磁控溅射操作流程及注意事项
磁控溅射设备操作规程
操作规程项目名称：JGP-450型双室磁控溅射沉积系统项目号：K08-0841、开机前准备工作⏹开动水阀，接通冷却水，检查水压是否足够大，水压控制器是否起作用，保护各水路畅通。
⏹检查总供电电源配线是否完好，地线是否接好，所有仪表电源开关全部处于关闭状态，将各电源的旋钮打到停止位置或关闭位置。
⏹检查分子泵、机械泵油是否标注到刻线处，如没有达到刻线标记应及时加油。
⏹检查系统所有阀门是否全部处于关闭状态，确定溅射室完全处在抽真空前为封闭状态。
提示：注意保持洁净的预真空环境，严禁杂物和灰尘落入真空室内或粘在胶圈上；对真空室内零部件的操作要带无尘手套。
样品和靶材需严格清洗后放入真空室内。
2、开机（大气状态下泵抽真空）确认所有电源开关都在关闭状态后，按下总电源开关，此时电源三相指示灯全亮，供电正常。
提示:如果电源三相指示灯没有全亮，应检查供电电源是否缺相。
在确认电源正常之后方可进行下一步工作。
将“断水报警”拨扭拨到“报警”，给分子泵提供冷却水。
（此时冷却水已经循环流动，无论分子泵是否运转。
当启动分子泵运转时，如果“断水报警”无翁鸣，说明供水正常；若翁鸣，则需要检查水路是否连接正常，直至翁鸣消失方可启动分子泵。
）大气状态下溅射室泵抽真空：✓启动溅射室复合真空计，将其电源开关拨到“开”位置，电阻规开始工作并显示相应真空度。
✓按下机械泵R1开关，机械泵指示灯亮，此时机械泵工作，打开旁抽阀V1,粗抽真空。
观察真空度是否有变化，当真空有继续上升的趋势时，进行下一步操作。
✓打开电磁阀DF1，机械泵R1预抽分子泵T1，并在闸板阀G2两端形成相同气压。
✓当真空计显示的真空度高于20Pa时，关闭旁抽阀V1，打开闸板阀G2。
✓打开分子泵T1电源开关，打开启动按钮，其加速指示灯亮，电源控制面板上显示频率，约8分钟，加速指示灯灭，正常灯亮，分子泵进入正常工作状态。
此时机械泵R1只充当分子泵T1的前级泵。
✓当真空度达到1.0×10-1Pa时真空计自动转换为电离规测量，读数自动跳转电离显示屏显示。
实用实验磁控溅射操作规程
磁控溅射操作规程1、开电闸开关D（磁控溅射总电源和空调），E（电风扇和射频电源），F（循环水）。
打开程序控制器，按下“放气”阀，充入N2气。
当指示灯从真空跳到大气时，关闭N2气，把充气罐移走。
2、按按钮“升”，升起腔盖，放时样品和靶材。
一个直流靶位，二个射频靶位。
直流靶只能溅射导体。
（Ar+溅射在绝缘体不中和形成高压）3、按按钮“降”，降腔盖（注意：如果控制失灵，应立即关闭控制器开关）。
盖好的判断是：盖上盖后，能摇动升降柱（送皮带送到头，然后再拉回一个皮带，再试升降柱，如果不行，再试一次）。
4、按按钮“低抽”，机械泵进行抽真空，程序控制器面板上显示从“大气”到“真空”。
当压强小于1.0×10Pa时（一般为8.7Pa左右），打开循环水进出阀（共四个阀门），再打开循环水总开关F，启动隔壁房间内的循环水。
循环水进出阀横是开、纵是关。
5、在程序控制器中打开“高抽”阀。
再启动分子泵电源：先按下启动总开关，到显示屏幕显示450HZ时，再按“启动”键，可以看到转速在上升，直至450HZ。
6、当离子规小于1.0×10－2Pa时，打开程序真空计电源。
7、当程控真空计显示达到1.5×10－3Pa时，打开照明（旋钮打到最大），相当于除气（使腔体内壁上分子脱离），可以看到气压求数变大（真空计）。
同时打开流量显示仪预热和打开射频电源预热，然后关闭照明（旋钮打到最小）。
8、如果要加热样品，则把开关由“照明”切换到“加热”，打开温度显示屏底下的加热开关，并通过旋动温度显示屏下方的小旋钮调节设置温度。
9、到达预计压强8.4×10－4Pa左右时，关闭程控真空计。
打开“充气”阀，关闭“高抽”阀，打开Ar气罐总阀，再打开减压阀（不要超过一小格），控制Ar流量。
