9.透射电镜中的电子衍射

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电子衍射原理

电子衍射原理

h1u k1v l1 w 0 h2 u k 2 v l 2 w 0

u=k1l2-k2l1
v=l1h2-l2h1
w=h1k2-h2k1
简单易记法 h1 k1 l1 h1 k1 l1 h2 k2 l2 h2 k2
u
v
w
l2
六、电子衍射基本公式
电子衍射基本公式推导 TEM的电子衍射是把实际 晶体点阵转换为倒易点阵记 录下来,得到的图像叫做电 子衍射花样或叫电子衍射图。
电子束
光阑选区衍射(Le Pool方式)----用位于物镜象 平面上的选区光阑限制微区大小。先在明场象上找 到感兴趣的微区,将其移到荧光屏中心,再用选区 光阑套住微区而将其余部分挡掉。理论上,这种选 区的极限0.5m。 微束选区衍射 ----用微细的入射束直接在样品上 选择感兴趣部位获得该微区衍射像。电子束可聚焦 很细,所选微区可小于0.5m 。可用于研究微小析 出相和单个晶体缺陷等。目前已发展成为微束衍射 技术。
七、单晶电子衍射花样的标定
基本任务 确定花样中斑点的指数及其晶带轴方向[uvw]; 确定样品的点阵类型、物相和位向。 一般分析任务可分为两大类: 鉴定旧结构,这种结构的参数前人已作过测定,要求在这些
已知结构中找出符合的结构来。
测定新结构,这种结构的参数是完全未知的,在ASTM卡片中 和其它文献中都找不到;
OO*透射束,OG衍 射束,θ衍射角, G O*G=1/d
Θ
1/λ
o
O
1/λ
O*
**
五、晶带定律与零层倒易截面
1.晶带:晶体内同时平行于某一 方向[uvw] 的所有晶面组(hkl )构成一个晶带, [uvw]称为晶 带轴。

透射电镜的选区电子衍射

透射电镜的选区电子衍射

透射电子显微镜的选区衍射摘要:本文主要是以透射电子显微镜的选区电子衍射为主题来说明透射电镜在材料学中的应用。

关键词:透射电镜;电子衍射谱;选区电子衍射;应用Selected-Area Electron Diffraction of TEMAbstract: The Selected-Area Electron Diffraction of TEM is mainly talked about in this paper, And it tell us the application of the TEM in materials science.Key words:Transmission electron microscope; Electron diffraction spectrum; Selected-Area Electron Diffraction; application1.透射电镜的电子衍射概论透射电镜的电子衍射是透射电镜的一个重要应用,而透射电镜广泛应用于断裂失效分析、产品缺陷原因分析、镀层结构和厚度分析、涂料层次与厚度分析、材料表面磨损和腐蚀分析、耐火材料的结构与蚀损分析[1]中。

透射电镜的电子衍射能够在同一试样上将形貌观察与结构分析结合起来[2]。

这就使得电子衍射在应用中有着举足轻重的地位。

在透射电镜的衍射花样中,对于不同的试样,采用不同的衍射方式时,可以观察到多种形式的衍射结果。

如单晶电子衍射花样,多晶电子衍射花样,非晶电子衍射花样,会聚束电子衍射花样,菊池花样等。

而且由于晶体本身的结构特点也会在电子衍射花样中体现出来,如有序相的电子衍射花样会具有其本身的特点。

另外,由于二次衍射等原因会使电子衍射花样变得更加复杂。

选区衍射的特点是能把晶体试样的像与衍射图对照进行分析,从而得出有用的晶体学数据,例如微小沉淀相的结构、取向及惯习面,各种晶体缺陷的几何学特征等[3]。

2.选区电子衍射的原理及特点2.1选区电子衍射的原理为了得到晶体中某一个微区的电子衍射花样,一般用选区衍射的方法,将选区光阑放置在物镜像平面(中间镜成像模式时的物平面),而不是直接放在样品处。

