电子衍射标定
电子衍射花样的标定方法

电子衍射花样的标定方法1.标准花样对照法这种方法只适用于简单立方、面心立方、体心立方和密排六方的低指数晶带轴。
因为这些晶系的低指数晶带的标准花样可以在有的书上查到,如果得到的衍射花样跟标准花样完全一致,则基本上可以确定该花样。
不过需要注意的是,通过标准花样对照法标定的花样,标定完了以后,一定要验算它的相机常数,因为标准花样给出的只是花样的比例关系,而对于有的物相,某些较高指数花样在形状上与某些低指数花样十分相似,但是由两者算出来的相机常数会相差很远。
所以即使知道该晶体的结构,在对比时仍然要小心。
2.尝试-校核法a)量出透射斑到各衍射斑的矢径的长度,利用相机常数算出与各衍射斑对应的晶面间距,确定其可能的晶面指数;b)首先确定矢径最小的衍射斑的晶面指数,然后用尝试的办法选择矢径次小的衍射斑的晶面指数,两个晶面之间夹角应该自恰;c)然后用两个矢径相加减,得到其它衍射斑的晶面指数,看它们的晶面间距和彼此之间的夹角是否自恰,如果不能自恰,则改变第二个矢径的晶面指数,直到它们全部自恰为止;d)由衍射花样中任意两个不共线的晶面叉乘,即可得出衍射花样的晶带轴指数。
尝试-校核法应该注意的问题对于立方晶系、四方晶系和正交晶系来说,它们的晶面间距可以用其指数的平方来表示,因此对于间距一定的晶面来说,其指数的正负号可以随意。
但是在标定时,只有第一个矢径是可以随意取值的,从第二个开始,就要考虑它们之间角度的自恰;同时还要考虑它们的矢量相加减以后,得到的晶面指数也要与其晶面间距自恰,同时角度也要保证自恰。
另外晶系的对称性越高,h,k,l之间互换而不会改变面间距的机会越大,选择的范围就会更大,标定时就应该更加小心。
3.查表法(比值法)-1a)选择一个由斑点构成的平行四边形,要求这个平行四边形是由最短的两个邻边组成,测量透射斑到衍射斑的最小矢径和次小矢径的长度和两个矢径之间的夹角r1, r2,θ;b)根据矢径长度的比值r2/r1 和θ角查表,在与此物相对应的表格中查找与其匹配的晶带花样;c)按表上的结果标定电子衍射花样,算出与衍射斑点对应的晶面的面间距,将其与矢径的长度相乘看它等不等于相机常数(这一步非常重要);d)由衍射花样中任意两个不共线的晶面叉乘,验算晶带轴是否正确。
电子衍射谱的标定

第二章 电子衍射谱的标定2. 1透射电镜中的电子衍射透射电镜中的电子衍射基本公式为:λL Rd =R 为透射斑到衍射斑的距离(或衍射环半径),d 为晶面间距,λ为电子波长,L 为有效相机长度。
p i M M f L 0=0f 为物镜的焦距,i M 中间镜放大倍数,p M 投影镜的放大倍数,在透射电镜 的工作中,有效的相机长度L ,一般在照相底板中直接标出,各种类型的透射电镜标注方法不同,λ为电子波长,由工作电压决定,工作电压一般可由底板标注确定,对没有标注的早期透射电镜在拍摄电子衍射花样时,记录工作时的加速电压,由电压与波长对应表中查出λ。
K L =λK 为有效机相常数,单位A mm ,如加速电压U =200仟伏,则A 21051.2-⨯=λ,若有效相机长度mm L 800=,则A mm K 08.201051.28002=⨯⨯=-透射电镜的电子衍射有效相机常数确定方法: 电子衍射有效相机常数确定方法,一般有三种方法 ①按照相底片直接标注计算:H -800透射电镜的电子衍射底片下方有一列数字,如: 0.80 91543 4A 90.5.21;0.80表示有效相机长度mm M L 8008.0==,91543为片号,4A 其A 表示工作电压200千伏查表知电子波长A 21051.2-⨯=λ则有效相机常数K 为:A mm L K 08.201051.28002=⨯⨯==-λH -800透射电镜中,电子衍射底片第一个数字为相机长度如:0.80,0.40,……第三个数字为工作电压U ,分别为4A ,4b ,4c ,4d ,相对应的工作电压分别为200,175,150,100千伏,对应的电子波长分别为:22221070.3,1095.2,1071.2,1051.2----⨯⨯⨯⨯埃。