真空计打到“contr”档，打开流量计“阀控”，先将真空计拨到0.5，流量计也拨到0.5，当流量计求数开始变动时，再将真空计拨到3.0，同时拨动流量计示数（约在87左右），目的是让求数打到3Pa。
高质量磁控溅射步骤
高质量磁控溅射步骤
磁控溅射是一种常见的薄膜制备技术，适用于多种材料。
为了获得高质量的薄膜，磁控溅射步骤应当注意以下几点：
1. 目标制备。
目标的质量和纯度直接影响薄膜的质量，因此目标的制备应当严格控制。
同时，目标的形状和尺寸也应当符合实验要求。
2. 清洗和处理基底。
基底应当先进行严格的清洗和处理，去除表面的杂质和氧化物。
同时，基底的制备应当符合实验要求，如平整度和粗糙度等。
3. 磁控溅射条件。
磁控溅射过程中，应当控制好气压、气体组成、溅射功率等参数，并且应当对目标和基底的距离进行调整，以保证薄膜的均匀性和致密性。
4. 后处理。
溅射完成后，应当对薄膜进行后处理，如退火、氧化等，以进一步改善薄膜的性质和质量。
综上所述，高质量磁控溅射需要在目标制备、基底处理、溅射条件和后处理等方面严格控制，以获得优质的薄膜。
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磁控溅射操作步骤及注意事项
磁控溅射设备操作步骤1. 开电源箱三个空气开关，从左到右依次为循环水机，磁控溅射，各分接插座的空开。
2. 压缩空气泵开始工作，已设定气压上限0.8MPa （8个大气压），待抽至0.4MPa （各气动阀门工作的最低压强）即可开循环水机，接着开磁控溅射设备电源控制柜的总开关。
3. 若上次实验结束时对腔室气压抽得较低（<0.2Pa ），此时复合真空计（左边一个）会显示电离规测得的高真空，按下“自动/手动”将电离关掉。
开放气阀，向腔室通大气至复合真空计显示1E5（0.1MPa ，1个大气压）即可打开腔室顶盖。
4. 靶及基片安装好后，用万用表检查靶与屏蔽罩，基片台与腔室是否短接，开始抽真空。
磁控溅射设备操作前级阀主阀旁路阀节流阀充气阀1 预抽：开机械泵，前级阀，先抽分子泵管道内至<5.0Pa 。
√××√×2 抽腔室：关前级阀，开旁路阀，充气阀，抽反应腔室至<5.0Pa 。
××√√√3 抽腔室：关旁路阀，开前级阀，主阀，开分子泵，将腔体抽至E-4Pa 数量级，开加热器升温，升温时真空度会上升，抽至E-4Pa 。
√√×√√4 实验：关电离规，关节流阀，通氩气，将气体流量计（右边的）开到阀控（中间位置），先进行靶清洗5min 。
再用双极脉冲电源或射频电源进行基片清洗，清洗15min 。
打开靶挡板和基片挡板开始实验。
√√××√5 镀膜结束：停氩气，开节流阀，继续抽腔室，等待降温。
√√×√×6 取基片：降温至80以下，关主阀，关分子泵，分子泵由450降到0，等待2min ，关前级阀，开放气阀慢慢放气使腔室达到外界大气压。
×××√×5. 将腔室抽到10Pa 以下，以保护腔室内部器件。
关机械泵及控制柜总开关。
关冷却水，将三个空开全部关掉。
磁控溅射设备工作流程
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磁控溅射与分子束外延安全操作及保养规程
磁控溅射与分子束外延安全操作及保养规程1. 引言磁控溅射和分子束外延是一种常用的薄膜生长技术，广泛应用于材料科学、表面工程、光电子学和纳米器件制备等领域。
然而，这些技术涉及高温、高真空和高能量密度等危险因素，因此在操作过程中必须严格遵循安全操作规程，以确保实验人员的人身安全和设备的正常运行。
本文将介绍磁控溅射和分子束外延的安全操作规程和日常保养注意事项。
2. 磁控溅射安全操作规程2.1 准备工作•安全防护：佩戴防护眼镜、手套和防护服，确保人身安全。
•仪器检查：检查溅射装置的各个部件是否完好无损，确保仪器正常工作。
•工作环境：确保操作场所干燥、通风良好，避免引发火灾和爆炸。
2.2 操作步骤1.打开溅射装置的真空泵，并监控真空度的变化，确保达到所需的工作真空度。