电子衍射

电子衍射


2、衍射斑点为倒易点的投影
可以证明,电子衍射标定(指标化),可得到 倒易点阵空间分布状态
16
17
例1
下图为某物质的电子衍射花样 ,试指标化并 求其晶胞参数和晶带方向。
RA=7.1mm, RB=10.0mm, RC=12.3mm, (rArB)90o, (rArC)55o , L=14.1mm Å.
人们能在高倍下选择微区进行晶体结构分析, 弄清微区的物相组成; 2)电子波长短,使单晶电子衍射斑点大都分布 在一二维倒易截面内,这对分析晶体结构和位 向关系带来很大方便; 3)电子衍射强度大,所需曝光时间短,摄取衍 射花样时仅需几秒钟。
2
2、单晶电子衍射 当一电子束照射在单晶体薄膜上时,透射束穿

8 Find [uvw]= g1 g2 =[110]
u k1l2 k2l1 v l1h2 l2h1 w h1k2 h2k1
112
A110
112C
002
000
112
110
B 002
112
24
例2 下图为某物质( CaO)的两个方向的电子衍射花 样 ,试指标化并求其晶胞参数和晶带方向。 L=800mm, V=100KV, R 列在下表。 解:K=Lλ=800*1.225/100,0001/2=2.961mm nm.
20
4检查夹角:
cosAB 0,AB 900,cosAC 1 3,AC 54.70
与测量值一致。
112
5对各衍射点指标化如下 。
6 a= 2dB=2.83 Å,
d a h2 k2 l2
002
7可得到 [uvw]=[220].
112
晶带轴为 [uvw]=[110]。

透射电镜TEM电子衍射分析

透射电镜TEM电子衍射分析

eU 12 ) 是相对论修正系数,经修正后电子波长为: 2 m0 c 2
λ=
12.26 V (1 + 0.979 × 10 −6 V )
。 V 为加速电压(伏) , λ 为电子波长(埃) 1-1 电子波长数据表(经相对论修正) 加速电压(Kv) 电子波长( A )10-2
o
75 4.32
80 4.18
晶体内部的质点是有规则的排列由于这种组织结构的规则性电子的弹性散射波可以在一定方向相互加强除此以外的方向则很弱这样就产生一束或几束衍射电子波晶体内包含着许多族晶面的堆垛每一族晶面的每一个晶面上质点都按同样的规律排列且这族晶面的堆垛间距是一个恒定的距离称之为晶面间距dhkl当一束平面单色波照射到晶体上时各族晶面与电子束成不同坡度电子束在晶面上的掠射角标记上述特征入射束的波前ab散射束的波前为ab当第一层晶面的反射束qa与透射束在第二层晶面反射束rb间的光程差rtsrsin2d按波的理论证明两支散射束相干加强的条件为波程差是波长的整数倍即
R = Lλ ⋅ 1 d
即 R = Lλ ⋅ g
由此可知:电子衍射谱是一个二维倒易点列的投影,它代表倒易点阵的二维截面 由上式变换

电子衍射谱是一个放大的二维倒易点列,放大倍数 L λ 为相机常数。
7
VC[100]晶带电子衍射谱
VC[100]*倒易面上倒易点列
1-5 晶带定律
晶体中的许多晶面族(hkl)同时与一个晶向[uvw]平行时(图 3-6) ,这些晶面族总称为一个晶带,这 个晶向称为晶带轴。我们常常用晶带轴代表整个晶带,如[uvw]晶带。 既然这些晶面族都平行于晶带轴的方向,那么它们的倒易矢量 g = ha + kb + 1c 就构成一个与晶带 轴方向 r = ua + vb + wc 正交的二维倒易点阵平面(uvw)*。从 g ⋅ r = 0 的正交关系可以得出晶带定律

