模拟电子技术基础第四版课后答案__第3章_多级放大电路

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模拟电子技术基础(第四版)习题解答

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】第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )【(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。

( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

【A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

图^解:U O1=, U O2=0V , U O3=, U O4=2V , U O5=, U O6=-2V 。

四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。

求图 所示电路中U O1和UO2各为多少伏。

(a) (b)图解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

;五、电路如图所示,V CC =15V ,=100,U BE =。

试问:(1)R b =50k 时,U o=(2)若T 临界饱和,则R b =解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

模拟电子技术基础第四版第3章

模拟电子技术基础第四版第3章

RE1
+ CE1
RE2
uo
ui如为低频信号,
缺点:低频特性差,不能放大变化缓慢的信号; 可否放大? 在集成电路中不能制造大容量电容,因此阻容耦合放大电路不
便于集成化。
优点:各级之间的直流通路各不相连,各级的静态工作点相互独立, 电路的分析设计和调试简单。在分立元件电路中应用非常广泛。
3.2 多级放大电路的分析方法
当共集放大电路作第一级时,输入电阻Ri与其负载,即第二级的 输入电阻Ri2有关;而当共集放大电路作最后一级时,输出电阻 Ro与其信号源内阻,即倒数第二级的输出电阻Ro1有关。(二级)
.
Ii
.
Ie E Ib

C Io
RS +
us
.
Ui
.
RE rIbeb RC
RL
.
Uo
Ri
B
Ro
Ri RB1 // RB2 //[rbe (1 )RE ]
RB
ui1 ui
ui2 b
RC uo
uo1
T1
RC+VCC
uo2 RB
T2
RE
VEE
双端输入
a
RB
ui1 ui
ui2 b
RC uo
uo1
T1
RC+VCC
差模信号
uid=ui1–ui2 =ui
共模信号
uo2 T2
uic = u( i1 +ui2 )/2= 0 RB
RE
VEE
ui1, ui2:
一对差模信号分

Uo1
RB3

RE2 RL Uo
C2
Ro1
Ro

模拟电子技术基础(第四版)习题解答之欧阳语创编

模拟电子技术基础(第四版)习题解答之欧阳语创编

第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。

( √)GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于GS零,则其输入电阻会明显变小。

(×)二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。

图T1.3解:UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V,UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。

求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

(a)(b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故UO1=6V。

右图中稳压管没有击穿,故UO2=5V。

五、电路如图T1.5所示,VCC=15V,=100,UBE=0.7V。

试问:(1)Rb=50k 时,Uo=?(2)若T 临界饱和,则Rb=?解:(1)26BB BE B bV U I A R μ-==, 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

一、填空题
2.1 BJT用来放大时,应使发射结处于偏置,集电结处于偏置;而工作在饱和区时,发射结处于偏置,集电结处于偏置。
2.2 温度升高时,BJT的电流放大系数 ,反向饱和电流 ,发射结电压 。
2.3用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大,当输出端开路时, ;都接人负载 电阻时,测得 ,由此说明,电路A的输出电阻比电路B的输出电阻。
图题所示电路在正常放大时ib5v200501maieic50mamaubuema指针微动uev指针微动ucv结论电源未接入不能正常工作处于正常放大工作状态三极管内部集电结断路不能正常工作re短路电路能正常放大rb断路电路不能正常工作三极管内部发射结断路或re断路不能正常工作三极管内部集电结短路或外极之间短路不能正常工作三极管内部发射结短路或外极之间短路不能正常工作225用直流电压表测得几个bjt的ube和uce如表题225所示试问它们各处于何种工作状态它们是npn管还是pnp管解答
(1)静态工作点;
(2)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;
(3)电容Ce脱焊时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;
(4)若换上一只 =100的管子,放大电路能否工作在正常状态
解答:
(1)
(2)
(3)
(4)换上一只 的管子,其IC和UCE不变,放大电路能正常工作。
2.31已知图题2.31所示电路中BJT为硅管, =50,试求:
解答:
(1)
(2)
(3)
(4)
2.29 已知固定偏流放大电路中BJT为硅管,输出特性及交、直流负载线如图题2.29所示,试求:
(1)电源电压Vcc;
(2)静态工作点;
(3)电阻Rb、RC的值;
(4)要使该电路能不失真地放大,基极电流交流分量的最大幅值Ibm为多少

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第 1 章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2 章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3 章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4 章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5 章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6 章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7 章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8 章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9 章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10 章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第 1 章 常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。

( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证 其 R GS 大的特点。

( √ )(6)若耗尽型 N 沟道 MOS 管的U GS 二、选择正确答案填入空内。

大于零,则其输入电阻会明显变小。

( × ) (l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型 MOS 管C.耗尽型 MOS 管三、写出图 Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压 U D =0.7V 。

