电子技术练习题
电子技术基础练习题库及答案
电子技术基础练习题库及答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
A、✔B、×正确答案：A2、单相半波整流电路，负载电阻RL=750W，变压器次级电压有效值，U2=20V，则输出电压平均值U0为。
A、18VB、20VC、9V正确答案：C3、PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）A、少数载流子。
B、既有多数载流子又有少数载流子。
C、多数载流子。
正确答案：C4、符号IB表示三极管基极电流的（）A、直流分量。
B、交流分量。
C、直流分量和交流分量之和。
正确答案：A5、在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，若静态工作点设置太低，将产生（）A、截止失真。
B、放大失真。
C、饱和失真。
正确答案：A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是（）A、5VB、9VC、12V正确答案：C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v，则该三极管类型是（）A、npn型硅管。
B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案：A8、稳压管的稳压区是指其工作在（）的区域。
A、正向导通。
B、反向击穿。
C、反向截止。
正确答案：B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。
（）A、差值放大器。
B、反相放大器。
C、电压比较器。
正确答案：C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态（）A、无关B、有关C、不一定正确答案：B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。
A、×B、✔正确答案：A12、下列三种电路中，输入电阻最大的电路是（）A、共集放大电路。
B、共射放大电路。
C、共基放大电路。
正确答案：A13、最常用的显示器件是（）数码显示器。
A、七段B、五段C、九段正确答案：A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、相同B、不想同C、有的相同，有的不相同。
正确答案：C15、非门的逻辑功能是（）A、有0出0。
全1出1。
B、有1出1。
电子技术习题
基本半导体器件一、判断题：1、有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6Ｖ和-6.2Ｖ，说明这个晶体三极管是锗ＰＮＰ管。
2、晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。
3、当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。
4、晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
5、Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。
6、当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
7、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。
8、若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。
9、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。
10、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
11、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。
12、Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。
13、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。
14、一般来说，硅晶体二极管的死区电压。
小于诸晶体二极管的死区电压。
15、ＰＮ结具有单向导电性，即加反向电压时，ＰＮ结导通，加正向电压时，ＰＮ结截止。
16、为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。
17、无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，ｂ极电位总是高于ｅ极电位，ｃ极电位也总是高于ｂ极电位。
18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib，它不随工作点而改变。
19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（Ｎ型的或Ｐ型的）构成的，故ｅ极和ｃ极可以互换使用。
20、晶体三极管的直流输入电阻和交流或入电阻都和工作温度有关，温度升高，Ｒ、ｒbe都增高。
电子技术习题
基本半导体器件一、判断题：1、有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6Ｖ和-6.2Ｖ，说明这个晶体三极管是锗 ＰＮＰ管。
2、晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。
3、当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。
4、晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
5、Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。
6、当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
7、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。
8、若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。
9、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。
10、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
11、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。
12、Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。
13、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。
14、一般来说，硅晶体二极管的死区电压。
小于诸晶体二极管的死区电压。
15、ＰＮ结具有单向导电性，即加反向电压时，ＰＮ结导通，加正向电压时，ＰＮ结截止。
16、为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。