由电镜有关参数确定的相机常数是不精确的,常因电镜中电气参数变化而改变,产生一些误差,电镜工作者常要根据经验作些修正。
②用金Au 多晶环状花样校正相机常数例如喷金Au 多晶样品在H -800透射电镜下拍摄多晶环状花样,如照片上标注为0.40 92298 4A 90.11.21知有效相机长度L =0.4M =400mm工作电压为200仟伏 电子波长为:A 21051.2-⨯=λ由仪器确定的相机常数A mm L K 04.10==λ 测量底片上4个以上环半径K d R i =计算出相应的i d查面心立方Au 的d 值表,找出与上述i d 相近的d 及其晶面指数d i 2.231 1.912 1.385 1.181 d hkl 2.335 2.039 1.442 1.230 hkl1110020221.13按公式R i d hkl =K i 求相应的K iR i 4.5 5.25 7.25 8.5 d hkl 2.335 2.039 1.442 1.230 hkl10.6010.7010.5010.50精确的相机常数K 为K i 的平均值44321k k k k K +++==450.1050.1070.1060.10+++=A mm 58.10③已知晶体标准电子衍射谱确定相机常数铝单晶典型电子衍射花样,铝为面心立方,与标准电子衍射谱比较,对电子衍射班点标定分别为: h i k i l i 111 111 220R i 即中心斑点到最邻近衍射斑点距离分别为: R i 9.6 9.6 9.6 16 利用A 1的d 值表查出d hkl hkl 111 111 220d hkl 2.338 2.338 1.432按公式hkl i i d R K =求K i R i (mm ) 9.6 9.6 16)(A d hkl 2.238 2.238 1.432K i 22.8 22.8 22.9求K i 平均值 3321k k k K ++=39.228.228.22++=K )(mm R i 4.55.25 7.25 8.5 )(A d i2.2311.9121.3851.181=A mm 8.222.2多晶环状花样电子衍射分析多晶电子衍射环状花样的R 2比值规律: 立方晶系:K Rd = ∴dKR =K 为相机常数,d 为晶面间距,R 为环半径。
TEM分析中电子衍射花样标定

TEM分析中电子衍射花样标定TEM分析中电子衍射花样的标定是指确定其中的晶格参数和晶体结构。
电子衍射是由于电子束通过晶体时,与晶体中的电子相互作用而散射产生的。
电子束通过晶体时,遇到晶体的晶面时,会发生弹性散射,产生衍射现象。
衍射光束的方向、强度和间距在电子显微镜中可以通过观察电子衍射花样来确定,进而得到晶体的晶格参数和结构信息。
在进行电子衍射花样标定之前,首先需要准备一片单晶样品。
单晶样品的制备是一个关键步骤,需要从熔融状态下使样品高度纯净的晶体生长过程中得到。
然后将单晶样品切割成薄片,通常厚度在几十纳米到一百纳米左右。
进行TEM分析时,需要将薄片放置在透明网格上,并将其放入TEM样品船中。
接下来,将TEM样品船放入TEM仪器中,并进行样品的调准和调节。
在TEM仪器中,通过侧向显示出TEM样品的像,调整样品的倾角和旋转角度,使其与电子束的传输轴垂直以及平行于透明栅中的线。
这样才能观察到电子衍射花样。
接下来是电子衍射花样的标定过程。
首先,将TEM仪器调节到电子衍射模式,并将图像显示在荧光屏上。
然后,调节TEM仪器中的操作控制器,使得样品的电子束以其中一种特定的角度来照射样品。
在进行电子衍射花样标定时,可以首先使用标准单晶样品进行实验。
标准单晶样品的晶格参数和结构已经被广泛研究和报道。
