北理工微电子器件复习资料3
微系统MEMS-复习资料(北理考试)
MEMS考试复习资料、总结一、名词解释微系统：“个”小功能却强大的微装置。
微机电系统（MEMS：Micro Electromechanical System）①是在微电子技术（半导体制造技术）基础上发展起来的，融合了光刻、腐蚀、薄膜、LIGA、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等技术制作的高科技电子机械器件，②是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的独立智能微型系统。
③其内部结构一般在微米甚至纳米量级，微型化、智能化、多功能、高集成度和适于大批量生产。
热管理：控制温度在合理范围的散热管理系统。
多芯片组件（MCM：Multi-Chip Module）①是将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装技术。
②其余混合集成电路产品并没有本质区别，只不过多芯片组件具有更高的性能、更多的功能和更小的体积，可以说多芯片组件属于高级混合集成电路产品。
CSP(Chip Scale Package)封装：芯片级封装> BGA封装：球栅阵列封装与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高。
SSI：小规模集成电路(Small Scale Integration )通常指含逻辑门数小于10 门(或含元件数小于100个)。
根据集成电路规模的大小，通常将其分为SSI 、MSI 、LSI 、VLSI。
分类的依据是一片集成电路芯片上包含的逻辑门个数或元件个数。
陀螺仪(gyroscope)：①人们利用陀螺的力学性质、运动特性所制成的各种功能的陀螺装置称为陀螺仪②陀螺仪是用高速回转体的动量矩敏感壳体相对惯性空间绕正交于自转轴的一个或二个轴的角运动检测装置。
利用其他原理制成的角运动检测装置起同样功能的也称陀螺仪。
数据融合：数据融合是指利用计算机对按时序获得的若干观测信息，在一定准则下加以自动分析、综合，以完成所需的决策和评估任务而进行的信息处理。
MEMS微系统 复习资料(北理)
© 2009 IOP Publishing Ltd Printed in the UK
J. Micromech. Microeng. 19 (2009) 065014
B S Lee et al
convert vibration energy to electric power has sparked much attention as it was attractive for use in MEMS applications [9, 11–13]. Shen et al [13] and Fang et al [11] successfully developed a PZT MEMS power-generating device based on the {3–1} mode of piezoelectric transducers that uses top and bottom laminated electrodes. Marzencki et al [14] developed a MEMS generator based on the {3–1} mode but using AlN as a piezoelectric material. The device was demonstrated to integrate with an ASIC power management circuit in an SoP (system on a package). Jeon et al [9] developed a PZT MEMS power-generating device based on the {3–3} mode of piezoelectric transducers using top-side interdigitated electrodes. Although different piezoelectric modes were adopted for the piezoelectric MEMS power-generating devices mentioned above, the structure of the devices has all been identical in that they have all been of a cantilever type with a single layer PZT fabricated using a sol–gel process supported by a silicon-based beam structure. As a result of the different configurations of the piezoelectric MEMS power-generating devices based on {3–1} and {3–3} piezoelectric properties, the characteristics of the power output and generated voltage with respect to the optimal resistive load obtained have been different. In this paper, we present the development of both the {3–1} and the {3–3} mode piezoelectric MEMS generators. These two piezoelectric MEMS generators are of a cantilever type made using a silicon process which transforms energy by way of the piezoelectric PZT layer. The {3–1} mode piezoelectric MEMS generator was laminated with a PZT layer sandwiched between electrodes while the {3–3} mode was composed of interdigitated electrodes at the top. Unlike the PZT sol–gel process that is suitable for fabricating thin film with thicknesses of 1–2 μm, our own developed PZT deposition machine adopts a ‘jet-printing’ approach which is based on an aerosol deposition method and was developed and constructed in order to fabricate a high-quality PZT thin film more efficiently. For fabricating the piezoelectric MEMS generators, a beam structure was manufactured and then covered with a PZT layer with a laminated top and bottom electrode or with interdigitated electrodes. A proof mass was built at the tip of the beam to adjust the structure resonant frequency of the piezoelectric MEMS generator to fit the most adaptable frequency to match the ambient vibration of the surroundings. To harvest the vibration energy from the surroundings, the beam structure was designed to operate at resonant frequency for maximum stress and strain so as also to maximize the electric power output. The output performance and characteristics for both the {3–1} mode and the {3–3} mode piezoelectric MEMS generators were evaluated using the same dimensions and with the same materials, with the exception of the differing electrode configuration and dimensions of the proof mass. The two devices were then compared for resonance frequency, output power, output voltage and optimal resistive load.
