电工学电子技术课后答案第六版秦曾煌
《电工学》秦曾煌第六版上下册课后答案(同名17708)
《电工学》秦曾煌第六版上下册课后答案(同名17708)D[解] 首先根据基尔霍夫电流定律列出图2: 习题1.5.2图−I1 + I2 −I3=−3 + 1 −I3=可求得I3= −2mA, I3的实际方向与图中的参考方向相反。
根据基尔霍夫电流定律可得U3 = (30 + 10 ×103 ×3 ×10−3 )V =60V其次确定电源还是负载：1 从电压和电流的实际方向判定：电路元件3 80V元件30V元件电流I3从“+”端流出,故为电源;电流I2从“+”端流出，故为电源；电流I1从“+”端流出，故为负载。
2 从电压和电流的参考方向判别：电路元件3 U3和I3的参考方向相同P= U3I3 = 60 ×(−2) ×10−3W=−120 ×10−3W （负值），故为电源；80V元件U2和I2的参考方向相反P = U2I2 = 80 ×1 ×10−3W =80 ×10−3W （正值），故为电源；30V元件U1和I1参考方向相同P= U1I1 = 30 ×3 ×10−3 W = 90 ×10−3W （正值），故为负载。
两者结果一致。
最后校验功率平衡：电阻消耗功率:2 2= R1I1 = 10 ×3 mW = 90mWP R12 2= R2I2 = 20 ×1 mW = 20mWP R2电源发出功率:P E = U2I2 + U3I3 = (80 + 120)mW =200mW负载取用和电阻损耗功率:P = U1I1 + R1 I2 + R2I2 = (90 + 90 + 20)mW =200mW1 2两者平衡1.5.3有一直流电源，其额定功率PN= 200W ，额定电压U N= 50V 。
内阻R0 =0.5Ω，负载电阻R可以调节。
其电路如教材图1.5.1所示试求：1 额定工作状态下的电流及负载电阻；2 开路状态下的电源端电压；3 电源短路状态下的电流。
电工第六版课后答案第15章秦增煌
15.2.5晶体管放大电路图如图15.01（a）所示，已知Ucc=12V，Rc=3kΩ，RB=240kΩ,晶体管的β=40。
（1）试用直流通路估算各静态值IB,IC,UCE;（2）如晶体管的输出特性如图15.01（b）所示，试用图解法作出放大电路的静态工作点;（3）在静态时（ui=0）在C1和C2上的电压各为多少？并标出极性。
解：（1）如图（a）所示的直流通路：C1,C2上的电压极性标在原图。
-6由 IB= Ucc-UBE=12-0.7=50X10 A=50μARB 240Ic=Βib=40x50=20mAUCE=Ucc-IcRc=12-2x3=6v。
（2）由输出特性作出直流负载线UCE=Ucc-IcRc已知：Ic=0，UCE=12V,UCE=0时。
Ic=Ucc=12=4mARc 3过（0，12），（4，0）两点，于是可作如图(b)所示，即为直流负载线。
由图可知IB=50βA时，Q点（2，6），即Ic=2mA，UCE=6v。
（3）静态时，Uc1=UBE,Uc2=UCE=6V。
极性在原图（a）中。
15.2.6在图中，U cc=10V，今要求U cE=5V,I c=2mA,试求R和R的阻值。
设晶体管的β=40。
解：由于U cE = U cc– I c R cR c ==2.5kΩ由于I c=βI B，I B ==I c ==50μ AR B ==200k15.2.7在图15.02中，晶体管是PNP型锗管。
（1）Ucc和C1，C2的极性如何考虑？请在图上标出；（2）设Ucc=-12v,Rc=3千欧姆，β=75，如果要将静态值Ic调到1.5毫安，问RB应调到多大？（3）在调整静态工作点时，如不慎将RB调到0，对晶体管有无影响？为什么？通常采取何种措施来防止这种情况发生？解答：（1）PNP三极管的电源极性和NPN型三极管相反，故电容C1和C2极性也和15.25中所示相反，用-或者+标明在图15.25中。
（2）由于Ic=βIB，于是IB=Ic／β=1.5／75=20µA此时RB=(-Ucc+UBE) ／IB≈600千欧姆（3）若RB=0时，UBE=12V＞＞0.7V（硅管）或UBE=12V＞＞0.3（锗管），于是IB大大增加，使得PN结发热而损坏。
《电工学》课后习题答案(第六版,上册,秦曾煌主编)2
基础课程教学资料第二章习题2-1 图2-1所示的电路中，U S=1V，R1=1Ω，I S=2A.，电阻R消耗的功率为2W。
试求R的阻值。
2-2 试用支路电流法求图2-2所示网络中通过电阻R3支路的电流I3及理想电流源两端的电压U。
图中I S=2A，U S=2V，R1=3Ω，R2=R3=2Ω。
