氮化硅刻蚀机培训教程

Tel/lam 氮化硅刻蚀机培训教案

一简介：

Tel/lam 氮化硅刻蚀机是一种平板式的干法刻蚀设备，用于氮化硅的干法刻蚀，其工作原理为特种气体SF6,CHF3在RF下电离并与氮化硅发生反应。

二结构组成

它由以下几部分组成：主机部分、电源部分、泵组部分、射频部分和气体供给部分部分。

1主机部分：它是氮化硅刻蚀机的主体部分，包括显示器、传递腔、反应腔、传动系统及设备的主要控制系统。

2电源部分：系统供电208V进入，经变压器，继电器等变为所需的电压输出。该设备泵组电源由电源柜控制。

3射频部分：在气体反应时提供的高频电源，以便气体在高真空环境下电离，产生等离子体。

射频匹配系统位于主机上部，用于对射频源所提供的高频通过可变的电感电容进行匹配，以便提供给设备稳定高效的射频。

射频电源为208VAC供电，外接冷却水为本体发热元件降温。

4泵组部分：由机械泵、增压泵和真空管线构成抽反应腔的真空系统，以达到工艺反应时所需的真空度要求。由18泵及配套的真空管线用于抽传递腔的真空。现在我们使用的泵组位于一楼回风区内。

5 气体供给部分：由特气柜、特气瓶和特气管线构成。用于提供反

应所需的特种气体，其中用于提供特气的特气瓶至于一楼回风区内，特气经二次减压提供给设备，并由质量流量计进行控制。

三T el/lam 氮化硅刻蚀机的基本操作

1 当操作本台设备时，应首先检查该设备的动力条件，具体条件如下：

压缩空气：±氮气: ±用于射频冷却的冷却水是否有，反应所用的特气是否有，设备面板的电极温度是否和设定的温度相符，排风是否正常。

2操作：按照设备操作流程进行操作

3面板按键：LOAD 用于下载初始化程序 SAVE保存程序 RECIPE 用于编辑反应的程序STATUS 用于观察设备所处的状态PARAMETERS用于设置设备参数 OPTIONS用于设备的手动操作及观察设备运行时的参数变化 START 开始设备开始运行 STOP终止下一片硅片从传片筐传出 FIELD SELECT 用于切换设定状态

设备面板另有四个用于光标移动的按健及一个数字键盘

四 Tel/lam 氮化硅刻蚀机的常见故障及应急故障处理

1真空故障：主要显示为反应腔或者传递腔真空达不到，真空漏率较大。可能引起该故障的主要原因为：真空泵能力下降，真空管线连接不好，设备内部密封件老化，真空监测系统不准确。

传递腔不能达到大气压.其故障原因为用于检测其是否达到大气

压的压力开关松动或损坏、充气的阀门没有打开或者是系统氮气没有供给

2 射频故障：主要为射频信号加不上，反射功率大，射频源温度过高报警。

可能引起该故障的主要原因为：射频电缆连接处接触不好，匹配单元连接不好，射频源控制板故障，温度高(OVER HEAT)是因为冷却水管线堵塞造成。

4传递系统故障：主要表现为硅片在传递皮带上不动作；装载片筐的升降台不动作；机械手传接片子位置不正，其直接的影响会使硅片碎裂，严重时会导致主反应腔内的针（用于托片子）弯曲。

可能引起故障的原因为：传递皮带断裂及带动皮带的电机出现故障；升降台的保险断开，控制系统有故障此时系统复位即可，机械手的限位不正确或气缸(电机)有故障。

5控制系统故障：常见为屏幕出现乱码。产生此故障的原因通常为存储块接触不良或是电源不稳定。

6电极冷却部分故障：主要表现为电极温度升高.其产生的原因为用于冷却的系统无氟利昂，热交换器水箱温度设置过低导致水冷凝，传递水的管线堵塞，用于转换水路的电磁阀不能正常动作。

激光切割机图示说明(再版)

激光切割机软件使用说明 (图文笔记版) 一、总体功能概述 ⑴操作软件的三大版块: 图一、ByVision主菜单操作界面。图二、HANDLING-OPERATION操作界面图三、LaserView操作界面

⑵控制按键的两个部分：

图二、屏幕右侧按键。释放切割头

二、激光切割机每个版块的具体功能介绍 ⑴ByVision（用户名：CH 密码：1） ①“MAIN（F5）”主菜单：其中包括“管理员”、“视图”、“诊断”、“清屏”、 “信息”、“关闭”。 “管理员”、“视图”：已设置好，一般无需改动。一般级别无法修改的。“诊断”：用于显示机床的通讯状态，绿灯通讯为正常，红灯通讯中断或未建立通讯或没有该硬件（如Byloder）。前两个灯为绿，后一个灯为红，此时为正常。具体的机型不同而有异。 “清屏”：点击后屏幕为白色，此时触摸功能关闭，就可用布来擦拭屏幕。

登录/注销：用于不同级别的用户进入系统，权限不一样的。详细内容：当提示框出现提示内容的时候，由于显示的内容有限，当出现”……”的提示时可以在详细内容中看见全部的报警和故障。可以用该菜单中的RESET 键进行复位等操作。信息：关于该机器的全部软件的版本。关闭：内有可选择的关闭对话框。一般用关闭Byvision项目。语言选择：根据国旗代表不同的语言。一般英语的故障解释比较确切。有故障时候尽量用英语将信息记录下来，便于准确判断。 ②“HAND（F6）”手动菜单：其中包括“设置参数机床”、“参数”、“手动功能”、“特殊功能”“CNC”、“SERV”、“STOP PART”、“STOP WORK”。