微电子复习资料全
集成电路的分类：1.按器件结构类型分类，共有三种类型，它们分别为双极集成电路，MOS集成电路和双极－MOS混合型集成电路。
（1）双极集成电路:这种电路采用的有源器件是双极晶体管，在双极集成电路中，又可以根据双极晶体管的类型的不同，而将它们细分为NPN型和PNP型双极集成电路。
双极集成电路的特点是速度高，驱动能力强，缺点是功耗较大，集成度相对较低。
（2）金属－氧化物－半导体（MOS）集成电路：这种电路中所用的晶体管为MOS晶体管，根据MOS晶体管类型的不同，MOS集成电路又可以分为NMOS，PMOS和CMOS集成电路。
与双极集成电路相比，MOS集成电路的主要优点是：输入阻抗高，抗干扰能力强，功耗小，集成度高（适合大规模集成），因此，进入超大规模集成电路时代以后，MOS，特别是CMOS集成电路已经成为集成电路的主流。
（3）双极－MOS集成电路：同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为双极－MOS集成电路，双极－MOS 集成电路综合了双极和MOS器件两者的优点，但这种电路具有制作工艺复杂的缺点。
随着CMOS集成电路中器件特征尺寸的减小，CMOS集成电路的速度越来越高，已经接近双极集成电路，因此，目前集成电路的主流技术仍然是CMOS技术。
2.按集成电路规模分类：每块集成电路芯片中包含的元器件数目叫做集成度，根据集成电路规模的大小，通常将集成电路分为小规模集成电路,中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路，特大规模集成电路和巨大规模集成电路.3.按结构形式的分类：按照集成电路的结构形式可以将它分为半导体单片集成电路及混合集成电路。
(1)单片集成电路：它是指电路中所有的元器件都制作在同一块半导体基片上的集成电路。
(2)混合集成电路：是指将多个半导体集成电路芯片或半导体集成电路芯片与各种分立元器件通过一定的工艺进行二次集成，构成一个完整的，更复杂的功能器件，该功能器件最后被封装在一个管壳中，作为一个整体使用，在混合集成电路中，主要由片式无源元件，半导体芯片，带有互连金属化层的绝缘基板以及封装管壳组成。
微电子学概论 3
第二章 半导体物理和器件物理基础
2.3 pn结 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.3.5 2.3.6 平衡pn结 正向特性 反向特性 击穿 电容 制作
a wq
Pn结的制作
B
1200℃
p n型
（1）扩散
a wq
Pn结的制作
B
p
n型
高真空 高能量 直接打进去
（2）离子注入
I（mA） 画出PN结的理论伏安特 D 2 T=25℃ 性曲线。
1.5 1 0.5
U（mV） 曲线OD段表示PN
0
0.25 50 75 100 -I S
（V）
B
结正向偏置时的伏 安特性，称为正向 特性；
(uA)
图 PN结的理论伏安特性
曲线OB段表示PN 结反向偏置时的伏 安特性，称为反向 特性。
微电子学概论 第二章
第二章 半导体物理和器件物理基础
2.3 pn结 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.3.5 平衡pn结 正向特性 反向特性 击穿 电容
2.3.1 平衡pn结：无偏压下的pn结
空间电荷区也称作 扩散的结果形成自建电场。
“耗尽区” “势垒 区” 空间电荷区为高阻区，因为 缺少载流子
a wq
齐纳击穿
P型
强电场破坏共价健引起的。 齐纳击穿通常发生在掺杂浓度较高 的PN结中。
n型
第二章 半导体物理和器件物理基础
2.3 pn结 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.3.5 平衡pn结 正向特性 反向特性 击穿 电容
除了单向导电性之外，PN结还存在电容效应。 势垒电容CB 多子的充放电引起的。是指外加电压的 变化导致空间电荷区存储电荷的变化，从而 显示出电容效应。几皮法~几百皮法。 PN结的电容很小，是针对高频交流小信号而 考虑。
