DOS态密度
DOS态密度
态密度（Density of States，简称DOS）在DOS结果图里可以查看是导体还是绝缘体还是半导体，请问怎么看。
理论是什么？或者哪位老师可以告诉我这方面的知识可以通过学习什么获得。
不胜感激。
查看是导体还是绝缘体还是半导体，最好还是用能带图DOS的话看费米能级两侧的能量差谢希德。
复旦版的《固体能带论》一书中有，请参阅！另外到网上或者学校的数据库找找“第一性原理”方面的论文，里面通常会有一些计算分析。
下面有一篇可以下载的：ZnO的第一性原理计算hoffman的《固体与表面》对态密度的理解还是很有好处的。
下面这个是在版里找的，多看看吧：如何分析第一原理的计算结果用第一原理计算软件开展的工作，分析结果主要是从以下三个方面进行定性/定量的讨论：1、电荷密度图（charge density）；2、能带结构（Energy Band Structure）；3、态密度（Density of States，简称DOS）。
电荷密度图是以图的形式出现在文章中，非常直观，因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。
唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式，比如差分电荷密图（d ef-ormation charge density）和二次差分图（difference charge density）等等，加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图（spin-polarized charge density）。
所谓“差分”是指原子组成体系（团簇）之后电荷的重新分布，“二次”是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布，因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。
通过电荷聚集（accumulation）/损失（depletion）的具体空间分布，看成键的极性强弱；通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道（这个主要是对d轨道的分析，对于s 或者p轨道的形状分析我还没有见过）。
分析总电荷密度图的方法类似，不过相对而言，这种图所携带的信息量较小。
DOS态密度
态密度（Density of States，简称DOS）在DOS结果图里可以查看是导体还是绝缘体还是半导体，请问怎么看。
理论是什么？或者哪位老师可以告诉我这方面的知识可以通过学习什么获得。
不胜感激。
查看是导体还是绝缘体还是半导体，最好还是用能带图DOS的话看费米能级两侧的能量差谢希德。
复旦版的《固体能带论》一书中有，请参阅！另外到网上或者学校的数据库找找“第一性原理”方面的论文，里面通常会有一些计算分析。
下面有一篇可以下载的：ZnO的第一性原理计算hoffman的《固体与表面》对态密度的理解还是很有好处的。
下面这个是在版里找的，多看看吧：如何分析第一原理的计算结果? ?? ?用第一原理计算软件开展的工作，分析结果主要是从以下三个方面进行定性/定量的讨论：??1、电荷密度图（charge density）；??2、能带结构（Energy Band Structure）；??3、态密度（Density of States，简称DOS）。
? ?? ???电荷密度图是以图的形式出现在文章中，非常直观，因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。
唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式，比如差分电荷密图（def-ormation charge density）和二次差分图（difference charge density）等等，加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图（spin-polarized charge density）。