精品资源:透射电镜中的电子衍射及分析详解

精品资源:透射电镜中的电子衍射及分析详解

已知两g1、g2,均在过原 点的倒易面上,求晶带轴r的指数UVW 思考题2:求两晶带轴构成的晶面 练习
二维倒易面的画法 以面心立方 (321)* 为例 .1 试探法求(H1K1L1)及与之垂直的 (H2K2L2), (1 -1 -1), (2 -8 10); .2 求g1/g2, 画g1,g2; .3 矢量加和得点(3 –9 9),由此找出(1 –3 3), (2 –6 6); .4 重复最小单元。
2.1. 衍射几何
2.1.1. 晶体结构与空间点阵
空间点阵+结构基元=晶体结构 晶面:(hkl),{hkl} 用面间距和晶面法向来 表示 晶向: [uvw], <uvw> 晶带:平行晶体空间同一晶向的所有晶面的 总称 ,[uvw]
2.1.2. Bragg定律
2d sinq = n l, 2dHKL sinq =l , 选择反射,是产生衍射的必要条件 ,但不充分。
100kV, l=0.037Å sinq = l/2dHKL=10-2, q≈10-2<1o Kg-K0=g |g|=1/d,用g代表一 个面。
反射面法线
A
q
q
q
E
F
B
图2-1 布拉格反射
N
q G
图2-1 反射球作图法
2.1.3. 倒易点阵与衍射点阵
(hkl)晶面可用一个矢量来表示, 使晶体几何关系简单化 一个晶带的所有面的矢量(点)位 于同一平面,具有上述特性的点、 矢量、面分别称为倒易点,倒易矢 量、倒易面。因为它们与晶体空间 相应的量有倒易关系。
2)菊池线花样:平行入射束经单晶非弹性散射失去很少能量, 随之又遭到弹性散射而产生线状花样;主要用于衬度分析、结构 分析、相变分析以及晶体的精确取向、布拉格位置偏移矢量、电 子波长的测定等;

透射电镜电子衍射在晶体结构分析中的应用

透射电镜电子衍射在晶体结构分析中的应用

透射电镜电子衍射在晶体结构分析中的应用晶体材料由于具有有序结构而表现出许多独特的性质,成为特定的功能材料,制成器件广泛应用于微电子、自动控制、计算通讯、生物医疗等领域。

功能晶体材料的的微观结构决定其性能,因此对其微观结构的解析一直是科学研究的热点之一。

研究晶体结构通常的方法是X-射线单晶衍射技术(SXRD, Single crystal X-ray diffraction)和X-射线粉末衍射技术(PXRD, Powder X-ray diffraction),科学家们应用此两项技术已经解析了数目非常庞大的晶体结构。

然而X-射线衍射技术对于解析的晶体大小有限制,即使是应用同步辐射光源也只能解析大于微米级的晶体,无法对纳米晶体的结构进行解析。

相对于X-射线,电子束由于具有更短的波长以及更强的衍射,因此电子衍射应用于纳米晶体的结构分析具有特别的意义,透射电镜不仅可对纳米晶体进行高分辨成像而且可进行电子衍射分析,已成为纳米晶体材料不可或缺的研究方法,包括判断纳米结构的生长方向、解析纳米晶体的晶胞参数及原子的排列结构等。

1、判断已知纳米结构的生长方向在研究晶体结构时,很多情况下需要判断其优势生长面及生长方向,尤其是纳米线、纳米带等。

晶体的电子衍射图是一个二维倒易平面的放大,同时透射电镜又能得到形貌,分别相当于倒易空间像与正空间像,正空间的一个晶面族(hkl)可用倒空间的一个倒易点hkl来表示,正空间的一个晶带[uvw]可用倒空间的一个倒易面(uvw)*来表示,对应关系如图1所示,在透射电镜中,电子束沿晶带轴的反方向入射到晶体中,受晶面族(h1k1l1)的衍射产生衍射斑(h1k1l1),那么衍射斑与透射斑的连线垂直于晶面族(h1k1l1),据此可判断晶体的优势生长面及生长方向。