氮化硅刻蚀机培训教程

Tel/lam 氮化硅刻蚀机培训教案一简介： Tel/lam 氮化硅刻蚀机是一种平板式的干法刻蚀设备，用于氮化硅的干法刻蚀，其工作原理为特种气体SF6,CHF3在RF下电离并与氮化硅发生反应。二结构组成它由以下几部分组成：主机部分、电源部分、泵组部分、射频部分和气体供给部分部分。 1主机部分：它是氮化硅刻蚀机的主体部分，包括显示器、传递腔、反应腔、传动系统及设备的主要控制系统。 2电源部分：系统供电208V进入，经变压器，继电器等变为所需的电压输出。该设备泵组电源由电源柜控制。 3射频部分：在气体反应时提供的高频电源，以便气体在高真空环境下电离，产生等离子体。射频匹配系统位于主机上部，用于对射频源所提供的高频通过可变的电感电容进行匹配，以便提供给设备稳定高效的射频。射频电源为208VAC供电，外接冷却水为本体发热元件降温。 4泵组部分：由机械泵、增压泵和真空管线构成抽反应腔的真空系统，以达到工艺反应时所需的真空度要求。由18泵及配套的真空管线用于抽传递腔的真空。现在我们使用的泵组位于一楼回风区内。 5 气体供给部分：由特气柜、特气瓶和特气管线构成。用于提供反

应所需的特种气体，其中用于提供特气的特气瓶至于一楼回风区内，特气经二次减压提供给设备，并由质量流量计进行控制。三T el/lam 氮化硅刻蚀机的基本操作 1 当操作本台设备时，应首先检查该设备的动力条件，具体条件如下：压缩空气：±氮气: ±用于射频冷却的冷却水是否有，反应所用的特气是否有，设备面板的电极温度是否和设定的温度相符，排风是否正常。 2操作：按照设备操作流程进行操作 3面板按键：LOAD 用于下载初始化程序 SAVE保存程序 RECIPE 用于编辑反应的程序STATUS 用于观察设备所处的状态PARAMETERS用于设置设备参数 OPTIONS用于设备的手动操作及观察设备运行时的参数变化 START 开始设备开始运行 STOP终止下一片硅片从传片筐传出 FIELD SELECT 用于切换设定状态设备面板另有四个用于光标移动的按健及一个数字键盘四 Tel/lam 氮化硅刻蚀机的常见故障及应急故障处理 1真空故障：主要显示为反应腔或者传递腔真空达不到，真空漏率较大。可能引起该故障的主要原因为：真空泵能力下降，真空管线连接不好，设备内部密封件老化，真空监测系统不准确。传递腔不能达到大气压.其故障原因为用于检测其是否达到大气

干法刻蚀工艺

干法刻蚀工艺干法刻蚀工艺可分为物理性刻蚀与化学性刻蚀两种方式。物理性刻蚀是利用辉光放电将气体（如氩）电离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，溅击在被刻蚀物的表面而将被刻蚀物的原子击出，该过程完全是物理上的能量转移，故称为物理性刻蚀。其特色在于，具有非常好的方向性，可获得接近垂直的刻蚀轮廓。但是由于离子是全面均匀地溅射在芯片上，所以光刻胶和被刻蚀材料同时被刻蚀，造成刻蚀选择性偏低。同时，被击出的物质并非挥发性物质，这些物质容易二次沉积在被刻蚀薄膜的表面及侧壁上。因此，在超大规模集成化制作工艺中，很少使用完全物理方式的干法刻蚀方法。化学性刻蚀或称为等离子体刻蚀( PLASMA Etching，PE)，是利用等离子体将刻蚀气体电离并形成带电离子、分子及反应性很强的原子团，它们扩散到被刻蚀薄膜表面后与被刻蚀薄膜的表面原子反应生成具有挥发性的反应产物，并被真空设备抽离反应腔。因这种反应完全利用化学反应，故称为化学性刻蚀。这种刻蚀方式与前面所讲的湿法刻蚀类似，只是反应物与产物的状态从液态改为气态，并以等离子体来加快反应速率。因此，化学性干法刻蚀具有与湿法刻蚀类似的优点与缺点，即具有较高的掩膜／底层的选择比及等向性。鉴于化学性刻蚀等向性的缺点，在半导体工艺中，只在刻蚀不需要图形转移的步骠（如光刻胶的去除）中应用纯化学刻蚀方法。最为广泛使用的方法是结合物理性的离子轰击与化学反应的反应离子刻蚀( RIE)。这种方式兼具非等向性与高刻蚀选择比的双重优点。刻蚀的进行主要靠化学反应来实现，加入离子轰击的作用有两方面。 1)破坏被刻蚀材质表面的化学键以提高反应速率。 2)将二次沉积在被刻蚀薄膜表面的产物或聚合物打掉，以使被刻蚀表面能充分与刻蚀气体接触。由于在表面的二次沉积物可被离子打掉，而在侧壁上的二次沉积物未受到离子的轰击，可以保留下来阻隔刻蚀表面与反应气体的接触、使得侧壁不受刻蚀，所以采用这种方式可以获得非等向性的刻蚀效果。当应用于法刻蚀时，主要应注意刻蚀速率、均匀度、选择比及刻蚀轮廓等因素。

光纤激光打标机说明书

SD-20A 光纤激光打标机使用说明书安装、使用产品前请阅读使用说明

感谢您使用珊达科技公司光纤激光打标机! 请在使用光纤激光打标机前仔阅读此说明书! 第一章概述 1.1光纤激光打标机简介激光打标机是利用激光束在各种物质表面打印上永久的标记。激光打标机的效应主要是： 1、通过激光光能对目标物质表层的蒸发而露出物质深层； 2、通过激光光能导致表层物质的化学物理变化而"刻"出所需图案文字； 3、通过激光光能烧掉部分物质，从而显出所需刻蚀的图案、文字。光纤激光打标机主要由：光纤激光器、振镜（打标头）、软件控制板卡、工控电脑、机箱机柜、放工件的水平台等组成。 1.2光纤激光打标机工作原理是利用光纤激光器产生激光并用光纤导出激光然后配合光学高速扫描振镜进行工件标记的，其核心部件为光纤激光器。光纤激光器采用掺稀土元素的光纤作为增益介质。由于光纤激光器中光纤纤芯很细，在泵浦光的作用下光纤极易形成高功率密度，造成激光工作物质的激光能级“粒子数反转”。因此，当适当加入正反馈回路构成谐振腔便可形成激光振荡。另外由于光纤基质具有很宽的荧光谱，因此，光纤激光器一般都做成可调谐的（既其波长在一定围可以调节），在打标时可以标记出几种颜色（对应材质）。 1.3特点如下： 1.SD-20A光纤激光打标机采用光纤激光器，寿命可达10万小时，性能优越世界排名靠前。光束质量高，为基模（TEM00）输出，聚焦光斑直径不到20um。发散角是半导体泵浦激光器的1/4。单线条更细，特别适用于精细、精密打标。 2.体积小，耗电量小，整机耗电不到500W；置风冷冷却方式，抛弃了笨重的水冷机组，占地面积更小，安装更简便，真正做到了节能和便携。 3.电光转换效率高，简单易用，无须光学调整或维护，结构紧凑，系统集成度高，故障少。 4.无需进行任何维护，使用寿命长，适用于恶劣环境工作。 5.加工速度快，是传统打标机的2-3倍，光学扫描振镜，激光重复频率高，高速无畸变。