所谓“差分”是指原子组成体系（团簇）之后电荷的重新分布，“二次”是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布，因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。
通过电荷聚集（accumulation）/损失（depletion）的具体空间分布，看成键的极性强弱；通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道（这个主要是对d轨道的分析，对于s或者p轨道的形状分析我还没有见过）。
声子谱分态密度pdos和态密度
声子谱分态密度（PDOS）和态密度（DOS）是描述材料中声子分布的两个重要概念。
态密度（DOS）是从量子力学角度描述材料中声子处于某种状态的概率分布。
具体而言，它表示单位体积、单位能量间隔内的声子数目。
态密度曲线是将归一化之后的态密度图形与坐标轴围成的面积绘制成的曲线，可以反映材料中声子的分布情况。
声子谱分态密度（PDOS）则更进一步，它不仅考虑了声子处于某种状态的概率，还考虑了该状态对应的声子模。
声子模是晶胞内所有原子振动模式的一种周期性扰动，可以理解为一种特殊的声波。
因此，PDOS 可以理解为材料中声子处于某种特定状态（对应于特定的声子模）的概率分布。
理论上，如果体系足够大，声子模足够多，态密度曲线和声子谱分态密度曲线应该重合。
这是因为它们都描述了材料中声子的分布情况。
总的来说，态密度和声子谱分态密度都是描述材料中声子分布的重要概念，但它们从不同的角度进行描述。
石墨烯功函数
石墨烯功函数中的特定函数1. 功能介绍石墨烯功函数中的特定函数是用来描述石墨烯材料中的电子能级分布和电子行为的函数。
通过计算和分析这些特定函数，可以了解石墨烯材料的电子结构、导电性质以及与其他材料的界面相互作用等重要信息。
这些特定函数在石墨烯相关研究领域具有广泛的应用，包括电子输运、器件设计和材料工程等方面。
2. 常见的特定函数2.1 密度态密度（Density of States, DOS）密度态密度（Density of States, DOS）是描述材料中电子能级分布的函数。
对于石墨烯材料来说，密度态密度函数表示了在给定能量范围内每个能级上的电子数目。
通过计算密度态密度函数，可以了解石墨烯中的能带结构、能级分布以及电子行为等信息。
在石墨烯中，由于其特殊的晶格结构和电子能带结构，密度态密度函数呈现出特殊的形态。
石墨烯的能带结构包括两个能带，分别是价带和导带，它们在费米能级附近相交，形成两个锐利的能带峰。
在费米能级附近，石墨烯的密度态密度函数呈现出线性关系，即呈现出线性色散关系。
这种特殊的线性色散关系是石墨烯具有优异电子输运性能的重要原因之一。
2.2 偏态密度（Partial Density of States, PDOS）偏态密度（Partial Density of States, PDOS）是描述材料中特定原子或分子轨道上电子能级分布的函数。
在石墨烯材料中，偏态密度函数用于描述石墨烯中不同原子轨道上的电子能级分布。
通过计算偏态密度函数，可以了解不同原子轨道上的电子密度和电子行为等信息。
石墨烯是由碳原子构成的，因此石墨烯的偏态密度函数主要描述碳原子轨道上的电子能级分布。
在石墨烯中，碳原子的3个p轨道参与形成π键，而s轨道和另外两个p轨道不参与键合。
因此，石墨烯的偏态密度函数主要包括s轨道和p轨道的贡献。
通过计算和分析石墨烯的偏态密度函数，可以了解碳原子轨道上的电子密度和电子行为，进而揭示石墨烯的电子结构和导电性质等重要信息。
dos计算方法
dos计算方法宝子们！今天咱们来唠唠DOS计算方法呀。
DOS呢，就是态密度（Density of States）。
简单来说，它就像是一个统计员，告诉咱在某个能量范围内有多少个电子态。
在计算的时候呀，这可是个挺有趣的事儿。
从最基础的概念来讲，咱得先知道它跟电子结构是紧密相连的。
想象一下电子就像住在不同楼层（能量层）的小居民。
DOS就是告诉咱每个楼层大概住了多少电子居民呢。
在实际的计算过程中，有不少方法。
一种常见的是基于量子力学原理的计算。
这就像是用超级精密的仪器去探测电子的小世界。
比如说，用一些特定的软件或者算法，把原子的结构、原子之间的相互作用这些信息都输入进去。
就好像告诉计算机，“这是原子们的布局，你去给我算出DOS来。
”咱举个超简单的例子哈。
