stm32Flash模拟eeprom心得(原创)
STM32之EEPROM驱动
STM32之EEPROM驱动本⽂介绍如何使⽤STM32标准外设库驱动EEPROM，本例程驱动的EEPROM为AT24C02，通讯协议为IIC，使⽤IO⼝模拟⽅式。
本⽂适合对单⽚机及Ｃ语⾔有⼀定基础的开发⼈员阅读，MCU使⽤STM32F103VE系列。
1. EEPROM简介EEPROM全称为EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)是电可擦除可编程只读存储器。
虽然名称为只读存储器，但是擦除和写⼊都是直接使⽤电路控制，不需要再使⽤外部设备来擦写，即设备在运⾏过程中即可随时擦除和写⼊。
可以按字节为单位修改数据，⽆需整个芯⽚擦除，且掉电后数据不丢失，⼀般⽤来存储⼀些配置信息，以便系统重新上电的时候加载。
2. 常⽤EEPROM⼀般常⽤的EEPROM为ATMEL公司（已被Microchip收购）的AT24Cxx系列，常⽤容量从1K到64Kbit不等，换算成字节为128到8K Bytes，可以根据项⽬需求和价格综合考虑选型。
3. EEPROM操作说明AT24C02容量为2Kbit，即256Byte，地址范围为0~255，即0~0xFF，使⽤1个字节即可表⽰，因此地址长度为1字节。
3.1. 通讯⽅式IAT24C02使⽤IIC协议跟MCU通讯。
3.2. 设备地址如果仅接⼊⼀个AT24C02，可以将设备的A0、A1、A2引脚全部接⼊低电平，那么此时该设备的地位为0x50，再增加⼀位读写标志位，最终读取操作时地址为0xA1，写⼊操作时地址为0xA0。
3.3. 读取数据读取当前字节：MCU直接发起读操作，设备返回当前字节，当前字节⾃动加1，该操作较少使⽤。
读取指定地址⼀个字节：MCU先向AT24C02写⼊⼀个地址，然后再发起⼀个读操作，AT24C02返回该地址存储的字节。
连续读取：MCU发起读当前字节，或者读指定地址字节，设备返回数据，MCU发送ACK，设备继续返回后续地址数据，直到MCU发送NACK，设备不再返回数据。
STM32学习笔记：读写内部Flash（介绍+附代码）
STM32学习笔记：读写内部Flash（介绍+附代码）⼀、介绍⾸先我们需要了解⼀个内存映射：stm32的flash地址起始于0x0800 0000，结束地址是0x0800 0000加上芯⽚实际的flash⼤⼩，不同的芯⽚flash⼤⼩不同。
RAM起始地址是0x2000 0000，结束地址是0x2000 0000加上芯⽚的RAM⼤⼩。
不同的芯⽚RAM也不同。
Flash中的内容⼀般⽤来存储代码和⼀些定义为const的数据，断电不丢失，RAM可以理解为内存，⽤来存储代码运⾏时的数据，变量等等。
掉电数据丢失。
STM32将外设等都映射为地址的形式，对地址的操作就是对外设的操作。
stm32的外设地址从0x4000 0000开始，可以看到在库⽂件中，是通过基于0x4000 0000地址的偏移量来操作寄存器以及外设的。
⼀般情况下，程序⽂件是从 0x0800 0000 地址写⼊，这个是STM32开始执⾏的地⽅，0x0800 0004是STM32的中断向量表的起始地址。
在使⽤keil进⾏编写程序时，其编程地址的设置⼀般是这样的：程序的写⼊地址从0x08000000（数好零的个数）开始的，其⼤⼩为0x80000也就是512K的空间，换句话说就是告诉编译器flash的空间是从0x08000000-0x08080000，RAM的地址从0x20000000开始，⼤⼩为0x10000也就是64K的RAM。
这与STM32的内存地址映射关系是对应的。
M3复位后，从0x08000004取出复位中断的地址，并且跳转到复位中断程序，中断执⾏完之后会跳到我们的main函数，main函数⾥边⼀般是⼀个死循环，进去后就不会再退出，当有中断发⽣的时候，M3将PC指针强制跳转回中断向量表，然后根据中断源进⼊对应的中断函数，执⾏完中断函数之后，再次返回main函数中。
⼤致的流程就是这样。
1.1、内部Flash的构成：STM32F429 的内部 FLASH 包含主存储器、系统存储器、 OTP 区域以及选项字节区域，它们的地址分布及⼤⼩如下：STM32F103的中容量内部 FLASH 包含主存储器、系统存储器、 OTP 区域以及选项字节区域，它们的地址分布及⼤⼩如下：注意STM32F105VC的是有64K或128页x2K=256k字节的内置闪存存储器，⽤于存放程序和数据。
stm32实训心得体会
stm32实训心得体会篇一：STM32 实验2报告实验2MINI STM32按键控制LED灯实验一、实验目的1、掌握嵌入式程序设计流程。
2、熟悉STM32固件库的基本使用。
二、实验内容1、编程使用I/O口作为输入，控制板载的两个LED 灯。
2、使用固件库编程。
三、实验设备硬件： PC机一台MINI STM32开发板一套软件： RVMDK 一套Windows XP 一套四、实验步骤1、设计工程，使用固件库来编程设置。
、在这里我们建立一个文件夹为: STM32-Projects.点击Keil 的菜单：Project –>New Uvision Project ，然后将目录定位到刚才建立的文件夹STM32-Projecst 之下，在这个目录下面建立子文件夹shiyan1, 然后定位到 shiyan1目录下面，我们的工程文件就都保存到shiyan1 文件夹下面。
工程命名为shiyan1, 点击保存.是这个型号。
、这里我们定位到STMicroelectronics 下面的STM32F103RB( 针对我们的mini 板子、弹出对话框“Copy STM32 Startup Code to project ?.”，询问是否添加启动代码到我们的工程中，这里我们选择“否”，因为我们使用的ST固件库文件已经包含了启动文件。
