽点×高点最佳视距：8～40m最佳视角：水平110度，垂直90度环境温度：存贮 -35℃～ +85℃工作 -20℃～ +65℃相对湿度：≤90～95%屏体厚度：17cm单价：265元双色单元板：室内：LED显示屏室内P4.75双色户内单元板模组 F3.75双基色红绿混黄色品名: 室内F3.75全部配件：单元板【一块】 16PIN数据排线【一根】颜色：双色红绿电压：5伏峰值电流：4.2安接口：标准08接口 16扫双层玻纤板制作单模组尺寸：152MM*304MM单模组灯点数：32*64驱动芯片：595驱动方式：恒流驱动驱动电压：5伏灯珠：圆型峰值功率：20瓦寿命：8万小时★ 主要技术参数基色RG（红、绿双基色） P4.75像素直径〔mm〕 3.75像素间距〔mm〕 4.75像素组成 1R1G单元面板点数64×32单元面板尺寸〔mm〕304×152（）单元面板重量〔g〕 800 像素密度〔点/m2〕 43000 峰值功耗〔W/m2〕 700平均功耗〔W/m2〕 300可视角度150°单价：198元单色单元板：全户外：LED显示屏全户外P10单元板亮度高发光均匀性价比高颜色：单红全部配件：单元板【一块】 4PIN电源线【一根】 16PIN数据排线【一根】三安芯片8M高亮输入电压：5伏峰值电流：4A峰值亮度：》1800MCD峰值功率：《20瓦扫描方式：1/4走线方式：蛇形8点每驱16行下折3次接口方式：12通用接口(十二)2 A B C S L R G D 161 O N N N N N N N 15密封方式：灌胶密封每平方密度：10000点每平方模组数：19.5块单价：85元半户外；强力巨彩半户外P10 单元板正品强力品名:高品质半户外单元板绝对一年质保强力单元板的品质有目共睹。
三安光电推出四款高端LED芯片
三安光电推出四款高端LED芯片
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三安光电20日在深圳召开
新品推介会，推出四款高端LED
芯片新品。
业内人士评价，四款
产品在技术上具备国内领先、国
际先进的优势，市场应用价值和
推广度很高，为公司进一步做大
LED芯片产业，跻身国际知名
LED芯片生产企业再添重要筹
码。
据了解，三安此次推出的四
款新品，一是GaN基发光二极
管大功率芯片，该新品的研制成功，使公司成为国内唯一一家拥有自主知识产权、从外延到芯片可批量生产的企业，此新品封装成白灯单灯可达120lm，效率为100lm/W以上，高于国家路灯80lm/W的要求，产品已通过相关路灯实验；二是GaN基发光二极管超亮（白光）芯片，该新品封装成白灯功率可达到110lm/W，可广泛用于平板电视、笔记本电脑等显示器背光源、半导体照明等高端领域；三是GaAs超高亮发光二极管红光芯片，该产品主要用于户外显示屏、汽车尾灯、照明等领域，其封装后的光功率可达到60lm/W；四是GaAs超高亮发光二极管黄绿芯片，该产品的裸晶在80mcd左右，主要用于双色显示屏，LCD背光源等领域。
有业内人士认为，三安此次推出的四款新品应用领域广泛，尤其是在我国城市亮化美化工程和大力发展汽车工业等背景下，市场空间巨大；同时，这些新品的上市，也极大地支持了国内LED行业的发展和产业链条的有效形成，为国内下游企业度过金融危机的冲击提供了技术、产品和成本上的保证，有效地促进了国内LED行业的发展。
公司表示，伴随着天津三安的组建和陆续投产，2010年公司一期扩产后将完成年产LED外延片150万片，芯片350亿粒的产能规模，并计划于2012年底前完成100台MOCVD 的扩产任务，实现行业全球前五名的目标。
三安光电灯珠 规格书
三安光电灯珠规格书
三安光电是一家专业从事LED照明产品研发、生产和销售的公司，其灯珠产品规格书通常包括以下内容：
1. 产品概述，规格书通常会首先介绍该款灯珠的产品概述，包
括产品系列、型号、用途等基本信息。
2. 光电参数，这部分会详细列出灯珠的光电参数，如发光功率、光通量、发光角度、色温、色坐标等，以及光电性能曲线图表。
3. 尺寸和外观，规格书会描述灯珠的尺寸、外形结构、引线配
置等详细信息，以便用户了解产品的实际尺寸和外观特征。
4. 电气参数，包括额定电流、正向电压、反向电压等电气参数
的具体数值，以及电气性能曲线图表。
5. 热学参数，描述灯珠的工作温度范围、热阻、热传导性能等
热学参数，以及与热管理相关的建议和注意事项。
6. 包装信息，规格书通常也会包括产品的包装规格、包装方式、
存储条件等信息，以便用户在购买和使用时参考。
7. 安装和使用说明，针对灯珠的安装方法、使用注意事项、典型应用场景等进行详细说明，帮助用户正确使用产品。
8. 质量保证，描述产品的质量保证体系、质量标准、测试方法等内容，让用户了解产品的质量保证情况。
以上是一般情况下三安光电灯珠规格书中可能包含的内容，具体规格书内容可能会因产品型号、系列、用途等而有所差异。
希望以上信息能够帮助到你。
LED灯珠品牌