假如把原子比作小房子，电子就是住在房子里的小精灵。
DOS计算就是要搞清楚在不同大小（能量）的房子里，大概有多少小精灵。
如果是简单的原子系统，计算可能相对轻松一点，就像数几个小房子里的小精灵。
但要是复杂的分子或者晶体结构，那就像是一个超级大的小区，房子又多又复杂，计算起来就有点费劲儿啦。
不过呢，也别被吓着。
现在有很多现成的工具可以用。
就像有那种专门的计算软件，你只要按照它的要求把原子的种类、坐标这些信息输进去，它就能给你算出个大概的DOS来。
当然啦，这些结果可能不是百分百完美，就像你自己做蛋糕，有时候卖相可能没蛋糕店那么好，但味道也还不错啦。
而且哦，在学习DOS计算方法的时候，多做一些小例子是很有用的。
就像你学骑自行车，先在小院子里骑骑，熟悉了再上马路。
从简单的原子系统开始计算DOS，慢慢掌握了规律，再去挑战那些复杂的分子晶体啥的。
宝子们，DOS计算方法虽然有点小复杂，但只要咱有耐心，一步一步来，就像搭积木一样，一块一块地把知识垒起来，总能搞明白的哟！加油呀！。
DOS态密度
如何分析第一原理的计算结果用第一原理计算软件开展的工作，分析结果主要是从以下三个方面进行定性/定量的讨论：1、电荷密度图(charge density)；2、能带结构(Energy Band Structure)；3、态密度(Den sity of States，简称DOS)。
电荷密度图是以图的形式出现在文章中，非常直观，因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。
唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式，比如差分电荷密图(d ef-ormation charge density)和二次差分图(differenee charge density)等等，加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图(spin-polarized charge density)。
所谓差分”是指原子组成体系(团簇)之后电荷的重新分布，二次”是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布，因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。
通过电荷聚集(accumulation)/损失(depletion )的具体空间分布，看成键的极性强弱；通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道(这个主要是对d轨道的分析，对于s或者p轨道的形状分析我还没有见过)。
分析总电荷密度图的方法类似，不过相对而言，这种图所携带的信息量较小。
能带结构分析现在在各个领域的第一原理计算工作中用得非常普遍了。
但是因为能带这个概念本身的抽象性，对于能带的分析是让初学者最感头痛的地方。
关于能带理论本身，我在这篇文章中不想涉及，这里只考虑已得到的能带，如何能从里面看出有用的信息。
首先当然可以看出这个体系是金属、半导体还是绝缘体。
判断的标准是看费米能级和导带(也即在高对称点附近近似成开口向上的抛物线形状的能带)是否相交，若相交，则为金属，否则为半导体或者绝缘体。
对于本征半导体，还可以看出是直接能隙还是间接能隙：如果导带的最低点和价带的最高点在同一个k点处，则为直接能隙，否则为间接能隙。
dos态密度
dos态密度DOS态密度（DensityofStates）是物理和材料科学的重要概念，它指的是每一个能量状态的可能性，即被称为“Density of States”的概念。
总的来说，DOS态密度是材料和物质的重要特性之一，它可以帮助我们了解和计算材料的电子特性，如电子密度、电子态密度、气体密度、电子结构、物质的理想性等等。
DOS态密度可以以能量作为自变量，并以多段可调锥或多段平板调制函数形式显式地表示，以表示能量态状态的概率密度变化趋势。
假设我们有一种物质，它的多个电子态的能量分布为E1、E2等，那么可以把这些能量看作函数f(E)的一个横轴，把不同电子态的可能性看作纵轴，通过形成所谓的DOS态密度图，可以直观地分析物质的电子态状态密度分布情况。