2-3 试用叠加原理重解题2-2.2-4再用戴维宁定理求题2-2中I3。
2-5 图2-3所示电路中,已知U S1=6V，R1=2Ω，I S=5A，U S2=5V，R2=1Ω，求电流I。
2-6 图2-4所示电路中，U S1=30V，U S2=10V，U S3=20V，R1=5kΩ，R2=2kΩ，R3=10kΩ，I S=5mA。
求开关S在位置1和位置2两种情况下，电流I分别为多少？2-7 图2-5所示电路中，已知U AB=0，试用叠加原理求U S的值。
2-8 电路如图2-6所示，试用叠加原理求电流I。
2-9 电路如图2-7所示，试用叠加原理求电阻R4上电压U的表达式。
2-10电路如图2-8所示,已知R1=Ω，R2=R3=2Ω，U S=1V，欲使I=0，试用叠加原理确定电流源I S的值。
2-11 画出图2-9所示电路的戴维宁等效电路。
2-12 图2-10所示的电路接线性负载时，U 的最大值和I的最大值分别是多少？2-13 电路如图2-11所示，假定电压表的内阻无穷大，电流表的内阻为零。
当开关S处于位置1时，电压表的读数为10V，当S处于位置2时，电流表的读数为5mA。
试问当S处于位置3SHI 4，电压表和电流表的读数各为多少？2-14 图2-12所示电路中，各电源的大小和方向均未知，只知每个电阻均为6Ω，又知当R=6Ω时，电流I=5A。
今欲使R支路电流I=3A，则R应该多大？2-15 图2-13所示电路中，N为线性有源二端网络，测得AB之间电压为9V，见图（a）；若连接如图（b）所示，可测得电流I=1A。
现连接如图（c）所示形式，问电流I为多少？2-16 电路如图2-14所示，已知R1=5Ω时获得的功率最大，试问电阻R是多大？本章小结1、支路电流法是分析和计算电路的基本方法，适用于任何电路。
电工学+全册+答案+第六版+秦曾煌第1章习题解答
R 2 5Ω
解得： 解得： VA ≈ −14.3V
−50V
制作群
主
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退
出
4 5 + +
U 1 I1 1
-
I3 3 U3
-
U2 2 I2
+
-
制作群
主
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退
出
+
解：（1） ） I4 + + I5 + （2） 1、2是电源 ） 、 是电源 U 1 I1 I3 3 U3 U2 2 I2 1 3、4、5是负载 、 、 是负载 （3）在关联参考方向下 ） P =U1I1 = −560W < 0 发出功率 1 P =U2I2 = −540W < 0 发出功率 2 P =U3I3 = 600W > 0 吸收功率 3 P =U4I1 =320W > 0 吸收功率 4 P =U5I2 =180W > 0 吸收功率 5 电源发出功率： E 1 2 电源发出功率：P = P + P =1100W 负载吸收功率： L 3 4 5 负载吸收功率：P = P + P + P =1100W 二者相等功率平衡
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退
出
P28页 求图示电路中A点电位 点电位V P28页1.7.4 求图示电路中 点电位 A。 解：
I1 = I2 + I3
+50V
R 1 10Ω I1
50−V = I1R =10I1 A 1 V −(−50) = I2R =5I2 A 2
VA = I3R = 20I3 3
电工第六版课后答案第15章秦增煌
15.2.5晶体管放大电路图如图15.01（a）所示，已知Ucc=12V，Rc=3kΩ，RB=240kΩ,晶体管的β=40。
（1）试用直流通路估算各静态值IB,IC,UCE;（2）如晶体管的输出特性如图15.01（b）所示，试用图解法作出放大电路的静态工作点;（3）在静态时（ui=0）在C1和C2上的电压各为多少？并标出极性。
解：（1）如图（a）所示的直流通路：C1,C2上的电压极性标在原图。
-6由 IB= Ucc-UBE=12-0.7=50X10 A=50μARB 240Ic=Βib=40x50=20mAUCE=Ucc-IcRc=12-2x3=6v。
（2）由输出特性作出直流负载线UCE=Ucc-IcRc已知：Ic=0，UCE=12V,UCE=0时。
Ic=Ucc=12=4mARc 3过（0，12），（4，0）两点，于是可作如图(b)所示，即为直流负载线。
由图可知IB=50βA时，Q点（2，6），即Ic=2mA，UCE=6v。