具体的方法是:首先拍摄形貌像,并且在同一位置做电子衍射,在形貌像上找出优势生长面,与电子衍射花样对照,找出与透射斑连线垂直于此晶面的透射斑,并进行标定,根据晶面指数换算出生长方向。

透射电镜衍射成像原理

透射电镜衍射成像原理
透射电镜是一种高级显微镜,利用电子束来成像样品的内部结构。

透射电镜的成像原理是基于电子的波粒二象性,电子具有波动性,因此可以产生衍射现象。

在透射电镜中,电子束通过样品时会发生衍射,通过观察样品衍射图样可以得到样品的内部结构信息。

透射电镜的成像原理主要包括以下几个方面:
1. 衍射:当电子束穿过样品时,与样品原子相互作用,会发生衍射现象。

电子束的波长通常在纳米级别,与可见光波长相当,因此可以得到高分辨率的图像。

样品的晶格结构会影响电子的衍射图样,通过分析衍射图样可以确定样品的晶格结构和原子排列。

2. 焦点:透射电镜的成像是通过电子透镜进行调焦来实现的。

透射电镜中的透镜由电磁场产生,可以调节电子束的聚焦和散焦。

透射电镜的透镜系统通常包括透镜、准直器和透镜孔径,通过调节透镜的参数可以获得清晰的电子图像。

3. 探测器:透射电镜的探测器通常是电子学传感器,可以将电子束转换为电子信号。

通过调节探测器的灵敏度和增益,可以获取高质量的电子图像。

透射电镜的探测器通常具有高灵敏度和低噪声,可以获取高分辨率的图像。

透射电镜的成像原理是基于电子的波粒二象性,通过电子的衍射现象和透镜系统的调焦来实现高分辨率的图像获取。

透射电镜在材料科学、生物学和纳米技术等领域具有重要的应用价值,可以帮助科学家研究样品的内部结构和性质。

透射电镜的发展将进一步推动科学研究的进步,为人类社会的发展做出贡献。

透射电镜衍射成像原理

透射电镜是一种利用电子束而不是可见光进行成像的显微镜。

它的原理基于电子的波动性和衍射现象,以下是透射电镜衍射成像的基本原理:
1. 电子源和加速器:透射电镜使用电子作为成像信号。

首先,通过热发射或场发射等方式产生电子束,然后利用电场或磁场对电子束进行加速,使其获得足够高的动能。

2. 样品与透射:样品通常是极薄的切片,这样电子束可以透过样品,而不是被样品表面所反射。

透射电镜的样品制备十分复杂,通常需要采用离心切片或者离子薄化技术来获得足够薄的样品。

3. 衍射:当高速电子束穿过样品时,会与样品中的原子产生相互作用。

在这个过程中,电子将发生衍射,类似于光波在晶体中衍射的现象。

样品中的原子排列方式会导致电子束的衍射,形成衍射图样。

4. 透射电子成像:透射电子衍射图样被收集并转换为图像。

这种图像显示出样品的内部结构信息,可以提供比光学显微镜更高的分辨率。

通过调节电子束的焦距、强度以及探测器的设置,可以获取不同深度和不同角度下的样品结构信息。

总的来说,透射电镜衍射成像的原理是利用电子的波动性和样品晶体
结构对电子的衍射现象,从而实现对样品内部结构的高分辨率成像。

这种技术在生物学、材料科学、纳米技术等领域都有广泛的应用。

TEM透射电镜中的电子衍射及分析

TEM透射电镜中的电子衍射及分析TEM透射电镜(Transmission Electron Microscopy)是一种高分辨率的显微镜,它利用电子束穿透样品,并通过电子衍射和显微成像技术来观察样品的内部结构和晶格信息。