知名LED品牌：美国：科瑞CREE、流明Lumileds、通用电气GE(GeLcore)、旭明Se mileds、普瑞BridgeLux德国：欧司朗Osram荷兰：飞利普PHILIPS日本：日亚Nichia、丰田合成ToyodaGosei其他：东芝TOSHIBA，大洋日酸，昭和电工SDK，日立，Genelite韩国：首尔SEOUL、汉城半导体SSC、三星其他：惠普HP、安萤Epivalley台湾：艾迪森Edison、亿光Everlight Electronics、晶元ES、其他：广镓光电（Huga），新世纪（Genesis Photonics），华上（AOC），泰谷光电（Tekcore），奇力，钜新，光宏，晶发，视创，洲磊，联胜（HPO），汉光（HL），光磊（ED），鼎元（TK），曜富洲技TC，燦圆（Formosa Epitaxy），国通，联鼎，全新光电（VPEC）等。
华兴（Ledtech Electronics）、东贝（Unity Opto Technology）、光鼎（Para Light Electronics）、佰鸿（Bright LED Electronics）、今台（Kingbright）、菱生精密（Lingsen Precision Industries）、立基（Ligitek Electronics）、光宝（Lite-On Technology）、宏齐(HARVATEK)等。
国产：三安光电简称（S）、上海蓝光（Epilight）简称（E）、士兰明芯（SL）、大连路美简称（LM）、迪源光电、华灿光电、南昌欣磊、上海金桥大晨、河北立德、河北汇能、深圳奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、扬州华夏集成、甘肃新天电公司、东莞福地电子材料、清芯光电、晶能光电、中微光电子、乾照光电、晶达光电、深圳方大，山东华光、上海蓝宝等。
其中：流明、CREE、旭明等都属于价格昂贵的灯珠。
另外旭明的防静电很差，容易死灯，CREE的流明值很高，但其它同等流明值的价格要低的多，相对稳定。
led芯片尺寸
led芯片尺寸LED芯片是一种用于制造和控制LED发光的元件，具有小巧、高亮度、低功耗、长寿命等特点，在现代电子产品中得到广泛应用，其尺寸也因此成为了LED芯片的重要参数。
LED芯片尺寸主要包括芯片的外观尺寸和活性区尺寸。
外观尺寸指的是LED芯片的整体尺寸大小，常用的尺寸有1.0mmx 1.0mm、0.5mm x 0.5mm、0.3mm x 0.3mm等。
一般来说，外观尺寸越小，LED芯片的封装效果越好，可以实现更高的亮度、更均匀的光线分布和更好的节能效果。
而活性区尺寸指的是LED芯片中主要发光区域的尺寸大小，常用的尺寸有0.5mm x 0.5mm、0.3mm x 0.3mm等。
活性区尺寸的大小决定了LED芯片的发光效果，一般来说，较大的活性区尺寸可以实现更高的亮度和更广的辐射角度，但同时也会增加LED芯片制造的难度和成本。
LED芯片尺寸的选择一般根据具体的应用需求来确定。
在一些对尺寸要求较高的应用场景中，如显示屏、车灯等，常用的LED芯片尺寸一般较小，以实现更高的像素密度和更细腻的图像效果。
而在一些对亮度要求较高的应用场景中，如照明、户外广告牌等，一般会选择较大尺寸的LED芯片，以实现更高的亮度和更广的照射范围。
此外，LED芯片尺寸的选择还受到制造工艺和成本的影响。
随着微电子技术的发展，制造工艺的提升使得LED芯片尺寸可以更小，并可实现更高的亮度和更均匀的光线分布。
但是，尺寸越小意味着制造工艺越复杂，成本也会相应增加。
因此，在实际应用中，LED芯片的尺寸选择需要平衡产品性能和成本因素。
总的来说，LED芯片尺寸是一个关系到LED灯具性能和成本的重要参数，不同的应用需求和制造工艺都会对LED芯片尺寸的选择提出不同要求。
随着技术的不断发展，LED芯片的尺寸会越来越小，同时实现更高的亮度和更好的能源效率，为LED照明行业带来更广阔的应用前景。
三安命名规则
GaAs LED 芯片命名规则◆ GaAs LED芯片名称包括三安品牌、芯片尺寸、大波段代码、电极材料、芯片厚度代码、起始主波长、光强等级、正向电压范围。
如下示例：◆ 附表1. GaAs光强代码对照表(单位：mcd)代码A0 A1A2 A3 A4A5B0B1B2B3 B4 B5光强10 15 20 25 30 35 40 50 60 70 80 90 代码C0 C1C2 C3 C4D0D1D2D3D4 ……光强100 110120 130140160180200220240 ……*7mil、8mil产品以IVavg值标识，9mil、12mil、14mil产品以IVmin标识◆附表2. 大波段代码对照表(单位：nm)颜色黄绿色黄色代码G3 G1 G2 G4 Y3 Y1 Y2 Y4 波段565-569 569-573 573-576576-580580-587585-590587-594 590-597颜色橙色红色代码O3 O1 O2 R3 R1 R2 R4 R5 波段595-602 600-607 605-612610-620620-627625-632630-640 640-650*详细参数请对照芯片规格书◆附表3. 波长跨度代码对照表(单位：nm)代码 A B C D E F G H …光强 1 2 3 4 5 6 7 8 …GaN LED 芯片命名规则◆ GaN LED芯片名称包括三安品牌、芯片尺寸、大波段代码、电极材料、芯片厚度代码、起始主波长、光强等级、正向电压范围。