（3）静态时，Uc1=UBE,Uc2=UCE=6V。
极性在原图（a）中。
15.2.6在图中，U cc=10V，今要求U cE=5V,I c=2mA,试求R和R的阻值。
设晶体管的β=40。
解：由于U cE = U cc– I c R cR c ==2.5kΩ由于I c=βI B，I B ==I c ==50μ AR B ==200k15.2.7在图15.02中，晶体管是PNP型锗管。
（1）Ucc和C1，C2的极性如何考虑？请在图上标出；（2）设Ucc=-12v,Rc=3千欧姆，β=75，如果要将静态值Ic调到1.5毫安，问RB应调到多大？（3）在调整静态工作点时，如不慎将RB调到0，对晶体管有无影响？为什么？通常采取何种措施来防止这种情况发生？解答：（1）PNP三极管的电源极性和NPN型三极管相反，故电容C1和C2极性也和15.25中所示相反，用-或者+标明在图15.25中。
（2）由于Ic=βIB，于是IB=Ic／β=1.5／75=20µA此时RB=(-Ucc+UBE) ／IB≈600千欧姆（3）若RB=0时，UBE=12V＞＞0.7V（硅管）或UBE=12V＞＞0.3（锗管），于是IB大大增加，使得PN结发热而损坏。
电工学(电子技术)习题答案第二部分 第六版 秦曾煌主编
（d）引入了反馈，由 的发射极引至运算放大器反相输入端的是交直流负反馈。
习题17.2.1试判别题图17.2.1（a）和（b）两个两级放大电路中引入了何种类型的交流反馈。
习题17.2.1图
解：（a）设 在正半周，则 输出端瞬时极性为正， 输出端瞬时极性为负，此时 同相输入电位高于 输出端电位，反馈电流削弱了净输入电流，故为负反馈，反馈信号与输入信号以电流形式作比较，故为并联负反馈。
在图（b）所示电路中， 接在 基极和 发射极之间。采用瞬时极性法，所得公式如下：
“ ” “ ” “ ”
“ ”经电阻 馈送到 管的基极，是 管的净输入信号减小，故为负反馈。
若将输出 短路，没有反馈信号反馈回输入回路，故为电压反馈。反馈信号与输入信号都接到 的基极，反馈量以电流的形式影响输入量，并为并联反馈。
因此，图（a）所示电路为电压串联负反馈。
图（b）所示电路中，设反相输入端 有一瞬时增量“ ”，输出 为“ ”。经 反馈回反相输入端，使净输入量削若，为负反馈。而在输入端以电流的形式影响输入量，为并联反馈。当 短路时，虽然 = 0，但仍有反馈信号，为电流反馈。故图（b）所示电路为嗲没留并联负反馈组态。
解：①
②
=+4.34%和-5.88%
习题17.2.7有一同相比例运算电路，如教材图17.2.1所示。已知 ， 。如果输出电压 ，试计算输入电压 ，反馈电压 及净输入电压 。
解：
V
习题17.2.8在上例的同相比例运算放大电路中， =100KΩ， =10KΩ，开环差模电压放大倍数 和差模输入电压 均近于无穷大，输出最大电压为±13V。试问：①电压放大倍数 和反馈系数 各为多少？②当 时， 为多少伏？③若在 开路、 短路、 开路和 短路这四种情况下，输出电压分别变为多少？
电工学第六版课后答案_秦曾煌_3
图3-1t rad f /3145014.322=⨯⨯==πωA t i V t u )90314sin(2)45314sin(310︒-=︒+=︒=︒--︒=-=135)90(45i u ψψϕs T x 0075.0501360135360135=⨯︒︒=︒︒=25A t i i t A t t i f ）（，时，）（︒+=∴︒=∴===+=+⨯===3040sin 10305sin 10040sin 10)40sin(225402πψψψπψπππω︒∠=∠︒∠=︒∠=︒∠⨯︒∠=⋅+=+-+=-+=+++=+1.877.145657.51.53101.9857.5645657.51.531042)44()86(1210)44()86(21212121A A A A j j j A A j j j A A 2121)2(;)60sin(10,)sin(5)1(i i i A t i A t i +=︒+==ωω︒∠=︒∠+︒∠=+=︒∠=︒∠=∙∙∙∙∙89.4023.13601005)2(;6010,05)1(2121m m m m m I I I A I A I A I A I V U 25,10,22021===第3-1 已知正弦电压和正弦电流的波形如图3-1所示,频率为50Hz ，试指出它们的最大值、初相位以及它们之间的相位差，并说明哪个正弦量超前，超前多少度？超前多少时间？ 解：u 、i 的表达式为即：u 比i 超前135°，超前2-1 某正弦电流的频率为20Hz ，有效值为 A ，在t =0时，电流的瞬时值为5A ，且此时刻电流在增加，求该电流的瞬时值表达式。