、接下来，我们在 Template 工程目录下面，新建3 个文件夹 CORE, USER,STM32F10x_FWLib 。
USER 用来放我们主函数文件 , 以及其他包括system_ 等等，CORE 用来存放启动文件等，STM32F10x_FWLib 文件夹顾名思义用来存放ST官方提供的库函数源码文件.、.打开官方固件库包，定位到我们之前准备好的固件库包的目录。
STM32F10x_StdPeriph_Lib_\Libraries\STM32F10x_StdPer iph_Driver 下面，将目录下面的src,inc 文件夹 copy 到我们刚才建立的STM32F10x_FWLib 文件夹下面。
stm32学习经历（5篇可选）
stm32学习经历（5篇可选）第一篇：stm32学习经历随便写写，关于stm32 最近在学习stm32，写点东西，虽然简单，但都是原创啊开发板是前辈画的，好像是用来测试一个3G功能的，不过对于我来说太远；我要来了3个，自己焊了一个最小系统，好在公司资源还是不错的，器件芯片有，还可以问问前辈--对公司还是比较满意的，虽然工资少了点，但学东西第一位O(∩_∩)O~。
最开始当然是建工程了，这个真不太会，前前后后竟用了一周（时间真长，别见笑啊），上网查资料，问前辈，自己琢磨。
总算搞定，然后从GPIO开始学，开始还真没什么头绪（虽然在大学学点51，但完全没有真正应用，顶多是跑马灯实验），开始纠结是从寄存器开始学还是从库函数开始学，后来看到一句“用库函数入门，用寄存器提高”于是下定决心用库，但当时没有库的概念，结果走了很多弯路，看了很多不必要的东西，当时竟没理解到只是调用库就OK了，别的不用管。
最后潜心的在教程网看完一个例程后照猫画虎写了一个，经过了多次调试以后，灯终于亮了！那个兴奋啊。
再次还要感谢希望自己坚持下去，早日能写出一个属于自己的程序，完成一个说的过去的功能，下面把我的程序粘出来，和大家分享下，大虾看到了别见笑啊注：1.有两个灯，PA4 B12，都是低电平点亮2.有两个按键，PB8 和 PB9，按下是低电平3.程序开始后两个灯常亮，按下按键后熄灭，抬起后继续亮main.c中#include "stm32f10x.h" #include "stm32f10x_gpio.h" #include "stm32f10x_rcc.h" #include "stm32f10x_exti.h" void RCC_Configuration(void) //时钟配置函数{ ErrorStatus HSEStartUpStatus; //使能外部晶振RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON); //等待外部晶振稳定HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp(); //如果外部晶振启动成功，则进行下一步操作if(HSEStartUpStatus==SUCCESS) { //设置HCLK（AHB时钟）=SYSCLK 将系统时钟进行分频后，作为AHB总线时钟RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1); //PCLK1(APB1) = HCLK/2 将HCLK时钟2分频后给低速外部总线RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div2); //PCLK2(APB2) = HCLK HCLK时钟配置给高速外部总线 RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div1); //外部高速时钟HSE 4倍频RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1, RCC_PLLMul_4); //启动PLL RCC_PLLCmd(ENABLE); //等待PLL稳定while(RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET); //系统时钟SYSCLK来自PLL输出RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK); //切换时钟后等待系统时钟稳定 while(RCC_GetSYSCLKSource()!=0x08); } // 下面这些都是外设总线上所挂的外部设备时钟的配置RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOA|RCC_AP B2Periph_GPIOB|RCC_APB2Periph_AFIO, ENABLE); }void GPIO_Configuration(void) //GPIO配置函数{ //GPIO_DeInit(GPIOA); GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=GPIO_Pin_4;GPIO_InitStructure.GPIO_Speed=GPIO_Speed_50MHz;GPIO_InitStructure.GPIO_Mode= GPIO_Mode_Out_PP; GPIO_Init(GPIOA,&GPIO_InitStructure);GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=GPIO_Pin_12;GPIO_InitStructure.GPIO_Speed=GPIO_Speed_50MHz;GPIO_InitStructure.GPIO_Mode= GPIO_Mode_Out_PP; GPIO_Init(GPIOB,&GPIO_InitStructure);GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=GPIO_Pin_8|GPIO_Pin_9; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed=GPIO_Speed_50MHz;GPIO_InitStructure.GPIO_Mode= GPIO_Mode_IPU;GPIO_Init(GPIOB,&GPIO_InitStructure); } void EXTI_Config(void) { EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure; // 管脚选择GPIO_EXTILineConfig(GPIO_PortSourceGPIOB,GPIO_PinSource8);GPIO_EXTILineConfig(GPIO_PortSourceGPIOB,GPIO_PinSource9); // 清除 EXTI线路挂起位EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line8|EXTI_Line9); // EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt; EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Falling; EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line8|EXTI_Line9; EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE; EXTI_Init(&EXTI_InitStructure); } void NVIC_Config(void) { NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure; NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_0);NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = EXTI9_5_IRQn; // 注意名称是“_IRQn”，不是“_IRQChannel”NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 0;// NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 0; // NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE; NVIC_Init(&NVIC_InitStructure); } int main(void) { RCC_Configuration(); GPIO_Configuration(); EXTI_Config(); NVIC_Config();while(1) { GPIO_ResetBits(GPIOB,GPIO_Pin_12); GPIO_ResetBits(GPIOA,GPIO_Pin_4); } } 中断文件 it.c中void EXTI9_5_IRQHandler(void) { if ( EXTI_GetITStatus(EXTI_Line8) != RESET ) { EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line8);GPIO_SetBits(GPIOA,GPIO_Pin_4);while(GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,GPIO_Pin_8)==0); } if ( EXTI_GetITStatus(EXTI_Line9) != RESET ){ EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line9);GPIO_SetBits(GPIOB,GPIO_Pin_12);while(GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,GPIO_Pin_9)==0);勤劳的蜜蜂有糖吃} }第二篇：STM32入门经历,高手不要进!现在STM32初学入门,写些关于入门的帮助,也算答谢帮助过我的人.希望象我这样想学STM32的朋友不用迷茫.(本入门只适合低手,高手不要见笑).1.硬件平台.现在可以买到学习有的有英蓓特的MCBSTM32 和万利的EK-STM32F,可能目前出来最好的还是的神舟系列开发板，包括神舟I号（103RBT），神舟II号(103VCT)，神舟III号（103ZET），神舟iv号（107VCT）几款都有，反正这几个板我都买了，学校出钱买的，还挺实惠,让老板打了个折扣，如果你自己开板做,成本还比这高.学会了才自己做自己的板子吧.2.软件平台.现在流行的有Keil MDK 3.15b和 IAR EWARM 4.42A. 购买评估板时,里面的光盘已经带了.