本文将通过一个实例来介绍TEM透射电镜中的电子衍射及分析过程。

实例:研究纳米材料的晶格结构研究目标:使用TEM透射电镜研究一种纳米材料的晶格结构,确定其晶格常数和晶体结构。

实验步骤:1.样品制备:首先,需要制备纳米材料的TEM样品。

常见的制备方法包括溅射,化学气相沉积和溶液法等。

在本实验中,我们将使用溶液法制备纳米颗粒样品,并将其沉积在碳膜上。

2.装载样品:将TEM样品加载到TEM透射电镜的样品台上,并进行适当的调整,以使样品位于电子束的路径中。

3.调整TEM参数:调整透射电镜的参数,如电子束的亮度,聚焦和对比度等。

这些参数的调整对于获得良好的电子衍射图像至关重要。

4. 获得电子衍射图:通过调整TEM中的衍射镜,观察和记录电子衍射图。

可以使用选区衍射(Selected Area Diffraction,SAD)模式,在样品上选择一个小区域进行衍射。

电子束通过纳米颗粒样品时,会与晶体的原子排列相互作用,并在相应的探测器上形成衍射斑图。

5.解析电子衍射图:利用电子衍射图分析软件,对获得的电子衍射图进行解析。

通过测量衍射斑的位置和相对强度,可以推断出样品的晶格常数和晶体结构。

6.确定晶格常数:根据衍射斑的位置,使用布拉格方程计算晶格常数。

布拉格方程为:nλ = 2dsin(θ)其中,n是衍射阶数,λ是电子波长,d是晶体平面的间距,θ是入射角。

通过测量不同衍射斑的位置和计算,可以得到晶格常数及其误差范围。

7.确定晶体结构:根据衍射斑的相对强度以及已知的晶格常数,可以利用衍射斑的几何关系推断样品的晶体结构。

常见的晶体结构包括立方晶系、六方晶系等。

8.结果分析:根据实验获得的数据,进行晶格常数和晶体结构的分析和比较。

透射电镜衍射花样分析

透射电镜衍射花样分析1. 引言透射电镜是一种非常重要的材料表征工具,透过电子束的衍射和透射来得到样品的结构和化学组成信息。

透射电镜衍射花样分析是其中一项重要的技术,可以通过观察衍射花样来推断样品的晶体结构和缺陷。

2. 透射电镜的基本原理透射电镜是利用电子束的波动性进行样品表征的仪器。

电子束透过样品后,会受到样品的散射现象,产生衍射。

衍射现象的产生是由于样品的晶体结构引起的,晶体的原子或分子在电子束的作用下,会散射电子,形成不同方向上的衍射波。

透射电镜在探测和分析物质的微观结构方面具有独特优势,其空间分辨率可以达到亚埃级别。

通过透射电镜,我们可以观察到材料的晶体结构、相界面、杂质和缺陷等细部信息。

3. 透射电镜衍射花样的分析方法3.1 傅立叶变换方法透射电镜衍射花样可以用傅立叶变换方法进行分析。

傅立叶变换通过将衍射花样转化为倒空间的结构信息,可以推断出样品的晶体结构和衍射机制。

傅立叶变换方法在确定晶体结构、计算晶格常数、拟合衍射花样等方面都被广泛应用。

3.2 动态散射理论动态散射理论是分析透射电镜衍射花样的另一种重要方法。

它通过计算样品的散射因子和散射相位,从而推断出样品的晶体结构和原子密度分布。

动态散射理论的应用非常广泛,可以用于分析各种材料的衍射花样,包括晶态材料、非晶态材料和生物大分子材料等。

3.3 逆空间图像法逆空间图像法是一种直观的分析方法,通过将透射电镜衍射花样反演到逆空间,可以得到样品的晶体结构信息。