17、无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，ｂ极电位总是高于ｅ极电位，ｃ极电位也总是高于ｂ极电位。
18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib，它不随工作点而改变。
19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（Ｎ型的或Ｐ型的）构成的，故ｅ极和ｃ极可以互换使用。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
电子技术习题
电子技术习题3. 负反馈尽管使放大器的增益下降，但能提高增益的稳固性，扩展通频带，减小非线性失真，改变放大器的输入、输出电阻。
7. 负反馈对输出电阻的影响取决于输出端的反馈类型，电压负反馈能够减小输出电阻，电流负反馈能够增大输出电阻。
9. 将输出信号的一部分或者全部通过某种电路引回到输入端的过程称之反馈。
11. 负反馈对输入电阻的影响取决于输入端的反馈类型，串联负反馈能够增大输入电阻，并联负反馈能够减小输入电阻。
18. 温度升高时，二极管的导通电压减小，反向饱与电流增大。
22. 理想集成运放的开环差模电压增益为∞，差模输入电阻为∞，输出电阻为0，共模抑制比为∞。
24. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2=-6V，U3=-6.2V，电极3为基极， 1 为集电极，2为发射极，为PNP 型管。
26. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于放大状态。
29. 关于放大电路，若无反馈网络，称之开环放大电路；若存在反馈网络，则称之闭环放大电路。
31. 射极输出器的要紧特点是：电压放大倍数接近于1但小于1（或者 1）、输入电阻很大、输出电阻很小。
32. 纯净的具有晶体结构的半导体称之本证半导体，使用一定的工艺掺杂后的半导体称之杂质半导体。
50. 当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度增大，因而少子漂移而形成的反向电流减小，二极管反向伏安特性曲线下移。
51. 为提高放大电路的输入电阻，应引入交流串联负反馈，为提高放大电路的输出电阻，应引入交流电流负反馈。
52. 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多子为自由电子，少子为空穴。
53. 与未加反馈时相比，如反馈的结果使净输入信号变小，则为负反馈，如反馈的结果使净输入信号变大，则为正反馈。
55. 串联负反馈在信号源内阻小时反馈效果显著；并联负反馈在信号源内阻大时反馈效果显著。
62. 引入正反馈可提高电路的增益，引入负反馈可提高电路增益的稳固性。
电子技术及实训习题库及参考答案
电子技术及实训习题库及参考答案一、单选题（共50题, 每题1分, 共50分）1、射极输出器的特点之一是, 具有(____)。
A.很大的输出电阻；B.很大的输入电阻；C.与共射极电路相同；D.输入、输出电阻均不发生变化正确答案: B2、单相桥式整流电路中, 负载RL承受的是整流变压器二次绕组的(____)。
A.全部电压；B.一半电压；C.三分之一电压；D.四分之一电压正确答案: A3、稳压二极管的动态电阻越小, 稳压性能（ )A.不稳定；B.越差；C.越好；D.不确定正确答案: C4、单相桥式整流电路中, 二极管导通的时间是(____)周期。
A.1/2；B.1/5C.1/4；D.1/3；正确答案: A5.差模输入信号是(____)。
A.大小相反、极性相同B.大小相等、极性相同；C.大小相反、极性相反；D.大小相等、极性相反；正确答案: D6、稳压二极管是一个可逆击穿二极管, 稳压时其两端电压必须（）,它的稳压值Uz才有导通电流。
A.反偏；B.正偏；C、小于D.大于；正确答案: D7、工作在放大区的某三极管, 基极电流从20微安减小到10微安时, 集电极电流从1.5毫安变为1毫安, 其电流放大系数β约为(____)。
A.10；B、25C.100；D.50；正确答案: D8、在本征半导体中掺入适量的(____)价元素, 可以形成 N 型半导体。
A、7B、5；C、3；D、1；正确答案: B9、三极管的电流放大系数由三极管的（）决定。
A.射极电流；B.集电极电流；C.工艺结构D.基极电流；正确答案: C10、三极管的电流放大系数β表明(____)极电流对(____)极电流的放大能力。
A.基, 集电；B.集电, 基C.集电, 发射；D.基, 发射；正确答案: B11、单相桥式整流中, 每个二极管导通的时间是(____)周期。
A.1/4；B.1/3C.1/6；D.1/2；正确答案: D12.差模信号是大小（）的两个信号。
电工电子技术练习题
电工与电子技术练习题一、单项选择题(1). 图示电路中，发出功率的电路元件为（ ）。
a. 电压源； b. 电流源； c. 电压源和电流源。
(2). 图示电路中， 电流值I=（ ）。
a. 2A ；b. 4A ；c. 6A ；d. -2A 。
(3). 图示电路中，电压相量U=100∠30°V ，阻抗Z=6+j8Ω，则电路的功率因数COS φ为（ ）。
a. 0.5；b. 0.6；c. 0.8；d. 0.866。
(4). 某电路总电压相量U=100∠30°V ，总电流相量I =5∠-30°A ，则该电路的无功功率Q=（ ）。
a. 0var ；b. 250var ；c. 3250var ；d. 500var 。
(5). 额定电压为380V 的三相对称负载，用线电压为380V 的三相对称电源供电时，三相负载应联接成（ ）。
a. 星形；b. 三角形；c. 星形和三角形均可。
(6). 当发电机的三个绕组联成Y 接时，在对称三相电源中，线电压)30sin(2380o BC t u -=ωV ，则相电压A u =( )。
a. () 90sin 2220+t ωV ；b.()30sin 2220-t ωV ；C.()120sin 2220+t ωV ； d. ()60sin 2220+t ωV 。
(7). 图示电路中，三相对称电源线电压为380V ，三相对称负载Z=6+j8Ω，则电路中A 相线电流大小IA=（ ）。
a. 338A ；b. 38A ；c. 322A ；d. 22A 。
(8). 图示电路中，开关S 在位置”1”时的时间常数为τ1，在位置”2”时的时间常数为τ2，则τ1与τ2的关系为( )。
a.τ1=τ2；b.τ1=τ2/2；c.τ1=2τ2。
(9). 图示电路中，E=40V ，R=50K Ω，C=100μF ，t=0时刻开关S 闭合，且0)0(=-c u V 。
则t=5s 时，c u =（ ）。
电力电子技术练习题库与参考答案
电力电子技术练习题库与参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、直接耦合式强迫换流是给晶闸管加上反向电压而使其关断，因此又叫（）。
A、电流换流B、器件换流C、电压换流D、负载换流正确答案：C2、PWM控制技术在( )电路中的应用最为广泛。
A、逆变B、整流C、变频D、斩波正确答案：A3、单相全桥电压型逆变电路阻感负载，需要（）个续流二极管。
A、2B、4C、1D、3正确答案：B4、逆变电路根据交流输出侧接的对象，可分为（）。
A、单相逆变电路和三相逆变电路B、电压型逆变电路和电流型逆变电路C、有源逆变电路和无源逆变电路D、电容式逆变电路和电感式逆变电路正确答案：C5、单相全控桥式整流电路最多需要（）个晶闸管。