通过将标准单晶样品放入TEM仪器中,来测量其电子衍射花样,并将其与实际观察到的电子衍射花样进行对比和校准。
此外,还可以使用获得的电子衍射花样,与理论模拟的电子衍射图案进行比对。
在进行电子衍射花样的标定时,需要考虑到以下几个因素。
首先,样品的薄度和各向异性。
样品的薄度会影响电子束的穿透和样品的衍射效果。
其次,电子束的聚焦和调整,以获得清晰的电子衍射花样。
最后,还需要注意TEM仪器的标定和校准,以确保获得准确的电子衍射花样。
总结起来,TEM分析中电子衍射花样的标定是一个复杂的过程,需要准备好单晶样品,并在TEM仪器中进行样品的调准和调节。
第112章电子衍射图的标定

-111γ 000
1 1 1 1 11
0 2 20 2 2 0 -2 2
复合斑点
[011]γ
[001- ]α
022γ
011 // 001
-111γ
111γ
110α
000
020α
1-10α
011 // 001
111
//
110
三. 多晶电子衍射图的标定
多晶体是由随机任意排列的微晶或纳米晶组成.
磁转角的大小
若显微镜像相对于样品的磁转角为Φi 衍射斑点相对于样品的磁转角为Φd
• 则 Φ=Φi - Φd
• 用电子衍射确定相结构时,不需要效正磁转角. • 对样品微区进行显微组织和衍射图对应分析时(惯习 面,孪晶面,确定位向关系) 需要效正磁转角. • 效正方法,用外形特征反应晶体位向的MoO3做标样.
2g(hkl)=g(2h,2k,2l). 3g(hkl)=g(3h,3k,3l). g (h1,k1,l1)- g(h2,k2,l2) = g(h1-h2, k1-k2, l1-l1) g (h1,k1,l1)+g(h2,k2,l2) =g(h1+h2, k1+k2, l1+l1)
011
020
031
若s=3 3
3 6 不满足面心立方规律
Bcc 2, 4, 6, 8, 10, 12…… Fcc 3, 4, 8, 11, 12,16 …
α-Fe四方斑点的标定
[001- ]α
110α
000 020α
1- 10α
0 2 0 0 20
1 1 0 1 10 0 0 -2
应用例-菱方斑点奥氏体
菱方斑点
电子衍射及衍射花样标定讲解

❖ 不产生消光的晶面均有机会产 生衍射。
3.多晶体电子衍射花样
花样
➢与X射线衍射法所得花样的几何特征相似,由一系列不同 半径的同心圆环组成,是由辐照区内大量取向杂乱无章的细 小晶体颗粒产生,d值相同的同一(hkl)晶面族所产生的衍射 束,构成以入射束为轴,2θ为半顶角的圆锥面,它与照相底 板的交线即为半径为R=Lλ/d=K/d的圆环。 ➢R和1/d存在简单的正比关系 ➢对立方晶系:1/d2=(h2+k2+l2)/a2=N/a2 ➢通过R2比值确定环指数和点阵类型。
❖微束选区衍射 ----用微细的入射束直接在样品上选择 感兴趣部位获得该微区衍射像。电子束可聚焦很细, 所选微区可小于0.5m 。可用于研究微小析出相和单 个晶体缺陷等。目前已发展成为微束衍射技术。
透射电镜光路图
电子衍射花样特征
单晶
多晶
非晶
准晶(quasicrystals)
分布集合而成一半径为1/d的 园环,因3.此多,晶样体品电各子晶衍粒射花样
[001]
晶带定律:若晶面(hkl)属于晶 带轴[uvw], 则有 hu+kv+lw=0 这就是晶带定理。
已知两晶面,求其晶带轴
如果(h1k1l1)和(h2k2l2)是[uvw]晶带中的两个晶 面,则由方程组 h1u+k1v+l1w=0和h2u+k2v+l2w=0 得出 [uvw]的解是 (这应该是在立方晶体中,因为只有在 立方晶体中与某晶面指数相同的晶向才与该晶面垂 直。)
K=Rd=( )mm.nm
2.电子显微镜中的电子衍射
电子衍射谱标定

u
h
v
M
1
k
w
l
厄瓦德球
布拉格衍射方程:
1 d
2
sin
G
0
1 2
G
—
相
应