大族激光切割机操作_大族激光切割机使用教程

大族激光切割机操作_大族激光切割机使用教程激光机操作规程；一、开机1、接通电源；2、合上工控机后空气开关等待直至显示window；5、选择打标图案（红色*）并勾住下位机工口触发打；②点击打标区域，并在打标区域里显示“TEXT”信；④把时间删除掉，并点击“添加”“修改”“应用”⑤；⑥点击打标区域，并在打标区域里显示“TEXT”信； ⑧把日期删除掉，并点击“添加”“修改”“应用”⑨；b：按住信息的四个角一、开机1、接通电源 2、合上工控机后空气开关等待直至显示windows xp界面， 3、点击han s laser 打标软件（白班：自动；夜班：手动） 4、打开激光器的钥匙开关与电源开关 5、选择打标图案（红色*）并勾住下位机工口触发打标即可二、信息的编辑与修改1、自动信息的编辑①点击编辑文本（FI） ②点击打标区域，并在打标区域里显示“TEXT”信息③点击文本类型选择“日期与时间” ④把时间删除掉，并点击“添加”“修改”“应用”⑤点击编辑文本（FI） ⑥点击打标区域，并在打标区域里显示“TEXT”信息⑦点击文本类型选择“日期与时间” ⑧把日期删除掉，并点击“添加”“修改”“应用”⑨修改所需的字体a：选择要修改的信息

b：按住信息的四个角来扩大或缩小到自己所需的字体即可c：点击保存2、手动信息的编辑①点击编辑文本（FI） ②点击打标区域，并在打标区域里显示“TEXT”信息 ③点击三、关机： 1、关闭激光器电源开关 2、关闭钥匙开关 3、点击开始里的关闭计算机，点击关闭等待屏幕显示可以，关闭时拨下工控机后的空气开关 4、切断电源四、主要参数的作用与调整范围1、激光开延时： ①作用：一个画笔的结束到另一个画笔的开始，开始易形成重点让振镜往前走一段再打开 ②故障显示：开延时值越大，振镜往前走得越多，会出现每个字的开头残缺，反之重点 ③默认值：适用范围1--60 2、激光关延时 ①作用：笔画最后一个指令给出后，因振镜存在滞后性，要过一段时间才能到达指定位置 ②故障显示：关延时值越大，说明振镜已充分到达此时笔画，末尾会出现重点，反之笔画末尾残缺 ③默认值：300us，适用范围0--1000us 3、跳转延时：

MEMS深硅刻蚀工艺研究报告

学院：机械与材料工程学院班级：机械14-5 姓名：学号：指导教师：目录 1、背景................................................................................. (3) 2、ICP干法刻蚀原理 (6) 3、ICP刻蚀硅实验 (8)

3.1、光刻工艺 3.2、ICP刻蚀硅工艺背景一、什么是MEMS 微机电系统（MEMS, Micro-Electro-Mechanical System），也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，是指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置，其内部

结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统。主要由传感器、动作器（执行器）和微能源三大部分组成。MEMS是在微电子技术（半导体制造技术）基础上发展起来的，融合了光刻、腐蚀、薄膜、LIGA、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等技术制作的高科技电子机械器件。微机电系统是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统。MEMS是一项革命性的新技术，广泛应用于高新技术产业，是一项关系到国家的科技发展、经济繁荣和国防安全的关键技术。二、MEMS用途 MEMS侧重于超精密机械加工，涉及微电子、材料、力学、化学、机械学诸多学科领域。它的学科面涵盖微尺度下的力、电、光、磁、声、表面等物理、化学、机械学的各分支。 MEMS是一个独立的智能系统，可大批量生产，其系统尺寸在几毫米乃至更小，其内部结构一般在微米甚至纳米量级。常见的产品包括MEMS加速度计、MEMS麦克风、微马达、微泵、微振子、MEMS光学传感器、MEMS压力传感器、MEMS陀螺仪、MEMS湿度传感器、MEMS气体传感器等等以及它们的集成产品。三、刻蚀工艺用途刻蚀技术（etching technique），是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路

普瑞玛激光切割说明书

普瑞玛激光切割机说明书普瑞玛激光切割机可加工范围3000*1500毫米，最大定位速度每分钟140米，最大钣材中了800公斤，发生器功率2500W，3000W，及4000W，最大加速度6G所谓激光切割就是将激光束照射到工件表面时释放的能量来使工件融化并蒸发，以达到切割和雕刻的目的，具有精度高，切割快速，不局限于切割图案限制，自动排版节省材料，切口平滑，加工成本低等特点，讲逐渐改进或取代于传统的切割工艺设备。激光源一般用晶体或二氧化碳激光束，所需要的功率也不是很大,一般在几十瓦到几百瓦左右只和普通的家用电器的功率差不多,一般在切割的时候还配备有告诉风冷或水冷设备,能是工件在加工的时候更加的稳定.意大利普瑞玛激光切割机主要由六个部件组成：机架，光路系统（激光机），电路，工作平台，水路，操作软件。普瑞玛激光切割机原理