(北理珠)模电复习提纲
分析核心：“虚短”和“虚断”
第九章
一、正弦波振荡的条件、组成(分析RC串并联正弦波振 荡电路/电容三点式LC振荡电路) 二、相位平衡判断：三部曲 三点式振荡电路除三部曲还可以用“射同基反”判 断 三、单限电压比较器和滞回电压比较器
第十章
一、直流电源的组成 二、整流电路 1、原理 3、单相桥式整流电路的参数计算 三、三端集成稳压器
复习提纲
模 拟 电 子 技 术源自第一章一、杂质半导体的概念
二、PN结
三、二极管的静态和动态分析
四、特殊二极管的应用
第二章
一、BJT的类型、输入输出特性 二、BJT的小信号模型 三、三种放大电路的静态工作点和动态参数求法（包 括基本共射、分压式共射、共集、共基放大电路） 四、BJT放大电路的失真
第三章
一、场效应管的类别、结构及结构(开启电压、夹断 电压和漏极饱和电流 ) 二、放大电路-共源极分压式基本放大电路
第四章
一、多级放大电路的耦合方式 二、多级放大电路的动态参数 三、频率响应 1、单级放大电路： 中频响应： 低频响应：
高频响应： 通频带
BW f H f L
2、多级放大电路的频率响应
第七章
一、反馈的概念、反馈的极性和组态 二、负反馈对放大电路的性能的影响 (放大倍数、稳定性、输入/输出电阻、扩展频带、 减小非线性失真及抑制干扰和噪声) 三、正确引入负反馈的一般原则 四、深度负反馈放大电路的特点 五、自激振荡的原因、条件、特点
第八章
一、基本运算放大电路（比例运算器、加减运算器等） 二、有源滤波器的分类和判断
Au A u1 A u 2 A u 3 A un
.
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.
.
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第五章
北理工微机原理复习大纲
《微机原理与接口》复习大纲1、 课程简介以Intel 8088 16位微处理器为背景，介绍了8088微处理器的结构；指令系统与汇编程序设计；存储器系统设计；输入/输出接口电路设计与中断控制器8259A；并行接口芯片8255；串行接口芯片8250；定时/计数器8253；模拟量输入输出电路及接口设计等内容。
2、 课程重点章节及内容简介第一章 基础知识1、 常用数制：二、八、十、十六进制2、 原码、反码与补码、带符号数的运算时的溢出判断3、 常用逻辑门（与、或、非、与非、或非）、译码器（74LS138）与逻辑运算4、 二进制编码：BCD与ASCII编码、奇偶校验5、 微处理器的发展史：分代6、 作业：3、4、5、6、9、10、11第二章 微型计算机基础1、8088的内部结构（EU、BIU）、引脚与功能2、8088CPU的寄存器结构：通用、专用、标志寄存器3、8088微处理器的存储器组织、物理地址的计算4、8088总线周期5、8088CPU的最小/最大工作模式、典型操作时序图、最小模式下典型原理图的连接。
6、流水线技术、CACHE技术7、 总线的功能、性能指标、常用总线8、 作业：7、8、10、11、12、13、15、16、18第三章 指令系统1、指令的格式、指令的执行时间2、寻址方式（1）立即寻址汇编格式：n n为8bit或16bit 功能：n为操作数本身（2） 直接寻址 [n]功能：n为操作数的偏移地址（3）寄存器寻址汇编格式：R R为通用寄存器（4） 寄存器间接寻址汇编格式：[R]功能：R的内容为操作数的偏移地址(5) 寄存器相对寻址汇编格式：X[R] X为8位或16bit功能：R+X为操作数偏移地址(6) 基址加变址寻址汇编格式：[BR][IR]功能：BR+IR为操作数的偏移地址注：BR=BX，BP、 IR=SI，DI(7) 相对基址加变址寻址汇编格式: X[BR][IR] X为16bit 功能: BR+IR+X为操作数的偏移地址(8) 隐含寻址如：MUL BL3、8086/8088指令A、 数据传送指令(1) 通用数据传送指令① MOV d, s ② PUSH s③ POP d ④ XCHG d, s ⑤ XLAT注：d, s分别为目的、源操作数(地址)(2) 目标地址传送指令① LEA d, s ② LDS d, s ③ LES d, s(3) 标志位传送指令① LAH F ② SAH F ③ PUSH F ④ POP F(4) I/O数据传送指令① IN 累加器， 端口号 ② OUT 端口号，累加器B、算术运算指令(1) 加法指令① ADD d, s ② ADC d, s ③ INC d(2) 减法指令① SUB d, s ② SBB d, s ③ DEC d ④ NEG d(3) 乘法指令① MUL s ② IMUL s(4) 除法指令① DIV s ② IDIV s ③ CBW 和CWDC、逻辑运算和移位循环指令(1) 逻辑运算指令① AND d,s ② OR d,s ③ XOR d,s ④ NOT d ⑤ TEST d,s(2) 移位指令与循环移位指令SAL、 SHL、SAR、SHR、ROL、ROR、RCL、RCRD、串操作指令(1) MOVS d, sMOVSB/MOVSW(2) CMPS d, sCMPSB/CMPSW(3) SCAS d, sSCASB/SCASW(4) LODS d, sLODSB/LODSW(5) STOS d, sSTOSB/STOSWE、程序控制指令(1) 无条件转移指令 ① JMP目标标号 ② CALL 过程名(2) 条件转移指令 (3) 循环控制指令(4) 中断指令F、处理器控制指令(1) 标志操作指令：CLC、STC、CMC、CLD、STD、CLI、STI(2) 外部同步指令：HLT、NOP、WAIT、LOCK4、重要概念（1） 堆栈的概念：入栈、出栈、堆栈指针的位置（2） 物理地址的计算：寄存器与段寄存器的配合、计算（3） 段内与段间的转移与调用5、作业：2、3、5、6、7、9、12第四章 汇编语言程序设计1、 伪指令和程序结构2、 汇编语言程序设计：顺序、分支、循环结构、子程序结构(1) 程序分段及存储器分配(2) 变量定义(3) 过程的定义3、汇编程序的调试4、DOS功能调用4、典型汇编程序的编程5、作业：2、5、7、12、15、16、17第五章 半导体存储器1、 存储器的分类、主要技术指标2、 存储器与CPU的连接：（1）存储器的地址分配和片选问题；（2）与CPU典型的连接图；（3）存储器的扩展技术3、 DRAM的特点、CACHE的用处4、作业：4、5、6、7、10、11第六章 输入/输出和中断技术1、 I/O接口的概念、功能2、 I/O接口的编址方式3、地址译码、片选信号的产生4、 输入电路、输出电路的设计5、输入输出的控制方式：无条件传送、查询、中断、DMA6、中断技术（1） 中断的概念（2） 8086/8088中断源（内部/外部）（3） 中断的过程：请求、判优、响应、处理、返回（4） 中断向量表结构和功用。
《微电子器件原理》复习题课件
《微电⼦器件原理》复习题课件考试时间： (第⼗周周⼆6-8节)考试地点：待定《微电⼦器件原理》复习题及部分答案⼀、填空1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产⽣于过渡区外的⼀个扩散长度范围内，其机理为少⼦的充放电，⽽过渡区电容产⽣于空间电荷区，其机理为多⼦的注⼊和耗尽。
2、当MOSFET器件尺⼨缩⼩时会对其阈值电压V T产⽣影响，具体地，对于短沟道器件对V T的影响为下降，对于窄沟道器件对V T的影响为上升。
3、在NPN型BJT中其集电极电流I C受V BE电压控制，其基极电流I B受V BE电压控制。
4、硅-绝缘体SOI器件可⽤标准的MOS⼯艺制备，该类器件显著的优点是寄⽣参数⼩，响应速度快等。
5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等⼏种，其中发⽣雪崩击穿的条件为V B>6E g/q。
6、当MOSFET进⼊饱和区之后，漏电流发⽣不饱和现象，其中主要的原因有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。