于产生衍射的晶
面族hkl
倒
易
矢
量;
、0 分 别 是 衍 射 电 子 束 和 入射 电 子 束 单 位 矢 量 ;
h2k2l2 101
uvw 111
r1 θ r2
r2θ r1
立方和密堆六方结构低指数倒易面标准谱图
立方和密堆六方结构低指数倒易面衍射谱图
面心立方结构的晶帯轴
[011]的衍射谱
密堆六方结构的晶帯轴[100]
或[ 2110]的衍射谱
面心立方结构晶帯轴 [111]的衍射谱
实验中得到某金属的电子衍射 根据附录表格可以确定,符合面 谱如上图所示,实际测量得到: 心立方结构的衍射,结果如下:
Rhkl L tg2
(4)
ghkl dhkl 2 sin ( 5 )
tg2 2 sin
L Rhkl dhkl
(6 )
公式(6)中,λ是电子波长,L是像机长度,Rhkl是荧光屏上衍射斑
到透射斑的距离,dhkl是衍射面的面间距,Lλ称为像机常数,单位 是mmÅ.
一、从衍射谱测量两个最短矢量长度r1和r2及其夹角θ,计算出晶 面间距d1和d2值;
二、对于已知晶体结构,将所得到的晶面间距值与ASTM标准值比对,
得到可能的晶面指数(h1k1l1)和(h2k2l2);
电子衍射标定

21
单晶体电子衍射花样
花样特征 规则排列的衍射斑点。它是过倒易点阵 原点的一个二维倒易面的放大像。 大量强度不等的衍射斑点。有些并不精 确落在Ewald球面上仍能发生衍射,只是 斑点强度较弱。倒易杆存在一个强度分布。
电子衍射标定
赵彪 2012,10,13
1
晶体结构与空间点阵
空间点阵+结构基元=晶体结构 晶面:(hkl),{hkl} 用面间距和晶面法向来 表示 晶向: [uvw], <uvw> 晶带:平行晶体空间同一晶向的所有晶面的 总称 ,[uvw]
2
q
q
A
反射面法线
q E B F
布拉格反射
2d sinq = n l, 2dHKL sinq =l , 选择反射,是产生衍射的必要条件,但不充分
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A C B D
低碳合金钢基体的电子衍射花样
31
图是由某低碳合金钢薄膜样品的区域记录的单晶 花样,以些说明分析方法: 选中心附近A、B、C、D四斑点, 测得RA=7.1mm,RB=10.0mm,RC= 12.3mm,RD=21.5mm,同时用量角器测 得R之间的夹角分别为(RA, RB)=900, (RA, RC)=550, (RA, RD)=710, 求得R2比值为2:4:6:18, RB/RA=1.408, RC/RA=1.732, RB/RA=3.028, 表明样品该区为体心立方点阵,A斑N为2, {110},假定A为(1-10)。B斑点N为4,表明 属于{200}晶面族,选(200),代入晶面夹 角公式得f=450,不符,发现(002)相符
标定电子衍射图谱

标定电⼦衍射图谱绝⼤部分的材料⼈会在⼀些⽂献中看到⼀张张标记好的电⼦衍射图谱,如下图1。
在发表论⽂时测得的电⼦衍射谱,由于标定知识的缺乏,看到⼀排排点阵,⽆法进⾏相关标定。
所以作为⼀名材料研究⽣,掌握电⼦衍射花样的标定知识是⾮常重要的。
那么这样的图谱是如何标定的呢?原理⼜是什么呢?在此,且听⼩编来介绍相关理论和标定的⼀种简单⽅法。
图1 Au纳⽶⽚及电⼦衍射谱1、TEM成像原理:2、电⼦衍射⼏何的基本公式:3、多晶电⼦衍射谱标定:多晶电⼦衍射谱由⼀系列同⼼圆环组成。
每个环对应⼀组晶⾯根据 d = Lλ/R,可求得各衍射环对应的晶⾯间距d与JCPDF卡(多晶粉末衍射卡)中的d值对照⽐较便可标定每个衍射环的指数(hkl)。