激光是一种光，与自然界其电发光一样，是由原子(分子或离子筝)跃迁产生的，而且是自发辐射引起勺。激光虽然是光，但它与普通光明显不同是激光仅在最初极短的时间内依赖于自发辐射，此后的过程完全由激辐射决定，因此激光具有非常纯正的颜色，几乎无发散的方向性,雕刻机，极高的发光强度。激光同时又具有高相干性、高强度性、高方向性，激光通过激光器产生后由反射镜传递并通过聚集镜照射到加工物品上，使加工物品（表面）受到强大的热能而温度急剧增加，使该点因高温而迅速的融化或者汽化，配合激光头的运行轨迹从而达到加工的目的。激光加工技术在广告行业的应用主要分为：激光切割、激光雕刻两种工作方式，对于每一种工作方式，我们在操作流程中有一些不尽相同的地方。激光雕刻：主要是在物体的表面进行，分为位图雕刻和矢量雕刻两种：位图雕刻：我们先在PHOTOSHOP里将我们所需要雕刻的图形进行挂网处理并转化为单色BMP格式，而后在专用的激光雕刻切割软件中打开该图形文件。根据我们所加工的材料我们进行合适的参数设置就可以了，而后点击运行，激光雕刻机就会根据图形文件产生的点阵效果进行雕刻。矢量雕刻：使用矢量软件如Coreldraw，AutoCad，Iluustrator等排版设计，并将图形导出为PLT，DXF，AI格式,打标机，然后再用专用的激光切割雕刻软件打开该图形文件，传送到激光雕刻机里进行加工。在广告行业主要适用于木板、双色板、有机玻璃、彩色纸等材料的加工。普瑞玛激光切割：我们可以理解为是边缘的分离。对这样的加工目的，我们应该先在CORELDRAW、AUTOCAD里将图形做成矢量线条的形式,气动打标机，然后存为相应的PLT、DXF格式，用激光切割机操作软件打开该文件，根据我们所加工的材料进行能量和速度等参数的设置再运行即可。

深硅刻蚀工艺原理

硅蚀刻工艺在MEMS中的应用文章来源：本站原创点击数：97 录入时间：2006-4-7 减小字体增大字体 Dave Thomas / Trikon Technologies，Newport，Wales，United Kingdom 本文介绍了在现代微机电系统（MEMS；Micro Electro-Mechanical System）制造过程中必不可少的硅蚀刻流程，讨论了蚀刻设备对于满足四种基本蚀刻流程的要求并做了比较，包括块体（bulk）、精度（pre cision）、绝缘体上硅芯片（SOI；Silicon On Insulator）及高深宽比的蚀刻（high aspect ratio etching）等。并希望这些基本模块能衍生出可提供具备更高蚀刻率、更好的均匀度、更平滑的蚀刻侧壁及更高的高深宽比的蚀刻能力等蚀刻设备，以满足微机电系统的未来发展需求。微机电系统是在芯片上集成运动件，如悬臂（cantilever）、薄膜（membrane）、传感器（sensor）、反射镜（mirror）、齿轮（gear）、马达（motor）、共振器（resonator）、阀门（valve）和泵（pump）等。这些组件都是用微加工技术（micromachining）制造的。由于硅材料的机械性及电性众所周知，以及它在主流IC制造上的广泛应用，使其成为微加工技术的首要选择材料。在制造各式各样的坑、洞、齿状等几何形状的方法中，湿式蚀刻具有快速及低成本的优势。然而，它所具有对硅材料各方向均以相同蚀刻速率进行的等向性（isotropic）蚀刻特性、或者是与硅材料的晶体结构存在的差异性、产生不同蚀刻速率的非等向性（a nisotropic）等蚀刻特性，会限制我们在工艺中对应用制造的特定要求，例如喷墨打印机的细微喷嘴制造（非等向性蚀刻特性总会造成V形沟槽，或具锥状（tapered walls）的坑洞，使关键尺寸不易控制）。而干式蚀刻正可克服这个应用限制，按照标准光刻线法（photolithographic）的光罩所定义的几何图案，此类干式蚀刻工艺可获取具有垂直侧壁的几何图案。举例来说，通常要蚀刻定义出较大尺寸的组件，如电容式加速微传感器（capacitive accelerometers）。通常我们会优先考虑湿式蚀刻方式，但对于需要更精确尺寸控制、或是整体尺寸需微缩的组件的制造，则会考虑选择采用干式蚀刻来达到工艺要求。硅蚀刻广泛应用的硅蚀刻方法，是起源于德国Robert Bosch公司开发的非等向性硅蚀刻工艺方法，被称为Bosch 气体交替技术（Bosch gas-switching technique）[1]。利用具有非等向性蚀刻反应的等离子源，与通过反应形成高分子蔽覆层（polymeric passivation layer）的另一种等离子源，两者反复交替进行的方法，以达到硅蚀刻的工艺要求。常用的在硅蚀刻生产过程中的气体选择，多是采用SF6（六氟化硫），因其可在能量只有2 0eV的条件下即可分解出6个氟原子，而这些氟原子会继续与Si反应形成挥发性SiF4（四氟化硅）。理论上，已定义几何图案的6寸硅晶圆占据了大约15%的裸片面积，设定等离子反应室内压力>30mtorr、SF6

激光雕刻机使用说明书讲解-共41页

前言感谢您购买正天数控激光雕刻机,该设备是光、机、电一体化的高科技产品。为了您能更好的使用及维护该设备,请仔细阅读说明书,并按照说明书的步骤操作。本手册详尽介绍了设备的特点、结构、安装调试、操作流程及日常维护保养与安全注意事项等方面的知识。选用本公司配套ACE软件的用户,请在“软件使用手册”中查看软件的使用方法及具体参数。使用时如有解决不了的故障,请与本公司当地售后服务中心联系,我们时刻为您贴心服务。重要声明! 因使用不当或不遵守操作规程引起的任何损失,公司概不负责。本手册最终解释权归北京开天科技××公司所有,公司保留修改本手册中一切资料、数据、技术细节等的权利。北京正天恒业数控技术××公司 2019.01.06 安全注意事项 ★在操作设备之前,用户务必认真阅读本操作手册,严格遵守操作规程。 ★激光加工可能存在风险,用户应慎重考虑被加工对象是否适合激光作业。 ★加工对象及排放物应符合当地的法律、法规要求。 ★本设备使用四类激光器(强激光辐射,该激光辐射可能会引起以下事故:①点燃周边的易燃物;②激光加工过程中,因加工对象的不同可能会产生其它的辐射及有毒、有害气体;③激光辐射的直接照射会引起人体伤害。因此,设备使用场所必须配备消防器材,严禁在工作台及设备周围堆放易燃、易爆物品,同时务必保持通风良好。