为什么选这两个平台,用的人多,你以后遇到问题,可以找人解决的机会就大.英蓓特的MCBSTM32用的是Keil MDK 平台, 万利的是 IAR EWARM.3.C语言知识如果想补这推荐一本入门的书C Primer Plus 中文版.这本也是入门的好书.4.ST的数据手册STM32F10x参考手册看完这个就对STM32的内部有认识.STM32 Document and library rules 个人认为这个最重要.因为你学会了C语言看例程时.很多如GPIO_SetBits GPIO_ResetBits.很多C语言以外的函数库.这些都是STM32的库文件.5.看例程.如keil MDK 3.15b下的C:/Keil/ARM/Boards/Keil/MCBSTM32 有很多例程.GPIO口,RTC,PWM,USB,CAN等等....你想到的都有例程.6.多上论坛,呵呵.....有不明问下高手,我也是这样.只要不断努力,你一定会成功的.第三篇：STM32学习心得笔记STM32学习心得笔记时钟篇在STM32中，有五个时钟源，为HSI、HSE、LSI、LSE、PLL。
flash做EEPROM用
STM32 本身没有自带 EEPROM，但是 STM32 具有 IAP（在应用编程）功能，所以我们可以把它的 FLASH 当成 EEPROM 来使用STM32 FLASH 简介不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字节，最大的则达到了1024K 字节。
战舰 STM32 开发板选择的 STM32F103ZET6 的 FLASH 容量为 512K 字节，属于大容量产品（另外还有中容量和小容量产品），STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。
主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。
对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。
注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。
从上图可以看出主存储器的起始地址就是 0X08000000， B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。
信息块，该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。
用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
闪存的读取内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何 32 位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。
读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个 AHB 接口与 CPU 衔接。
这个接口的主要工作是产生读闪存的控制信号并预取 CPU 要求的指令块，预取指令块仅用于在 I-Code 总线上的取指操作，数据常量是通过 D-Code 总线访问的。
这两条总线的访问目标是相同的闪存模块，访问 D-Code 将比预取指令优先级高这里要特别留意一个闪存等待时间，因为 CPU 运行速度比 FLASH 快得多，STM32F103的 FLASH 最快访问速度≤24Mhz，如果 CPU 频率超过这个速度，那么必须加入等待时间，比如我们一般使用 72Mhz 的主频，那么 FLASH 等待周期就必须设置为 2，该设置通过 FLASH_ACR寄存器设置。
STM32学习心得笔记
STM32学习心得笔记时钟篇在STM32中，有五个时钟源，为HSI、HSE、LSI、LSE、PLL。
①、HSI是高速内部时钟，RC振荡器，频率为8MHz。
②、HSE是高速外部时钟，可接石英/陶瓷谐振器，或者接外部时钟源，频率范围为4MHz~16MHz。
③、LSI是低速内部时钟，RC振荡器，频率为40kHz。
④、LSE是低速外部时钟，接频率为32.768kHz的石英晶体。
⑤、PLL为锁相环倍频输出，其时钟输入源可选择为HSI/2、HSE或者HSE/2。
倍频可选择为2~16倍，但是其输出频率最大不得超过72MHz。
其中40kHz的LSI供独立看门狗IWDG使用，另外它还可以被选择为实时时钟RTC的时钟源。
另外，实时时钟RTC的时钟源还可以选择LSE，或者是HSE的128分频。
RTC的时钟源通过RTCSEL[1:0]来选择。
STM32中有一个全速功能的USB 模块，其串行接口引擎需要一个频率为48MHz的时钟源。
该时钟源只能从PLL输出端获取，可以选择为1.5分频或者1分频，也就是，当需要使用USB模块时，PLL 必须使能，并且时钟频率配置为48MHz或72MHz。
另外，STM32还可以选择一个时钟信号输出到MCO脚(PA8)上，可以选择为PLL输出的2分频、HSI、HSE、或者系统时钟。
系统时钟SYSCLK，它是供STM32中绝大部分部件工作的时钟源。
系统时钟可选择为PLL 输出、HSI或者HSE。
系统时钟最大频率为72MHz，它通过AHB分频器分频后送给各模块使用，AHB分频器可选择1、2、4、8、16、64、128、256、512分频。
其中AHB分频器输出的时钟送给5大模块使用：①、送给AHB 总线、内核、内存和DMA使用的HCLK时钟。
②、通过8分频后送给Cortex的系统定时器时钟。