解：3-3 已知复数A 1=6+j8Ω，A 2=4+j4Ω，试求它们的和、差、积、商。
解：3-4 试将下列各时间函数用对应的相量来表示。
解：3-5 在图3-2所示的相量图中，已知 ，它们的角频率是ω，试写出各正弦量的瞬时值表达式及其相量。
电工学(电子技术)第六版 秦曾煌 课后答案
练习与思考14.5.8在附录C中查出晶体管3DG100B的直流参数和极限参数。
答：直流参数： =0.1 ， =0.1 ， =0.1 ， =1.1V， =30
极限参数： =40V， =30V， =4V， =20mA， =100mV， =150
答：当二极管正向偏压很小时，正向电流几乎为零，当正向偏压超过一定数值后，电流随电压增长很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。硅管死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.1V。
练习与思考14.3.2为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？
答：当二极管加反向电压时，通过PN结的只有少数载流子的漂移运动所形成的漂移电流。在常温下，由于少数载流子数目极少，在不太大的反向电压下已全部通过PN结，因而，即使反向电压再升高，反向饱和电流仍保持很小的数值不变。当环境温度升高时，少数载流子迅速增多，电流也明显增大。
第14章
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2．晶体管的电流分配关系
晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：
3．晶体管的特性曲线和三个工作区域
（1）晶体管的输入特性曲线：
晶体管的输入特性曲线反映了当UCE等于某个电压时， 和 之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现 ，且 随 线性变化。
和 的电位哪个高？ 是正还是负？
和 的电位哪个高？ 是正还是负？
和 的电位哪个高？ 是正还是负？
解：先就NPN管来分析。
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第14章晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2．晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：C B I I β≈(1)E B C B I I I I β=+=+C C BB I I I I ββ∆==∆3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。
晶体管的输入特性也存在一个死区电压。
当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。
（2）晶体管的输出特性曲线：晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。
在不同的B I 下，输出特性曲线是一组曲线。
B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。
输出特性曲线近于水平部分为放大区。
（3）晶体管的三个区域：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。
此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。
此时，B I =0，C I =CEO I 。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。
此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。
即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。
14．3 典型例题例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。
设二极管导通电压D U =0.7V 。
25610VD1(a)(b)(c)(d)例14.1图解：○1图（a ）电路中的二极管所加正偏压为2V ，大于DU =0.7V ，二极管处于导通状态，则输出电压0U =A U —D U =2V —0.7V=1.3V 。