⼆、简述1、Early电压V A；答案：2、截⽌频率f T；答案：截⽌频率即电流增益下降到1时所对应的频率值。
3、耗尽层宽度W。
答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，就会产⽣空间电荷区，⽽空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。
4、雪崩击穿答案：反偏PN中，载流⼦从电场中获得能量；获得能量的载流⼦运动与晶格相碰，使满带电⼦激出到导带，通过碰撞电离由电离产⽣的载流⼦（电⼦空⽳对)及原来的载流⼦⼜能通过再碰撞电离,造成载流⼦倍增效应，当倍增效应⾜够强的时候，将发⽣“雪崩”——从⽽出现⼤电流，造成PN结击穿，此称为“雪崩击穿”。
5、简述正偏PN结的电流中少⼦与多⼦的转换过程。
答案：N型区中的电⼦,在外加电压的作⽤下,向边界Xn漂移,越过空间电荷区,在边界Xp形成⾮平衡少⼦分布,注⼊到P区的少⼦,然后向体内扩散形成电⼦扩散电流,在扩散过程中电⼦与对⾯漂移过来的空⽳不断复合,结果电⼦扩散电流不断转为空⽳漂移电流.空⽳从P区向N区运动也类同.6、太阳电池和光电⼆极管的主要异同点有哪些？答案：相同点：都是应⽤光⽣伏打效应⼯作的器件。
北理工微电子器件复习资料1综述
一、基础知识1、 基本概念（1） 本征、非本征；复合、产生；自由电子、空穴；（2） 简并、非简并： ngp n i2;（3） 平衡：费米能级一致性、非平衡：准费米能级；n 0 xn i exp E F E i ( x)（4） 费米分布、非简并玻尔兹曼分布：kTE i (x) E Fp 0 xn i expkT2、 三个基本方程r rq( pn N D N A )E（1） 泊松方程：s；x aVbix dxE- x pr q r qD n nJ n n nE（2） 漂移和扩散电流密度： rr，其中扩散系数与迁移J pq p pE qD p p率存在爱因斯坦关系 D / kT / q ，爱因斯坦关系推导是由载流子浓度与能量关系的方程得到的；n1 rU n tqJ n，其中 U 为载流子的净复合率， U >0（3） 连续性：r p1J p U ptq为净复合， U <0 为净产生。
二、PN 结突变 PN 结；非简并平衡状态； 电压 -电流特性、准费米能级、大注入；击穿；电容；开关与频率的关系。
0、 PN 结简介突变结、线性缓变结；定义冶金界面和 X 轴垂直。
1、 PN 结平衡平衡：温度均匀稳定，无外加能量。
突变结：空间电荷区（耗尽区、势垒区）、中性区（耗尽近似和中性近似矛盾） 、内建电场、内建电势、耗尽区宽度、能带图。
（1） 电场和电势思路：首先根据基本方程 1 得到内建电场、耗尽区宽度与内建电势的关系，然后根据基本方程 2 得到内建电势与掺杂浓度的关系。
----书上是反过来计算的。
由平衡时，电流J p qD p dpq p pE 0 ，得到电场分布与载流子分布的关dx系： E x D p1dp kT d ln p，对电场做积分，计算内建电势为：p dx q dxpV bi x n x dx kT p p0kT p p0E d ln p ln，结合多子与掺杂近似相等以及非简x p q p n 0q p n0并条件 ngp n i，得到 V bi kTlnNAND。
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三、BJT 原理（下部分）
BJT 的反向和击穿特性；缓变基区物理形状条件下，基极包含四部分电阻；*w β、w γ、w α、w β的频率特性及影响因素；高频小信号模型及含义；获得最大功率增益条件、高频优值（功率增益带宽积）、最高振荡频率及发生振荡的条件；E-M 模型及开关特性。
5、反向特性及集电结雪崩击穿
BJT 在正常工作的情况下，集电结反偏，产生雪崩击穿。
共基极和共发射极的输出特性曲线如下图所示。
在共发射极情况下雪崩击穿产生负阻区。
基区穿通效应是由于集电结耗尽区扩展，导致基区宽度随之减小，当集电结反偏达到某一个极值时，发射区与集电区之间，只有耗尽层而无中性基区，这种现象称为基区穿通。