4、单晶电⼦衍射谱标定4.1 主要有四种(1)标准图谱法(2)计算机辅助标定法(3)特征平⾏四边形法(4)d值⽐较法4.2 单晶电⼦衍射谱标定的d值⽐较法1、选择衍射斑A、B,使r1和r2为最短和次短长度,测量r1、r2和夹⾓值2、根据rd = Lλ,求A、B衍射斑对应的⾯间距d1和d2,与物样JCPDF数据⽐较,找出与d1、d2相吻合的⾯指数{hkl}1和{hkl}23、在{hkl}1中,任选(h1k1l1)为A点指数,从{hkl}2中,试探计算确定B点指数(h2k2l2),使(h1k1l1)和(h2k2l2)的夹⾓计算值与实测值相符.4、按⽮量叠加原理,标定其它衍射斑指数,并求出晶带轴指数[uvw].例:α-Fe电⼦衍射谱标定5、未知结构的衍射分析6、衍射图谱消光性讨论6.1 结构因⼦Bragg定律只是从⼏何的⾓度讨论了晶体对电⼦的散射,⽽没有考虑反射⾯上的原⼦位置和原⼦密度。
如果考虑这两个因素,满⾜Bragg条件并⾮⼀定产⽣衍射。
例如⾯⼼⽴⽅(FCC)晶体(100)⾯⼀级衍射就不存在。
这种情况称为系统消光。
定义:结构因⼦F是单胞内各原⼦对⼊射波散射的合成振幅。
它标志完整单胞对衍射强度的贡献。
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简单的电子衍射花样大致可以细分成几种 低倍形貌给出规则的晶体外形,衍射点为周期排列的两 维衍射点:判定为单晶 低倍形貌给出是规则的晶体外形,但衍射点是相对杂 乱的多个衍射点,无法分清规律性,那么很可能是单晶 在样品处理过程或者观察过程中将单晶结构破坏,形成 了多晶结构,但晶粒相对较大,所以衍射点没有连成环 。 低倍形貌给出的是块状颗粒,但衍射点是周期排列的两 维衍射点,判定为单晶(块状可能是晶体外形在处理过 程中给磨损了) 低倍形貌给出的是块状颗粒,但衍射点是相对杂乱的 多个衍射点或者衍射环,无法分清规律性,判定为多晶
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花样分析 任务:在于确定花样中斑点的指数及 其晶带轴方向[UVW],并确定样品的点 阵类型和位向。 方法:有三种 指数直接标定法、比 值法(偿试-校核法)、标准衍射图法 选择靠近中心透射斑且不在一条直线上 的斑点,测量它们的R,利用R2比值的 递增规律确定点阵类型和这几个斑点所 属的晶面族指数(hkl)等
5
正空间
晶带正空间与 倒空间对应关 系图
倒空间
6
将所有{hkl}晶面相对应的倒易点都画 出来,就构成了倒易点阵,过O*点的面称 为0层倒易面,上、下和面依次称为±1, ±2层倒易面。 正点阵基矢与倒易点阵基矢之间的 关系: a· a*= b· b*= c· c*=1 a· b*= a· c*= b· a*= b· c*= c· a*= c· b*= 0 g=ha*+kb*+lb* 晶体点阵和倒易点阵实际是互为倒易的 r=ua+vb+wc r· g=hu+kv+lw=N
3
A
N
q
G
OG=AO · sin θ 2dsin θ= λ OA=2/ λ OG=1/d
O
反射球作图法
入射电子束在晶体内产生衍射的条件可以看成是G 点是否落在以 O ′为中心,1/λ为半径的反射球面上
4
倒易点阵
倒易矢量或倒易点是晶体学的一种表达方式,其优点是可用 一个矢量或一个点代表一个晶面族。矢量的长度代表晶面间 距的倒数,矢量的方向代表晶面的法线方向,这使一族二维 晶面可用一个一维的矢量或零维的点表示,使一些晶体学关 系显得简化。 对于每一种晶体点阵,它的每族晶面都可以引出一个相应的 倒易点,许多倒易点可构成倒易面,许多倒易面构成倒易点 阵,所以倒易点的集合构成一个新的点阵,称之为倒易点阵, 通常的晶体点阵称为正点阵,七大晶系的每一正点阵,其对 应的都有一个倒易点阵
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多晶体电子衍射花样