逆空间图像法可以直接观察到晶格常数、晶格形状、晶格定向等信息,对于初步分析样品的晶体结构非常有用。

4. 衍射花样的解读和分析透射电镜衍射花样的解读和分析是根据观察到的花样特点来推断样品的结构和性质。

通过观察衍射花样的对称性、强度分布和细节特征,可以得到许多信息,包括样品的晶体结构、晶格常数、晶程、孔径和缺陷等。

透射电镜衍射花样的解读和分析需要结合傅立叶变换方法、动态散射理论和逆空间图像法等分析方法,以获得更准确和全面的结果。

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优点
• 首先它能够在同一试样上把物相的形貌观 察与结构分析结合起来,使人们可以借助 显微图象,将放大几十万倍的情况下,将 直径小到几百埃的微晶挑选出来,进行晶 体结构的研究,也可借助衍射花样,弄清 薄晶衍衬成象的衬度来源,对光怪陆离的 现象加以确切解释。这些,对于材料科学 工作者是至关重要的。
优点
• 从结构消光原理来看,体心立方点阵h+k+l=偶数时才有 衍射产生,因此它的N值只有2,4,6,8„。面心立方点阵h、 k、l为全奇或全偶时才有衍射产生,固有N值为3, 4,8,11,12„。因此,只要把测量的各个R值平方,并整理 成式(10-18),从式中N值递增规律来验证晶体的点阵 类型,而与某一斑点的R2值对应的N值便是晶体的晶面族 指数,例如N=1即为{100};N=3为{111};N=4为{200}等。
图10-15为衍射束通过物镜折射在 后焦面上会集成衍射花样以及用 底片直接记录衍射花样的示意图。 根 据 三 角 形 相 似 原 理 , △OAB∽△O′A′B′,因此,前一 节讲的一般衍射操作时的相机长 度L和R在电镜中与物镜的焦距 f0 和 r(副焦距A′到主焦点B′的距 离)相当。电镜中进行电子衍射 操作时,焦距f0 起到了相机长度 的作用。由于f0 将进一步被中间 镜和投影镜放大,
• 在决定第二个斑点的指数时,应进行所谓 尝试校验,即只有h2k2l2代入夹角公式后求 出的ψ 角和实测的一致时,(h2k2l2)指数才 是正确的,否则必须重新尝试。应该指出 的是{ h2k2l2}晶面族可供选择的特定 (h2k2l2)值往往不止一个,因此第二个斑 点指数也带有一定的任意性。 • (7)确定两个斑点后,其它斑点可以根据矢 量加法求得。 • (8)根据晶带定理求零层倒易截面法线的方 向,即晶带轴的指数。
电子衍射基本公式
• 电子衍射操作是把倒易点阵的图像进行空 间转换并在正空间中记录下来。用底片记 录下来的图像称之为衍射花样。图10-13为 电子衍射花样形成原理图。待测样品安放 在爱瓦尔德球的球心O处。入射电子束和样 品内某一组晶面(hkl)相遇并满足布拉格 条件时,则在k′方向上产生衍射束。g hkl是 衍射晶面倒易矢量,它的端点位于厄瓦尔 德球面上。
• 其次,电子波长短,使单晶的电子衍射花样婉如 晶体的倒易点阵的一个二维截面在底片上的放大 投影,这就使晶体几何关系的研究远较X射线衍 射简单。 • 第三,物质对电子的散射强,约为X射线的一百 万倍。这就使电子衍射特别适用于微晶、表面和 薄膜的晶体结构研究。电子衍射强度大,所需曝 光时间短,只要几秒钟。这与X射线照相以小时 计相比也是很可贵的