A、2B、3C、1D、4正确答案：D6、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、正玄波B、载波C、调制信号D、锯齿波正确答案：C7、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，它是由（）复合而成的。
A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案：A8、所谓电力电子技术就是应用于电力领域的（）技术。
A、变换B、电子C、控制D、交流正确答案：B9、单相桥式可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-150°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-180°正确答案：D10、斩波电路控制方式中，ton和T都可调，改变占空比，称为（）。
A、频率调制B、PWMC、相位控制D、混合型正确答案：D11、得到PWM波形的方法有（）。
A、计算法和调制法B、计算法和画图法C、调制法和画图法D、计算法和理论法正确答案：A12、逆变电路根据直流侧电源性质的不同，可分为（）。
A、电压型逆变电路和电流型逆变电路B、单相逆变电路和三相逆变电路C、电容式逆变电路和电感式逆变电路D、有源逆变电路和无源逆变电路正确答案：A13、斩波电路控制方式中，ton不变，改变T，称为（）。
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R 2 kW UAB
ＵAB = 0 V
V1 15 V V2
10 V _
B
(a)
D2反偏电压为15 V D2截止
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模拟电子技术基础
对于图 b，经判断知，D1、
D2两端的开路电压分别为
D1
A
10 V，25 V
+ D2
D2优先导通 D2导通后
ＵAB = –15 V
即 D1上的反偏电压为15 V D1截止
2. 如果电路中有两个二极管，利用方法1分别判 断各个二极管两端的开路电压，开路电压高的二 极管优先导通；当此二极管导通后，再根据电路 的约束条件，判断另一个二极管的工作状态。
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模拟电子技术基础
对于图 a，经判断知，D1、D2两端的开路电压 分别为： 10 V，–5 V
D1
A
D2
+
D1导通
18 V
_
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模拟电子技术基础
iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
_
V1 6 V V2
18 V
_
[解] 当D1、D2均导通时
iD2
i2
V2 - uI R2
iD1
-(i1
+ iD2 )
-(V1 - uI R1
+ V2 - uI R2
)
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模拟电子技术基础
代入有关数据得
iD1
2uI 5
24
iD2
18
5
uI
iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
_
V1
6 V V2
18 V
_
由此可知
D1导通的条件是uI＞12 V D2导通的条件是uI＜18 V
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模拟电子技术基础
iD1
2uI 5
24
iD2
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模拟电子技术基础
iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
_
V1
6 V V2
18 V
_
当12 V＜ uI ≤ 18 V时，D1、D2均导通 uO= uI
当uI >18 V时，D1导通、D2截止 uO=18 V
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模拟电子技术基础
练习题
[例1] 用万用表测量二极管的正向直流电阻RF，选用的 量程不同，测得的电阻值相差很大。现用MF30 型万 用表测量某二极管的正向电阻，结果如下表，试分析 所得阻值不同的原因。
电阻量程 ×1 ×10 ×100 ×1k 测得电阻值 31Ω 210Ω 1.1 kΩ 11.5 kΩ
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R 2 kW UAB V1 15 V
V2
10 V _
B
(b)
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模拟电子技术基础
[例3] 电路如图所示, 设D1 、D2 的性能均理想，输入电 压uI的变化范围为0~30 V。画出电路的传输特性曲线。
iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
_
V1 6 V V2
18
5
uI
iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
_
V1
6 V V2
18 V
_
故 当uI≤12 V时，D1截止、D2导通。
- i1
i2
V2 -V1 R1 + R2
18 - 6 5+5
mA
1.2
mA
uO V1 + i1R1 (6 + 1.2 5) V 12 V
模拟电子技术基础
R0
[解] 万用表测电阻的原理图
+
图中，R0为表头等效内阻。
iD + uD -
E -
万用表的量程越大，即R0越大。
写出电路方程
uD+iDR0=E
显然，上式在 iD— uD坐标系中表示一条直线。
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模拟电子技术基础
uD+iDR0=E
R0
画出上式所表示的直线。
iD
显然，UD、ID是直线与二
电路中的二极管是导通还是截止，并求出A、B两点之
间的电压ＵAB值。
D1
A
D1
A
D2
+
D2
+
R 2 kW UAB
V1 15 V V2
10 V _
B
(a)
R 2 kW UAB V1 15 V
V2
10 V _
B
(b)
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模拟电子技术基础
[解] 判断电路中二极管工作状态的方法
1. 断开二极管，分析电路断开点的开路电压。如 果该电压能使二极管正偏，且大于二极管的死区 电压，二极管导通；否则二极管截止。
极管伏安特性曲线的交点。
二极管的等效电阻为
Hale Waihona Puke iDE/R0+ uD D
+ E -
直线
RD=UD/ID
E/R01
可见，万用表的量程越大，
ID ID
UD、ID 越小，
1
O
二极管的等效电阻越大。
R0增大
uD UD 二UD极管伏E 安特性
1
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模拟电子技术基础
[例2] 设图示电路中的二极管性能均为理想。试判断各