是基区宽度调变效应（厄尔利效应）的极限情况。
6、基极电阻
基极电阻由四部分串联：
①非工作基区与基极金属的欧姆接触电阻（直线电流） ②基极接触处到基极接触孔边缘下的基区电阻（折线电流） ③基极接触孔边缘下到工作基区边缘的基区电阻（直线电流） ④工作基区的电阻（折线电流） 8、w α、w β频率特性 （1）基本概念
当晶体管对高频信号进行放大时，首先用被称为 “偏置” 或 “工作点” 的直流电压或直流电流使晶体管工作在放大区，然后把欲放大的高频信号叠加在输入端的直流偏置上。
当信号电压的振幅远小于kT q 时，称为小信号。
这时晶体管内与信号有关的各电压、电流和电荷量，都由直流偏置和高频小信号两部分组成，其高频小信号的振幅都远小于相应的直流偏置。
各高频小信号电量之间近似地成线性关系。
正偏PN 结：势垒电容和扩散电容；反偏PN 结：势垒电容。
（2）基区输运系数的频率特性
基区输运系数*
**1*
jm f f w e
j f f ββββ-=
⋅+在复平面的轨迹如下图所
示。
随着频率升高，基区输运系数的幅度变化是沿着半圆上的P 点，由于相位角随着频率变化，得到P ˊ点。
其中，m 为超相移因子。
（3）共基极高频小信号短路电流放大系数
b
0eb b
d c
e (1)(1)(1)(1)j m w j j j j ωτααωτωτωτωτ'
-==
'++++ eb τ为发射结势垒电容的充放电时间；
b 'τ为b τ（基区渡越时间）内对集电结交流电流有贡献的时间；
d τ为集电结耗尽区延迟时间；
c τ为集电结势垒电容的充放电时间；
（4）共发射极高频小信号短路电流放大系数及截止频率、特征频率
00,,w f
f f f f f
f f
βββ
β
βββ⎧⎪⎪⎪==⎨⎪⎪⎪⎩
直流增益、截止频率（增益带宽积）、特征频率之间的关系近似为：T 0f f ββ=。
注意图中和公式中，坐标的取值区别。
9、高频小信号等效电路
高频小信号电流电压方程为
b πbe μcb
πμc m be μcb
o 111I j C V j C V r r I g V j C V r ωωω⎛⎫⎛⎫
=+-+ ⎪ ⎪ ⎪
⎝⎭⎝⎭⎛⎫=++ ⎪⎝⎭。
其
中，
π0e πDE TE
e
μ0o μDE TC o
,,r r C C C r r r C C C r ββ==+==+，CE A o C C
V V
r I I ∂≡=∂。
根据公式得到等效电路，如下图所示。
基本知识：电流源转换以及电流源到电压源的互换关系，如下图所示。
共基极等效电路及共发射极等效电路如下图所示。
10、功率增益和最高振荡频率
特征频率T f 代表的是共发射极接法的晶体管有电流放大能力的频率极限。
最高振荡频率M f 则代表晶体管有功率放大能力的频率极限。
获得最大功率增益max p K 条件为：晶体管输出等效阻抗与其负载阻抗是共轭关系。
高频优值（功率增益带宽乘积）22max 1p M M K f f =⋅=⋅。
最高振荡频率：晶体管的最大功率增益max p K 下降为1时对应的频率为M f 。
发生振荡的条件：当整个环路的功率增益大于1时，晶体管可以在正反馈的条件下发生振荡。
11、开关特性
（1）晶体管的开关作用如下图所示。
（2）埃伯斯-莫尔等效电路及其等效电路
DC 情况下I/V 曲线，
exp 1exp 1exp 1exp 1BC BE
E ES R CS BC BE
C ES CS qV qV
I I I kT kT qV qV
I I I kT kT αα⎡⎤
⎡⎤
⎛⎫⎛⎫=--+- ⎪ ⎪⎢
⎥⎢⎥⎝⎭⎝⎭⎣⎦⎣
⎦
⎡⎤
⎡⎤
⎛⎫⎛⎫=--- ⎪ ⎪⎢
⎥⎢⎥⎝⎭⎝⎭⎣
⎦
⎣⎦。
重要的互易关系ES R CS I I αα=，
令
exp 1exp 1BE
F ES BE
R CS qV
I I kT qV
I I kT ⎡⎤
⎛⎫=- ⎪⎢⎥⎝⎭⎣⎦⎡⎤⎛⎫=- ⎪⎢⎥⎝⎭⎣
⎦
，则得到如下图所示的等效电路。
埃伯斯-莫尔输出特性曲线如下图所示。
晶体管瞬态开关特性如下图所示。