2.将待沉积的靶材安装到溅射装置中，并确保靶材表面干净平整。
3.连接电源，确保正负极的接线正确，避免电源短路。
4.打开气体进气阀，将工作气体注入溅射装置，注意控制气体流量和压力。
5.打开溅射源开关，产生磁场并加热靶材，开始溅射过程。
6.溅射结束后，关闭气体进气阀，关闭溅射源开关，待装置冷却后方可停止真空泵运行。
7.清理工作区域，清除沉积物和废气，保持工作区环境整洁。
2.3 安全注意事项•高真空环境下操作时，避免突然打开大气门，以免引起爆炸或损坏真空装置。
•注意靶材的选择和安装，避免使用破损或有毒的靶材。
•在溅射过程中，要随时检查溅射源和真空泵的运行情况，确保仪器正常工作。
•操作过程中禁止随意触碰溅射源和加热装置，以免烫伤。
•操作完成后，尽量将溅射装置恢复至初始状态，避免对下次实验产生影响。
3. 分子束外延安全操作规程3.1 准备工作•安全防护：佩戴防护眼镜、手套和防护服，确保人身安全。
•仪器检查：检查分子束外延装置的各个部件是否完好无损，确保仪器正常工作。
•工作环境：确保操作场所干燥、通风良好，避免引发火灾和爆炸。
3.2 操作步骤1.打开分子束外延装置的真空泵，并监控真空度的变化，确保达到所需的工作真空度。
磁控溅射仪操作手册
磁控溅射仪操作手册一．设备开机：1.确认室内工作环境适合磁控溅射仪工作。
2.开电源。
在总闸打开的情况下，打开控制磁控溅射仪用电的设备开关②；开磁控溅射仪的电源开关。
3.等显示屏上能看见炉腔真空度开冷却循环水。
4.将空气阀开关调至半开状态,开氩气瓶，氧气瓶和氮气瓶至0.1MPa。
5.开分子泵。
显示屏进入正常模式之后，调制AUTO档点“AUTO PUMP”自动开启机械泵和分子泵。
然后仪器自动抽取分子泵待。
前级阀（Backing Valve）和高阀（Hi-Va）依次变绿开始抽取主真空室真空。
二．放样Ⅰ.进样1）在Arm@Home是绿色的情况下，点击“LL AUTO VENT”，送样室开始放气。
2）放完气之后，开送样室的大门，将放有待镀膜的样品的工件盘放入送样线的机械手上，关上送样室的大门，合上大门的开关。
3）点击“LL AUTO PUMP”（根据需要可能需要两次），开始给送样室抽取真空。
待LL AUTO PUMP由绿变红时，抽取真空完毕。
Ⅱ.送样1）点击“LL ISOLATION VALVE”,将进样室和主真空室的阀门打开即可开始送样。
2）传送样品时，将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“UP”档,逆时针转动转盘，当带有工件盘的机械手到达主真空室的对应位置。
3）将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“DOWN”档，即将工件盘送入主真空室对应工的件台上。
4）顺时针转动转盘，直至机械手移至送样室对应的部位，这时能听到进样室和主真空室的阀门关闭的响动信号，此时机械手已经归位。
三．样品清洗（AUTO模式）1.选择自动模式，依次点击“Navigate”,“AUTO CONFIGURATION”进入自动挡的电源选择界面。
2.在自动挡的电源选择界面选取偏压溅射，设置偏压溅射的参数，可以参考如下图。
设置好偏压功率，溅射时间，工件盘旋转速率，本地真空，气体流量。
3.点击“Overview”进入主界面，观察腔室的真空度，如果真空度未达到5×10-6Torr需要灌液氮辅助抽真空。
磁控溅射的使用流程
磁控溅射的使用流程1. 简介磁控溅射是一种常用于薄膜制备的物理气相沉积技术，通过在真空环境中使用外加磁场来控制离子在固体表面的击穿行为，从而实现材料沉积。
本文档将介绍磁控溅射的使用流程。
2. 实验准备在进行磁控溅射实验前，需要进行以下准备工作：•准备目标材料：选择适合溅射的材料目标，并确保其表面质量良好。
•真空室准备：检查真空室的密封性，确保真空度符合要求。
•溅射设备：检查溅射设备的机械结构和电气系统是否正常工作。