• (9)校验晶面间距及晶面指数,指数是否符 合消光规律。
(二) 相机常数未知、晶体结构已知时衍射花
样的标定
• 1.测量数个斑点的R值(靠进中心斑点,但不在同一直线 上),用附录H校核各低指数晶面间距dhkl值之间的比值, 方法如下: 立方晶体中同一晶面族中各晶面的间距相同。例如 {123}中(123)面间距和(321)的面距相等,故同一 晶面族中h21+k21+l21=h22+k22+l22. h2+k2+l2=N,N值作为一个代表晶面族的整数指 数。 • 已知 d=a/((h2+k2 + l2 )1/2 =a/N 1/2. 所以d2∝1/NN∝1/d2, R2∝1/d2, R2∝N • 若把测得的R1,R2,R3„值平方,则 R12:R22:R32:„=N1:N2:N3„ (10-18)
第四节 单晶体电子衍射花样标定
• 标定单晶电子衍射花样的目的是确定零层倒易截面上各个 ghkl矢量端点(倒易阵点)的指数,定出零层倒易截面的 法向(即晶带轴[uvw]),同时确定样品的点阵类型。
一、 电子衍射花样的标定程序
(一)已知相机常数和样品晶体结构
பைடு நூலகம்
(1)测量靠近中心斑点的几个衍射斑点至中心 斑点距离R1,R2,R3,R4„„(如图10-19 ) (2)测量各衍射最短边、次短边及对角线间的 夹角。
第九章 透射电镜中的电子衍射
内蒙古工业大学材料学院 龚沛
第一节 概述
一.试样制备 • 看课件
二 电子衍射概述
• 电镜中的电子衍射,其衍射几何完全与上 篇X射线衍射一样,都满足布拉格方程和劳 厄方程,衍射线的空间分布规律满足厄瓦 尔德作图法。因此,许多问题可用与x射线 衍射相类似的方法进行处理。电子衍射与X 射线衍射相比主要有三个突出特点 :
• 由于选区衍射所选的区域 很小,因此能在晶粒十分 细小的多晶体样品内选取 单个晶粒进行分析,从而 为研究材料单晶体结构提 供 有 利 的 条 件 。 图 10-17 为 ZrO2-CeO2 陶 瓷 相 变 组 织的选区衍射照片。图 (a)为母相和条状新相 共同参与衍射的结果,而 图(b)为只有母相参与衍射 的结果
图10-12示出偏离矢量小于零,等于零和大于零的三种情况。 如电子束不是对称入射,则中心斑点两侧的各衍射斑点的强 度将出现不对称分布。由图10-11可知,偏离布拉格条件时, 产生衍射的条件可用下式表示 k'- k=g +s (10-11) 当Δ θ=Δ θmax时,相应的S=S max,S max=1/t。当Δ θ>Δ θmax时,倒易杆不再和爱瓦尔德球相交,此时才无法衍射产 生。
如果要使晶带中某一晶面(或几个晶面) 产生衍射,必须把晶体倾斜,使晶带轴稍 微偏离电子束的轴线方向,此时零层倒易 截面上倒易点阵就有可能和爱瓦尔德球面 相交,即产生衍射,如图10-9(b)所示。 但是在电子衍射操作时,即使晶带轴和电 子束的轴线严格保持重合(即对称入射) 时,仍可使g矢量端点不在爱瓦尔德球面上 的晶面产生衍射,即入射束与晶面的夹角 和精确的布拉格角θB (θB=sin-1(λ/2d))存 在某偏差Δθ时,衍射强度变弱但不一定为0, 此时衍射方向的变化不明显。