模拟电子技术基础第四版)习题解答

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第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。

( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。

四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。

求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

电子技术学习指导与习题解答:第3章 多级放大电路

电子技术学习指导与习题解答:第3章   多级放大电路

第3章 多级放大电路3.1 如图 3.7所示为两级阻容耦合放大电路,已知12CC =U V ,20B1B1='=R R k Ω,10B2B2='=R R k Ω,2C2C1==R R k Ω,2E2E1==R R k Ω,2L =R k Ω,5021==ββ,6.0BE2BE1==U U V 。

(1)求前、后级放大电路的静态值。

(2)画出微变等效电路。

(3)求各级电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。

u s+u o -CC图3.7 习题3.1的图分析 两级放大电路都是共发射极的分压式偏置放大电路,各级电路的静态值可分别计算,动态分析时需注意第一级的负载电阻就是第二级的输入电阻,即i2L1r R =。

解 (1)各级电路静态值的计算采用估算法。

第一级:412102010CC B2B1B2B1=⨯+=+=U R R R U (V )7.126.04E1BE1B1E1C1=-=-=≈R U U I I (mA )0.034507.11C1B1===βI I (mA )2.5)22(7.112)(E1C1C1CC CE1=+⨯-=+-=R R I U U (V ) 第二级:412102010CC B2B1B2B2=⨯+='+''=U R R R U (V )7.126.04E2BE2B2E2C2=-=-=≈R U U I I (mA )电子技术学习指导与习题解答46 0.034507.12C2B2===βI I (mA ) 2.5)22(7.112)(E2C2C2CC CE2=+⨯-=+-=R R I U U (V )(2)微变等效电路如图3.8所示。

R U +-图3.8 习题3.1解答用图(3)求各级电路的电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。

三极管V 1的动态输入电阻为:10807.126)501(30026)1(300E11be1=⨯++=++=I r β(Ω) 三极管V 2的动态输入电阻为:10807.126)501(30026)1(300E22be2=⨯++=++=I r β(Ω) 第二级输入电阻为:93.008.1//10//20////be2B2B1i2==''=r R R r (k Ω) 第一级等效负载电阻为:63.093.0//2//i2C1L1==='r R R (k Ω) 第二级等效负载电阻为:12//2//L C2L2==='R R R (k Ω) 第一级电压放大倍数为:3008.163.050be1L11u1-=⨯-='-=r R A β 第二级电压放大倍数为:5008.1150be2L22u2-=⨯-='-=r R A β 两级总电压放大倍数为:1500)50()30(u2u1u =-⨯-==A A A3.2 在 如图 3.9所示的两级阻容耦合放大电路中,已知12CC =U V ,30B1=R k Ω,20B2=R k Ω,4E1C1==R R k Ω,130B3=R k Ω,3E2=R k Ω,5.1L =R k Ω,5021==ββ,8.0BE2BE1==U U V 。

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第3章多级放大电路
习题
判断图所示各两级放大电路中T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。

设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。

(a)(b)
(c) (d)
(e) (f)

解:(a)共射,共基(b)共射,共射(c)共射,共射
(d)共集,共基 (e)共源,共集 (f)共基,共集
设图所示各电路的静态工作点均合适,分别画出它们的交流等效电路,并写出u A 、i R 和o R 的表达
式。

(a) (b)
(c) (d)

解:(1)图示各电路的交流等效电路如解图所示。

(2)各电路的
u A 、i R 和o R 的表达式分别为:
(a):[]{}
1222323
11
223
//(1)(1)(1)be u
be be R r R R A R r r R ββββ+++=-⋅
+++&;
11i be R R r =+; 2232
//
1be o r R R R β+=+
(b):
1232
24112322
(1)(////)()(1)(////)be u
be be be R R r
R
A r R R r r βββ+=+⋅-++&
111
232//[(1)(////)]i be be R R r R R r β=++; 4o R R =
(c):122223
11
22{//[(1)]}
[](1)be d u
be be d
R r r R A r R r r ββββ++=-
⋅-
+++&
11i be R R r =+; 3o R R =
(d):
284672
2
[(//////)]()u m be be R A g R R R r r β=-⋅-& 123//i R R R R =+; 8o R R =
(a)
(b)
(c)
(d)
解图
基本放大电路如图(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路Ⅰ,图(b)虚线框内为电路Ⅱ。

由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示,它们均正常工作。

试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中
(1)哪些电路的输入电阻较大;
(2)哪些电路的输出电阻较小;
(3)哪个电路的电压放大倍数最大。

(a) (b)
(c) (d)
(e)

解:(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大; (2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小; (3)图(e)所示电路的电压放大倍数最大。