③、直接送给Cortex的空闲运行时钟FCLK。
④、送给APB1分频器。
APB1分频器可选择1、2、4、8、16分频，其输出一路供APB1外设使用(PCLK1，最大频率36MHz)，另一路送给定时器(Timer)2、3、4倍频器使用。
关于单片机EEPROM数据保存的若干经验总结
关于单片机EEPROM数据保存的若干经验总结因为要保存的数据可能是千变万化的，字长可能从8位到32位,其中包括char(8)、short int(16)、int(32)、float(32),而不同数据类型在不同体系架构上字长各不相同，复杂点的甚至包括结构体Struct, 因为结构体包含数据大小未知，完成由用户定义，如果保存数据时要考虑到这么多的变化，那能把人都搞晕，因此设计一个以不变应万变的数据保存机制就很好了，好比是复杂平台中的数据串行化保存。
在单片机里面不可能实现这么高级的技术，但是也可以通过一个小小的技巧实现类似功能，方式就是通过联合体来保存，比如下面所示struct e2prom_data{char TEM_compensate;unsigned int sterilization_temperature[10];//0.1unsigned char sterilization_time_min[10];unsigned char exhaust_times;unsigned char prebalance_time_min;};union sector{struct e2prom_data sterlization_data;unsigned char storage[ sizeof(struct e2prom_data) ];} e2prom;联合sector代表实际的扇区，大小不能超过扇区大小，而上面的结构体就用来保存真正要用到的变量，然后通过联合体sector里面的unsigned char storage，统一转换成1个字节来保存实际数据，极其方便。
而要读取数据的时候可以通过下面的void read_sector(char secn)函数来统一操作，把数据统一读取到内存中，确认保存后再通过void write_sector(char secn)统一保存。
效率很高，用内存来缓存数据，可以减小EEPROM擦写次数，提高寿命。
flash做EEPROM用
STM32 本身没有自带E EPROM，但是 STM32 具有 IAP（在应用编程）功能，所以我们可以把它的 FLASH 当成 EEPROM来使用STM32 FLASH 简介不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字节，最大的则达到了1024K字节。
战舰 STM32 开发板选择的S TM32F103ZET6的 FLASH 容量为 512K 字节，属于大容量产品（另外还有中容量和小容量产品），STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。
主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。
对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。
注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。
从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000， B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。
信息块，该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。
用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
闪存的读取内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何 32 位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。
读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个 AHB 接口与 CPU 衔接。
这个接口的主要工作是产生读闪存的控制信号并预取 CPU 要求的指令块，预取指令块仅用于在 I-Code 总线上的取指操作，数据常量是通过D-Code 总线访问的。
这两条总线的访问目标是相同的闪存模块，访问 D-Code 将比预取指令优先级高这里要特别留意一个闪存等待时间，因为 CPU 运行速度比 FLASH 快得多，STM32F103的 FLASH 最快访问速度≤24Mhz，如果 CPU 频率超过这个速度，那么必须加入等待时间，比如我们一般使用 72Mhz 的主频，那么 FLASH 等待周期就必须设置为 2，该设置通过 FLASH_A CR寄存器设置。
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STM32F10X FLASH模拟EEPROM心得
微博：
花了几天时间研究stm32用Flash模拟EEPROM的问题，终于彻底弄懂了这种机制，由于我英文很菜，所以官方文档没有仔细看，而是直接去抠官方给出的例子程序，当然这种方法比较笨，但最终效果是一样的。
下面仅将我学习过程中的一些心得体会给大家介绍一下，希望能对需要的人有所帮助，有不足之处望大家积极指正。
首先推荐大家看的文档就是ST的官方文档《AN2594.pdf》和前辈总结出的《STM32 FLASH 模拟EEPROM使用和优化.pdf》和已经优化过的例程代码《FW_