★设备所处环境应干燥,无污染、无震动、无强电、强磁等干扰和影响。工作环境温度10-35℃,工作环境湿度5-95%(无凝水。 ★设备工作电压:AC220V,50HZ。当电网电压不稳或不匹配时,禁止开机。 ★雕刻机及其相关联的其它设备都必须安全接地,方可开机操作。 ★设备在开机状态下,必须有专人值守,如出现异常状况应立即切断所有电源,并积极采取相应措施;人员离开前必须切断所有电源,严禁擅自离开。 ★严禁在设备中放置任何不相干的全反射或漫反射物体,以防激光反射到人体或易燃物品上。 ★设备应远离对电磁干扰敏感之电气设备,可能对其产生电磁干扰。 ★激光设备内部有高压或其它潜在的危险,非专业人员严禁拆卸。 D系列激光雕刻机使用说明及维护手册I 目录第一章D系列激光雕刻机简介 (1 1.1. 机器外观 (1 1.2. 随机配件 (2 1.3. 产品特点 (2 1.4. 主要技术参数 (3 1.5. 计算机配置要求 (5 第二章机器的安装调试 (6 2.1. 激光器的安装 (6

刻蚀工艺

硅片工艺程
集成电路工艺之
Materials
IC Fab Metallization CMP Dielectric deposition Test
Wafers
刻蚀
Thermal Processes Masks
Implant
Etch PR strip
Packaging
Photolithography Design
Final Test
刻蚀
1、基本介绍 2、湿法刻蚀 3、干法刻蚀 4、刻蚀工艺
刻蚀的定义
基于光刻技术的腐蚀：刻蚀湿法称腐蚀？干法称刻蚀？将光刻胶上的IC设计图形转移到硅片表面腐蚀未被光刻胶覆盖的硅片表面，实现最终的图形转移化学的，物的或者两者的结合

栅极光刻对准
栅极光刻掩膜
光刻胶多晶硅
STI P-Well
USG
栅极光刻曝光
Gate Mask
显影/后烘/检验
Photoresist Polysilicon STI P-Well USG STI
PR Polysilicon USG P-Well

多晶硅刻蚀（1）
Polysilicon
多晶硅刻蚀（2）
Gate Oxide Polysilicon
PR STI P-Well USG STI
PR USG P-Well
去除光刻胶
Gate Oxide Polysilicon
离子注入
Gate Oxide Dopant Ions, As Polysilicon
+
STI P-Well
USG
STI
n+ P-Well
n+
USG Source/Drain

紫外激光的刻蚀应用讲解

紫外激光的刻蚀应用摘要：文章介绍了紫外激光的产生机理，以及紫外激光加工的特点和优势，举例说明了紫外激光刻蚀的应用及优势。关键词：紫外；激光；刻蚀随着对小型电子产品和微电子元器件需求的日益增长，紫外激光是加工微电子元器件中被普遍使用的塑料和金属等材料的理想工具。固态激光器最新技术推动了新一代结构紧凑、全固态紫外激光器的发展，从而使之成为这个领域中更经济有效的加工手段。 1、紫外激光的产生[1-2] 355nm 紫外激光由 1064nm Nd ∶ YAG 激光的三次谐波获得 ,具体技术途径是用二次谐波晶体腔内倍频1064nm 基波产生 532nm 二次谐波, 基波和谐波再经三次谐波晶体腔内混频产生 355nm 三次谐波。 1、1简单理论三次谐波的产生分为两个部分，在第一个晶体中，部分 1064nm 基波辐射转换为二次谐波(532nm)；接着，在第二个晶体中，未转换的基波辐射与二次谐波和频产生三次谐波。在非线性晶体中混频的方程式为： *1132111exp()2 dE jK E E j k z E dz γ=--??- *2231221exp()2 dE jK E E j k z E dz γ=--??- *3312331exp()2 dE jK E E j k z E dz γ=-??- 此处的 E j 项为以频率 ωj 在 z 方向上传播的波的综合电矢，ω3=ω1+ω2，波 j 的电场是 E j exp(i ωj t-ik j z)的实数部分，相位失配?k =k 3-(k 1+k 2)正比于相位匹配方向上光路的偏离量?θ，γ1 项为吸收系数。对于三倍频，有 ω2=2ω1，ω3=3ω1，K 2≈2K 1，K 3≈3K 1。为了提高倍频效率及和频光的功率输出，我们要尽量满足位相匹配条件：?k =0。令参量 S 为三倍频晶体中二次谐波功率与总功率之比： 22/()S P P P ωωω=+ 如果以 ω 和 2ω 输入的光子匹配为 1:1，则有 P ω+P2ω 及 S=0.67，理论上在小信号近似情况下，输入光束都能转换为三次谐波。 1、2实验装置实验装置如图 1 所示。Nd:YVO4 晶体采用 a 轴切割，掺钕浓度为1%，尺寸为3mm ×3mm ×2mm ，一面镀1064nm/532nm 双波长高反膜作为输入镜，另一面镀 808nm 增透膜。输出镜 M 曲率半径为 100mm ，凹面镀 1064nm/532nm 高反膜及 355nm 增透膜，平面镀355nm 高透膜。