电路如图 (a) (b)所示,晶体管的β均为150 ,
be r 均为2k Ω,Q 点合适。

求解u A &、i R 和o
R 。

解:在图(a)所示电路中

2
12
1
1
11be u be r A r ββ⋅
+=-≈-&;232
2225u be R A r β==&; ∴
12
225u u u A A A =⋅≈-&&& 121//// 1.35i be R R R r k =≈Ω; 33o R R k ==Ω。

在图(b)所示电路中

11211(//)136be u be R r A r β⋅=-≈-&;242
275u be R A r β=-=-& ∴
12
10200u u u A A A =⋅≈&&&
5231(//)//2i be R R R R r k =+≈Ω; 41o R R k ==Ω
电路如图 (c)、(e)所示,晶体管的β均为200 ,
be r 均为3k Ω。

场效应管的g m 为15mS ; Q 点合适。

求解
u A &、i R 和o
R 。

解:在图(c)所示电路中
13211(//)125be u be R r A r β⋅=-≈-&;2422
133.3u be R A r β=-=-&
1216666.7u u u A A A =⋅≈&&&;11//3i be R R r k =≈Ω; 4
2o R R k ==Ω 在图(e)所示电路中
1242{//[(1)]}30u m be m A g R r R g R β=-++≈-≈-&4
2
4
(1)1(1)
u be R A r R ββ+=-≈++&
1230u u u A A A =⋅≈-&&&; 110M i R R ==Ω; 24
//251be o r R R R β+=≈Ω+
图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,'
100bb r =Ω,
0.7BEQ U V
≈。

试求R w 的滑动
端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 以及动态参数A d 和R i 。

图 图
解:R w 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 分析如下:
∵22
W
BEQ EQ EQ e EE R U I I R V +⋅
+= ∴0.51722
EE BEQ
EQ
W
e V U I mA R R -=
≈+
动态参数A d 和R i 分析如下:
'26(1)
5.18be bb EQ
mV
r r k I β=++≈Ω
98(1)/
2
c
d b
e W R A r R ββ=-
≈-++
2(1)20.5i be W R r R k β=++≈Ω
电路如图所示,T 1和T 2两管的β均为140,be r 均为4k Ω。

试问:若输入直流信号mV
u I 201
=,
mV u I 102=,则电路的共模输入电压?=Ic u 差模输入电压?=Id u 输出动态电压?
=∆o u
解:电路的共模输入电压IC u 、差模输入电压Id u 、差模放大倍数d A 和动态电压O u ∆ 分别为:
12
152I I IC u u u mV +=
=;
1210Id I I u u u mV =-=
1752c
d be
R A r β=-
≈-; 1.75O d Id u A u V
∆==-
电路如图所示,T l 和T 2的低频跨导g m 均为10mS 。

试求解差模放大倍数和输入电阻。

图 图
解:差模放大倍数和输入电阻分别为:
200d m d A g R =-=-; i R =∞。

试写出图 所示电路A d 和R i 的近似表达式。

设T l 和T 2的电流放大系数分别为β1和β2,b-e 间动态电阻分别为1be r 和2be r 。

解:A d 和R i 的近似表达式分别为
12112
(//
)2(1)L
c
d b
e be R R A r r βββ≈-++; 1122[(1)]i be be R r r β=++
电路如图 所示,T l ~T 5的电流放大系数分别为β1~β5 , b-e 间动态电阻分别为r be1~r be5,写出A u 、R i 和R o 的表达式。

图 图
解:A u 、R i 和R o 的表达式分析如下:
11244511{//[(1)]}
2O be u I be u R r R A u r ββ∆++=
=∆
24655722445{//[(1)]}
(1)O be u I be u R r R A u r R βββ∆++=
=-∆++
357
33557
(1)(1)O u I be u R A u r R ββ∆+=
=
∆++

123O
u u u u I u A A A A u ∆=
=⋅⋅∆; 12i be be R r r =+; 5
675
//1be o r R R R β+=+
电路如图 所示。

已知电压放大倍数为-100 ,输入电压u I 为正弦波,T 2和T 3管的饱和压降U CES =1V 。

试问:
(1)在不失真的情况下,输入电压最大有效值U imax 为多少伏
(2)若U i = 10mV (有效值),则U o =若此时R 3开路,则U o =若R 3短路,则U o =
解:(1)最大不失真输出电压有效值为
:7.78om
U V =

故在不失真的情况下,输入电压最大有效值:
max 77.8om
i u
U U mV A =
≈&
(2)U i = 10mV ,则U o =1V (有效值)。

若R 3开路,则T l 和T 3组成复合管,等效13βββ=, T 3可能饱和,使得11O U V =-(直流);若R 3短路,
则11.3O
U V =(直流)。

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