与 X 射线衍射法所得花样的几何特征相似, 由一系列不同半径的同心园环 组成,是由辐 照区内大量取向杂乱无章的细小晶体颗 粒产 生,d值相同的同一(hkl)晶面族所产生的衍射 束,构成以入射束为轴,2q为半顶角的园锥 面,它与照相底板的交线即为半径为R=Ll/d =K/d的园环。 R和1/d存在简单的正比关系 对立方晶系:1/d2=(h2+k2+l2)/a2=N/a2 通过R2比值确定环指数和点阵类型。
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低倍形貌是纳米颗粒,小颗粒为单晶衍射点,而整体随 着选区范围内颗粒的增加呈现非连续衍射环进而为连续 衍射环,那么可以称为纳米小“单晶”组成了多晶粉末 。 低倍像是块样或者单晶外形,但有多晶衍射环,又有单 晶衍射点:很可能是该区域的单晶结构有部分被破坏成 了多晶,但还有一部分结构保持完整,或者是有部分多 晶物质,也有一部分其他相的单晶物质,分析时最好结 合高分辨像来得出结论。 低倍形貌给出的是比较小的颗粒,选区内有多个颗粒 时,衍射为相对杂乱的多个衍射点或者衍射环,而其中 单个颗粒呈现单晶衍射点,那么可以认为单独小颗粒呈 现单晶性,而整体为多晶粉末
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RC= RA+RB,C为(1-21),N=6与实 测R2比值的N一致,查表或计算夹角为 54.740,与实测的550相符,RE=2RB,E为 (004)RD=RA+RE=(1-14),查表或 计算(1-10)与(1-14)的夹角为 70.530,依此类推。 已知K=14.1mmA, d=K/R, dA=1.986A(2.808), dB=1.410A(2.820), dC=1.146A(2.808), dD=0.656A(2.783), (a) 上图由底版负片描制的,采用右手定则选 取g1=gB=(002), g2=gA=(1-10), 求得B[110]
12
电子衍射花样
衍射斑点规则排列
单晶SAED pattern
13
衍射斑点散乱
多晶
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衍射斑点散乱 但是隐约能看 到环状的轮廓
多晶
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锐利的衍射环
多晶
16
弥散的多个衍射环
多晶
17
弥散的一个 衍射环
可能是非晶,但 这么不清楚,有 时候试样太厚也 会出现这种情况
18
大衍射斑点中间 又有小衍射斑点
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(1)、指数直接标定法:已知样品和相机 常数 可分别计算产生这几个斑点的晶面间距并 与标准d值比较直接写出(hkl) 。也可事 先计算R2/R1,R3/R1,和R1、R2间夹角, 据此进行标定。
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能使斑点花样指数化 的两个特征量
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花样指数标定的结果
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比值法(偿试-校核法):物相未知
这个花样是Ag的 [111]面,很有名 的超晶格
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衍射斑点边上有 小的衍射斑点
孪位错
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电子衍射谱的标定
电子衍射谱的标定是确定材料显微结构的重要步骤。一般地,这 一过程应遵循如下原则: 二维倒易平面中的任意倒易矢量 均垂直于晶带轴[uvw ] 方 向(电子束反方向)