如下示例：◆ 附表1. 光强代码对照表(单位：mcd)代码 C D E F G 光强30 – 40 40 – 50 50 – 70 70 – 100 100 – 130代码H I J K L 光强130 – 160 160 – 200 200 – 240 240 – 300 300 – 360*详细参数请对照芯片规格书◆附表2. 波长跨度代码对照表(单位：nm)代码 A B C D E F G H …光强 1 2 3 4 5 6 7 8 …。
LED芯片分析报告
LED芯片分析报告LED（Light Emitting Diode，发光二极）芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。
LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
一、什么是LED芯片也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，也就是指的P-N结。
其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。
半导体晶片由两部分组成，一部分是P 型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。
但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。
当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。
而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。
（LED芯片）（高亮LED芯片）二、LED历史50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，1962年，通用电气公司的尼克·何伦亚克（Nick HolonyakJr.）开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。
LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。
最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。
以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。
经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。
而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。
汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。
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3.0 4
GaN
S-23BBMUP-A*******
◆ 光电参数： (Tc=22℃, IF=20mA)
产品型号
波长范围 ( λ D，nm )
Min
Max
S-23BBMUP∗-445E∗∗∗
445
450
S-23BBMUP∗-450E∗∗∗
450
455
S-23BBMUP∗-455E∗∗∗
455
460
S-23BBMUP∗-460E∗∗∗
46∗∗
465
470
工作电压 ( VF，V )
反向漏电流 (IR，μA ) @VR=10V
最大电流 半波宽度
（ Δ λ，nm） （IF，mA）
DC
≤3.4
≤2
≤30
30
◆ 光强等级： (Tc=22℃, IF=20mA)
等级
…
D22
D23
D24
D25
D26
…
Iv avg(mW)
◆ 产品特点：
● 高亮度、长寿命 ● 户内外应用 ● 芯片百分百测试分选 ● 波长和光强良好一致性
◆ 物理参数：
P 电极 N 电极 芯片尺寸 芯片厚度 焊盘尺寸
金 金 23mil × 10mil (584±25μm×254±25μm) 4.0mil (100 ± 25μm) 3.0mil (75±10μm) in diameter
…
23-24.5
24.5-26
26-28
28-30
30-32
…
◆ 其它说明：
● 光电参数均系三安光电测试仪器在晶圆条件下的测试参数，98%符合标称值范围 ● 芯片封装工艺最高温度低于 280℃，持续时间小于 10 秒 ● GaN LED 芯片为静电敏感产品，使用、运输时注意静电防护 ● 主波长测量误差±1.0nm ● 可根据客户需要订做特殊规格的芯片