激光切割机工艺手册

第一章激光切割方法 1.1 激光熔化切割在激光熔化切割中，工件被局部熔化后借助气流把熔化的材料喷射出去。因为材料的转移只发生在其液态情况下，所以该过程被称作激光熔化切割。激光光束配上高纯惰性切割气体促使熔化的材料离开割缝，而气体本身不参于切割。 ——激光熔化切割可以得到比气化切割更高的切割速度。气化所需的能量通常高于把材料熔化所需的能量。在激光熔化切割中，激光光束只被部分吸收。 ——最大切割速度随着激光功率的增加而增加，随着板材厚度的增加和材料熔化温度的增加而几乎反比例地减小。在激光功率一定的情况下，限制因数就是割缝处的气压和材料的热传导率。 ——激光熔化切割对于铁制材料和钛金属可以得到无氧化切口。 ——产生熔化但不到气化的激光功率密度，对于钢材料来说，在104W/cm2～105 W/cm2之间。 1.2 激光火焰切割激光火焰切割与激光熔化切割的不同之处在于使用氧气作为切割气体。借助于氧气和加热后的金属之间的相互作用，产生化学反应使材料进一步加热。由于此效应，对于相同厚度的结构钢，采用该方法可得到的切割速率比熔化切割要高。另一方面，该方法和熔化切割相比可能切口质量更差。实际上它会生成更宽的割缝、明显的粗糙度、增加的热影响区和更差的边缘质量。 ——激光火焰切割在加工精密模型和尖角时是不好的（有烧掉尖角的危险）。可以使用脉冲模式的激光来限制热影响。 ——所用的激光功率决定切割速度。在激光功率一定的情况下，限制因数就是氧气的供应和材料的热传导率。 1.3 激光气化切割在激光气化切割过程中，材料在割缝处发生气化，此情况下需要非常高的激光功率。为了防止材料蒸气冷凝到割缝壁上，材料的厚度一定不要大大超过激光光束的直径。该加工因而只适合于应用在必须避免有熔化材料排除的情况下。该加工实际上只用于铁基合金很小的使用领域。该加工不能用于，象木材和某些陶瓷等，那些没有熔化状态因而不太可能让材料蒸气再凝结的材料。另外，这些材料通常要达到更厚的切口。

大功率激光切割机G3015日常操作规范

G3015激光切割机维护、保养指南综述为了保证G3015激光切割机的正常使用,必须对设备进行日常保养和维护。由于整个机床采用高精密的部件组合而成，在日常维护过程中必须格外小心，严格按照各部分的操作规程进行，并且由专人进行维护，不得野蛮操作，以免损坏元器件。一般准则用最适合的润滑剂来进行专业润滑是保持机床质量的前提。这样可以避免运行故障及其后果。在这个意义上应当注意下述注意事项。润滑注意事项：机床的润滑根据润滑图和对润滑图的说明进行。此外还要注意下面各点：加油和排放口不要超过规定时间打开，并经常保持清洁。擦洗油槽和润滑点只准使用没有纤维屑的擦布，不要使用废羊毛，不要使用煤油和汽油，而要使用稀薄液体状态的主轴润滑油("喷射润滑油")。不允许将合成润滑油与矿物油或其他厂家生产的合成油混合使用。即便是对于其他厂家生产的同等特性的合成油也是如此。废油只能在暖机状态下排放。必须特别重视废油的无害处理。清洗注意事项：必须在规定的时间间隔内全面清洗整个设备。明显的污垢可以擦洗，或用工业吸尘器吸除。安全提示：当进行养护工作时必须通过主开关来关闭机床，将其关闭并且把钥匙拔下。必须严格遵守安全规定，以便避免发生事故。用户应常备的维护备品如下： a. 丙酮：纯度99.5％，水少于0.3％，容量500ml一瓶。 b. 脱脂棉：5包。 c. 酒精：500ml，纯度99.5％以上。 d. 镜头纸：5本。 e. 吹气小球：一个。 f. 滴管针：一个（医用）。 g. 有机玻璃：200×300×20。 h. 砚台(红色)：一块。 i. 棉棒：两包。 j. 万用表：一只。基本维护按下表操作：

激光切割机使用说明书

激光切割机使用说明书 BYL-3015-B 北京万通博瑞金属加工有限公司前言很荣幸您购买我公司的产品，成为我公司的用户。本说明所描述的是我公司生产的型号为BYL-3015-B的金属激光切割机。本说明书详细介绍了切割机的安装，使用方法及相关维护步骤。在您使用本机器前请注意以下事项：建议每一位与本机器有关的工作人员（维修、操作、日常维护、定点检查人员）都要阅读这本说明书；操作者应具备相关的技术培训，或有专人指导；如果您能遵循说明书中的提示，不仅可以避免危险事故，降低维修费用，减少停机检修时间，还可以提高机器的工作效率和使用寿命；说明书应保存好以供随时查阅。注意：使用激光切割机前请详细阅读本说明，用户错误操作可能引起设备运行不良、设备损坏甚至造成人身伤害。警告：本切割机所用激光为不可见光，不可直视，否则可能造成眼睛伤害，使用时请佩戴护目镜。目录前言2 第一章简介 1.1 主要用途及特点 (4) 1.2 适用范围 (4) 1.3 产品型号及意义 (5)

第二章主要规格与技术参数 (5) 第三章产品的主要结构与原理 (6) 第四章产品的工作条件 (6) 第五章产品的系统说明 5.1 机械与传动系统 (7) 5.2 电气系统 (9) 5.3 气动系统 (10) 5.4 光学系统 (10) 5.5 水冷系统 (11) 5.6 切割头 (11) 第六章吊运与保管 6.1 开箱 (11) 6.2 机床的吊运与保管 (11) 第七章安装与调试 7.1 安装 (13) 7.2 调试 (13) 第八章使用与说明 8.1 安全使用 (14) 8.2 操作使用步骤 (15) 综述 (16) 9.2 日常维护与保养 (16) 9.3 运行时的维护与保养 (17) 9.4 长期停放的维护与保养 (17) 第十章常见故障及其排除方法 (18)