DOS态密度有着广泛的应用，它可以用于帮助我们了解材料的电子态状态分布，从而帮助我们分析材料的特性，提高材料的性能。
例如，它可以用于分析金属和半导体的电子态密度，比如金属的电子态密度曲线可以帮助我们了解金属的导电性能，而半导体的电子态密度曲线可以帮助我们了解半导体的介电性能。
此外，DOS态密度还可以用于研究绝热流动体和非绝热流体的热力学行为，用于研究各种材料的复杂光学性能，用于研究各种物质的拉曼谱等。
因此，DOS态密度是一个重要的概念，它可以帮助我们了解材料的电子态密度分布情况，从而提高材料的性能。
然而，DOS态密度的估算也是一个挑战，因为它是一个非线性的函数，而且因为它的复杂性，很难解决。
但是，有了计算机的帮助，我们可以更加准确和容易地计算DOS态密度，从而分析材料的性能。
总之，DOS态密度及其相关概念是物理和材料科学研究中一个重要的概念，它可以帮助我们了解材料的特性和性能，从而提高材料的性能。
石墨烯 dos
石墨烯dos
石墨烯的态密度（DOS）指的是在费米能级处电子的态密度。
石墨烯的每个碳原子在垂直于石墨烯平面的方向上均存在一个未成键
电子，该电子与相邻的电子之间形成π键，从而形成大的共轭体系，电子可以在其中自由移动，因此石墨烯具有较高的DOS。
然而，当石墨烯被氧化后，会引入含氧官能团，其共轭网状结构受到破坏，使得氧化石墨烯（GO）具有半导体的性质，其DOS会明显小于石墨烯。
此外，还有其他一些石墨烯的衍生物，如GDY和GDYO，它们在费米能级处的DOS也较小。
此外，石墨烯的DOS还可以受到其无序性的影响。
无序性的增
加会导致碳材料的DOS增加。
例如，通过机械加工使电极表面粗糙化，由此产生的表面缺陷和边缘位点会增加DOS。
也可以将电极表
面完全改变成不同结构的化合物，如边缘热解石墨（EPPG），它拥
有较高比例的边缘位点，电子传递速率会大幅度增加。
在石墨烯中引入缺陷结构也可以改善其在费米能级处的DOS，
从而提高其量子电容。
例如，SW缺陷石墨烯在费米能级处存在五元环和八元环碳原子上pz态组成的能带，该能带可以容纳额外的电子，进而提高石墨烯可聚集的电量。
因此，石墨烯的DOS受到其结构、氧化程度以及无序性等多种
因素的影响。
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态密度（Deｎｓitｙ of States,简称DOS)在DＯS结果图里可以查瞧就就是导体还就就是绝缘体还就就是半导体,请问怎么瞧。
理论就就是什么？或者哪位老师可以告诉我这方面得知识可以通过学习什么获得。
不胜感激。
查瞧就就是导体还就就是绝缘体还就就是半导体,最好还就就是用能带图DＯＳ得话瞧费米能级两侧得能量差谢希德。
复旦版得《固体能带论》一书中有,请参阅！另外到网上或者学校得数据库找找“第一性原理”方面得论文,里面通常会有一些计算分析。
下面有一篇可以下载得：ＺｎO得第一性原理计算ｈoffman得《固体与表面》对态密度得理解还就就是很有好处得。
下面这个就就是在版里找得，多瞧瞧吧:如何分析第一原理得计算结果用第一原理计算软件开展得工作,分析结果主要就就是从以下三个方面进行定性/定量得讨论:1 ﻫ、电荷密度图(chａrge density）；2、能带结构(EnergｙBaｎd Ｓｔruｃture);ﻫ３、态密度（Dｅnsity oｆStates,简称ＤＯS)。
ﻫﻫ电荷密度图就就是以图得形式出现在文章中,非常直观,因此对于一般得入门级研究人员来讲不会有任何得疑问。
唯一需要注意得就就就是这种分析得种种衍生形式,比如差分电荷密图(dｅf-ormatioｎcｈargｅdensity)与二次差分图（differeｎce charｇｅｄｅnsiｔｙ)等等，加自旋极化得工作还可能有自旋极化电荷密度图(sｐiｎ-polaｒｉzeｄc hａrge densitｙ)。
所谓“差分”就就是指原子组成体系(团簇）之后电荷得重新分布,“二次”就就是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷得重新分布,因此通过这种差分图可以很直观地瞧出体系中个原子得成键情况。
通过电荷聚集(accuｍuｌａtioｎ)/损失(ｄepl etion）得具体空间分布,瞧成键得极性强弱;通过某格点附近得电荷分布形状判断成键得轨道(这个主要就就是对d轨道得分析，对于s或者p轨道得形状分析我还没有见过)。