g
g2则晶带轴方向为: 若已知两倒易矢量 g1,
电子衍射标定
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晶体结构与空间点阵
空间点阵+结构基元=晶体结构 晶面:(hkl),{hkl} 用面间距和晶面法向来 表示 晶向: [uvw], <uvw> 晶带:平行晶体空间同一晶向的所有晶面的 总称 ,[uvw]
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q
q
A
反射面法线
q E B F
布拉格反射
2d sinq = n l, 2dHKL sinq =l , 选择反射,是产生衍射的必要条件,但不充分
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A C B D
低碳合金钢基体的电子衍射花样
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图是由某低碳合金钢薄膜样品的区域记录的单晶 花样,以些说明分析方法: 选中心附近A、B、C、D四斑点, 测得RA=7.1mm,RB=10.0mm,RC= 12.3mm,RD=21.5mm,同时用量角器测 得R之间的夹角分别为(RA, RB)=900, (RA, RC)=550, (RA, RD)=710, 求得R2比值为2:4:6:18, RB/RA=1.408, RC/RA=1.732, RB/RA=3.028, 表明样品该区为体心立方点阵,A斑N为2, {110},假定A为(1-10)。B斑点N为4,表明 属于{200}晶面族,选(200),代入晶面夹 角公式得f=450,不符,发现(002)相符
单晶和多晶的判定:
单晶就是具有完整晶体外形(晶棱,晶面 完备)的单个颗粒,颗粒内部的晶格是周 期排列,如果从任意晶带轴投射,那么得 到的必然是二维衍射点。 多晶就是一个颗粒里面有多个晶粒,每个 晶粒的晶格都是周期性排列的,但这些晶 粒的取向都是随意的,这样一个晶粒产生 一些衍射点,衍射点出现在晶面间距1/d 值为半径的圆上,晶面不同,则圆半径不 同,就有了多个环
根据R比值查表或R2比值取(h1k1l1), (h2k2l2),再利用R之间的夹角来校验。 任取(h1k1l1),而第二个斑点的指数 (h2k2l2),应根据R1与R2之间的夹角的测 量值是否与该两组晶面的夹角相苻来确 定。夹角见公式 根据矢量加和公式,求出全部的斑点指 数。R3=R1+R2, R3’=-R3 任取不在一条直线上的两斑点确定晶带 轴指数
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入射束
厄瓦尔德球
试样
2q
倒易点阵
底板
电子衍射花样形成示意图
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L:相机长度 λ:电子波长(Lλ: 相机常数) R:衍射斑距透射斑长度 d: 衍射斑对应的晶面间距
衍射花样相当于倒易点阵被反射球所截的二维倒易面的放大投影. 从几何观点看,倒易点阵是晶体点阵的另一种表达式,但从衍射观 点看,有些倒易点阵也是衍射点阵。 9
Miller指数的符号应满足右手螺旋法则,该法则决定了两基本 矢量与晶带轴之间的关系 两个基本矢量的线性组合,一定能标出属于相同Laue 区的所 有衍射斑点的指数
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单晶体电子衍射花样
花样特征 规则排列的衍射斑点。它是过倒易点阵 原点的一个二维倒易面的放大像。 大量强度不等的衍射斑点。有些并不精 确落在Ewald球面上仍能发生衍射,只是 斑点强度较弱。倒易杆存在一个强度分布。