激光切割机图示说明

⑵控制按键的两个部分：图一、操控手柄。

图二、屏幕右侧按键。停止自动操作如自动交换工作台释放切割头

大族激光切割工艺p参数

大族激光切割工艺p参数， [table=98%] [tr][td=3,1,604] 切割层1(CUT1)工艺参数 [/td][/tr] [tr][td=63] P100 [/td][td=220] 切割速度 [/td][td=321] 单位: mm/min [/td][/tr] [tr][td=63] P101 [/td][td=220] 切割激光功率 [/td][td=321] 单位: 瓦（W） [/td][/tr] [tr][td=63] P102 [/td][td=220] 最小切割激光功率百分比 [/td][td=321] 单位: 0-100% [/td][/tr] [tr][td=63] P103 [/td][td=220] 切割激光模式（CS/PRC激光器） [/td][td=321] 1=连续, 2=门脉冲(CS/PRC激光器) [/td][/tr] [tr][td=63] P104 [/td][td=220] 切割脉冲频率 [/td][td=321] 1～8:对应激光器上设置的激光脉冲频率(CS/ROFIN激光器) 0-999Hz PRC激光器) [/td][/tr] [tr][td=63] P105

切割脉冲占空比(PRC激光器) [/td][td=321] 1-100% [/td][/tr] [tr][td=63] P106 [/td][td=220] 切割喷嘴高度 [/td][td=321] 单位: [tr][td=63] P107 [/td][td=220] 切割气体压力 [/td][td=321] 单位: [/td][/tr] [tr][td=63] P108 [/td][td=220] 切割气体类型 [/td][td=321] 1=空气, 2=氧气, 3=氮气 [/td][/tr] [tr][td=63] P109 [/td][td=220] 切割头是否提升 [/td][td=321] 单位: 0-50mm [/td][/tr] [tr][td=3,1,604] 穿孔(PIERCE)工艺参数 [/td][/tr] [tr][td=63] P110 [/td][td=220] 穿孔方式 [/td][td=321] 0-3（穿孔方式）;0=不穿孔;1=正常穿孔;2=渐进式穿孔;3=强力穿孔 [/td][/tr] [tr][td=63] P111 [/td][td=220] 穿孔激光功率

RD激光切割软件说明书

RD 激光切割软件使用说明书 RD激光切割软件分两种软件类型, 一种是基于CorelDraw的直接输出软件(以下简称: CorelDraw_Laser), 另一种是基于AutoCAD的直接输出软件(以下简称:AutoCAD_Laser). 下面依次对它们进行介绍: 一.CorelDraw_Laser的介绍. 1.1CorelDraw_Laser的特点主要用于运动控制, 是激光运动控制的重要组成部分, 通过计算机实现对激光数控机床的有效控制, 根据用户的不同要求完成加工任务. 它具有以下功能及特点: 1.CorelDraw_Laser是安装于CorelDraw的一个插件模块, 间接利用了CorelDraw的强大的绘图编辑功能, 如: 缩放, 旋转. 2.支持CorelDraw所支持的几乎所有文件格式, 包括矢量格式(如: PLT, AI)和位图格式(如:BMP). 3.通过CorelDraw_Laser模块自身的导入功能能够支持DST,DSB文件格式(CoreDraw自身不支持) 4.利用CorelDraw的导入功能支持文件合成功能, 使多个文件一次性输出加工. 1.2环境要求 1.CPU 586 以上，建议PIII 或PV 以上 2.内存，建议使用256M 以上 3.Windows2000/XP, 建议使用XP操作系统 4.支持CoreDraw11 和CoreDraw12软件 1.3安装与启动 1.3.1安装 1.安装CorelDraw_Laser前保证电脑已经安装了CorelDraw11或CorelDraw12, 若没有安装, 则先安装CorelDraw11 或CorelDraw12到你的电脑. 2.打开CorelDraw11 或CorelDraw12 , 完成安装前的配置. 图1-1 ⑴如图1-1所示, 进入CorelDraw主界面, 选择CorelDraw菜单工具->选项, 弹出界面如图1-2所示:

硅的干法刻蚀简介

https://www.360docs.net/doc/286462374.html, → 着硅珊ＭＯＳ器件的出现，多晶硅渐渐成为先进器件材料的主力军。除了用作ＭＯＳ栅极之外多晶硅还广泛应用于ＤＲＡＭ的深沟槽电容极扳填充，闪存工艺中的位线和字线。这些工艺的实现都离不开硅的干法刻蚀技术其中还包括浅槽隔离的单晶硅刻蚀和金属硅化物的刻蚀。为了满足越来越苛刻的要求，业界趋向于采用较低的射频能量并能产生低压和高密度的等离子体来实现硅的干法刻蚀。感应耦合等离子刻蚀技术（ＩＣＰ）被广泛应用于硅及金属硅化物刻蚀，具有极大技术优势和前景。它比典型的电容耦合（ＣＣＰ）等离子刻蚀技术高出１０￣２０倍。此外，其对离子浓度和能量的独立控制扩大了刻蚀工艺窗口及性能。硅栅（Ｐｏｌｙ　Ｇａｔｅ）的干法刻蚀：随着晶体管尺寸的不断缩小对硅栅的刻蚀就越具有挑战性。这种挑战体现在对关键尺寸（ＣＤ）及其均匀性的控制，即对栅氧化层选择比的提高，对剖面轮廓的一致性控制以及减少等离子导致的损伤。因为受到光刻线宽的限制，为达到最后的ＣＤ　线宽要求往往需要先对光阻进行缩小处理，然后进一步往下刻蚀。ＢＡＲＣ打开后，再以光阻为阻挡层将ＴＥＯＳ　打开。　接着把剩余的光阻去除，再以ＴＥＯＳ作为阻挡层对硅栅进行刻蚀。为了保护栅极氧化层不被损伤，通常要把硅栅的刻蚀分成几个步骤：主刻蚀、着陆刻蚀和过刻蚀。主刻蚀通常有比较高的刻蚀率但对氧化硅的选择比较小。通过主刻蚀可基本决定硅栅的剖面硅的干法刻蚀简介应用材料中国，葛强轮廓和关键尺寸。着陆刻蚀通常对栅极氧化层有比较高的选择比以确保栅极氧化层不被损伤。一旦触及到栅极氧化层后就必须转成对氧化硅选择比更高的过刻蚀步骤以确保把残余的硅清除干净而不损伤到栅极氧化层。ＣＬ２，ＨＢｒ，ＨＣＬ是硅栅刻蚀的主要气体，ＣＬ２和硅反应生成挥发性的ＳｉＣｌ４而ＨＢｒ和硅反应生成的ＳｉＢｒ４　同样具有挥发性。通常会在这些主刻蚀气体中加入小流量的氧气，一方面是为了在侧壁生成氧化硅从而增加对侧壁的保护；另一方面也提高了对栅极氧化层的选择比。在标准的ＩＣＰ双耦合刻蚀腔体中，ＨＢｒ－Ｏ２的组合通常能达到大于１００：１的选择比。为了避免伤及栅极氧化层，任何带Ｆ基的气体如ＣＦ４，ＳＦ６，ＮＦ３都不能在过刻蚀的步骤中使用。浅沟槽（ＳＴＩ）的干法刻蚀：在０．２５ｕｍ和以下的技术节点中，浅沟槽隔离技术被广泛应用。　因为它在减小表面积的同时提供更加有效的隔离。作为沟槽硅刻蚀的阻挡层可以直接用光阻但更多是采用氮化硅作为硅刻蚀的阻挡层。先用光阻作为氮化硅刻蚀的阻挡层，然后用氧等离子体将剩余的光阻除去，最后以氮化硅为阻挡层完成浅沟槽的刻蚀。浅沟槽刻蚀的难点在于沟槽深度的匀度小于１００仯饩拖嗟庇谛∮？．２５％的均匀性。随着硅片尺寸的增加要达到这样的要求就必须严格控制氮化过刻蚀、ＢＴ刻蚀和浅槽刻蚀的均匀性，每一步都会对最后的结果产生影响。其次为了满足沟槽隔离氧化物的填充要求，剖面轮廓的控制也是非常重要的环节。因随为太垂直的轮廓不利于ＨＤＰＣＶＤ的沉积，所以通常会要求适当的倾斜度。另外随着工艺尺寸的缩小，要求达到更高的深宽比使得剖面轮廓控制和深度均匀性控制受到更大的挑战．。当然ＣＤ　的均匀性和剩余氮化硅的均匀性也是重要的技术指标。ＣＬ２和ＨＢｒ依然是浅沟槽的刻蚀的主要气体，再配合小流量的氧气和氮气来产生氮氧化硅形成侧壁钝化层从而达到理想的刻蚀剖面轮廓。氦气和氩气通常用作辅助稀释的作用。另外浅槽底部轮廓同样影响到氧化物的填充。采用ＣＬ２　做为主刻蚀的气体容易形成比较直的剖面轮廓和凸型的底部轮廓。采用ＨＢｒ　作为主刻蚀气体能得到比较斜的剖面轮廓和凹形的底部轮廓。在实际生产中经常会遇到硅刻蚀的反应物没有被及时的清洗从而导致产品被污染的现象。这是因为硅片完成刻蚀离开反应腔时，在硅片的表面还有大量的Ｃｌ　和Ｂｒ　残留。　它们具有较强的挥发性。当硅片暴露在空气中，空气中的水汽和ＣＬ、Ｂｒ形成ＨＣＬ和　ＨＢｒ。这些酸性物质会腐蚀和它们接触的表面形成一定程度的污染。为了防止这样的现象发生可以采用Ｏ２等离子清除表面的残留，或者利用腔体净化功能减少污染源。另外还应尽量减少硅片暴露在空气中的时间，尽快洗去表面污染物。随着关键尺寸的不断缩小和硅片尺寸的扩大。先进的３００ｍｍ　硅刻蚀工艺腔体的气体和温度多采用内圈和外圈独立的控制以满足苛刻的工艺要求。可变的腔体尺寸也是业界的方向之一。腔体内环境的控制和不同硅片的一致性控制也是生产中最常遇到的问题。

打标机说明书-中文

感谢您购买本公司产品,请您在使用设备之前,详细阅读本说明书. 1、简介激光打标是利用激光的高能量作用于工件表面，使工件表面达到瞬间气化，并按预定的轨迹，刻写出具有一定深度的文字、图案。 HGL—LSY50型系列激光打标机是利用波长为1064nm的固体YAG激光，通过控制振镜的偏转来达到标刻的目的。激光振镜打标具有标记速度快、连续工作稳定性好、软件功能强、定位精度和重复精度高等优点，广泛应用于集成电路芯片、电脑配件、工业轴承、钟表、电子及通讯产品、航天航空器件、各种汽车零件、家电、五金工具、电线电缆、食品包装、首饰、烟草等众多领域的图形和文字的标记。型号说明： HGL—LSY50F 表示进口振镜头激光器输出功率

YAG激光器振镜打标机表示为中小功率激光设备华工激光主要技术参数：激光波长：1064 nm 激光器输出功率：50W 声光调制频率：500 ~ 20 kHz 最大直线刻写速度：3000 mm/s, 视材料标刻范围：70*70mm(110*110mm,220*220 mm) 重复精度：0.02 mm 定位精度：0.02 mm 标刻线深：0.05 ~ 0.1 mm 供电：三相~ 380V、4.5 KVA 2、激光打标机工作原理激光电源产生瞬间高压（约2万伏）触发氪灯，并以预设定电

流维持，氪灯点燃；当工作电流达到阈值，光腔输出连续激光；调Q器件对连续激光进行腔内调制，产生准连续激光（频率可调），以提高输出激光的峰值功率；输出激光通过由计算机控制的振镜反射偏转，经F-θ透镜聚集到工作表面，形成高功率密度光斑（约106 w/mm2）使工件表面瞬间气化，刻蚀出一定深度的图案文字。 3、HGL-LSY50激光振镜打标机的构成及各部件功能 3．1 总则 HGL—LSY50型激光振镜打标机是由氪灯泵浦的固体YAG激光打标机，它主要由五部分组成，即：激光器系统、声光调制系统、振镜扫描系统、计算机控制系统及冷却系统，外形结构如图一所示。