下面开始进入主题
1.为什么要用flash模拟eeprom？
在许多应用场合下需要用eeprom保存非易失性的数据，但是意法半导体为了控制成本，没有在STM32F10X系列芯片中集成EEPROM，所以我们就需要用其内部集成的FLASH通过软件模拟EEPROM来达到同样的效果。
2.stm32中的片上FLASH特点
根据《STM32F10X闪存编程》中的介绍，以小容量为例（如下图），我们要使用的是32个1K字节/页的主存储空间，也就是说这段空间里除了保存用户代码的部分，其余部分我们是可以利用其作为数据存储使用的。
stm32的FLASH分为主存储块和信息块。
主存储块用于保存具体的程序代码和用户数据，信息块用于负责由stm32出厂是放置2KB的启动程序（Bootloader）并锁死，用户无法更改。
选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。
STM32的FLASH主存储块按页组织，有的产品每页1KB，有的产品每页2KB。
页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH。
从这点来看，页面有点像通用FLASH的扇区
上图中FLASH一页大小为1KB。
范围为从地址0x08000000开始的32KB 内。
对Flash 的写入操作要“先擦除后写入”的原则；
闪存的读写涉及一个概念，字（Word）32bit和半字（HalfWord）16bit，虽然STM32 FLASH也是由字节组成，但STM32 FLASH的编程每次都是以16bit半字为单位，且FLASH地址必须为偶数，否则会出错。
3.对AN259
4.pdf中模拟EEPROM机制的解释
官方例程中用了2页FLASH空间来作为模拟EEPROM进行数据存储，例如页3（0x08000C00-0x08000FFF）和页4（0x08001000-0x080013FF），分别将其标记为PAGE0和PAGE1，简单流程如下图
按照《使用和优化.pdf》中的解释，如果0 页空间写满数据，那么把0 页空间里面的【有效数据】复制到1 页，如果1页数据满那么把1 页空间里面的【有效数据】复制到0 页，这样循环使用，当然如果你想增加使用寿命可以增加多页循环。
每页前面4 字节保留，其中前2 字节是该页状态标志。
是的，看到这里我开始感觉到了迷惑，迫切的需要弄清楚这种机制。
官方文档中的这张图说明了虚拟的EEPROM在FLASH中的保存形式，对页进行以4字节为单位的分块，每块的前2字节保存虚拟EEPROM的16bit数据，后两字节保存此数据的16bit虚拟地址，虚拟地址必须为（0x0000-0xFFFE）。
那么先在这里说一下页面的三种状态
●ERASED 页面是空的或者刚刚擦除数据，此时整个页面都是0xFFFF
●RECEIVE_DATA 按照官方解释是，此页面处在接收已满页面的有效数据
过程中。
一旦另一页面完成擦除（即数据搬运完毕），此页面状态即变成VALID_PAGE。
搬运的时候先将最新更新的数据写入，然后再将所有有效数据（除刚刚更新的虚拟地址的数据）写入页面。
状态字：0xEEEE
●VALID_PAGE 页面含有有效数据，这种状态会一直保持，直到所有有效数
据搬运到已擦除的页面(有效数据搬运到新页面)。
状态字：0x0000
1.写数据
前面已经说到每页前4个字节保留，其中前2字节为页面状态字。
假设保存的数据虚拟地址是0x7777，那么程序写数据是从当前有效页页首地址开始查询虚拟地址位置为0xFFFF的空间，如果是0xFFFF 那么该位置可以保存数据；如果不是，那么继续找下1 个位置，如果本页无0XFFFF 的空间那么表示本页已满，那么将本页【有效数据】复制到另外1 页继续保存数据。
2.读数据
读数据时是从有效页的末尾地址开始检测是否是有效数据，如果是那么立即返回，程序是通过虚拟地址判断有效数据的，第1 个匹配的虚拟地址的数据才是有效的。
3.对【有效数据】的解释
在两次保存虚拟地址为0x7777的数据时（如下图所示）由于写数据时总是在FLASH中从首至尾依次存放，而读的时候总是从尾至首查找匹配，所以最后一次写入的虚拟地址是0x7777对应的数据1245 才是有效的。
这就是虚拟数据的更新。
4.页满时的数据处理
当有新数据要写入而页面内无0xFFFF地址即页面已满时，会将数据写入新的页面，并将原页面的有效数据也复制至新的页面，紧接着擦除已满的页面。
如下图所示：
5.优化的问题
STM32 FLASH 模拟EEPROM优化
官方例程中读写数据每次要查询读写位置，写数据是从页首地址开始查询，读地址是从页末地址查询。
假如只有1 个数据，读数据时效率是很低的，要查到最后才能找到有效数据，如果页快满了写数据效率也很低，读效率反而好一点了。
实际程序中记录下一个可以写数据的位置将提高数据的读写效率，这样的话：写数据就是立即写不用查询，读数据不从页末地址查询，而是从最后1 个写入数据处查询，这样特别在页数据少时效率提高不少。
优化过的例子代码只需要增加很少部分就能实现。
增加关键代码
uint32_t CurWrAddress;
// 初始化写地址，减少每次读写时查询时间
uint16_t InitCurrWrAddress(void)
详细请看修改后的例子，读写函数也做了相应更改
剩下的就是大家根据官方代码与优化过的代码进行对比，并通过eeprom.h 中的三个入口函数进行细致研究了。
本人水平有限，如有不妥之处请及时指正
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