○2图（b ）电路中的二极管所加反偏压为-5V,小于DU ，二极管处于截止状态，电路中电流为零，电阻R 上的压降为零,则输出电压0U =-5V 。
○3图（c ）电路中的二极管2D 所加反偏压为（-3V ），二极管2D 截止。
二极管1D 所加正偏压为9V ，大于D U ，二极管1D 处于导通状态。
二极管1D 接在B 点和“地”之间，则1D 导通后将B 点电位箝位在（-0.7V ），则0U =B U =-0.7V 。
○4如果分别断开图（d ）电路中的二极管1D 和2D ，1D 处于正偏压为15V ，2D 处于正偏压为25V ，都大于D U 。
但是，二极管2D 所加正偏压远大于1D 所加正偏压，2D 优先导通并将A 点电位箝位在A U =-10V+0.7V=-9.3V , 实际上，二极管1D 处于反偏压，处于截止状态。
则输出电压0U =A U =-9.3V 。
例14．2 电路如例14．2图所示，已知i U =5sin()t ω（V ），二极管导通电压D U =0．7V ，试画出i U 与o U 的波形，并标出幅值。
解：在i U 正半周，当i U 大于3．7V 时，二极管1D 处于正偏压而导通，输出电压箝位在o U =3．7V ，此时的二极管D2截止。
当i U 小于3．7V 时，二极管1D 和2D 均处于反偏压而截止，输出电压o U =i U 。
在i U 的负半周，当i U 小于（-3．7V ），二极管2D 处于正偏压而导通，输出电压o U =-3．7V ，二极管1D 截止。
257当i U 大于(-3．7V)时,二极管1D 和2D 均处于反偏压而截止,输出电压o U =i U 。
Rtt例14.2图例14． 3 电路如例14．3（a ）图所示，设稳压管的稳定电压2U =10V ，试画出 0V ≤i U ≤30V 范围内的传输特性曲线o U =f(i U )。
解：当i U <10 V 时，2D 反向截止，所以o U =-i U ；当i U ≥10V 时，2D 反向击穿，所以o U =i U —10—10=i U —20V 。
所以传输特性曲线o U =f(i U )如图（b ）所示。
+-Ui(a)t(b)例14.3例14．4 晶体管工作在放大区时，要求发射结上加正向电压，集电结上加反向电压。
试就NPN 型和PNP 型两种情况计论。
○1C U 和B U 的电位哪个高？CB U 是正还是负？ ○2B U 和E U 的电位哪个高？BE U 是正还是负？ ○3C U 和E U 的电位哪个高？CE U 是正还是负？解：先就NPN 管来分析。
○1C U >B U , CB U 为正。
○2B U >E U ，BE U 为正。
○3C U >E U ，CE U 为正。
258PNP 管的各项结论同NPN 管的各项结论相反。
例14．5 用直流电压表测量某电路三只晶体管的三个电极对地的电压分别如例 14．5图所示。
试指出每只晶体管的C 、B 、E 极。
-2.3V -3V -0.7V 5V 5.7V -6V例14.5图解：1T 管：○1为C 级，○2为B 极，○3为E 极。
2T 管：○1为B 极，○2为E 极，○3为C 极。
3T 管：○1为E 极，○2为B 极，○3为C 极。
例14．6 在例14．6图中，晶体管1T 、2T 、3T 的三个电极上的电流分别为：例14.6图○1 1I =0.01mA 2I =2mA 3I = —2.01mA ○2 1I =2mA 2I = —0.02mA 3I = —1.98mA ○3 1I = —3mA 2I =3.03mA 3I = —0.03mA 试指出每只晶体管的B 、C 、E 极。
解：1T 管：○1为B 级，○2为C 极，○3为E 极。
2T 管：○1为E 极，○2为B 极，○3为C 极。
3T 管：○1为C 极，○2为E 极，○3为B 极。
14.4 练习与思考练习与思考14.1.1 电子导电和空穴导电有什么区别，空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的？259答：电子导电是指在外电场的作用下，自由电子定向运动形成的电子电流。
空穴导电是指在外电场作用下，被原子核束缚的价电子递补空穴形成空穴电流。
由此可见，空穴电流不是自由电子递补空穴所形成的。
练习与思考14.1.2 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的？为什么杂质半导体中少数载流的子的浓度比本征载流子的浓度小？答：杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由本征激发产生的。