选区电子衍射
图10-16为选区电子衍射的原理图。 图中上方水平方向的箭头表示样 品,物镜像平面处的箭头是样品 的一次像。如果在物镜的像平面 处加一个选区光阑,那么只有 B‘A ’范围的成像电子能够通 过选区光阑,并最终在荧光屏上 形成衍射花样。这部分的衍射花 样实际上是由样品AB范围提供的。 选区光阑的直径约在20~300μ m 之间,若物镜放大倍数为50倍, 则选用直径为50μ m的选区光阑 就可以套取样品上任何直径 d=1μ m的区域。
• 衍射晶面位向与精确布拉格条件的允许偏 差(以仍能得到衍射强度为极限)和样品 晶体的形状和尺寸有关,这可以用倒易点 阵的扩展来表示。由于实际的样品晶体都 有确定的形状和有限的尺寸,因此它们的 倒易阵点不是一个几何意义上的“点”, 而是沿着晶体尺寸较小的方向上发展,扩 展量为该方向上实际尺寸的倒数的2π倍。 对于电子显微镜中经常遇到的样品,薄片 晶体的倒易点拉长为倒易“杆”,棒状晶 体为倒易“盘”,细小颗粒晶体则为倒易 “球”。
• 选区光阑的水平面位置在电镜中是固定不 变的,因此在进行正确的选区操作时,物 镜的像平面和中间镜的物平面都必须和选 区光阑的水平位置平齐。即图像和光阑空 边缘都聚焦清晰,说明它们在同一个平面 上。如果物镜的像平面和中间镜的物平面 于光阑的上方或下方,在荧光屏上仍能得 到清晰的图象,但因所选的区域发生偏差 而使衍射斑点不能和图像一一对应。
• R/L = g hkl/k • 因为 g hkl =1/d hkl , k=1/λ 故 R=λL/d=λL g (10-12) 因为 R ∥g hkl 所以式(10-12)还可以写成 R=λL g =K g (10-13) • 这就是电子衍射基本公式。式中 K=λL称为 电子衍射的相机常数,而L称为相机长度。 在式(10-13)中,左边的R是正空间中的 矢量,而式右边的g hkl是倒易空间中的矢量, 因此相机常数K是一个协调正、倒空间的比 例常数。
图10-11示出了倒易杆和厄 瓦尔德球相交情况,杆子的 总长为2/t。由图可知,在 偏离布拉格角±Δ θ max范 围内,倒易杆都能和球面相 接触而产生衍射。偏离Δ θ 时,倒易杆中心至与爱瓦尔 德球面交截点的距离可用矢 量s表示,s就是偏离矢量, Δ θ 为正时,s矢量为正, 反之为负。精确符合布拉格 条件时,Δ θ =0,s也等于 零。
第二节 电子衍射原理
• 一、斑点花样
斑点花样是单晶衍射形成的,其形貌如图 所示,由许多斑点组成。通过对这类花样 的分析,可以鉴定沉淀、孪晶、马氏体片 等等,可以确定物相之间的取向关系,绕 一个斑点旋转可以确定出旋转轴,通过对 花样细节分析可以弄清试样缺陷结构情况。
偏离矢量与倒易点阵扩展
• 从几何意义上来看,电子束方向与晶带轴 重合时,零层倒易截面上除原点O*以外的 各倒易阵点不可能与爱瓦尔德球相交,因 此各晶面都不会产生衍射,如图10-9(a) 所示。
• 零层倒易面的法线(即[uvw])偏离电子束入 射方向时,如果偏离范围在±Δθmax之 内,衍射花样中各斑点的位置基本上保持 不变(实际上斑点是有少量位移的,但位 移量比测量误差小,故可不计),此时各 斑点的强度变化很大,这可以从图10-11中 衍射强度随S变化的曲线上得到解释。
• 薄晶体电子衍射时,倒易阵点延伸成杆状 是获得零层倒易截面比例图象(即电子衍 射花样)的主要原因,这时在对称入射情 况下,倒易点阵原点附近的扩展了的倒易 阵点(杆)也能与爱瓦尔德相交而得到中 心斑点强而周围斑点弱的若干个衍射斑点。 但其他一些因素也可以促进电子衍射花样 的形成,例如:电子束的波长短,使爱瓦 尔德球在小角度范围内球面接近平面;加 速电压波动,使厄瓦尔德球面有一定的色 散度等。
缺点
• 电子衍射束强度有时几乎与透别束相当, 以致两者产生交互作用,使电子衍射花样, 特别是衬度分析变得复杂,不能象X射线那 样从测量衍射强度来广泛地测定结构。 • 此外,散射强度高导致电子穿透能力有限, 要求试样薄,这就使试样制备工作较为复 杂; • 精度方面:远低于X射线。
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