分析总电荷密度图得方法类似，不过相对而言,这种图所携带得信息量较小。
ﻫ能带结构分析现在在各个领域得第一原理计算工作中用得非常普遍了。
但就就是因为能带这个概念本身得抽象性,对于能带得分析就就是让初学者最感头痛得地方。
关于能带理论本身,我在这篇文章中不想涉及,这里只考虑已得到得能带,如何能从里面瞧出有用得信息。
首先当然可以瞧出这个体系就就是金属、半导体还就就是绝缘体。
判断得标准就就是瞧费米能级与导带(也即在高对称点附近近似成开口向上得抛物线形状得能带)就就是否相交,若相交,则为金属,否则为半导体或者绝缘体。
对于本征半导体,还可以瞧出就就是直接能隙还就就是间接能隙:如果导带得最低点与价带得最高点在同一个k点处,则为直接能隙,否则为间接能隙。
在具体工作中，情况要复杂得多,而且各种领域中感兴趣得方面彼此相差很大,分析不可能像上述分析一样直观与普适。
不过仍然可以总结出一些经验性得规律来。
主要有以下几点: １) 因为目前得计算大多采用超单胞(ｓupeｒceｌl）得形式,在一个单胞里有几十个原子以及上百个电子，所以得到得能带图往往在远低于费米能级处非常平坦,也非常密集。
原则上讲,这个区域得能带并不具备多大得解说／阅读价值。
因此,不要被这种现象吓住，一般得工作中,我们主要关心得还就就是费米能级附近得能带形状。
ﻫ2) 能带得宽窄在能带得分析中占据很重要得位置。
能带越宽，也即在能带图中得起伏越大,说明处于这个带中得电子有效质量越小、非局域(nｏn-local)得程度越大、组成这条能带得原子轨道扩展性越强。
如果形状近似于抛物线形状，一般而言会被冠以类sp带(sp－li keｂanｄ)之名。
反之,一条比较窄得能带表明对应于这条能带得本征态主要就就是由局域于某个格点得原子轨道组成,这条带上得电子局域性非常强,有效质量相对较大。
3) 如果体系为掺杂得非本征半导体，注意与本征半导体得能带结构图进行对比，一般而言在能隙处会出现一条新得、比较窄得能带。
这就就就是通常所谓得杂质态(doping ｓtａtｅ）,或者按照掺杂半导体得类型称为受主态或者施主态。
ﻫ４）关于自旋极化得能带,一般就就是画出两幅图:mａjoｒity sｐin与mｉｎｏrity ｓpin。
经典得说，分别代表自旋向上与自旋向下得轨道所组成得能带结构。
注意它们在费米能级处得差异。
如果费米能级与ｍajoｒity ｓpｉn得能带图相交而处于mｉｎｏriｔy s piｎ得能隙中,则此体系具有明显得自旋极化现象,而该体系也可称之为半金属(hａlf ｍeｔａl）。
因为ｍａjoｒity ｓｐin与费米能级相交得能带主要由杂质原子轨道组成,所以也可以此为出发点讨论杂质得磁性特征。
5) 做界面问题时，衬底材料得能带图显得非常重要,各高对称点之间有可能出现不同得情况。
具体地说,在某两点之间,费米能级与能带相交;而在另外得ｋ得区间上，费米能级正好处在导带与价带之间。
这样，衬底材料就呈现出各项异性:对于前者,呈现金属性,而对于后者,呈现绝缘性。
因此,有得工作就就是通过某种材料得能带图而选择不同得面作为生长面。
具体得分析应该结合试验结果给出。
(如果我没记错得话,物理所薛其坤研究员曾经分析过＄\b eｔa$-Fe得(10０)与(111)面对应得能带。
有兴趣得读者可进一步查阅资料。
)原则上讲,态密度可以作为能带结构得一个可视化结果。
很多分析与能带得分析结果可以一一对应,很多术语也与能带分析相通。
但就就是因为它更直观，因此在结果讨论中用得比能带分析更广泛一些。
简要总结分析要点如下:１)在整个能量区间之内分布较为平均、没有局域尖峰得DＯＳ,对应得就就是类sp带,表明电子得非局域化性质很强。
相反,对于一般得过渡金属而言,d轨道得DOＳ一般就就是一个很大得尖峰,说明d电子相对比较局域,相应得能带也比较窄。
2 ﻫ) 从ＤOＳ图也可分析能隙特性:若费米能级处于DOS值为零得区间中,说明该体系就就是半导体或绝缘体；若有分波DＯS跨过费米能级,则该体系就就是金属。
此外，可以画出分波(PＤOＳ)与局域(LD OS）两种态密度,更加细致得研究在各点处得分波成键情况。
３) 从ＤOS图中还可引入“赝能隙”（ｐsｅudogap)得概念。
也即在费米能级两侧分别有两个尖峰。
而两个尖峰之间得DOＳ并不为零。
赝能隙直接反映了该体系成键得共价性得强弱:越宽，说明共价性越强。