3. 开始实验以下是磁控溅射的基本使用流程：3.1 设置工艺参数在开始实验之前，需要设置以下工艺参数：1.气体流量：根据实验需求设置工艺气体的流量，通常使用氩气作为惰性气体。
2.溅射功率：控制溅射功率调节器，根据目标材料和膜层要求设置溅射功率值。
3.前驱体材料：如有需要，设置前驱体材料的流量和温度。
3.2 准备目标材料1.首先，将目标材料固定在溅射装置的靶架上，并确保目标材料与靶架之间的接触良好。
3.3 抽真空1.打开真空泵，将气体抽出真空室，直到达到所需真空度。
2.检查真空度指示器的读数，确保真空度稳定在所需范围内。
3.4 开始溅射1.打开溅射控制器的电源开关。
2.选择合适的溅射参数，并在控制界面上设置相应的数值。
3.打开氩气罩上的气体流量调节阀，调节气体流量。
4.打开氩气阀门，使气体进入溅射室。
5.打开溅射源的开关，开始溅射过程。
3.5 结束实验1.当达到所需的膜层厚度后，关闭溅射源和气体流量。
2.关闭溅射控制器的电源开关。
3.关闭氩气阀门，停止气体流入溅射室。
4.关闭真空泵，打开气阀，将气体重新充入真空室。
5.等待真空室恢复常压后，打开真空室，取下目标材料。
4. 实验注意事项在进行磁控溅射实验时，需要注意以下事项：•操作人员需要戴好防护眼镜和手套，确保安全。
•在操作溅射源和气体阀门时，需轻拧。
•在实验过程中，注意监控溅射功率和气体流量的稳定性，及时调整工艺参数。
5. 结论磁控溅射是一种重要的材料制备技术，在薄膜制备、材料研究等领域有广泛应用。
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磁控溅射操作流程及注意事项
一、打开冷却水箱电源（）注：水箱电源是设备的总电源。
，水压控制器是否起作
用。
0.1MPa）检查水压是否足够大（二、放气
2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温；
2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态；
2.3 磁控溅射室的放气阀是V2，放气时旋钮缓慢打开，这可以保证进入气流不会太大；
2.4 放气完毕将气阀关紧。
三、装卸试样与靶材
3.1 打开B柜总电源（在B9面板上），电源三相指示灯全亮为正常。
3.2 提升或降落（B4“升”或“降“）样品台要注意点动操作，不要连续操作。
3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰尘等污染。
3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米，屏蔽罩与阴极应该为断路状态。
3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应，并记录样品座的编号及目前所对应的靶位。
3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合，并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。
四、抽真空
4.1 确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时；
4.2 确认闸板阀G2、G4已经关闭；
4.3 打开B4上“机械泵Ⅰ”，再打开气阀V1，开始抽低真空。
4.4 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。
可以从B3－1处观察低真空度。
(低真空测量下限为0.1Pa）。
当真空度小于5Pa可以开始抽高真空。
4.5 关闭气阀V1，打开B4上“电磁阀Ⅰ”（确认听到响声表示电磁阀已开）
4.6 打开B8面板的磁控室分子泵电源，按下“START”键，按下FUNC/DA TA键，数字开始逐步上升，等大于H100.0后打开闸板阀G1，随后分子泵速上升并稳定到H400.0。