本征激发产生电子空穴对，其中有一种载流子和多数载流子相同，归于多数载流子，所以少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小。
练习与思考14.1.3 N 型半导体中的自由电子多于空穴，而P 型半导体的空穴多于自由电子，是否N 型半导体带负电，而P 型半导体带正电？答：整个晶体呈电中性不带电，所以不能说N 型半导体带负电和P 型半导体带正电。
练习与思考14.3.1 二极管的伏安特性曲线上有一个死区电压。
什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压典型值约为多少？答：当二极管正向偏压很小时，正向电流几乎为零，当正向偏压超过一定数值后，电流随电压增长很快。
这个一定数值的正向电压称为死区电压。
硅管死区电压约为0.5V ，锗管的死区电压约为0.1V 。
练习与思考14.3.2 为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？答：当二极管加反向电压时，通过PN 结的只有少数载流子的漂移运动所形成的漂移电流。
在常温下，由于少数载流子数目极少，在不太大的反向电压下已全部通过PN 结，因而，即使反向电压再升高，反向饱和电流仍保持很小的数值不变。
当环境温度升高时，少数载流子迅速增多，电流也明显增大。
练习与思考14.3.3 用万用表测量二极管的正向电阻时，用R*100挡测出的电阻值小，而用R*1 k Ω挡测出的大，这是为什么？答：万用表测电阻是通过测量电阻中的电流而获得其电阻值。
指针式万用表测电阻，指针偏转角度越大，读出电阻值越小。
在使用R*100挡时，万用表内阻小，加到二极管两端的正偏压大，流过二极管的正向电流大，指针向右偏转角度大，测得的电阻小。
在使用R*1 k Ω挡时，万用表内阻大，加到二极管两端的正向偏压小，流过二极管的正向电流小，指针向右偏转角度小，测得的电阻大。
练习与思考14.3.4 怎样用万用表判断二极管的正极和负极以及管子的好坏？ 答：将万用表旋到电阻挡，表笔接在二极管两端，以阻值较小的一次测量为260准，黑表笔所接的为正极，红表笔接的一端为负极。
当正接时电阻较小，反接时电阻很大表明二极管是好的。
练习与思考14.3.5 把一个1.5V 的干电池直接接到（正向接法）二极管的两端，会不会发生什么问题？答：产生大的电流，烧坏电源。
练习与思考14.3.6 在某电路中，要求通过二极管的正向平均电流为80mA ，加在上面的最高反向电压为110V ，试从附录C 中选用一合适的二极管。
答：选择2CZ52D练习与思考14.4.1 为什么稳压二极管的动态电阻愈小，则稳压愈好？ 答：动态电阻是指稳压二极管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值，动态电阻越小，反向击穿特性曲线越陡，稳压效果越好。
练习与思考14.4.2 利用稳压二极管或者普通的二极管的正向压降，是否也可以稳压？答：也具有一定的稳压作用，硅管两端保持0.6~0.8V ，锗管两端保持0.2~0.3V ，其实际意义不大。
练习与思考14.5.1 晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用，为什么？答：晶体管结构主要特点是：E 区的掺杂浓度高，B 区的掺杂浓度低且薄，C 区结面积较大，因此E 极和C 极不可调换使用。
练习与思考14.5.2 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数和在放大区工作时是否一样大？答：不一样大，在饱和区，B I 的变化对C I 影响较小，两者不成正比，放大区的放大系数不适用于饱和区。
练习与思考14.5.3 晶体管具有电流放大作用，其外部条件和内部条件各为什么？答：外部条件：晶体管的偏置电压必须满足发射结正向偏置，集电结反向偏置。
内部条件：发射区掺杂浓度高，基区很薄且掺杂浓度低，集电结面积大，且集电压掺杂浓度低。
练习与思考14.5.4 为什么晶体管基区掺杂浓度小且做得很薄？ 答：只有这样才可以大大减少电子与基区空穴复合的机会，使绝大部分自由电子都能扩散到集电结边缘，形成集电极电流C I = b I β，使晶体管成为电流控制器件。
261练习与思考14.5.5 将一PNP 型晶体管接成共发射极电路，要使它具有电流放大作用，C E 和B E 的正、负极应如何连接，为什么？画出电路图。