如果分析得就就是局域态密度(LＤOS),那么赝能隙反映得则就就是相邻两个原子成键得强弱:赝能隙越宽,说明两个原子成键越强。
上述分析得理论基础可从紧束缚理论出发得到解释:实际上，可以认为赝能隙得宽度直接与Hamiltonian矩阵得非对角元相关,彼此间成单调递增得函数关系。
ﻫ４) 对于自旋极化得体系,与能带分析类似,也应该将mａｊority spｉn与miｎorｉty sｐin分别画出,若费米能级与mａjoriｔy 得DＯS相交而处于minｏrity得ＤＯS得能隙之中,可以说明该体系得自旋极化。
5) 考虑LDOS,如果相邻原子得LDOＳ在同一个能量上同时出现了尖峰,则我们将其称之为杂化峰(ｈｙbridizｅｄｐeaｋ),这个概念直观地向我们展示了相邻原子之间得作用强弱。
请教楼主:1ﻫ、我一直不明白DOS图中得非键得概念。
这里得非键,到底就就是什么意思？ＤOS图中能不能瞧出来？如何瞧?2ﻫ、金属中除了金属键,电子都就就是以什么状态存在得?就就是非键吗？所谓得非键就就是不就就是就就就是我们过去所说得自由电子?还就就是说,金属键得电子就就就是自由电子呢?ﻫ金属中金属键占大部分啊,还就就是说非键占大部分? ３、离子键在ＤOS中能不能瞧出来？如何瞧?4ﻫ、我曾瞧到文献上说,费米能附近得非键就就是金属性得标志。
这句话如何理解？1.其实DＯS就就是固体物理得概念，而非键(以及成键与反键等)就就是结构化学得概念，但就就是现在经常用在同一个体系说明不同得问题。
先说一下非键，然后在把它跟BANＤ与DOS结合起来。
从结构化学得角度来说，分子轨道就就是由原子轨道线性组合而成。
如果体系有n个原子轨道进行组合，就会产生n个分子轨道(即轨道数目守恒，其实从量子力学得角度,就就就是正交变换不会改变希尔伯特空间得维数）。
这些分子轨道得能量,可以高于，近似等于,或就就是低于原子轨道得能量,它们分别对应于成键,非键，或就就是反键态。
简单得说，非键轨道跟组成它得原子轨道能量差不多,如果有电子排在该轨道上,则对体系成键能量上没有太大帮助。
ﻫ由于固体中得每个能带都就就是有许多原子轨道组合而成,简单得说,对于某一只能带,它得上半部对应化学上所谓得反键态,下半部分对应于成键态,而中部得区域对应于非键态。
但就就是,由于能带就就是非常密集得,从而就就是连续(准连续得)，对于某个具体得能级，往往很难说出具体就就是什么键态,如果这个能级不就就是对应于能带低,或就就是能带顶得话。
而且，一般费米面附近得能带不仅仅由一种原子轨道扩展而成,而就就是不同种轨道杂化而成,要定量说明就就是比较难得。
ﻫ２、关于金属,粗糙得说，金属中得电子就就是以电子气得情况出现,分布于整个金属所在得空间。
正价离子实通过对“公共”电子气得吸引而聚集在一起。
从化学上讲,金属键可以瞧做就就是一种共价键,只就就是没有饱与性与方向性。
但就就是这种理解太粗糙。
从固体物理得角度,金属中电子分布跟半导体,绝缘体（也就就就是电介质)类似，对基态都就就是按照能量最低排在能带上。
只不过,金属得费米能级穿过电子所在得能带(也就就就是电子没有占满该能带)，从而使得费米面附近得电子参与导电。
所以,非键并不就就是我们说得自由电子,两者没有必然得联系。
金属中得电子也不就就是完全得自由电子，其波函数还就就是受离子周期调制得布洛赫波,而非平面波。
３、离子键等不能在DOS中瞧,我发过专门得帖子。
单纯得从DＯS最多可以定性得瞧出杂化，但就就是不能瞧出杂化轨道中得电子究竟偏向哪个原子,因此不能瞧出离子键或就就是共价键得情况。
最近我师弟问我一个很垃圾杂志上用DOS分析离子键或就就是共价键得文章,这个文章我瞧了一下,它得分析就就是错得。
4ﻫ、根据我上面得说法,由于固体得“非键态”在DＯS或就就是BＡND得中部,当费米能级附近就就是非键态时,换句话说,就就就是表明费米能级穿越了能带得中部,说明电子没有占满,因此就就是金属晶体,就就是金属性得标识。
这么理解有道理。
第一原理计算结果讨论(系列二)讨论一: 电荷密度图(ｃharge ｄenｓｉｔy）,变型电荷密图(def-ｏrmatｉｏnｃhargｅｄeｎsitｙ)与差分电荷密度图（dｉffeｒｅnce chargｅdeｎsity)等等,加自旋极化得工作还可能有自旋极化电荷密度图(sｐiｎ-poｌａrｉzed ｃｈａrgｅdensiｔy)。