4.7 磁控室的高真空度在B2面板显示，不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开关, 通常每隔1-2小时可打开观察一次，等示数稳定后再关闭（一般不超过3分钟）。
五、充气
5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级，在充气之前必须关闭高真空计；
5.2 打开A1面板上MFC电源，预热3分钟；
5.3 稍关闭闸板阀G1到一定程度，但不要完全关紧
5.4 打开V4、V6（若是二路进气，V5应和V6同时打开）阀门
5.5 将控制阀扳到“阀控“位置
5.6 打开气瓶阀门，稍旋紧减压阀至压力示数为0.1MPa即可；
5.7 调节MFC阀控的设定（一般在30左右），再进一步关紧闸板阀使得低真空（B3－1）读数接近所需的溅射压强，然后通过微调MFC阀控得到所需的溅射压强。
六、溅射
6.1 确认溅射靶位电源已经连接。
6.2 确认定位销已经脱开。
6.3直流溅射
6.3.1 打开电源开关，调节旋钮至电压达到一定值（一般不超过0.3kv），直流可以顺利启辉，此时电流开始有数值。
6.3.2 电压与电流乘积为功率值，可继续调节旋钮到所需溅射功率，但是要小于160W。
6.3.3 直流溅射的关闭：调节旋钮至最小，关闭电源。
6.4 射频溅射
6.4.1打开U预热5分钟f 6.4.2 面板E或F上的量程按钮设定为200/40
6.4.3 打开Ua，并通过粗调与微调Ua，接近设定工艺功率，然后通过匹配调节，即调整面板E或F上的C1和C2，得到所需溅射功率。
匹配的调整规定如下：F为设定功率（小于160W），R要小于1.5或F的8%；对于绝缘材料，在满足F功率的要求下，R要尽量小，且最大不能超过F的15%。
6.4.4 射频溅射的关闭：粗调与微调Ua关到最小→关闭Ua→等待3min→关闭Uf。
注：连续溅射一小时后需暂停溅射，关闭气路，等抽真空30分钟后再重新充气溅射。
七、溅射结束
7.1 关闭气瓶阀门，旋松减压阀至压力示数为0；
7.2 将MFC阀开关置于“关闭”位，并将流量调至零，然后关闭电源开关；
7.3 关闭V6和V4阀门（若是二路进气，V5应和V6同时关闭）；
7.4 打开闸板阀，继续抽真空30分钟后关闭闸板阀；
7.5 关闭分子泵：按下“STOP”键→等待分子泵速下降到H100.0以下→关闭电源。
7.6 关闭电磁阀I与机械泵I。
7.7 等30分钟后，关冷却水电源。
八、其他操作说明
8.1加负偏压
加偏压方法：打开偏压电源，调整偏压为200v即可。
偏压要在开始镀膜之前施加。
8.2基板加热
8.2.1确认热偶回路、加热回路连接正常，完好；
8.2.2 打开加热电源I，设定加热温度，调整电流加热；
8.2.3 结束加热：先将电流调到最小，然后关闭电源。
九、清理工作及离开注意事项
9.1 将所用工具放回原处，整理室内卫生；
9.2 在离开之前，应确认拉闸断电，关闭门窗。
十、紧急情况处理
突然停电后的措施：尽快关闭闸板阀，然后关闭各路气阀，关闭电路按钮开关。
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进样室加热退火操作流程及注意事项
一、打开冷却水箱电源（）注：水箱电源是设备的总电源。
，水压控制器是否起作
用。
）检查水压是否足够大（0.1MPa二、放气
2.1 确认进样室内部温度已经冷却到室温；
2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态；
2.3 进样室的放气阀是V8，放气时旋钮缓慢打开，这可以保证进入气流不会太大；
2.4 放气完毕将气阀关紧。
三、装卸样品
3.1 打开进样室门，将样品朝下，送入退火炉内，使样品托的尖端插入圆形槽内，保证样品托与退火炉平行；
3.2 关闭进样室门并锁紧旋钮。
四、抽真空
4.1 确认闸板阀G2、G4已经关闭
4.2 打开B5面板上“机械泵Ⅲ”，再打开气阀V9，开始抽低真空。
4.3 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。
可以从B3－2处观察低真空度。
(低真空测量下限为0.1Pa）。
当真空度小于5Pa可以开始抽高真空。
4.4 关闭气阀V9，打开B4上“电磁阀Ⅲ”（确认听到响声表示电磁阀已开）；
4.5 打开B7面板的进样室分子泵电源，按下“工作”键，高速/转速指示灯亮，随后分子泵速上升并稳定到704，然后打开闸板阀G3，。
4.6 进样室的高真空度在B3-2面板显示（复合键灯亮，测量值为高真空度），不要一-3Pa4x10，打开后等示数稳定直开着高真空的测量，也不要频繁开关，通常1小时后可达到后再关闭（一般不超过1分钟）
五、加热退火
5.1 确认热偶回路、加热回路连接正常，完好；
5.2 打开对应加热电源，设定加热温度，调整电流加热；
5.3 结束加热：先将电流调到最小，然后关闭电源。
六、结束
6.1 关闭闸板阀；
6.2 关闭分子泵：按下“工作”键→等待分子泵速下降到0→关闭电源；
7.6 关闭电磁阀III与机械泵III；
7.7 等1小时后，关冷却水电源。
七、清理工作及离开注意事项
9.1 将所用工具放回原处，整理室内卫生；
9.2 在离开之前，应确认拉闸断电，关闭门窗。
八、紧急情况处理
突然停电后的措施：尽快关闭闸板阀，关闭电路按钮开关。
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附：简单操作步骤
一、磁控溅射
1.1准备工作：打开冷却水箱电源→打开V2放气→关闭V2 →打开磁控室装样品与靶材→关闭磁控室
抽真空：开机械泵I →打开V1气阀→至低真空小于5Pa →关闭V11.2气阀→开电磁阀I →开分子泵→至转速大于H100.0 →打开闸板阀G1
充气：打开MFC预热3分钟→稍关闭闸板阀G1 →打开V4 → 1.3打开V6（或V5）→将MFC打到“阀控”→打开气瓶→关紧闸板阀G1 →调节MFC
溅射：打开电源开关 1.4→调节功率至启辉
溅射结束：将功率调至最小 1.5→关闭电源→关闭气瓶→关MFC →关V6（或V5）→关V4 →打开闸板阀G1 →抽真空30分钟→关闭闸板阀→关闭分子泵→关闭电磁阀I →关机械泵I → 30分钟后关冷却水电源
整理工作：整理仪器和卫生→拉闸断电，关闭门窗 1.6
二、进样室退火
2.1准备工作：打开冷却水箱电源→打开V2放气→关闭V2 →打开进样室装样品→关闭进样室
抽真空：开机械泵III →打开V9气阀2.2→至低真空小于5Pa →关闭V9气阀→开电磁阀III →开分子泵→至转速稳定704 →打开闸板阀G3
加热：打开电源→ 2.3设定加热程序→调整电流开始加热
加热结束：将电流调至最小→关闭电源→关闭闸板阀→ 2.4 关闭分子泵→
关闭电磁阀III →关机械泵III →1小时后关冷却水电源
2.5拉闸断电，关闭门窗→整理仪器和卫生整理工作：
温度控制器说明书附：SR93（进样室退火和磁控室基板加热）
（程序）设置：，进入Prog1.打开电源，按GRPstep”调加热温度（℃），按“按“Ent”确认；：Step1（升温曲线）**按“”调升温时间（小时），按“Ent”确认；
Step2（保温曲线）：重复上述步骤
Step3（降温曲线）：重复上述步骤（但一般都随炉冷却，保温时间到后直接关电源即可）
2.设定完程序，退回到初始状态，按“Run”约3秒，绿灯亮，就开始运行
3.缓慢顺时针旋转面板功率调节旋钮，将电流调至4A，停留2分钟后，将电流调至8A（将旋钮再旋1/2圈即可），一般加热到最高温度只需8A电流。
4.关电源时，先调节功率旋钮到底，再关闭电源。
注：为了到温时实际温度与设定温度偏差不要太大，可分两段升温，低温升温速度加快，。
高温升温速度降低。